Результаты испытаний ИС серии 1890 на импульсную

УДК 621.38(06) Электроника
А.С. ПОЛИКАНИН
ЭНПО Специализированные электронные системы, Москва
РЕЗУЛЬТАТЫ ИСПЫТАНИЙ ИС СЕРИИ 1890
НА ИМПУЛЬСНУЮ ЭЛЕКТРИЧЕСКУЮ ПРОЧНОСТЬ
Приведены результаты испытаний ИС серии 1890 на импульсную
электрическую прочность. Результаты испытаний указывают на сильную
зависимость показателей стойкости от длительности одиночного импульса
напряжения и от вывода ИС, к которому приложено воздействие.
Стойкость элементной базы к воздействию электромагнитных
излучений (ЭМИ) характеризуется ее импульсной электрической
прочностью (ИЭП) к одиночным импульсам напряжения (ОИН),
возникающим под действием наведенных на соединительные линии
сигналов [1]. Для проектирования стойкой к воздействию ЭМИ РЭА
необходимы справочные данные по ИЭП ИС в виде зависимостей
предельно-допустимых
значений
напряжения
от
длительности
стандартизованного ОИН.
Испытания 3-х типов ИС серии 1890 на ИЭП проводились в ЭНПО
СПЭЛС с использованием аттестованного генератора ОИН ЭМИ-601 в
составе системы контроля импульсной электрической прочности [2].
Результаты испытаний в виде значений предельно-допустимых
напряжения при трех длительностях ОИН в случае подачи воздействия на
различные группы выводов приведены на рис. 1 – 3.
Рис. 1. Значения предельнодопустимых напряжений ОИН
при длительности импульса 0,1
мкс
Рис. 2. Значения предельнодопустимых напряжений ОИН
при длительности импульса 1,0
мкс
______________________________________________________________________
ISBN 5-7262-0555-3. НАУЧНАЯ СЕССИЯ МИФИ-2005. Том 1
213
УДК 621.38(06) Электроника
Рис. 3. Значения предельнодопустимых напряжений ОИН
при длительности импульса
10,0 мкс
Анализ результатов экспериментов указывает на сильную зависимость
ИЭП испытанных ИС прежде всего от длительности ОИН, а именно: с
уменьшением длительности ОИН уровень стойкости существенно
возрастает. Что касается зависимости ИЭП от группы входов ИС, то
однозначно можно утверждать, что стойкость цепи питания как правило
выше стойкости входных и выходных цепей ИС.
Полученные результаты в целом соответствуют модели теплового
повреждения внутренних областей ИС за счет энергии воздействующего
ОИН. В пользу данного предположения указывают также наблюдавшиеся
в эксперименте характерные для вторичного пробоя осцилляции тока в
предпробойном состоянии. Соответствующие осциллограммы приведены
на рис. 4.

T

T

T

T
1) C h 1:
2) C h 2:
500 m V olt 25 us
10 V olt 25 us
1) C h 1:
2) C h 2:
а)
500 m V olt 2.5 us
500 m V olt 2.5 us
б)
Рис.4. Осциллограммы напряжения и тока на входе ИС 1890ВГ8Е5 (а) и на выходе
ИС 1890ВМ2Т (б) в предпробойном состояниях
Список литературы
1. РД В 319.03.30-98. Изделия электронной техники, квантовой электроники и
электротехнические военного назначения. Испытания на импульсную электрическую
прочность. - М.: МО РФ, 1998 г. - 18 с.
2. Скоробогатов П.К., Барбашов В.М. Система контроля стойкости сложных ИС к
импульсным электрическим перенапряжениям//Радиационная стойкость электронных
систем - Стойкость-98": Тез. докл. Росс. научн. конф., г.Лыткарино, 2-4 июня 1998 г. М.:
СПЭЛС-НИИП, 1998. - С. 91-92.
______________________________________________________________________
ISBN 5-7262-0555-3. НАУЧНАЯ СЕССИЯ МИФИ-2005. Том 1
214
УДК 621.38(06) Электроника
______________________________________________________________________
ISBN 5-7262-0555-3. НАУЧНАЯ СЕССИЯ МИФИ-2005. Том 1
215