Изделия электронной компонентной базы, разрабатываемые по

Изделия электронной компонентной базы,
разрабатываемые по заказам Министерства промышленности и торговли Российской Федерации
2. Разработка радиационно-стойкой электронной компонентной базы
Название ОКР
Разработка и
освоение
производства на
структурах
КНС/КНИ
радиационностойкого 32разрядного
микроконтроллер
а с архитектурой
КОМДИВ со
встроенной
памятью,
встроенными
контроллерами
интерфейса ГОСТ
Р 52070-2003 и
SpaceWire
Шифр ОКР,
сроки
выполнения
"Обработка-1"
2011-2014 г. г.
Основные параметры и технические характеристики изделия ЭКБ
Предприятиеразработчик
32-р микропроцессор с архитектурой КОМДИВ со встроенной памятью и контроллерами НИИСИ РАН
интерфейсов ГОСТ Р 52070-2003 и SpaceWire с повышенной стойкостью к СВВФ на структурах
КНС/КНИ. Предназначен для использования в ЭВМ для техники наземного, воздушного и
космического базирования, работающих в тяжелых условиях эксплуатации в т.ч. при воздействии
повышенного уровня СВВФ.
Состав и основные характеристики:
- процессорное ядро с системой команд совместимой с МП серии КОМДИВ с КЭШ-памятью не
менее 16Кбайт;
- системные компоненты:
 регистровый файл;
контроллер ППЗУ;
 не менее 3-х таймеров реального времени;
 контроллер интерфейса ГОСТ Р 520702003;
 контроллер прерываний;
 контроллер внешних интерфейсов ввода-  контроллер интерфейса SpaceWire;
 два контроллера интерфейса RS-232;
вывода;
 контроллер ввода-вывода общего назначения
(GPIO);
 контроллер статического ОЗУ, реализующий сбоеустойчивый протокол работы с внешней
памятью;
 JTAG интерфейс в соответствии с IEEE1149.1 с поддержкой технологии граничного сканирования;
 максимальная рабочая частота до 150 МГц, но не менее 100 МГц в диапазоне -60…+125ºС;
 суммарная скорость приема и передачи данных по каналам связи SpaceWire – до 400 Мбит/с, но
не менее 200 Мбит/с;
 помехоустойчивое кодирование для снижения частоты одиночных сбоев при воздействии ТЗЧ;
 система команд совместимая с МП серии КОМДИВ;
 функционирование под управлением операционной системы ОСРВ Багет;
 потребляемая мощность не более 5 Вт на частоте 100 МГц и 2 Вт на частоте 40 МГц;
 напряжение электропитания 3,3 В (и/или 2,5 В – уточняется в процессе ОКР).
Корпус – металлокерамический. Бескорпусное исполнение – модификация 4.
Температурный диапазон: -60…+125ºС. Значения характеристик специальных факторов по ТЗ:
7.И1 -5УС; 7.И6 -5УС; 7.И7 -0,5х5УС; 7.И8 -1УС; 7.И12-7.И13 -2×2Р; 7.С1 - 5УС; 7.С4 - 5УС; 7.К1 - 1К1
(5×1К2); 7.К4 - 2,5х1К1,2; 7.К11 - 80 МэВ×см2/мг3.
Разработка и
освоение
производства
универсального
64-разрядного
микропроцессора
с пониженным
энергопотреблени
ем на структурах
"кремний-наизоляторе" 0,25
мкм,
совместимого с
архитектурой
"КОМДИВ" со
встроенной
памятью
"Обработка-2"
2011-2014 г. г.
Примечания:1. При совместном воздействии факторов с характеристиками 7.К1 и 7.К4.
2. При независимом воздействии факторов с характеристиками 7.К1 и 7.К4.
3. По катастрофическим отказам.
64-р МП совместимый с архитектурой КОМДИВ со встроенной памятью и пониженным НИИСИ РАН
энергопотреблением. Технология – КНИ 0,25 мкм. МП «КОМДИВ64-КНИ» функционально
совместим с МП «КОМДИВ64-СМП».
Состав и основные характеристики МП:
 процессор для обработки 64-р чисел с фиксированной запятой;
 арифметический сопроцессор для обработки чисел с плавающей запятой одинарной и двойной
точности;
 кэш-память первого уровня инструкций и данных объемом не менее 16 Кбайт каждый;
 контроллер кэш-памяти второго уровня, реализующий сбоеустойчивый протокол работы с кэшпамятью второго уровня;
 встроенная кэш-память второго уровня – не менее 64 Кбайт;
 контроллер последовательного канала RapidIO 4X;
 системный контроллер в составе:
 не менее двух программируемых 32-р таймеров;
 контроллер динамической памяти, реализующий сбоеустойчивый протокол работы с внешней
памятью;
 контроллер последовательного порта, совместимый с контроллером 16550;
 контроллер флэш-памяти;
 контроллер прерываний;
 контроллер шины PCI;
 контроллер каналов прямого доступа к памяти;
 jTAG интерфейс;
 встроенные SCAN-цепочки для тестирования кристаллов микросхемы.
 контроллер Ethernet 10/100 Мбит/с;
- электропитание 3,3 В;
- потребляемая мощность <5,5 Вт при 150 МГц и <2 Вт при 66 МГц;
- рабочая частота до 150 МГц в диапазоне -60…+125ºС.
Частота обмена по каналу RapidIO не менее 625 МГц в диапазоне -60…+125ºС.
Конструкция – металлокерамический корпус и бескорпусное исполнение.
Значения характеристик специальных факторов по ТЗ: 7.И1 - 5УС; 7.И6 - 5УС; 7.И7 - 0,5х5УС; 7.И8 1УС; 7.И12-7.И13 - 2×2Р; 7.С1 - 5УС; 7.С4 - 5УС; 7.К1 - 1К1 (5×1К2); 7.К4 - 2,5х1К1,2; 7.К11 - 80
МэВ×см2/мг 3.
Примечания: 1. При совместном воздействии факторов с характеристиками 7.К1 и 7.К4. 2. При
независимом воздействии факторов с характеристиками 7.К1 и 7.К4. 3. По катастрофическим отказам.
Разработка и
освоение
производства
радиационностойкого
цифрового
сигнального
процессора с
фиксированной
запятой по типу
TMS320VC54xх
"Обработка-3"
2011-2014 г. г.
64-р МП совместимый с архитектурой КОМДИВ со встроенной памятью и пониженным ФГУП
энергопотреблением. Технология – КНИ 0,25 мкм. МП «КОМДИВ64-КНИ» функционально «НИИЭТ»
совместим с МП «КОМДИВ64-СМП». Состав и основные характеристики МП:
 процессор для обработки 64-р чисел с фиксированной запятой;
 арифметический сопроцессор для обработки чисел с плавающей запятой одинарной и двойной
точности;
 кэш-память первого уровня инструкций и данных объемом не менее 16 Кбайт каждый;
 контроллер кэш-памяти второго уровня, реализующий сбоеустойчивый протокол работы с кэшпамятью второго уровня;
 встроенная кэш-память второго уровня – не менее 64 Кбайт;
 контроллер последовательного канала RapidIO 4X;
 системный контроллер в составе:
 не менее двух программируемых 32-р таймеров;
 контроллер динамической памяти, реализующий сбоеустойчивый протокол работы с внешней
памятью;
 контроллер последовательного порта, совместимый с контроллером 16550;
 контроллер флэш-памяти;
 контроллер прерываний;
 контроллер шины PCI;
 контроллер каналов прямого доступа к памяти;
 jTAG интерфейс;
 встроенные SCAN-цепочки для тестирования кристаллов микросхемы.
 контроллер Ethernet 10/100 Мбит/с;
- электропитание 3,3 В;
- потребляемая мощность <5,5 Вт при 150 МГц и <2 Вт при 66 МГц;
- рабочая частота до 150 МГц в диапазоне -60…+125ºС.
Частота обмена по каналу RapidIO не менее 625 МГц в диапазоне -60…+125ºС.
Конструкция – металлокерамический корпус и бескорпусное исполнение.
Значения характеристик специальных факторов по ТЗ: 7.И1 - 5УС; 7.И6 - 5УС; 7.И7 - 0,5х5УС; 7.И8 1УС; 7.И12-7.И13 - 2×2Р; 7.С1 - 5УС; 7.С4 - 5УС; 7.К1 - 1К1 (5×1К2); 7.К4 - 2,5х1К1,2; 7.К11 - 80
МэВ×см2/мг 3.
Примечания: 1. При совместном воздействии факторов с характеристиками 7.К1 и 7.К4. 2. При
независимом воздействии факторов с характеристиками 7.К1 и 7.К4. 3. По катастрофическим отказам.
Разработка и
освоение
производства
спецстойкого
микроконтроллер
а типа 1874ВЕ05Т
с интерфейсом
ГОСТ Р 520702003, АЦП и
ШИМ
"Обработка-4"
2011-2013 г. г.
16-р микроконтроллер типа 1874ВЕ05Т с интерфейсом по ГОСТ Р 52070-2003 и SpaceWire, АЦП и ФГУП
ШИМ, для применения в перспективных образцах подсистем ввода-вывода космической аппаратуры, «НИИЭТ»
в цифровой аппаратуре управления электродвигателями, средствах радиолокации и другой РЭА с
повышенными требованиями по стойкости к СВВФ.
Корпус – металлокерамический типа 4235.88-1.
Состав и основные характеристики:
 система команд и архитектура – улучшенная MCS-96 (AMCS-96);
 динамически конфигурируемая шина данных – 8 или 16 бит;
 число режимов пониженного потребления мощности – 3;
 разрядность данных – 16 бит;
 адресуемая память – 64Кх8 бит;
 регистровое ОЗУ – 488х8 бит;
 число параллельных 8-р портов ввода-вывода – 6;
 число источников прерываний – 44;  число последовательных портов UART – 2;
 число каналов встроенного АЦП –  число синхронных последовательных интерфейсов
8/16;
SPI – 1;
 число разрядов АЦП – 10/12;
 число контроллеров интерфейса ГОСТ Р 52070-2003 –
1;
 число каналов блока ШИМ – 3;
 блок высокоскоростного ввода-  число контроллеров интерфейса SpaceWire – 1;
 число 16-р таймеров/счетчиков – 2;
вывода;
 периферийный сервер PTS;
 программируемый 16-р сторожевой таймер;
 модуль отладки DEBUG UNIT;
 программная совместимость с МК 1874ВЕ05Т.
Электропитание: 3,3 В (цифровая часть); 3,3 В (АЦП). Температурный диапазон: -60…+85ºС.
Значение характеристик спец.факторов: 7.И1 -5Ус; 7.И6 -5Ус1; 7.И7 -0,5х5Ус; 7.И8 -1Ус; 7.И12–7.И13 2х2Р; 7С1 -5Ус; 7С4 -5Ус; 7.К1 -0,5х2К2 (2К3); 7.К4 - 0,5х1К2 (1К3); 7.К11-60МэВхсм2/мг. Примечания:
2.При совместном воздействии факторов с характеристиками 7.К1 и 7.К4. 3. При независимом
воздействии факторов с характеристиками 7.К1 и 7.К4. 4. По катастрофическим отказам и
тиристорному эффекту.
Разработка и
освоение
производства
радиационностойкого
цифрового
сигнального
процессора с
фиксированной
запятой по типу
1867ВМ2
(TMS320C25)
"Обработка-5"
2011-2013 г. г.
16-разрядный процессор цифровой обработки сигналов с фиксированной запятой и повышенной ФГУП
стойкостью к СВВФ. Назначение – обеспечение надежной и бессбойной работы систем управления «НИИЭТ»
перспективных образцов ВВСТ в жестких условиях эксплуатации, в т.ч. при СВВФ.
Состав и основные характеристики:










архитектура, система команд и методы адресации – 1867ВМ2;
длина командного слова и разрядность данных (фикс.запятая) – 16 бит;
разрядность умножителя/результат умножения – 16х16/32 бит;
разрядность АЛУ и аккумулятора – 32 бит;
 производительность – 12 MIPS;
объем внутреннего ПЗУ программ – 4Кх16 бит;
 объем внутреннего ОЗУ– 544х16
бит;
общий объем адресуемой памяти 16-разрядных слов – 224К;
полнодуплексный синхронный последовательный порт;
16 параллельных 16-р портов ввода/вывода;
 16-р таймер-счетчик;
8
вспомогательных
регистров
общего  интерфейс внешней памяти;
назначения;
по два программно и аппаратно инициируемых режима энергосбережения.
Электропитание: 3,3 В (ядро); 3,3 В (буферы ввода/вывода). Температурный диапазон: -60…+85ºС.
Корпус – 88-выводной металлокерамический типа 4235.88-1.
Уровни стойкости: 7.И1 – 5Ус, 7.И6 – 5Ус, 7.И7–0,5х5Ус, 7.И8–1Ус, 7.И12, 7.И13–2х2Р, 7.С1 –5Ус, 7.С4 –
5Ус, 7.К1 –2К, 7.К4 –1К, 7.К11 –60 МэВ х см2/мг.
Разработка и
освоение
производства
радиационностойкого 32-х
разрядного
цифрового
сигнального
процессора с
плавающей
запятой
"Обработка-6"
2011-2014 г. г.
32-разрядный процессор цифровой обработки сигналов с плавающей запятой и повышенной ФГУП
стойкостью к СВВФ, для создания высокопроизводительных многопроцессорных вычислительных «НИИЭТ»
систем аппаратуры управления и обработки информации, связи, навигации, радиолокации,
работающих в жестких условиях эксплуатации, в т.ч. при СВВФ.
Состав и основные характеристики:
 система команд и архитектура – 1867ВЦ3Ф (TMS320C40);
 формат чисел – с плавающей и фиксированной запятой;
 производительность
–
40  разрядность процессора – 32 бита;
MFlops;
 объем непрерывно адресуемой памяти – 16 Гбайт;
 тактовая частота – 40 МГц;
 два 32-р интерфейса к внешней памяти;
 ПЗУ программ – 32Кбайт;
 шесть 8-р высокоскоростных коммуникационных
 ОЗУ данных – 8 Кбайт;
портов;
 2 таймера;
 шестиканальный сопроцессор прямого доступа к
памяти;
 порт тестового доступа JTAG IEEE1149.1 с поддержкой исходного граничного
сканирования;
 внутрикристальная схема отладки с интерфейсом JTAG;
 три режима пониженного энергопотребления.
Электропитание: 1,8 В (ядро); 3,3 В (буферы ввода/вывода). Температурный диапазон: -60…+85ºС.
Корпус – металлокерамический с полуматрицей штырьковых выводов с шагом 1,27 мм (тип PGA).
Уровни стойкости: 7.И1 – 3х5Ус, 7.И6 – 2,5х6Ус, 7.И7 – 1,5х5Ус, 7.И8 – 4Ус, 7.И12 – 3Р, 7.С1 – 5Ус,
7.С4 – 5  5Ус, 7.К1 – 2К, 7.К4 – 1К.
Разработка и
освоение
производства 16разрядного
быстродействую
щего RISC
микроконтроллер
а с повышенной
стойкостью к
СВВФ на базе
процессорного
ядра С166
"Обработка-7"
2011-2013 г. г.
16-р быстродействующий RISC микроконтроллер на базе процессорного ядра С166 с повышенной ФГУП
стойкостью к СВВФ для использования в перспективных образцах аппаратуры ВВСТ.
«НИИЭТ»
Состав и основные характеристики:
 система команд и архитектура –  внешних линий модуля генерации ШИМ – 6;
С166;
 число последовательных портов USART – 2;
 разрядность данных – 16 бит;
 число синхронных последовательных портов SPI
 адресуемая память – 16Мх8бит;
– 2;
 внутреннее ОЗУ – 4 Кбайт;
 многофункциональный таймерный модуль;
 число источников прерываний – 77;  контроллер сдвоенного интерфейса CAN;
 линий ввода-вывода – 103;
 контроллер встроенной системы отладки OCDS;
 число модулей захвата/сравнения –  температурный диапазон: -60…+85ºС.
3;
Электропитание: 3,3 В (ядро); 3,3 В (выходные каскады).
Корпус – металлокерамический типа 4247.144-1 (CQFP144). Технология производства – КНИ.
Значение характеристик специальных факторов: 7.И1-5Ус; 7.И6 -5Ус1; 7.И7-0,5х5Ус; 7.И8 - 1Ус; 7.И12–
7.И13 -2х2Р; 7С1-5Ус; 7С4-5Ус; 7.К1 -0,5х2К2 (2К3); 7.К4 -0,5х1К2 (1К3); 7.К11 -60 МэВхсм2/мг.
Примечания: 2. При совместном воздействии факторов с характеристиками 7.К1 и 7.К4. 3. При
независимом воздействии факторов с характеристиками 7.К1 и 7.К4. 4. По катастрофическим отказам
и тиристорному эффекту.
Разработка
радиационностойкой СнК,
реализующей
сбое и
отказоустойчивый
32-разрядный
RISC-процессор с
резервированием
на кристалле и
набором
интерфейсов
"Обработка10"
2012-2015 г.г.
Разработка и организация серийного производства микросхемы радиационно-стойкой системы на НИИСИ РАН
кристалле (СнК), реализующей сбое и отказоустойчивый 32-разрядный RISC-процессор с
резервированием на кристалле и набором интерфейсов. Ближайшим функциональным аналогом
разрабатываемой микросхемы является микросхема 1900ВМ2Т, в которой также применено
резервирование на кристалле. Разрабатываемая микросхема имеет повышенные функциональные
возможности. Система команд должна быть совместимой с микропроцессором 1900ВМ2Т серии КОМДИВ.
Состав изделия уточняется на этапе технического проекта. Микросхема содержит:
1.Функциональные элементы:
 процессорное ядро c 3-4-х кратным резервированием;
 резервируемый контроллер интерфейса SpaceWire;
 резервируемый контроллер канала, оконечного устройства, монитора интерфейса по ГОСТ Р
52070-2003.
2. Системные компоненты:
 не менее 3-х таймеров реального времени;
 контроллер статического ОЗУ;
 контроллер прерываний;
 контроллер ППЗУ;
 2 контроллера интерфейса RS-232;
 JTAG интерфейс;
 контроллер ввода-вывода общего назначения (GPIO);
 минимальная рабочая частота до 100 МГц (но не менее 66 МГц) в диапазоне температур
окружающей среды – минус 600 плюс 1250С. Потребляемая мощность на частоте 66 МГЦ не
более 7 ВТ.
Электрические параметры интерфейсов ОЗУ, ППЗУ, GPIO, RS-232, JTAG, ГОСТ Р 52070-2003
не
менее
UOL
Выходное напряжение низкого уровня, В, при IOL=1,5 мА,
UCC=min
UOH
Выходное напряжение высокого уровня, В, при IOH= – 0,5 мА,
UCC=min
2,4
IOZL,
IOZH
Выходной ток высокого и низкого уровней в состоянии
«Выключено», мкА при UCC=max, UOZL=0 B, UOZН=max+0,1B
минус
70
не
более
0,5
плюс
70
Ёмкость выводов микросхемы (при температуре 25±10 оС):
Входная емкость, пФ
CIN
12
Выходная емкость, пФ
COUT
20
Емкость входа/выхода, пФ
CI/O
20
П р и м е ч а н и е : Приведены требования к сигналам интерфейсов ОЗУ, ППЗУ, GPIO, RS-232,
JTAG, ГОСТ Р 52070-2003 при напряжении питания 3,3В 5 %. Электрические параметры
сигналов интерфейса SpaceWire определяются на этапе технического проекта.
Микросхемы должны выполнять свои функции и сохранять значения
параметров в пределах
установленных норм во время и после воздействия специальных факторов в соответствии с
ГОСТ РВ 20.39.414.2-98 (Вид специальных факторов - Значения характеристик специальных
факторов):
7.И - 5УС - 0,5×5УС; (7.И8 - 1УС); 7.С - 5УС; 7.К - 1К - 0,5×2К; (7.К11 - 60 МэВ×см2/мг).
Разработка
радиационностойкой
трехядерной
микросхемы
сигнального
микропроцессора
с шестью портами
SpaceFibre
"Обработка11"
2011-2014 г.г.
Разработка и освоение производства радиационно-стойкой трехядерной микросхемы сигнального ОАО НПЦ
микропроцессора (МС-30SF6) с шестью портами высокопроизводительного последовательного "ЭЛВИС"
канала на базе технологии SpaceFibre или ее модификации с пропускной способностью до 1 Гбит/c
для радиоэлектронной аппаратуры космических аппаратов, авиационной и ракетной техники.
Состав:
 MIPS32 совместимое ядро;
 два DSP-ядра аналогичных, примененным в серии микропроцессоров 1892ВМxx обеспечивающие:
 совместимость снизу по программному обеспечению с серией микропроцессоров 1892ВМxx;
 рабочую частоту – не менее 140 МГц;
 пиковую производительность - не менее 1680 MFLOPs;
 блоки защиты кодом Хэмминга внутренней и внешней памяти микросхемы: коррекция ошибок;
 исправление однократных ошибок и обнаружение двукратных ошибок.
Периферия микросхемы содержит:
 два контроллера SpaceWire по стандарту ECSS-E-50-12С с пропускной способностью от 2 до 300
Мбит/c каждый;
 четыре многофункциональных порта MFBSP (LPORT, SPI, I2S, GPIO) с DMA;
 два универсальных асинхронных порта (UART) типа 16550А;
 шесть портов высокоскоростных последовательных каналов (по технологии SpaceFibre/SpaceWire-2
или ее модификации) со скоростью передачи до 1 Гбит/с каждый.
Основные параметры:
Наименование параметра, единица измерения,
обозначение
Ток потребления
режиме, мА
периферии
в
статическом
ICCР
не
менее
не
более
Т
среды,°С
10
- 600…+
850
при: UCCР=3,47B, UCCС=1,9 B, XTI=0
Ток потребления ядра в статическом режиме, мА
при: UCCР=3,47 B, UCCС=1,9 B, XTI=0
Ток потребления ядра в динамическом режиме,
мА
ICCС
50
IOCCС
1000
IIL
10
UOL
0,4
при: UCCР=3,47 B, UCCС=1,9 B
Ток утечки высокого и низкого уровня на входе,
мкА
при: UCCР=3,47 B, UCCС=1,9 B
Выходное напряжение низкого уровня, В при: IOL=
4 мА, UCCР=3,47 B
Выходное напряжение высокого уровня, В
при: IOH =-2,8 мА, UCCР =3,13 B
Входная емкость, пФ
Емкость входа/выхода, пФ
UOH
2,4
CI
30
CI/O
30
250±10
Микросхемы должны выполнять свои функции и сохранять значения параметров в пределах
установленных норм во время и после воздействия специальных факторов в соответствии с
ГОСТ РВ 20.39.414.2-98: 7.И-4УС; (7.И8–0,02х1УС; 7.И12-7.И13 - 2×2Р); 7.С-4УС; 7.К-1К; (7.К11-60
МэВ×см2/мг).
Разработка
высокопроизводи
тельного 32разрядного
процессора
архитектуры
"Обработка12"
2012-2015 г. г.
Разработка и освоение микропроцессора архитектуры SPARC V8 с повышенной стойкостью к ФГУП
специальным внешним воздействующим факторам, четырьмя портами SpaceFibre, двумя портами "НИИЭТ"
CAN 2.0B, интегрированными контроллерами PCI 2.2, Ethernet и USB2.0.
Разрабатываемый микропроцессор имеет 7-ступенчатый конвейер команд с предсказанием переходов
и поддерживает 64-разрядные однотактные операции загрузки/хранения. В процессоре имеются блок
целочисленной арифметики SPARC V8, устройство плавающей арифметики, раздельная кэш-память
SPARC V8 с
повышенной
стойкостью к
СВВФ, четырьмя
портами
SpaceFibre, двумя
портами CAN
2.0 B,
интегрированным
и контроллерами
PCI 2.2, Ethernet и
USB 2.0
для команд и данных, PCI-интерфейс и контроллер внешней памяти, который поддерживает память
различных типов (SRAM, PROM и SDRAM).
Разрабатываемая микросхема содержит:





процессорное ядро SPARC V8/LEON4 с V8e расширенными инструкциями;
семиступенчатый конвейер команд с предсказанием переходов;
четыре встроенных мультипротокольных порта SpaceFibre;
64-разрядный 4-портовый регистровый файл;
 интегрированный контроллер PCI 2.2;
конфигурируемый кэш 1-го уровня и 2-го  интегрированный контроллер Ethernet;
уровня;
 интерфейс JTAG;
 два порта CAN 2.0B;
 последовательный порт UART.
 порт USB 2.0;
Значения электрических параметров:
Обозначение, наименование параметра, единица измерения
(режим измерения)
Норма параметра
не менее
UOL - Выходное напряжение низкого уровня буферов ввода-вывода,
В; (IOL = 2,0 мА, U#VCC1 = U#VCC1ном -10%, U#VCC2 = 3,0 B)
не более
0,4
UOH - Выходное напряжение высокого уровня буферов вводавывода, В; (IOH = –0,3 мА, U#VCC1 = U#VCC1ном -10%, U#VCC2 = 3,0 B)
U#VCC – 0,3
Входной ток, мкА
II1 -вывода «pull-up»
минус 200
15
(0 В < UI < U#VCC,
II2- вывода «pull-down»
минус 15
200
U#VCC1 = U#VCC1ном,
II3- Вход тактового сигнала
минус 55
55
U#VCC2 = 3,3 B)
II4- Все остальные входы
минус 15
15
IO#VCC1 - Динамический ток потребления ядра, мА/МГц
35
(U#VCC1 = U#VCC1 ном+10%, U#VCC2 = 3,6 B)
IO#VCC2 - Динамический ток потребления буферов ввода-вывода,
мА/МГц; (U#VCC1 = U#VCC1 ном+10%, U#VCC2 = 3,6 B)
2
Микросхемы должны выполнять свои функции и сохранять значения параметров в пределах
установленных норм во время и после воздействия специальных факторов в соответствии с
ГОСТ РВ 20.39.414.2-98: 7.И-5УС - 0,5×5УС; (7.И8 - 1УС; 7.И12-7.И13 - 2×2Р); 7.С-5УС; 7.К - 0,5х1К 0,5×2К; (7.К11 - 60 МэВ×см2/мг).
Разработка
спецстойкого 32
разрядного RISC
процессора на
основе
архитектуры
ARM для
аппаратуры
спецстойкой
телеметрии,
бортового
вычислителя,
радиолокационно
го корректора
систем
автономной
навигации
КМОП-КНИ с
проектными
нормами
0,25…0,3 мкм
"Обработка13"
2012-2015 г. г.
Разработка спецстойкого 32 разрядного RISC процессора на основе архитектуры ARM для ЗАО "ПКК
аппаратуры телеметрии, бортового вычислителя, радиолокационного корректора систем автономной Миландр"
навигации КМОП-КНИ с проектными нормами 0,25…0,3 мкм. Состав СБИС и структурная схема
уточняется и разрабатывается на первом этапе ОКР.
Состав СБИС:
 центральный 32-х разрядный процессор полностью совместимый с ядром ARM Cortex-M4;
 встроенная однократно электрически программируемая память программ емкостью 128 кбайт для
кода процессора. Тип ячейки памяти  antifuse;
 32 кбайт встроенной памяти ОЗУ. Размер памяти должен быть уточнен в ходе ОКР;
 интерфейс JTAG (IEEE std. 1149.1) для отладки и перепрограммирования;
 контроллер прерываний;
 интерфейс UART;
 интерфейс SPI;
 блок 32-х разрядных таймеров (4 шт.) с функциями ШИМ (4 шт.) и захват (4 шт.), блок должен
поддерживать 4 канала ПДП;
 цифровой контроллер интерфейса ГОСТ Р52070-2003 (2 шт.);
 цифровой контроллер приемника ГОСТ 18977-79 (8 шт.) и цифровой контроллер передатчика
ГОСТ 18977-79 (4 шт.);
 16-ти разрядная демультиплексированная шина управления, мультиплексированная с портами
ввода-вывода общего назначения;
 блок сторожевого таймера.
Основные параметры:
Буквенное обозначение, наименование параметра, единица измерения
min
max
t
среды,
С0
UOL - Выходное напряжение низкого уровня, В; UCC = 3,0В, IOL= 4 мА
0,4
-60 °
UOH - Выходное напряжение высокого уровня, В; UCC = 3,0В, IOL= 4 мА
2,4
+125°
IILL - Ток утечки низкого уровня на входе, мкА; UCC= 3,6В, UI= GND
|±10|
IILH - Ток утечки высокого уровня на входе, мкА; UCC= 3,6В, UI= GND
|±10|
IOCC - Динамический ток потребления, мА; UCC =3,6В, IO = 0 мА, fC =100
МГц
150
ICCS - Статический ток потребления в режиме powerdown, мА; UCC =3,6В,
IO=0мА
fc - Тактовая частота, МГц
1
100
Микросхемы должны выполнять свои функции и сохранять значения параметров в пределах
установленных норм во время и после воздействия специальных факторов в соответствии с
ГОСТ РВ 20.39.414.2-98: 7.И-5УС - 6УС; (7.И8 – 0,02х1УС; 7.И12-7.И13 - 2×2Р); 7.С-5УС; 7.К-0,1х1К 1К.
Разработка
радиационностойкого DSPмикроконтроллер
а для управления
электроприводом
"Обработка14"
2012-2014 г. г.
Разработка радиационно-стойкого 16-разрядного DSP-микроконтроллера типа «Motor Control», ФГУП
предназначенного для создания цифровых систем управления электроприводами различных типов "НИИЭТ"
эксплуатирующихся в условиях специальных видов воздействующих факторов.
Функциональные характеристики:
 архитектура и система команд - типа TMS320F24xx;
 формат обрабатываемых данных - 16 битные с фиксированной запятой;
 разрядность операндов АЛУ и умножителя - 16 бит;
 разрядность результата АЛУ - 32 бит;
 разрядность результата умножителя - 32 бит;
 объем адресуемой памяти - 192К х 16 бит;
 четыре режима пониженного энергопотребления.
Состав:
 процессорное ядро ЦОС с системой команд совместимой с 1867ВЦ5Т (TMS320F24xx);
 двадцать восемь программируемых мультиплексируемых выводов;
 ОЗУ данных объемом 544 х 16  три 16-ти битных устройства полного сравнения;
бит;
 три 16-ти битных устройства простого сравнения;
 три 16-разрядных таймера;
 синхронный последовательный порт;
 сторожевой таймер;
 асинхронный последовательный порт;
 квадратурный декодер;
 два 8-ми канальных 10-разрядных АЦП;
 двенадцать каналов ШИМ;
 шесть выводов внешних прерываний;
 интерфейс внешней памяти;
 JTAG-интерфейс.
Режимов пониженного энергопотребления - 4. Производительность - 20 MIPS. Корпус типа 4229.
132-3 (132 вывода, шаг 0,625 мм, размер – 28 х 28 мм. Микросхема должна быть поддержана
интегрированной средой разработки Code Composer, включающей компиляторы с языков С,
Assembler, Linker, отладчик.
Основные параметры:
Наименование параметра, единица измерения, режим
измерения,
обозначение параметра
Выходное
напряжение
низкого уровня, B
U#VCC = 3,0 В
U∩VCC = 3,0 В
Выходы
IOL , мА
R#
8
ADCIN0/IOPA0,
ADCIN1/IOPA1,
ADCIN9/IOPA2,
ADCIN8/IOPA3,
SCIRXD/IO,
SCITXD/IO,
XINT2/IO,
XINT3/IO,
7,5
SPISOMI/IO,
SPISTE/IO
все остальные
14,5
UOL
Норма
параметра
не
не
менее
более
0,4
t среды,
ºС
-600..
+850
выходы
Выходное
напряжение
высокого уровня,
B
Выходы
IOH, мА
ADCIN0/IOPA0,
минус
16
UOH
2,4
ADCIN1/IOPA1,
ADCIN9/IOPA2,
U#VCC = 3,0 В
U∩VCC = 3,0 В
ADCIN8/IOPA3,
SCIRXD/IO,
SCITXD/IO,
XINT2/IO,
XINT3/IO,
SPISOMI/IO,
SPISTE/IO
все остальные
минус
23
выходы, кроме
R#
Входной ток, мкА
входы TRST#, RESERVED
UIH = 3,6 В
входы: TMS, TCK, TDI,
UIL = 0 В
EMU0, EMU1/OFF#
U#VCC = 3,6 В
все остальные входы
UОZL = 0 В
500
- 500
10
- 10
10
II
U∩VCC = 3,6 В
Выходной ток в состоянии
- 10
IOZ
-5
-600..
+850
«Выключено», мкА
UОZH = 3,6 В
5
U#VCC = U∩VCC = 3,6 В,
Динамический ток потребления, мА
U#VCC = 3,6 В, U∩VCC = 3,6 В, fCI = 20 МГц
Время переключения
сигнала на выходе
CLKOUT/IOPC1, нс
время
U#VCC = 3,0 В,
время спада
нарастания
IOCC
100
tr
10
tf
10
U∩VCC = 3,0 В
Примечание: Параметры II, IOZ при температуре минус 60 ºС не измеряются, а должны быть
гарантированы нормами при температуре (25 ± 10) ºС. Напряжение питания цифровой части
ИМС U#VCC = U#VCC1 = U#VCC2. Входы TMS, TCK, TDI, EMU0, EMU1/OFF через резистор (типа
«Pull up») должны быть соединены с шиной питания. Входы TRST# и RESERVED через
резистор (типа «Pull down») должны быть соединены с шиной земля. Вывод R# типа I/O
(вход/выход). Его выходной буфер должен быть выполнен по схеме с открытым стоком.
Функциональный контроль должен проводиться при U#VCC = U∩VCC = UVREFHI = (3,0÷3,6) В,
UVREFLO = 0 В; fCI = 1; 20 МГц в диапазоне температур от минус 60 до плюс 85оС.
Микросхемы должны выполнять свои функции и сохранять значения параметров в пределах
установленных норм во время и после воздействия специальных факторов в соответствии с
ГОСТ РВ 20.39.414.2-98 (Вид специальных факторов - Значения характеристик специальных
факторов):7.И - 0,5УС - 5УС; (7.И8 – 1УС; 7.И12-7.И13 - 2Р); 7.С - 5УС; 7.К - 0,5х1К – 0,5х2К; (7.К11 - 60
МэВ×см2/мг).
Разработка
комплекта
радиационностойких СБИС
для построения
аппаратуры КИС,
телеметрии
служебных
систем
космических
аппаратов
"Обработка15"
2012-2015 г. г.
Разработка схемных, архитектурных и конструктивных решений, освоение серийного производства ОАО
комплекта радиационно-стойких специализированных СБИС для построения аппаратуры КИС, "Ангстрем"
телеметрии служебных систем космических аппаратов с учетом эксплуатации их в жестких условия
специальных видов воздействующих факторов.
Комплект радиационно-стойких специализированных СБИС:
 СБИС аналоговый мультиплексор на 32 канала с низкими перекрестными токами утечки;
 СБИС аналого-цифрового преобразователя (СБИС ADC) должен включать в свой состав источник
опорного напряжения.
СБИС отказоустойчивого 32 разрядного процессора совместимого по функционалу на аппаратном
уровне со стандартом CCSDS (далее – СБИС CPU) включает:
 резервированный контроллер последовательного интерфейса на 4 направления по ГОСТ Р 520702003;
 контроллер интерфейса Space Wire со скоростью передачи данных не менее 100 Мбит/с;
 контроллер прямого доступа к памяти;
 внутрикристальную схему отладки с интерфейсом JTAG (IEEE 1149.1) c поддержкой технологии
граничного сканирования;
 ОЗУ;
 встроенные последовательные порты для обмена информацией со СБИС MUX и СБИС ADC;
 декодер БЧХ (63,56) – размер блока 63 бита, размер полезных данных 56 бит;
 декодер Витерби (параметры определяются на 1 этапе работы);
 дерандомизатор (параметры определяются на 1 этапе работы);
 кодер Рида-Соломона (255, 223), (255, 239) – размер блока 255 символов, размер полезных данных
223 или 239 символов, разрядность 8 бит, порождающий полиномF(x) = x8 + x7 + x2 + x + 1;
 турбокодер со скоростью кодирования (отношению объема полезных данных к объему
передаваемых) 1/2, 1/3, 1/4, 1/6;
 LDPC кодер (8160,7136), (8176,7156) – размер блока 8160 или 8176 символов, размер полезных
данных 7136 или 7156 символов;
 сверточный кодер со скоростью кодирования (отношению объема полезных данных к объему
передаваемых) 1/2, 2/3, 3/4, 5/6 или 7/8, разрядность 7 бит, порождающий вектор G1 = 1111001, G2
= 1011011;
 рандомизатор (параметры определяются на 1 этапе работы);
 формирователь кадров (параметры определяются на 1 этапе работы).
Функциональные требования к комплекту радиационно-стойких специализированных СБИС:
Требования к СБИС CPU
 Разрядность процессора - 32 бита;
 Производительность, не менее 50 MIPS;
 Тип встроенной шины – AMBA;
 Размер встроенного ОЗУ, не менее 32
Кбайт.
СБИС CPU должна обеспечивать возможность резервирования.
Тип резервирования и способ реализации определятся на 1 этапе ОКР.
Требования к СБИС ADC
 Частота преобразования - 250КГц;
Разрядность – 14 бит;
 Размах входного напряжения, В: - 15 …+
15
Напряжения опорного источника должны быть определены на 1 этапе ОКР.
Требования к СБИС MUX
 Число входных каналов, не менее 32;
 Размах входного напряжения, В: - 15 …+
15
Управление по последовательному порту и тип интерфейса определяются на 1 этапе ОКР.
Основные электрические параметры:
Наименование, единица измерения, обозначение параметра
Выходное напряжение низкого уровня буферов вводавывода, В, (UCC1 = 3,0 В; UCC2 = UCC2-ном – 10%; IOL = 2,0
мА)
UOL
Выходное напряжение высокого уровня буферов вводавывода, В, (UCC1 = 3,0 В; UCC2 = UCC2-ном – 10%; IOH = –0,3
мА)
UOH
не
менее
не более
0,4
UCC1-0,3
Входной ток низкого уровня, мкА
Входы «pulldown»
- 15
200
(UCC1 = 3,6 В; UCC2 = UCC2-ном +
10%; UIL = 0 В)
Входы «pullup»
- 200
15
- 55
55
Все остальные
входы
- 15
15
Входы «pulldown»
- 15
200
- 200
15
- 55
55
- 15
15
IOZL
- 15
15
IOZH
- 15
15
Входной ток высокого уровня,
мкА
(UCC1 = 3,6 В; UCC2 = UCC2-ном +
10%; UIH = UCC1)
Вход X2/CLKIN
IIL
Входы «pullup»
Вход Х2/CLKIN
IIH
Остальные входы
Выходной ток низкого уровня буфера с третьим
состоянием в состоянии «Выключено», мкА
(UCC1 = 3,6 В; UCC2 = UCC2-ном + 10%; UOL = 0 В)
Выходной ток высокого уровня буфера с третьим
состоянием в состоянии «Выключено», мкА,
(UCC1 = 3,6 В; UCC2 = UCC2-ном + 10%; UOH = UCC1)
Динамический ток потребления ядра микросхемы, мА,
(UCC1 = 3,6 В; UCC2 = UCC2-ном + 10%; fCI = 40 МГц)
IOCC
300
Примечание: Нормы на параметры приведены для температуры 25±10 оС. Нормы на
параметры в диапазоне рабочих температур окружающей среды от минус 60 до плюс 85 оС
устанавливаются в процессе выполнения этапа 3 ОКР. Функциональный контроль должен
проводиться при напряжении питания буферов ввода-вывода (2,97 В < UCC1 < 3,63 В);
напряжение питания ядра (UCC2-ном – 10%< UCC2 < UCC2-ном – 10%); (fCI = 50 МГц).
Частота следования импульсов тактового генератора от 5МГц до 40 МГц.
Микросхемы должны выполнять свои функции и сохранять значения
параметров в пределах
установленных норм во время и после воздействия специальных факторов в соответствии с
ГОСТ РВ 20.39.414.2-98:
7.И - 4УС; (7.И8 – 0,02х1УС; 7.И12-7.И13 - 2Р); 7.С - 4УС; 7.К - 1К; (7.К11 - 60 МэВ×см2/мг).
Разработка и
изготовление на
отечественном
производстве
радиационностойких СБИС
ПЗУ
информационной
емкостью 4 Мбит
и 8 Мбит для
космической
аппаратуры
"Засечка-1"
2011-2014 г. г.
МПЗУ, информационная емкость 4Мбит и 8Мбит, tв не более 90нс, Uп = 3,3 ± 0,15 В, Iп дин = 50 ОАО "НИИМЭ
мА, Iхр.= 10 мА, повышенная стойкость к СВВФ (воздействию ТЗЧ).
и Микрон"
Диапазон рабочих температур: - 60…+85ºС.
Значения характеристик специальных факторов:
характеристики
по техническим
требованиям
предложение ОАО «НИИМЭ и «Микрон»
7.И1
4Ус
5Ус
7.И6
4Ус
5Ус
7.И7
4Ус
5Ус (6Ус**)
7.И8
0,021Ус (2Ус2)
24Ус (5Ус**)
7.С1
4Ус
5Ус
7.С4
4Ус
5Ус
7.К1
0,52К
0,52К
7.К4
1К
1К
7.К11
60 МэВ×см2/мг
80 МэВ×см2/мг
* Приведены предложения по улучшению параметров, возможность которых будет
проработана на этапе технического проекта.
** Возможности дополнительного улучшения параметров стойкости будут проработаны на
этапе испытаний.
Примечания: 2. Уровень сбоеустойчивости (сохранности информации в режиме хранения и
считывания) после воздействия импульса с характеристикой 7.И6.
3. При совместном воздействии факторов с характеристиками 7.К1 и 7.К4.
4. При независимом воздействии факторов с характеристиками 7.К1 и 7.К4.
5. По катастрофическим отказам.
Разработка и
освоение
производства
набора
сбоеустойчивых
радиационностойких
микросхем
статической
памяти с
экстремальным
уровнем
стойкости (более
5Ус по фактору
7.И6) объемом
4Мбит, 8Мбит и
16 Мбит с
различной
внутренней
организацией
"Засечка-3"
2011-2014 г. г.
1. СОЗУ 4М (512Кх8), асинхронные с экстремальным уровнем стойкости.
2. СОЗУ 8М (512Кх16) асинхронные с экстремальным уровнем стойкости (2 кристалла СОЗУ4М).
3. ОЗУ 16М (512Кх32), асинхронное с экстремальным уровнем стойкости (4 кристалла СОЗУ4М).
tв не более 20 нс, Uп = 3,3 В ±5%, Iп.дин. не более150 мА, Iхр. не более 12 мА, диапазон рабочих
температур: - 60…+125 ºС, технология КНИ 0,25 мкм.
Значения характеристик спец. факторов: 7.И1 - 5УС; 7.И6 - 5УС1, 7.И7 - 0,5х5УС; 7.И8 -3УС; 7.И127.И13 - 2×2Р; 7.С1 - 5УС; 7.С4 - 5УС; 7.К1 - 1К2 (5×1К3); 7.К4 - 0,5х2К2,3; 7.К11 - 80МэВ×см2/мг4.
Примечания: 1. Уровень сбоеустойчивости после воздействия импульса с характеристикой 7.И6.
2. При совместном воздействии факторов с характеристиками 7.К1 и 7.К4.
3. При независимом воздействии факторов с характеристиками 7.К1 и 7.К4.
4. По катастрофическим отказам и тиристорному эффекту.
НИИСИ РАН
Разработка и
изготовление на
отечественном
производстве
микросхем
спецстойкого
масочного ПЗУ
емкостью 8...16
Мбит
"Засечка-6"
2012-2014 г. г.
Разработка и изготовление на отечественном производстве микросхем радиационно-стойких ПЗУ ОАО "НИИМЭ
информационной ёмкостью 8 Мбит и 16 Мбит с повышенным быстродействием и стойкостью к и Микрон"
воздействию тяжелых заряженных частиц ионизирующего излучения космического пространства.
Основные параметры:
Т, ˚С
Норма
Обозначение, наименование параметра,
не мене
е
не
более
0
0,4
UOH Выходное напряжение высокого уровня, В, Ucc=3,3B,
IOH=-4 мA
2,4
Ucc
Ток утечки низкого (высокого) уровня на входе, мкА
- 30
+30
(- 50*)
(+50*)
- 30
+30
(+ 50*)
(+50*)
единица измерения, режим измерения
UOL
IILL,
IILH
Выходное напряжение низкого уровня, В, Ucc=3,3 B, IOL=4
мA
IOLL, Ток утечки низкого (высокого) уровня на выходе, мкА, CE
IOLH = UIH
Iccs1 Ток потребления в статическом режиме (без переключения адресов и управляющих входов), мА, (Ucc = 3,3 B,
nCE = Ucc, без нагрузки выходов)
15,0
Iccs2 Ток
потребления
в
статическом режиме
(без
переключения адресов и управляющих входов), мА, (Ucc
=3,3B, nCE=2,4В, без нагрузки выходов)
18,0
Icc
Ток потребления в режиме функционирования, мА,
100
без нагрузки выходов, tCY(RD)=100 нс
tA(A) Время выборки адреса, нс, СL=30 пФ
90
600…+85
0
tA(CE) Время выборки разрешения, нс, СL=30 пФ
90
tCEA
Время активации выхода по nСE, нс, СL=30 пФ
3
30
tOEA
Время активации выхода по nОЕ, нс, СL=30 пФ
3
30
tAD
Время сохранения информации на выходе при смене
адреса, нс, СL=30 пФ
2
tCEZ
Время перехода выхода в состояние Z после nСE, нс
20
tOEZ
Время перехода выхода в состояние Z после nОЕ, нс
20
CI
Емкость входов, пФ, f = 1 МГц
10
CI/O
Емкость входов/выходов, пФ, f = 1 МГц
10
+25010
Примечание: * После воздействия факторов 7.И со значением характеристики 7.И7 более 5Ус
ПЗУ должны выполнять свои функции и сохранять значения параметров в пределах установленных
норм во время и после воздействия специальных факторов в соответствии с ГОСТ РВ 20.39.414.2-98:
7.И - 5УС; 7.С - 5УС; 7.К - 1К - 0,5х2К; (7.К11 - 80 МэВ×см2/мг).
Разработка и
освоение
производства
3DTSV СБИС
ФРАМ емкостью
до 8 Мб с
повышенной
стойкостью к
СВФ
"Засечка-7"
2012-2015 г. г.
Радиационно-стойкие 3DTSV СБИС ФРАМ с информационной емкостью до 8 Мбит с проектными
нормами 0,18-0,35 мкм:
Диапазон напряжения питания Ucc от 3.0 до 3,6 В.
Информационная емкость- 4-8Мбит.
Количество разрядов в информационном слове – 8.
Срок сохранности данных не менее 20 лет.
Значения электрических параметров:
Наименование параметра, единица измерения
Буквенное
Норма параметра
ОАО
"Ангстрем"
(режим измерения)
обозначение
параметра
не менее
1 Выходное напряжение низкого уровня. Б. при Ucc =
(3.0 -3.6) В: IOL = 2 мА
Uol
2 Выходное напряжение высокого уровня. В, при UCc (3.0 - 3.6) В: Iон =1 мА
Uoh
2,5
3 Ток потребления в режиме хранения, мкА.
Iccs
800
не более
0,5
при U<x = (3.0 - 3.6) В. UCFJ-UCC. UCF-0V,UTF>Ucc-0,2В,
UIL<0.2В
4 Динамический ток потребления без нагрузки на
выходах по выводам вход/выход (I/O0 -I/07), мА. при
Ucc- = (3.0 - 3.6) В,
Iocc
80
UCE< 0.2 В,. UrH>(UCc-0,2)B:UIL< U.2 В,
TcYCE1R(TcYCE2R))>90 НС
5 Время цикла считывания по сигналам СЕ1и СЕ2,нс,
TcYCE1R
при Uсс=(3.0-3.6) В
(TcYCE2R)
6 Время цикла считывания по сигналу адреса нc, при
Ucl= Un, UOE= UIL,,Ucc = (3.0-3.6) В
TCYAR
120
7 Время цикла записи по сигналу адреса, нс, при Ucc =
(3,0 - 3.6) В
T CYW
150
120
Примечания
1.Температура окружающей среды: от минус 60 до плюс 85 °С
2.Емкость нагрузки CL должна быть не более 30 пФ с учётом всех паразитных ёмкостей. Фронты
входных сигналов должны быть не более 3 не. Уровень отсчёта временных параметров входных и
выходных сигналов проводится по уровню 0,5:'Ucc.
Характеристики по группам исполнения для СВВФ в пассивном режиме хранения информации: 7.И1
– 5Ус, 7.И6 – 2,5х6Ус, 7.И7 – 6Ус, 7.И12 - 2х2Р, 7.С1 – 5Ус, 7.С4 – 5х5Ус, 7.К1 – 0,5х2К, 7.К4 – 1К
Разработка и
изготовление на
отечественном
производстве
радиационностой
кой СБИС СОЗУ
информационной
емкостью 4 Мбит
с повышенным
быстродействием
"Засечка-8"
2012-2014 г. г.
Разработка конструкции и технологии изготовления, а также освоение серийного производства ОАО "НИИМЭ
ряда СБИС контроллера твердотельного накопителя информации для создания систем регистрации и Микрон"
информации и обработки данных с учетом эксплуатации их в жестких условиях при воздействии
специальных внешних воздействующих факторов. В результате выполнения работы
разрабатываются:
 СБИС контроллера твердотельного накопителя информации (ТНИ) с интерфейсом Space Wire;
 СБИС контроллера твердотельного накопителя информации с интерфейсом Space Fiber;
 СБИС контроллера твердотельного накопителя информации с интерфейсом Ethernet 1G.
Состав СБИС ТНИ:
 32 разрядный RISС микропроцессор;
 ОЗУ;
 аппаратный загрузчик исполняемого программного обеспечения для микропроцессора;
 контроллер интерфейса Space Wire;
 контроллер интерфейса Gigabit Ethernet;
 аппаратные блоки коррекции ошибок по алгоритму БЧХ для работы с массивом Flash памяти;
 специализированные сложно-функциональные блоки обеспечивающие сбоеустойчивость
коррекцию ошибок из-за одиночных эффектов.
Функциональные требования к СБИС ТНИ:
 Разрядность встроенного процессорного ядра, бит
32
 Размер встроенного ОЗУ, кбайт
не менее 32
 Тип поддерживаемой NAND Flash памяти
SLC, MLC
 Число независимых каналов чтения/записи из NAND Flash
памяти, шт.
 Объем поддерживаемой NAND Flash памяти, Гбайт
не менее 4
не менее 128
 СБИС ТНИ должна обеспечивать работу в качестве устройства типа «mass storage» и
поддерживать работу с файлами любого объёма, не превышающего объем поддерживаемой
NAND Flash памяти.
 Скорость записи на массив Flash памяти 1000 шт. файлов
не менее 35
размером от 1 до 5 Мбайт должна быть, Мбайт/с
 Скорость чтения из массива Flash памяти 1000 шт. файлов
не менее 35
размером от 1 до 5 Мбайт должна быть, Мбайт/с
исправление 12 бит на
 СБИС ТНИ должна содержать встроенный блок коррекции
и
ошибок по алгоритму БЧХ с параметрами
512 байт
 СБИС ТНИ должна содержать аппаратный контроллер узла
интерфейса SpaceWire c параметрами:
 СБИС ТНИ должна содержать аппаратный контроллер
интерфейса Gigabit Ethernet с параметрами:
Пропускная способность
– 400 Мбит/с; режимы
работы: точка-точка, сеть с
применением роутеров
стандарт – 1000BASE
пропускная способность
–
1 Гбит/с
 СБИС ТНИ должна содержать аппаратный загрузчик
исполняемого программного обеспечения для встроенного
процессора из массива Flash памяти со следующими
характеристиками:
- обеспечения контроля
целостности ПО;
- возможность поддержки
резервирования
встроенного ПО
в различных частях
массива Flash памяти
 СБИС ТНИ должна иметь раздельные домены для подачи напряжения питания на контроллер
интерфейса Space Wire и контроллер интерфейса Gigabit Ethernet;
 СБИС ТНИ должна содержать аппаратный контроллер интерфейса Space Fiber с
параметрами, уточняемыми на 1 этапе ОКР.
Значения электрических параметров:
Наименование параметра, единица измерения,
(режим измерения)
Норма
t среды,
Буквенное
параметра
°С
обозначение
параметра не мене не боле
е
е
Выходное напряжение низкого уровня буферов
ввода-вывода, В, (UCC1=3,0В; UCC2 = UCC2-ном – 10%;
IOL = 2,0 мА)
Выходное напряжение высокого уровня буферов
ввода-вывода, В, (UCC1=3,0В; UCC2=UCC2-ном – 10%; IOH
= –0,3 мА)
Входной ток низкого уровня,
мкА
(UCC1 = 3,6 В; UCC2 = UCC2-ном +
10%; UIL = 0 В)
UOL
0,4
250±10
UOH
UCC10,3
Входы «pulldown»
- 15
200
Входы «pullup»
- 200
15
- 55
55
- 15
15
- 15
200
- 200
15
- 55
55
- 15
15
IOZL
- 15
15
IOZH
- 15
15
Вход X2/CLKIN
IIL
Все остальные
входы
Входной ток высокого уровня, Входы «pulldown»
мкА
Входы «pullup»
(UCC1 = 3,6 В; UCC2 = UCC2-ном +
Вход Х2/CLKIN
10%; UIH = UCC1)
IIH
Все остальные
входы
Выходной ток низкого уровня буфера с третьим
состоянием в состоянии «Выключено», мкА
250±10
(UCC1 = 3,6 В; UCC2 = UCC2-ном + 10%; UOL = 0 В)
Выходной ток высокого уровня буфера с третьим
состоянием в состоянии «Выключено», мкА,
(UCC1 = 3,6 В; UCC2 = UCC2-ном + 10%; UOH = UCC1)
250±10
инамический ток потребления ядра микросхемы, мА
IOCC
300
fCI
200
(UCC1 = 3,6 В; UCC2 = UCC2-ном + 10%; fCI = 50 МГц)
Частота следования импульсов сигнала
чтение/запись, МГц
Примечание: Функциональный контроль должен проводиться при напряжении питания
буферов ввода-вывода (2,97 В < UCC1 < 3,63 В); напряжении питания ядра (UCC2-ном – 10%<
UCC2 < UCC2-ном – 10%); fCI = 100 МГц . Нормы на параметры в диапазоне рабочих температур
окружающей среды от минус 60 до плюс 85 °С устанавливаются на 3 этапе ОКР.
Микросхемы должны выполнять свои функции и сохранять значения параметров в пределах
установленных норм во время и после воздействия специальных факторов в соответствии с
ГОСТ РВ 20.39.414.2-98 (Вид специальных факторов - Значения характеристик специальных
факторов):
7.И - 4УС; (7.И8 – 0,02х1УС); 7.С - 4УС; 7.К - 1К; (7.К11 - 60 МэВ×см2/мг).
Разработка и
освоение БИС
ОЗУ с
сегнетоэлектриче
скими (FRAM)
элементами
памяти емкостью
до 1 Мбит
"Засечка-9"
2012-2014 г. г.
Разработка базовой технологии производства радиационно-стойких СБИС с сегнетоэлектрическими ОАО
(FRAM) элементами памяти уровня 0,35-0,5 мкм на отечественном предприятии и создание "Ангстрем"
технологического базиса их проектирования емкостью 512 Кбит – 1 Мбит.
Основные параметры:
Наименование параметра,
единица измерения (режим измерения), обозначение
не
менее
не
более
Прим.
0,4
1
Выходное напряжение низкого уровня, В, UOL;
при UCC = (2,7 – 3,6) В; IOL = 2 мА
Выходное напряжение высокого уровня, В, UOH;
при UCC = (2,7 – 3,6) В; IOH = 1 мА
2,4
1
Ток потребления в режиме хранения, мкА, IССS;
при UCC = (2,7 – 3,6) В, UCE1=UCC, UCE2=0V
Динамический ток потребления без нагрузки на выходах по выводам
вход/выход (I/O0 – I/O7), мА, IОСС; при UCC = (2,7 – 3,6) В; UCE ≤ 0,2
B, tCYCE1R (tCYСЕ2R) ≥90 нс.
100
1
10
1
Время цикла считывания по сигналам СЕ1и СЕ2, нс, tCYCE1R (tCYСЕ2R)
100
1, 2
при UCE1 = UIL , UCE2 = UIH , UOE = UIL , UCC = (2,7 – 3,6) В
100
1,2
Время цикла записи по сигналу адреса, нс, tCYW; при UCC =(2,7–3,6) В
100
1,2
при UCC = (2,7 – 3,6) В
Время цикла считывания по сигналу адреса нс, tCYАR ;
Примечание: 1. Температура окружающей среды: -60°С…+85°С. 2. Емкость нагрузки CL не
более 30пФ с учётом всех паразитных ёмкостей. Фронты входных сигналов не более 3 нс.
Отсчет временных параметров входных и выходных сигналов проводится по уровню 0,5хUCC.
СБИС ОЗУ должны выполнять свои функции и сохранять значения параметров в пределах
установленных норм во время и после воздействия специальных факторов в соответствии с
ГОСТ РВ 20.39414.2: 7.И - в режиме хранения информации: 0,5х5УС - 0,5х6Ус; в пассивном режиме:
5УС - 2,5х5УС; (7.И12 - 2х2Р); 7.С - 0,5х5УС - 5УС; 7.К - 1К - 0,5х2К; (7.К11 - 60 МэВ×см2/мг).
Разработка и
освоение
производства
спецстойкой
микросхемы
многоканального
адаптера
"Схема-1"
2011-2013 г. г.
Многоканальный адаптер для аппаратуры связи, навигации и радиолокации с последовательными ОАО НПЦ
каналами SpaceWire, с повышенной стойкостью к СВВФ для перспективной РЭА. Адаптер позволяет «ЭЛВИС»
также подключать в сеть SpaceWire абонентов с интерфейсом PCI, не имеющих интерфейса
SpaceWire.
Состав и основные характеристики:
 порт для сопряжения с внешним микропроцессором;
 контроллер шины PCI по спецификации Local Bus Specification Rev.2.2, Master/Target;
 четыре контроллера канала связи SpaceWire по стандарту ECSS-E-50-I2C (или его развитие),
скорость приема и передачи данных – от 2 до 300 Мбит/с;
 встроенное ОЗУ не менее 2 Мбит;
 коррекция ошибок: исправление однократных ошибок и обнаружение двукратных ошибок по коду
Хэмминга для внутренней памяти микросхемы;
 технология изготовления – на базе РС библиотек КМОП технологии на объемном кремнии с
проектными нормами 0,25-0,18 мкм или на базе КНИ с нормами 0,25 мкм;
 электропитание: 1,8 или 2,5 В (ядро); 3,3 В (периферия PVDD).
Корпус – металлокерамический. Температурный диапазон: -60…+85ºС.
Значения характеристик специальных факторов: 7.И1 - 4Ус; 7.И6 - 4Ус1; 7.И7 - 4Ус; 7.И8 –
0,02х1Ус2; 7.И12 – 7.И13 - 2х2Р; 7С1 - 4Ус; 7С4 - 4Ус; 7.К1 - 1К3 (2К4); 7.К4 - 1К3,4; 7.К11 - 60 МэВ х
см2/мг1,5.
Примечания: 1. При наличии тиристорного эффекта определяют его порог, проводят
исследовательские работы по установлению методов и средств его подавления в составе аппаратуры,
а также проводится экспериментальное определение сохранения работоспособности микросхемы в
процессе выдержки в состоянии тиристорного эффекта в течении 5 минут. 2. Уровень требований по
стойкости к фоздействию фактора с характеристикой 7.И8 может уточняться по результатам
предварительных испытаний. 3. При совместном воздействии факторов с характеристиками 7.К1 и
7.К4. 4. При независимом воздействии факторов с характеристиками 7.К1 и 7.К4.
5. По
катастрофическим отказам и тиристорному эффекту.
Разработка и
освоение
производства
СБИС
контроллера
устройств памяти
гигабайтной
емкости с
последовательны
м каналом
SpaceWire
"Схема-2"
2011-2013 г. г.
Контроллер бортовых твердотельных накопителей информации с емкостью 16-1024 Гбайт, с ОАО НПЦ
повышенной стойкостью к СВВФ для РЭА космических аппаратов (КА) различного назначения, «ЭЛВИС»
обеспеченного последовательным каналом SpaceWire и интерфейсом для работы вне гермоотсеков
КА на базе высокоскоростного канала Space Fibre с пропускной способностью 1-10 Гбит/с.
Состав и основные характеристики:
 встроенный MIPS32-совместимый стандартный процессор;
 типы подключаемой памяти: SRAM, SDRAM, FLASH, ROM;
 количество банков памяти не менее 4;
 коррекция ошибок: исправление однократных ошибок и обнаружение двукратных ошибок по коду
Хэмминга;
 информационная разрядность шины данных 8-64 бита;
 размер адресного пространства до 16 ГБ;
 два порта Space Wire (ECSS-E-50-I2C, RMAP) со скоростью передачи данных от 2 до 300 Мбит/с;
 последовательный порт (по технологии Space Fibre или ее модификации) со скоростью передачи до
1 Гбит/с и с возможностью дискретного ее изменения; совместно с микросхемой гальванической
развязки порт обеспечивает передачу на расстояние до 100 м;
 технология изготовления – на базе РС библиотек КМОП технологии на объемном кремнии с
проектными нормами 0,25-0,18 мкм или на базе технологии КНИ – 0,25 мкм;
 электропитание: 1,8 В или 2,5 В (ядро); 3,3 В (периферия PVDD);
Корпус – металлокерамический. Температурный диапазон: -60…+85ºС.
Значения характеристик специальных факторов: 7.И1 - 4Ус; 7.И6 - 4Ус1; 7.И7 - 4Ус; 7.И8 –
0,02х1Ус2; 7.И12 – 7.И13 - 2х2Р; 7С1 - 4Ус; 7С4 - 4Ус; 7.К1 - 1К3 (2К4); 7.К4 - 1К3,4; 7.К11 - 60 МэВ х
см2/мг1,5.
Примечания: 1. При наличии тиристорного эффекта определяют его порог, проводят
исследовательские работы по установлению методов и средств его подавления в составе аппаратуры,
а также проводится экспериментальное определение сохранения работоспособности микросхемы в
процессе выдержки в состоянии тиристорного эффекта в течении 5 минут. 2. Уровень требований по
стойкости к фоздействию фактора с характеристикой 7.И8 может уточняться по результатам
предварительных испытаний. 3. При совместном воздействии факторов с характеристиками 7.К1 и
7.К4. 4. При независимом воздействии факторов с характеристиками 7.К1 и 7.К4. 5. По
катастрофическим отказам и тиристорному эффекту.
Разработка и
освоение
производства
спецстойкого
контроллера
удаленных
устройств с
последовательны
м каналом
SpaceWire
"Схема-3"
2011-2013 г. г.
Контроллер удаленных пассивных устройств (датчиков и исполнительных устройств) с ОАО НПЦ
последовательным каналом SpaceWire с повышенной стойкостью к СВВФ для РЭА космических «ЭЛВИС»
аппаратов (КА), авиационной и ракетной техники различного назначения.
Состав и основные характеристики:
 двухканальный контроллер SpaceWire:
 соответствует стандарту ECSS-E-50-I2C; дополнительные возможности по обработке
прерываний сверх требований стандарта;
 обеспечение протокола удаленного доступа в соответствии со стандартом «ECSS-E-ST-50-52
Space engineering. SpaceWire-Remote memory access protocol. (RDMA) ESA-ESTEC, 2010»;
 скорость приема и передачи данных – от 2 до 300 Мбит/с;
 дуплексный режим работы;
 возможность программной настройки скорости передачи данных каждого контроллера канала
связи SpaceWire;
 аппаратное детектирование ошибок связи
каждого контроллера канала SpaceWire:
разъединение, ошибки четности;
 возможность программной адаптивной подстройки скорости;
 встроенные LVDS-приемопередатчики в соответствии со стандартом ANSI/TIA/EIA-644;
 режимы реконфигурации «один/два канала SpaceWire».
 интерфейс для подключения пассивных устройств и режимы его конфигурации:
 микропроцессорный порт (16-бит шина данных, 16-бит шина адреса);
 два 16-битных GPIO параллельных порта;
 последовательный порт, совместимый с SPI;
 параллельный порт для сопряжения с пассивными устройствами (16-бит шина данных и
управление);
 обеспечение режимов энергосбережения посредством отключения каналов;
 технология изготовления – на базе РС стойких библиотек КМОП технологии с проектными
нормами 0,25 – 0,18 мкм или на базе технологии КНИ – 0,25 мкм;
 электропитание: 1,8 В (ядро); 3,3 В (периферия PVDD);
Корпус – металлокерамический. Температурный диапазон: -60…+85ºС.
Значения характеристик специальных факторов: 7.И1 - 4Ус; 7.И6 - 4Ус1; 7.И7 - 4Ус; 7.И8 –
0,02х1Ус2; 7.И12 – 7.И13 - 2х2Р; 7С1 - 4Ус; 7С4 - 4Ус; 7.К1 - 1К3 (2К4); 7.К4 - 1К3,4; 7.К11 - 60 МэВ х
см2/мг1,5.
Примечания: 1. При наличии тиристорного эффекта определяют его порог, проводят
исследовательские работы по установлению методов и средств его подавления в составе аппаратуры,
а также проводится экспериментальное определение сохранения работоспособности микросхемы в
процессе выдержки в состоянии тиристорного эффекта в течении 5 минут. 2. Уровень требований по
стойкости к фоздействию фактора с характеристикой 7.И8 может уточняться по результатам
предварительных испытаний. 3. При совместном воздействии факторов с характеристиками 7.К1 и
7.К4. 4. При независимом воздействии факторов с характеристиками 7.К1 и 7.К4. 5. По
катастрофическим отказам и тиристорному эффекту.
Разработка и
освоение
производства
серии
многоканальных
сетевых
"Схема-4"
2011-2014 г. г.
Интерфейсный конвертер Space Wire – Space Fibre на базе технологии Space Fibre или ее ОАО НПЦ
модификации с повышенной стойкостью к СВВФ предназначен для РЭА космических аппаратов, «ЭЛВИС»
авиационной и ракетной техники различного назначения для бортовой аппаратуры связи, навигации
и управления нового поколения.
Состав и основные характеристики конвертера:
 встроенное ОЗУ, не менее 1Мбит;
 коррекция ошибок: исправление однократных ошибок и обнаружение двукратных ошибок по коду
Хэмминга для внутренней памяти;
 порт Space Wire (FCSS-E-50-52C) со скоростью передачи от 2 до 300 Мбит\с;
 последовательный порт (по технологии Space Fibre или ее модификации) со скоростью передачи до
1 Гбит/с и с возможностью дискретного ее применения; Совместно с микросхемой гальванической
развязки порт обеспечивает передачу на расстояние до 100 м;
маршрутизаторов
Space Fiber
 интерфейс UART;
Напряжение питания: 1,8 В или 2,5 В (ядро); 3,3В (периферия).
Температурный диапазон работы: -60 … +85˚С. Корпус металлокерамический.
Технология изготовления на базе РС библиотек КМОП - 0,18-0,25 мкм или на базе КНИ - 0,25 мкм.
Значения характеристик специальных факторов: 7.И1 - 4Ус; 7.И6 - 4Ус1; 7.И7 - 4Ус; 7.И8 –0,02х1Ус2;
7С1 - 4Ус; 7С4 - 4Ус; 7.К1 – 1К3 (2К4); 7.К4 - 1К3,4; 7.К11 - 60 МэВхсм2/мг1,5. Примечания: 2. Уровень
требований по стойкости к воздействию фактора с характеристикой 7.И8 может уточняться по
результатам предварительных испытаний. 3. При совместном воздействии факторов с
характеристиками 7.К1 и 7.К4. 4. При независимом воздействии факторов с характеристиками 7.К1 и
7.К4. 5. По катастрофическим отказам и тиристорному эффекту.
Разработка и
освоение
производства
радиационностойкой
микросхемы
интерфейсного
конвертора
SpaceWire –Space
Fiber
"Схема-5"
2011-2014 г. г.
Интерфейсный конвертер Space Wire – Space Fibre на базе технологии Space Fibre или ее ГУП НПЦ
модификации с повышенной стойкостью к СВВФ предназначен для РЭА космических аппаратов, «ЭЛВИС»
авиационной и ракетной техники различного назначения для бортовой аппаратуры связи, навигации
и управления нового поколения.
Состав и основные характеристики конвертера:
 встроенное ОЗУ, не менее 1Мбит;
 коррекция ошибок: исправление однократных ошибок и обнаружение двукратных ошибок по коду
Хэмминга для внутренней памяти;
 порт Space Wire (FCSS-E-50-52C) со скоростью передачи от 2 до 300 Мбит\с;
 последовательный порт (по технологии Space Fibre или ее модификации) со скоростью передачи до
1 Гбит/с и с возможностью дискретного ее применения; Совместно с микросхемой гальванической
развязки порт обеспечивает передачу на расстояние до 100 м;
 интерфейс UART;
Напряжение питания: 1,8 В или 2,5 В (ядро); 3,3В (периферия).
Температурный диапазон работы: -60 … +85˚С. Корпус металлокерамический.
Технология изготовления на базе РС библиотек КМОП - 0,18-0,25 мкм или на базе КНИ - 0,25 мкм.
Значения характеристик специальных факторов: 7.И1 - 4Ус; 7.И6 - 4Ус1; 7.И7 - 4Ус; 7.И8 –0,02х1Ус2;
7С1 - 4Ус; 7С4 - 4Ус; 7.К1 – 1К3 (2К4); 7.К4 - 1К3,4; 7.К11 - 60 МэВхсм2/мг1,5. Примечания: 2. Уровень
требований по стойкости к воздействию фактора с характеристикой 7.И8 может уточняться по
результатам предварительных испытаний. 3. При совместном воздействии факторов с
характеристиками 7.К1 и 7.К4. 4. При независимом воздействии факторов с характеристиками 7.К1 и
7.К4. 5. По катастрофическим отказам и тиристорному эффекту.
Разработка и
освоение
производства
коммутатора
последовательных
каналов с
технологией
изготовления
КНИ 0,25 мкм для
систем и
комплексов
управления
оружием
"Схема-6"
2011-2014 г. г.
Высокопроизводительный коммутатор последовательных каналов RapidIO с повышенной НИИСИ РАН
стойкостью к СВВФ для высоконадежных многопроцессорных систем космического, авиационного и
наземного применения.
Состав и основные характеристики коммутатора:




не менее 6 контроллеров последовательных каналов RapidIO 4Х/1Х;
таблица маршрутизации;
JTAG интерфейс с возможностью доступа к внутренним регистрам микросхемы;
контроллер интерфейса I2C для начальной инициализации микросхемы и доступа к внутренним
регистрам;
 система контроля производительности для анализа потока данных через каждый порт RapidIO;
 встроенные SCAN-цепочки для тестирования кристаллов микросхемы;
 скорость передачи данных по каналам RapidIO не менее 1,25 Гбит/с;
 технология изготовления – КНИ-0,25 мкм;
 электропитание – 3,3 В (и/или 2,5 В – уточняется в процессе ОКР);
 потребляемая мощность не более 6 Вт;
Корпус металлокерамический. Температурный диапазон: -60…+125ºС.
Значения характеристик специальных факторов по ТЗ: 7.И1 - 5УС; 7.И6 - 5УС; 7.И7 - 0,5х5УС; 7.И8 1УС; 7.И12-7.И13 - 2×2Р; 7.С1 - 5УС; 7.С4 - 5УС; 7.К1 - 1К1 (5×1К2); 7.К4 - 2,5х1К1,2; 7.К11 - 80
МэВ×см2/мг 3.
Примечания: 1. При совместном воздействии факторов с характеристиками 7.К1 и 7.К4. 2. При
независимом воздействии факторов с характеристиками 7.К1 и 7.К4. 3. По катастрофическим отказам.
Разработка
радиационностойкой
библиотеки
проектирования
для
быстродействую
щих
сверхбольших
интегральных
схем с
минимальным
топологическим
размером 0,25
мкм КНИ с
гарантированным
уровнем
стойкости не
менее 5Ус
"Схема-7"
2011-2014 г. г.
Библиотека стандартных элементов для автоматизированного проектирования цифровых СБИС с НИИСИ РАН
повышенной стойкостью к воздействию СВВФ. Среда проектирования – САПР Cadence и Synopsys.
Библиотека включает:
 элементы для проектирования центральной области кристалла (не менее 200);
 элементы для проектирования периферийной части кристалла (не менее 50);
 сложно - функциональные блоки (не менее 5 блоков).
Элементы для проектирования центральной части кристалла содержат следующие группы
стандартных элементов:
 элементы простой логики, включая вентили типа «И», «И-НЕ», «ИЛИ», «ИЛИ-НЕ»,
«Исключающее ИЛИ», «Исключающее ИЛИ-НЕ» с различным количеством входов и различными
нагрузочными способностями;
 буферные элементы с различными нагрузочными способностями, включая простые буферы и
буферы с третьим состоянием на выходе;
 инверторы с различными нагрузочными способностями, включая простые инверторы и инверторы
с третьим состоянием на выходе;
 комплексные элементы типа «И-ИЛИ»/«И-ИЛИ-НЕ» с различными логическими комбинациями
входных сигналов и различными нагрузочными способностями;
 комплексные элементы «ИЛИ-И»/«ИЛИ-И-НЕ» с различными логическими комбинациями
входных сигналов и различными нагрузочными способностями;
 мультиплексоры с различным количеством коммутируемых каналов с прямыми/инверсными
выходами и различными нагрузочными способностями;
 тактируемые отрицательными и положительными уровнями триггеры-защелки, имеющие
различные сочетания асинхронных входов сброса/установки и прямых/инверсных выходов с
различными нагрузочными способностями;
 тактируемые отрицательными и положительными фронтами D-триггеры, имеющие различные
сочетания асинхронных входов сброса/установки и прямых/инверсных выходов c различными
нагрузочными способностями;
 вспомогательные элементы, включая ячейки типа «Лог.0», «Лог.1» и ячейки заполнения.
Элементы для проектирования периферийной части кристалла содержат следующие группы
стандартных элементов:







входной элемент c триггером Шмитта на входе;
выходные элементы;
выходные элементы, имеющие дополнительный вход управления третьим состоянием на выходе;
двунаправленные элементы ввода-вывода сигналов c триггером Шмитта на входе;
элементы ввода «земли»/питания для питания элементов ввода-вывода;
элементы ввода «земли»/питания для питания внутренней части кристалла;
специальные ячейки (угловые и элементы заполнения) для формирования системы шин питания.
В составе элементов для проектирования периферийной части предусмотрено наличие элементов с
номинальной нагрузочной способностью (2, 4, 8 мА), а также наличие входных и выходных
элементов с привязкой выходных сигналов к напряжению питания и с привязкой выходных сигналов
к общему уровню.
В состав сложнофункциональных блоков должны входить:
 асинхронное статическое ОЗУ емкостью 64 Кбит с организацией 8Кх8;
 знаковый умножитель 16х16;
 32-х разрядный быстродействующий сумматор;
 32-х разрядный сдвигатель;
 UART-интерфейс.
Библиотека содержит описания элементов в формате «Opus DB» для использования в среде САПР
Cadence:
 symbol – условное графическое обозначение элемента;
 layout – топологическое представление элемента;
 abstract – условное топологическое представление элемента.
Библиотека содержит описания элементов в форматах:
 Liberty (<file_name>.lib), (<file_name>.slib) – для использования в среде САПР Synopsys;
 LEF
версии
не
ниже
5.4
–
для
автоматизированного
размещения
и трассировки;
 TLF (<file_name>.tlf) версий не ниже 4.4 – для описания динамических характеристик.
Элементы библиотеки обеспечивают стойкость и сохраняют свои параметры в условиях воздействия
на них механических, климатических и биологических внешних факторов в соответствии с
требованиями ОСТ В 11 0998-99 со следующими уточнениями:
 рабочая повышенная температура среды – 125 оС;
 предельная повышенная температура среды – 150 оС.
Разработка
изделий из
высокочистого
кварцевого стекла
для производства
функционально
сложных
радиационностойких
микропроцессорн
ых СБИС нового
поколения
"Схема-8"
2011-2013 г. г.
Реакторы и кассеты из высококачественного кварцевого стекла для оснащения диффузионно – ОАО
термических процессов обработки кремниевых пластин диаметром 100, 150 и 200 мм для "НИИОСЧМ"
производства СБИС с ультрасубмикронными топологическими нормами, в том числе с повышенной
стойкостью к воздействию СВВФ.
В процессе выполнения работы будут разработаны:
 технологии производства реакторов и кассет (лодочек) из высокочистого кварцевого стекла;
 конструкторская (КД) и технологическая (ТД) документация с литерой «О1»;
 опытные образцы изделий из высокочистого прозрачного кварцевого стекла (реакторы, кассеты,
лодочки) для оснащения диффузионно-термических процессов получения кремниевых пластин;
 проведены испытания опытных образцов изделий из высокочистого прозрачного кварцевого
стекла;
 два типа изделий из высокочистого кварцевого стекла: реакторы и кассеты (лодочки, платформы)
для оснащения диффузионно-термических процессов производства кремниевых пластин диаметром
100, 150 и 200 мм.
Геометрические параметры кварцевых реакторов:
Диаметр кремниевых
пластин, мм
Геометрические размеры реакторов, мм
диаметр наружный
толщина
длина
стенки
100
145±2,0
5,0-2,0
2350±3,0
150
220±2,0
5,0-2,0
2430±3,0
200
270±2,0
5,0-2,0
1630± 2,0
Температура эксплуатации изделий из кварцевого стекла: 1050 ÷ 12200 С, длительно.
Разработка 128разрядного
высокопроизводи
тельного
микропроцессора
на структурах
КНС/КНИ 0,25
мкм,
совместимого с
архитектурой
КОМДИВ, для
систем цифровой
обработки
сигналов
"Схема-10"
2012-2015 г. г.
Разработка спецстойкого 32 разрядного RISC процессора на основе архитектуры ARM для НИИСИ РАН
аппаратуры телеметрии, бортового вычислителя, радиолокационного корректора систем автономной
навигации КМОП-КНИ с проектными нормами 0,25…0,3 мкм. Состав СБИС и структурная схема
уточняется и разрабатывается на первом этапе ОКР.
Состав СБИС:
 центральный 32-х разрядный процессор полностью совместимый с ядром ARM Cortex-M4;
 встроенная однократно электрически программируемая память программ емкостью 128 кбайт для
кода процессора. Тип ячейки памяти  antifuse;
 32 кбайт встроенной памяти ОЗУ. Размер памяти должен быть уточнен в ходе ОКР;
 интерфейс JTAG (IEEE std. 1149.1) для отладки и перепрограммирования;
 контроллер прерываний;
 интерфейс UART;
 интерфейс SPI;
 блок 32-х разрядных таймеров (4 шт.) с функциями ШИМ (4 шт.) и захват (4 шт.), блок должен
поддерживать 4 канала ПДП;
 цифровой контроллер интерфейса ГОСТ Р52070-2003 (2 шт.);
 цифровой контроллер приемника ГОСТ 18977-79 (8 шт.) и цифровой контроллер передатчика
ГОСТ 18977-79 (4 шт.);
 16-ти разрядная демультиплексированная шина управления, мультиплексированная с портами
ввода-вывода общего назначения;
 блок сторожевого таймера.
Основные параметры:
Буквенное обозначение, наименование параметра, единица измерения
min
max
t
среды,
С0
UOL - Выходное напряжение низкого уровня, В; UCC = 3,0В, IOL= 4 мА
UOH - Выходное напряжение высокого уровня, В; UCC = 3,0В, IOL= 4 мА
0,4
2,4
-60 °…
IILL - Ток утечки низкого уровня на входе, мкА; UCC= 3,6В, UI= GND
|±10|
IILH - Ток утечки высокого уровня на входе, мкА; UCC= 3,6В, UI= GND
|±10|
IOCC - Динамический ток потребления, мА; UCC =3,6В, IO = 0 мА, fC =100
150
+125°
МГц
ICCS - Статический ток потребления в режиме powerdown, мА; UCC =3,6В,
IO=0мА
fc - Тактовая частота, МГц
1
100
Микросхемы должны выполнять свои функции и сохранять значения параметров в пределах
установленных норм во время и после воздействия специальных факторов в соответствии с
ГОСТ РВ 20.39.414.2-98: 7.И-5УС - 6УС; (7.И8 – 0,02х1УС; 7.И12-7.И13 - 2×2Р); 7.С-5УС; 7.К-0,1х1К 1К.
Разработка
модельного ряда
специализированн
ых СБИС для
применения в
унифицированны
х узлах
служебной
аппаратуры КА
"Схема-11"
2012-2015 г. г.
Разработка конструкции и технологии изготовления, а также освоение серийного производства ОАО"НИИКП"
ряда СБИС контроллера твердотельного накопителя информации для создания систем регистрации
информации и обработки данных с учетом эксплуатации их в жестких условиях при воздействии
специальных внешних воздействующих факторов. В результате выполнения работы
разрабатываются:
 СБИС контроллера твердотельного накопителя информации (ТНИ) с интерфейсом Space Wire;
 СБИС контроллера твердотельного накопителя информации с интерфейсом Space Fiber;
 СБИС контроллера твердотельного накопителя информации с интерфейсом Ethernet 1G.
Состав СБИС ТНИ:
 32 разрядный RISС микропроцессор;
 ОЗУ;
 аппаратный загрузчик исполняемого программного обеспечения для микропроцессора;
 контроллер интерфейса Space Wire;
 контроллер интерфейса Gigabit Ethernet;
 аппаратные блоки коррекции ошибок по алгоритму БЧХ для работы с массивом Flash памяти;
 специализированные сложно-функциональные блоки обеспечивающие сбоеустойчивость
коррекцию ошибок из-за одиночных эффектов.
Функциональные требования к СБИС ТНИ:
 Разрядность встроенного процессорного ядра, бит
32
 Размер встроенного ОЗУ, кбайт
не менее 32
 Тип поддерживаемой NAND Flash памяти
SLC, MLC
и
 Число независимых каналов чтения/записи из NAND Flash
памяти, шт.
 Объем поддерживаемой NAND Flash памяти, Гбайт
не менее 4
не менее 128
 СБИС ТНИ должна обеспечивать работу в качестве устройства типа «mass storage» и
поддерживать работу с файлами любого объёма, не превышающего объем поддерживаемой
NAND Flash памяти.
 Скорость записи на массив Flash памяти 1000 шт. файлов
не менее 35
размером от 1 до 5 Мбайт должна быть, Мбайт/с
 Скорость чтения из массива Flash памяти 1000 шт. файлов
не менее 35
размером от 1 до 5 Мбайт должна быть, Мбайт/с
исправление 12 бит на 512
 СБИС ТНИ должна содержать встроенный блок коррекции
байт
ошибок по алгоритму БЧХ с параметрами
 СБИС ТНИ должна содержать аппаратный контроллер узла
интерфейса SpaceWire c параметрами:
Пропускная способность –
400 Мбит/с; режимы
работы: точка-точка, сеть с
применением роутеров
стандарт – 1000BASE
 СБИС ТНИ должна содержать аппаратный контроллер
интерфейса Gigabit Ethernet с параметрами:
пропускная способность –
1 Гбит/с
- обеспечения контроля
целостности ПО;
 СБИС ТНИ должна содержать аппаратный загрузчик
исполняемого программного обеспечения для встроенного
процессора из массива Flash памяти со следующими
характеристиками:
- возможность поддержки
резервирования
встроенного ПО
в различных частях
массива Flash памяти
 СБИС ТНИ должна иметь раздельные домены для подачи напряжения питания на контроллер
интерфейса Space Wire и контроллер интерфейса Gigabit Ethernet;
 СБИС ТНИ должна содержать аппаратный контроллер интерфейса Space Fiber с
параметрами, уточняемыми на 1 этапе ОКР.
Значения электрических параметров:
Наименование параметра, единица измерения,
(режим измерения), буквенное обозначение параметра
Выходное напряжение низкого уровня буферов
ввода-вывода, В, (UCC1=3,0В; UCC2 = UCC2-ном – 10%;
IOL = 2,0 мА)
Выходное напряжение высокого уровня буферов
ввода-вывода, В, (UCC1=3,0В; UCC2=UCC2-ном – 10%;
IOH = –0,3 мА)
Входной ток низкого уровня,
мкА
(UCC1 = 3,6 В; UCC2 = UCC2-ном +
10%; UIL = 0 В)
t
не мене не боле
среды,
е
е
°С
UOL
0,4
250±10
UOH
UCC10,3
Входы «pulldown»
- 15
200
Входы «pullup»
- 200
15
- 55
55
- 15
15
- 15
200
- 200
15
- 55
55
- 15
15
- 15
15
Вход X2/CLKIN
IIL
Все остальные
входы
Входной ток высокого уровня, Входы «pulldown»
мкА
Входы «pullup»
(UCC1 = 3,6 В; UCC2 = UCC2-ном +
Вход Х2/CLKIN
10%; UIH = UCC1)
IIH
Все остальные
входы
Выходной ток низкого уровня буфера с третьим
состоянием в состоянии «Выключено», мкА
(UCC1 = 3,6 В; UCC2 = UCC2-ном + 10%; UOL = 0 В)
IOZL
250±10
Выходной ток высокого уровня буфера с третьим
состоянием в состоянии «Выключено», мкА,
IOZH
- 15
15
(UCC1 = 3,6 В; UCC2 = UCC2-ном + 10%; UOH = UCC1)
инамический ток потребления ядра микросхемы, мА
IOCC
300
fCI
200
250±10
(UCC1 = 3,6 В; UCC2 = UCC2-ном + 10%; fCI = 50 МГц)
Частота следования импульсов сигнала
чтение/запись, МГц
Примечание: Функциональный контроль должен проводиться при напряжении питания
буферов ввода-вывода (2,97 В < UCC1 < 3,63 В); напряжении питания ядра (UCC2-ном – 10%<
UCC2 < UCC2-ном – 10%); fCI = 100 МГц . Нормы на параметры в диапазоне рабочих температур
окружающей среды от минус 60 до плюс 85 °С устанавливаются на 3 этапе ОКР.
Микросхемы должны выполнять свои функции и сохранять значения параметров в пределах
установленных норм во время и после воздействия специальных факторов в соответствии с
ГОСТ РВ 20.39.414.2-98: 7.И - 4УС; (7.И8 – 0,02х1УС); 7.С - 4УС; 7.К - 1К; (7.К11 - 60 МэВ×см2/мг).
Разработка
конструктивнотехнологического
базиса и
библиотеки
стандартных
элементов с
технологическим
и нормами 0,25
мкм КНИ,
обеспечивающей
дочтижение
экстремальных
уровней
радиационной
"Схема-12"
2012-2014 г. г.
Разработка конструктивно-технологического базиса и библиотеки стандартных элементов (далее – НИИСИ РАН
библиотека) для автоматизированного проектирования цифровых микросхем с экстремальной
стойкостью к специальным воздействующим факторам. Библиотека элементов проектирования
цифровых (микропроцессорных) СБИС и разработанный технологический процесс с
технологическими нормами 0,25 КНИ должны быть ориентированы на проектирование и
изготовление СБИС с уровнем стойкости к специальным факторам с характеристиками 7.И1, 7.И6,
7.И7 не менее 6Ус и к специальным факторам с характеристиками 7.С1 и 7.С4 не менее 5Ус.
Библиотека должна включать в себя:
 элементы для проектирования центральной области кристалла (не менее 150);
 элементы для проектирования периферийной части кристалла (не менее 40);
 сложнофункциональные блоки (не менее 6 блоков).
Элементы для проектирования центральной части кристалла должны содержать следующие группы
стойкости не
менее 6Ус
стандартных элементов:
 элементы простой логики, включая вентили типа «И», «И-НЕ», «ИЛИ», «ИЛИ-НЕ», «Исключающее ИЛИ»,
«Исключающее ИЛИ-НЕ» с различным количеством входов и различными нагрузочными способностями;
 буферные элементы с различными нагрузочными способностями, включая простые буферы и буферы с
третьим состоянием на выходе;
 инверторы с различными нагрузочными способностями, включая простые инверторы и инверторы с третьим
состоянием на выходе;
 комплексные элементы типа «И-ИЛИ»/«И-ИЛИ-НЕ» с различными логическими комбинациями входных
сигналов и различными нагрузочными способностями;
 комплексные элементы «ИЛИ-И»/«ИЛИ-И-НЕ» с различными логическими комбинациями входных
сигналов и различными нагрузочными способностями;
 мультиплексоры с различным количеством коммутируемых каналов с прямыми/инверсными выходами и
различными нагрузочными способностями;
 тактируемые отрицательными и положительными уровнями триггеры-защелки, имеющие различные
сочетания асинхронных входов сброса/установки и прямых/инверсных выходов с различными нагрузочными
способностями;
 тактируемые отрицательными и положительными фронтами D-триггеры, имеющие различные сочетания
асинхронных входов сброса/установки и прямых/инверсных выходов с различными нагрузочными
способностями;
 вспомогательные элементы, включая ячейки типа «Лог.0», «Лог.1» и ячейки заполнения.
Элементы для проектирования периферийной части кристалла должны содержать следующие группы
стандартных элементов:
 входной элемент c триггером Шмитта на входе,
 выходные элементы,
 выходные элементы, имеющие дополнительный вход управления третьим состоянием на выходе,
 двунаправленные элементы ввода-вывода сигналов c триггером Шмитта на входе,
 элементы ввода «земли»/питания для питания элементов ввода-вывода,
 элементы ввода «земли»/питания для питания внутренней части кристалла,
 специальные ячейки (угловые и элементы заполнения) для формирования системы шин питания.
В состав сложнофункциональных блоков должны входить:
 двухпортовое асинхронное статическое ОЗУ емкостью 64 Кбит с организацией 8К×8;
 масочное ПЗУ емкостью 64 Кбит с организацией 8К×8;
 32-х разрядный приоритетный шифратор;
 32/16 делитель (результат – 16 бит) ;
 32-разрядное устройство извлечения квадратного корня (результат – 16 бит) ;
 I2С – интерфейс.
Все стандартные элементы библиотеки должны иметь описание на языке Verilog. Допускается
использовать описание на другом языке высокого уровня (например, VHDL).
Элементы библиотеки должны выполнять свои функции и сохранять значения параметров в пределах
норм, устанавливаемых на этапе технического проектирования, во время и после воздействия
специальных факторов, виды, характеристики и значения характеристик в соответствии с
ГОСТ РВ 20.39.414.2-98: 7.И - 6УС; 7.С - 5Ус; 7.К - 2К; 7К11 – 80Мэв х см2/мг.
Разработка СФблоков серийно
выпускаемых
микропроцессоро
ви
микроконтроллер
ов серий 1867,
1830, 1874 для
радиационностойкой КНИ
технологии
"Схема-13"
2012-2014 г. г.
Разработка библиотеки сложно-функциональных блоков (СФ-блоков) ядер процессоров цифровой ФГУП
обработки сигналов и микроконтроллеров с архитектурами, аналогичными сериям 1867, 1830, 1874, а "НИИЭТ"
также различных периферийных устройств для использования при разработке радиационно-стойких
модификаций
серийно
выпускаемых
отечественных
микросхем
микропроцессоров
и микроконтроллеров на основе КНИ технологии.
Состав синтезируемой RTL-модели СФ-блока 16-разрядного микропроцессора должен быть:




процессорное ядро архитектуры и системы команд TMS320C54x (1867ВЦ4Т);
40-разрядное АЛУ, способное производить вычисления как два независим 16-разрядных АЛУ;
два 40-разрядных аккумулятора;
аппаратный одноцикловый умножитель 17×17 с 40-битным результатом и собственным устройством
суммирования-вычитания, работающим независимо от АЛУ;
 два независимых генератора адресов данных и генератор программного адреса;
 аппаратный модуль сравнения, выбора и сохранения (декодер Витерби);
 аппаратный одноцикловый кодировщик экспоненты;
 интерфейс к ПЗУ программ;
 интерфейс к ОЗУ данных/программ (DARAM);
 периферия: 16-разрядный таймер c предделителем, буферизированный последовательный порт BSP,
многоканальный последовательный порт с временным мультиплексированием TDM, 8-разрядный
параллельный интерфейс хост процессора HPI.
Состав синтезируемой RTL-модели СФ-блока 32-разрядного микропроцессора представлен ниже:
 процессорное ядро системы команд и архитектуры TMS320C40 (1867ВЦ3Ф);
 интерфейс к ПЗУ программ;
 интерфейс к ОЗУ данных;
 два 32-х разрядных таймера;
 два 32-х разрядных интерфейса к внешней памяти;
 шесть 8-ми разрядных коммуникационных портов;
 шести канальный сопроцессор ПДП.
Состав синтезируемой RTL-модели СФ-блока 16-разрядного микроконтроллера представлен ниже:
 16-разрядное процессорное ядро архитектуры MCS-96 (1874ВЕхх);
 порт последовательного ввода-вывода UART с режимом буферизации и 16-разрядным доступом к
регистрам;
 блок высокоскоростного ввода-вывода HSIO;
 сервер периферийных транзакций PTS;
 16-разрядный таймер с 16-разрядным доступом к регистрам;
 сторожевой таймер WatchDog с 16-разрядным доступом к регистрам;
 синхронный последовательный интерфейс с режимами Master и Slave с 16-разрядным доступом к
регистрам;
 интерфейс I2C с 16-разрядным доступом к регистрам;
 контроллер системы OCDS;
 блок многоканального ШИМ;
 контроллер сетей CAN.
Состав синтезируемой RTL-модели СФ-блока 8-разрядного микроконтроллера представлен ниже:
 8-разрядное процессорное ядро архитектуры MCS-51 (1830ВЕхх, 1882ВЕхх);
 порт последовательного ввода-вывода UART с режимом буферизации и 8-разрядным доступом к
регистрам;
 массив таймеров счетчиков PCA;
 16-разрядный таймер с 8-разрядным доступом к регистрам;
 сторожевой таймер WatchDog с 8-разрядным доступом к регистрам;
 синхронный последовательный интерфейс с режимами Master и Slave с 8-разрядным доступом к
регистрам;
 интерфейс I2C с 8-разрядным доступом к регистрам;
 контроллер сетей CAN.
В ходе работы должны быть разработаны и изготовлены образцы следующих тестовых кристаллов:
 тестовый кристалл, содержащий СФ-блок 16-разрядного микропроцессора (СФ_МП-16);
 тестовый кристалл, содержащий СФ-блок 32-разрядного микропроцессора (СФ_МП-32);
 тестовый кристалл, содержащий СФ-блок 16-разрядного микроконтроллера (СФ_МК-16);
 тестовый кристалл, содержащий СФ-блок 8-разрядного микроконтроллера (СФ_МК-8).
Значения электрических параметров опытных образцов тестовых кристаллов 16-разрядного
микропроцессора должны соответствовать нормам:
Наименование параметра, единица измерения, (режим
измерения), буквенное обозначение
Значение параметра Прим
.
не менее не более
Выходное напряжение низкого уровня буферов вводавывода, UOL ,В (UCC1 = 3,0 В, UCC2 = UCC2-ном – 10%, IOL = 2,0
м
Выходное напряжение высокого уровня буферов вводавывода, UOH ,В (UCC1 = 3,0 В, UCC2 = UCC2-ном – 10%, IOH = –
0,3 мА)
Входной ток низкого уровня, IIL ,
мкА
(UCC1 = 3,6 В,
UCC2 = 2,75 В, UIL = 0 В)
Входной ток высокого уровня, IIH ,
мкА
(UCC1 = 3,6 В,
UCC2 = UCC2-ном + 10%, UIH = UCC1)
0,45
UCC1-0,3
Входы «pull down»
- 15
200
Входы «pull up»
- 200
15
Тактовый вход
- 55
55
Все остальные
входы
- 15
15
Входы «pull down»
- 15
200
Входы «pull up»
- 200
15
Тактовый вход
- 55
55
Все остальные
входы
- 15
15
1
Выходной ток низкого уровня буфера с третьим состоянием
в состоянии «Выключено», IOZL мкА (UCC1 = 3,6 В, UCC2 =
UCC2-ном + 10%, UOL = 0 В)
- 15
0
1
Выходной ток высокого уровня буфера с третьим
состоянием в состоянии «Выключено», IOZH ,мкА
0
15
(UCC1 = 3,6 В, UCC2 = UCC2-ном + 10%, UOH = UCC1)
Динамический ток потребления ядра микросхемы, IOCC2 ,мА
100
(UCC1 = 3,6 В, UCC2 = UCC2-ном + 10%, fCI = 40 МГц)
1, 2
Примечания: 1. Нормы на значения параметров в диапазоне рабочих температур
окружающей среды от минус 60 до плюс 125 С° устанавливаются по согласованию с
предприятием-потребителем,
определенным
Заказчиком,
до
проведения
предварительных испытаний. 2. Диапазон напряжений питания ядра не влияет на нормы
приведенных параметров, кроме динамического тока потребления ядра (IOCC2).
Электрические параметры опытных образцов тестовых кристаллов 32-х разрядного микропроцессора
должны соответствовать:
Значения
параметра
Наименование, буквенное параметра, единица измерения,
(режим измерения)
Выходное напряжение низкого уровня буферов ввода-вывода,
В
не менее не более
UOL
(UCC1 = 3,0 В; UCC2 = UCC2-ном – 10%; IOL = 2,0 мА)
Выходное напряжение высокого уровня буферов ввода-вывода, UOH UCC1-0,3
В
(UCC1 = 3,0 В; UCC2 = UCC2-ном – 10%; IOH = –0,3 мА)
0,4
Температура среды,
°С
Входной ток низкого уровня, мкА
Входы «pulldown»
IIL
- 15
200
- 200
15
600...+125
- 55
55
0
- 15
15
- 15
200
- 200
15
- 55
55
- 15
15
IOZL
- 15
15
IOZH
- 15
15
(UCC1 =3,6В; UCC2 =UCC2-ном +10%; UIL =0 Входы «pullup»
В)
Вход X2/CLKIN
Все остальные входы
Входы «pulldown»
Входной ток высокого уровня, мкА
IIH
Входы «pullup»
(UCC1 = 3,6 В; UCC2 = UCC2-ном + 10%; UIH
Вход Х2/CLKIN
= UCC1)
Все остальные входы
Выходной ток низкого уровня буфера с третьим состоянием
в состоянии «Выключено», мкА
(UCC1 = 3,6 В; UCC2 = UCC2-ном + 10%; UOL = 0 В)
Выходной ток высокого уровня буфера с третьим состоянием
в состоянии «Выключено», мкА,
600...+125
(UCC1 = 3,6 В; UCC2 = UCC2-ном + 10%; UOH = UCC1)
Динамический ток потребления ядра микросхемы, мА, (UCC1 =
3,6 В; UCC2 = UCC2-ном + 10%; fCI = 40 МГц)
0
IOCC
300
Примечания: 1. Нормы на параметры в диапазоне рабочих температур окружающей
среды должны быть установлены и согласованы с предприятием-потребителем,
определенным Заказчиком, до проведения предварительных испытаний. 2. Номинальное
напряжение питания ядра UCC2-ном должно быть установлено на этапе технического
проекта. 3. Функциональный контроль должен проводиться при тактовой частоте fCI =
40 МГц, напряжении питания буферов ввода-вывода (2,97 В < UCC1 < 3,63 В),
напряжении питания ядра (UCC2-ном – 10%< UCC2 < UCC2-ном – 10% В).
Значения электрических параметров опытных образцов тестовых кристаллов 16 – разрядного
микроконтроллера должны соответствовать:
Наименование параметра, единица измерения, режим
измерения, буквенное обозначение параметра
Значение параметра
не менее
не более
Прим.
Входной ток, мкА
вывода «pull-up»
I11
- 200
10
1
(0 В < UI < UVCC, UVCC =
3,6 B)
вывода «pull-down»
II2
- 10
200
1
Вход тактового
сигнала XTAL1
II3
- 40
40
1
IIH2
10
200
1
IIL
- 800
- 50
1
150
1
Входной ток высокого уровня по выводу
немаскируемого прерывания NMI, мкА
(UVCC = 3,6 B, UIH = 2,4 B)
Входной ток низкого уровня по выводу сброса
RESET#, мкА (UVCC = 3,6 B, UIL = 0 B)
Динамический ток потребления в режиме сброса
по выводу VCC, мА (UVCC = 3,6 В, fCI = 24 МГц)
IOCC
Примечания: 1. Нормы на значения параметров в диапазоне рабочих температур
окружающей среды от минус 60 до 125 С° должны быть установлены по согласованию
с предприятием-потребителем, определенным Заказчиком, до проведения
предварительных испытаний.
2. Функциональный контроль должен проводиться при UVCC = (3,0; 3,6) В, fCI = 24 МГц.
Значения электрических параметров опытных образцов тестовых кристаллов 8-разрядного
микроконтроллера должны соответствовать:
Наименование параметра, единица измерения, режим
измерения
Буквенное обозначение параметра
Значение
параметра
не менее
не
более
Прим.
Выходное напряжение низкого уровня по выводам
Р1.0 – Р1.7, Р2.0 – Р2.7, Р3.0 – Р3.7, В, IOL = 1,6 мА
UOL1
Выходное напряжение низкого уровня по выводам
ALE, PSEN#, Р0.0/AD0 – Р0.7/AD7, B, IOL = 3,2 мА
UOL2
Выходное напряжение высокого уровня по выводам
Р1.0 – Р1.7, Р2.0 – Р2.7, Р3.0 – Р3.7, B, IOH = –0,03 мА
UOH1
UСС – 0,7
1
Выходное напряжение высокого уровня по выводам
ALE, PSEN#, Р0.0/AD0 – Р0.7/AD7, B, IOH = –3,2 мА
UOH2
UСС – 0,7
1
Входной ток низкого уровня по выводам
Р1.0 – Р1.7, Р2.0 – Р2.7, Р3.0 – Р3.7, мкА, UI = 0,45 B
IIL
минус
Токи утечки на входе по выводам
Р0.0/AD0 – Р0.7/AD7, мкА, 0,45 B < UI < UСС
ILIL
минус
ILIН
10
0,45
1
0,45
1
1
75
Динамический ток потребления в активном режиме,
мА, fCI = 12 МГц
IОCC1
Динамический ток потребления в режиме
пониженного потребления, мА, fCI = 12 МГц
IОCC2
Ток потребления в режиме хранения, мкА, UCC = 2,0
B
ICCS
10
1
30
1
10
1
100
1
Примечания: 1 Нормы на значения параметров приведены в диапазоне рабочих
температур окружающей среды от минус 60 до 125 С° устанавливаются по
согласованию с предприятием-потребителем, определенным Заказчиком, до
проведения предварительных испытаний.
2. Функциональный контроль должен проводиться при UCC = (3,0; 3,6) B, fCI = (0,5; 16)
МГц.
Тестовые кристаллы СФ - блоков должны сохранять значения параметров в пределах установленных
норм во время и после воздействия специальных факторов, виды, характеристики и значения
характеристик в соответствии с ГОСТ РВ 20.39.414.2-98:
Вид специальных
Значения характеристик специальных факторов
факторов
Разработка
радиационностойкой СБИС
типа "система на
кристалле" 4канального
цифрового
приемника с
частотой
дискретизации до
1 ГГц
"Схема-20"
2012-2014 г. г.
7.И
0,5×5УС - 5УС
7.С
5Ус
7.К
0,5×2К - 0,5×1К; 7К11 – 60Мэв х см2/мг
Радиационно-стойкая СБИС типа «система на кристалле» 4-х канального цифрового приемника с ОАО "СКТБ
частотой дискретизации до 1 ГГц предназначена для использования в цифровых системах обработки ЭС"
сигналов образцов вооружения и военной техники.
Состав канала (все каналы одинаковые):













цифровой смеситель: входные данные - 19 бит, поступающие пакетами по 4 отсчета (один
пакет за такт 250 МГц);
цифровой управляемый генератор: управление по частоте - 32 бита;
управление по фазе—16 бит; клиппирование фазы до 18 бит; разрядность таблицы sin/cos:
20 бит (4 значения за такт);
смеситель: АЛУ с 20 битным выходом;
фильтр СШС (Саsсаdе 1п1епгаted Соmb): архитектура обеспечивает пакетную обработку (4
входных отсчета за один такт 250 МГц);
входные данные - 20 бит;
количество ступеней-5;
децимация - 4-4096 (с шагом 4);
выходные данные - 20 бит (после масштабирования). Перед фильтром и после него
должны быть блоки грубого масштабирования данных (масштабирование сдвигом);
СРТК фильтр: КИХ-филътр с программируемыми коэффициентами;
входные данные - 20 фильтров на один канал); выходные данные - 20 бит;
РПК. фильтр: КИХ-фильтр с программируемыми коэффициентами. На выходе фильтра
осуществляется точное масштабирование данных канала (умножение на дробный
коэффициент усиления). Входные данные - 20 бит;
децимация - 2 (или 1 - в случае параллельной работы 2-х фильтров на один канал); выходные
данные — 20 бит;

оконечный фильтр (дециматор-интсрполятор), позволяющий комбинировать данные с 4-х
каналов приемника в 1, 2 или 4 выходных канала. Входные данные - 24 бит;
 количество фильтров- 1~4;
 разрядность коэффициентов - 12 бит; выходные данные -24 бит.
СБИС разрабатывается в металлокерамическом корпусе, его тип и масса устанавливается на этапе
технического проектирования. Габаритные, установочные, присоединительные размеры СБИС, а
также способ ее крепления в аппаратуре определяются на этапе технического проектирования.
Значения электрических параметров:




число дифференциальных входов одного канала приемника1), бит - не менее 76;
число дифференциальных выходов одного канала приемника, бит - не менее 24;
частота дискретизации входных данных2,3), ГГц (Uсс1 = 1,8 В; Uсс2 = 5,0 В) - не более 1;
дифференциальное выходное напряжение3,4), мВ (Uсс1 = 1,8 В; Uсс2 = 5,0 В) - не менее 247 и
не более 454;
 ток потребления от источника Uсс13,4), мА (Uсс1 = 1,8 В; Uсс2 = 5,0 В) – не более 300;
 ток потребления от источника Uсс23,4), мА (Uсс1 = 1,8 В; Uсс2 = 5,0 В) – не более 300.
Примечания: 1) – для обеспечения одновременной подачи 4-х отсчетов входных данных одного
канала;
2)
– при одновременной обработке 4-х отсчетов входных данных одного канала;
3)
– нормы уточняются на 3-ем этапе ОКР по согласованию с заказчиком;
4)
– в диапазоне температур от -600С до +850С;
5)
– состав параметров может быть расширен на 3-ем этапе ОКР по согласованию с
заказчиком.
СБИС должна выполнять свои функции и сохранять значения параметров в пределах
установленных норм во время и после воздействия специальных факторов:
Вид специальных
факторов
Характеристики
специальных
факторов
Значения характеристик
специальных факторов
7И1
4Ус
7И
7С
7К
7И6
4Ус1)
7И7
4Ус
7И8
0,002 х 1Ус2)
7С1
4Ус
7С4
4Ус
7К1
1К3) (2К4))
7К4
0,5 х 1К3,4)
7К11
60 МэВ х см2/мг1,5)
Примечания: 1) – в процессе выполнения ОКР будет использована КМОП-КНИ структура с
глубокой trench – изоляцией, смыкающейся со скрытым диэлектриком, благодаря чему
тиристорный эффект будет исключен.
– уровень требований по стойкости к воздействию фактора 7И8 может уточняться по
результатам предварительных испытаний;
2)
3)
– при совместном воздействии факторов с характеристиками 7К1 и 7К4;
4)
– при независимо воздействии факторов с характеристиками 7К1 и 7К4;
5)
– по катастрофическим отказам и тиристорному эффекту.
Допускается в процессе и непосредственно после воздействия специальных факторов 7И с
характеристикой 7И6 временная потеря работоспособности на время не более 2 мс.
Разработка
радиационностойкой
микросхемы
защиты от
тиристорного
эффекта для
"Схема-21"
2012-2014 г. г.
Радиационно-стойкая КМОП КНИ СБИС управления модулем защиты от тиристорного эффекта, НПК
функционирующей как в автоматическом режиме, так и в режиме с внешним управлением от «Технологическ
микроконтроллера для применения в аппаратуре системы 14К032 и других системах управления и ий центр»
обработки данных космического базирования.
Микросхема должна выполнять следующие функции:
аппаратуры
космического
назначения
 контролировать ток потребления нагрузкой и. при превышении определенного значения,
отключать питание от нагрузки на заданное время, по истечении которого автоматически
производить включение (подачу питания) на нагрузку;
 обеспечивать возможность внешнего управления по включению/отключению питания нагрузкой
(не автоматическое включение);
 выполнять функцию сторожевого таймера;
 формировать телеметрический (ТМ) параметр; срабатывание защиты;
 формировать ТМ параметр: срабатывание сторожевого таймера;
 формировать напряжение питания для защищаемой группы микросхем.
Номинальное значение напряжений питания микросхем: UСС = 3,3 В. Допустимые отклонения
напряжений питания от номинальных значений - ±10%.
Значения электрических параметров:
1. выходное напряжение низкого уровня, В (IОL = 3,0 мА) - не более 0,3 (-600С - +850С);
2. выходное напряжение высокого уровня, В (IОН = 1,5 мА) - не менее UСС – 0,3 В
+850С);
(-600С -
3. ток потребления, мА - не более 2 (+250С ±10) и не более 4 (-600С - +850С);
4. ток утечки низкого уровня на входе, мкА - не более 0,3 (+250С ±10);
5. ток утечки высокого уровня на входе, мкА - не более 3,0 (-600С - +850С);
6. выходной ток низкого уровня в состоянии «Выключено», мкА – не более 0,3 (+250С ±10);
7. выходной ток высокого уровня в состоянии «Выключено», мкА –
+850С);
не более 3,0
(-600С -
8. порог срабатывания защиты по входу, мВ - не менее 80 (+250С ±10) и не более 120 (+250С
±10);
9. порог отключения защиты по входу, мВ - не менее 60 (+250С ±10) и не более 80 (+250С ±10);
10. время включения защиты в автоматическом режиме при заданной емкости 6,8 пФ, мс - не
менее 70 (+250С ±10) и не более 90 (+250С ±10).
Примечание. Значения норм на параметры 8 – 10 при температуре среды -600С - +850С
уточняются на 1-ом этапе ОКР.
Микросхемы должны выполнять свои функции и сохранять значения параметров в пределах
установленных норм во время и после воздействия специальных факторов:
Вид специальных
факторов
7И
7С
7К
Характеристики
специальных
факторов
Значения характеристик
специальных факторов
7И1
5Ус
7И6
5Ус
7И7
4Ус
7И8
1Ус
7И12 – 7И13
2 х 2Р
7С1
5Ус
7С4
5Ус
7К1
0,3х2К1) (2К2))
7К4
1К1,2)
7К11
60 МэВ х см2/мг3)
Примечания: 1) – при совместном воздействии факторов с характеристиками 7К1 и 7К4;
2)
– при независимом воздействии факторов с характеристиками 7К1 и 7К4;
3)
– по катастрофическим отказам.
Допускается в процессе и непосредственно после воздействия специальных факторов 7И с
характеристикой 7И6 временная потеря работоспособности на время не более 2 мс.
Разработка и
освоение
производства
ряда БМК с
повышенной
стойкостью к
СВВФ емкостью
500, 1000 тыс.
вентилей для
применений в
космических
аппаратах
"Алмаз-1"
2011-2014 г. г.
БМК с емкостью 500 и 1000 тысяч вентилей с повышенной стойкостью к СВВФ. Конструкция – ОАО "НИИМЭ
металлокерамический герметичный корпус. Библиотека ядра БМК совместима с библиотеками БМК и Микрон",
серий 5503 и 5507, содержит широкий набор ячеек, включая комбинационную логику, триггеры (RS,
D, T, JK), триггеры сканирования и др. Общее количество библиотечных ячеек – не менее 250. В
процессе ОКР по согласованию с основными пользователями БМК выбирается язык описания
проектов БИС на БМК (S.Verilog, VHDL и др.), создаются программно-математические средства
разработки и отладки логических проектов БИС. Температурный диапазон работы: -60 … +85˚С.
Размер кристалла – 10х10 мм (500 тыс. вентилей), 15х15 мм (1000 тыс. вентилей).
Время задержки на вентиль: 60 пс (25±10˚С), 100 пс (-60, +85˚С). Электропитание: 3,3В ±10%.
Выходной ток низкого уровня 3мА, высокого 1,5 мА.
Значения характеристик специальных факторов: 7.И1 - 4Ус; 7.И6 - 4Ус1; 7.И7 - 4Ус; 7.И8 –2Ус; 7С1 4Ус; 7С4 - 4Ус; 7.К1 – 0,3 х 1К2 (1К3); 7.К4 - 0,1х1К2,3; 7.К11 - 40 МэВхсм2/мг1,4. Примечания: 2. При
совместном воздействии факторов с характеристиками 7.К1 и 7.К4. 3. При независимом воздействии
факторов с характеристиками 7.К1 и 7.К4. 4. По катастрофическим отказам и тиристорному эффекту.
Разработка и
освоение
производства
радиационностойкой
многократно
программируемой
ПЛИС емкостью
50-100 тыс.
вентилей и
радиационностойкого ПЗУ для
её
конфигурировани
я
"Алмаз-2"
2011-2013 г. г.
ПЛИС емкостью 50 тыс. системных вентилей и ПЗУ для ее конфигурирования с повышенной ОАО "КТЦ
стойкостью к воздействию СВВФ.
Состав и режимы работы ПЛИС:
"Электроника",
 количество эквивалентных логических элементов не менее 2880 (элемент серии Flex ф. Altera,
состоящий из 4-х-входового LUT, цепей ускоренного переноса, триггера и схем его управления);
 объем встроенной памяти – не менее 40Кбит;
 число портов интерфейса JTAG и портов загрузки – не менее чем по 1;
 программируемый «скрабинг»-режим;
 программируемый режим верификации конфигурационной памяти без выхода из рабочего
состояния;
 количество выводов, программируемых пользователем – не менее 150;
 среда конфигурирования ПЛИС – «MAX-PLUSII», «Quartus».
Состав и режимы работы ПЗУ:
 емкость памяти – не менее  программируемый
тактовый режим кодирования
1Мбит;
генератор;
ПЗУ;
 число портов интерфейса JTAG и портов загрузки – не менее чем по
1;
 программирование ПЛИС в пассивном последовательном режиме;
Электропитание: 1,8В (ядро); 3,3В (входные и выходные буферы). Длительность тактового интервала
межрегистровой пересылки – не более 25нс. Температурный диапазон работы: -60…+100˚С.
Значения характеристик специальных факторов: 7.И1 - 4Ус; 7.И6 -4Ус1; 7.И7 -4Ус; 7.И8 – 0,02х1Ус; 7С1
- 4Ус; 7С4 -4Ус; 7.К1 - 1К2 (2К3); 7.К4 - 1К2,3; 7.К11 - 60 МэВхсм2/мг1,4. Примечания: 2. При совместном
воздействии факторов с характеристиками 7.К1 и 7.К4. 3. При независимом воздействии факторов с
характеристиками 7.К1 и 7.К4. 4.По катастрофическим отказам и тиристорному эффекту.
Разработка и
освоение
производства
ряда КМОП БМК
"Алмаз-3"
2011-2013 г. г.
Ряд БМК на структуре КНИ емкостью100, 200 и 500 тысяч вентилей с повышенной стойкостью к НПК
СВВФ для сбое- и отказоустойчивых систем по единым технологическим нормам и единой "Технологическ
технологии.
ий центр"
МИЭТ",
Кроме трех типов БМК разработке подлежат три типа имитаторов микросхем для прототипирования
полузаказных микросхем, соответствующих каждому типу БМК.
Конструкция – металлокерамический герметичный корпус и бескорпусное исполнение (на пластине).
Количество выводов: 64, 132, 240; в бескорпусном исполнении до 604.
Библиотека ядра БМК совместима с библиотеками БМК серий 5503 и 5507, содержит широкий набор
ячеек, включая комбинационную логику, триггеры (RS, D, T, JK), триггеры сканирования и др.,
общее количество – не менее 250. В процессе ОКР по согласованию с основными пользователями
БМК выбирается язык описания проектов БИС на БМК (S.Verilog, VHDL и др.), создаются
программно-математические средства разработки и отладки логических проектов БИС.
Время задержки на вентиль: 60 пс (25±10˚С), 100 пс (-60, +85˚С).
Напряжение электропитания: 3,3В ±10%. Выходной ток низкого уровня 3мА, высокого 1,5 мА.
Температурный диапазон работы: -60 … +85˚С. Значения характеристик специальных факторов:
7.И1- 5Ус; 7.И6 - 5Ус; 7.И7 – 0,5х5Ус; 7.И8 –1Ус; 7С1 - 5Ус; 7С4 - 5Ус; 7.К1 – 0,3 х 2К1 (2К2); 7.К4 - 1К1,2;
7.К11 - 60 МэВхсм2/мг3. Примечания: 1. При совместном воздействии факторов с характеристиками
7.К1 и 7.К4. 2. При независимом воздействии факторов с характеристиками 7.К1 и 7.К4. 3. По
катастрофическим отказам.
Разработка
энергонезависимо
й радиационностойкой
однократнопрогра
ммируемой
пользователем
логической
матрицы
ёмкостью 30-50
тыс.вентилей
"Алмаз-5"
2012-2014 г. г.
Разработка энергонезависимой радиационно-стойкой однократно программируемой пользователем ОАО «КТЦ
логической матрицы (ПЛМ) ёмкостью 30 тыс. вентилей.
Электроника»
Разрабатываемая микросхема должна содержать следующие функциональные элементы:
 не менее 1500 эквивалентных логических  встроенную память не менее 16
элементов;
кбит;
 не менее 150 выводов, программируемых  порт интерфейса JTAG.
пользователем;
Основные параметры:
Обозначение, наименование параметра, единица измерения,
режим измерения
UOH
Прим.
не менее
2,0
0,55
- 20
IOZH
1
Входной ток высокого уровня, мкА
20
UCC1 = 1,89 В, UCC2 = 3,6 В, UIH=3,6 В
IOZL
1
Входной ток низкого уровня, мкА
UCC1 = 1,89 В, UCC2 = 3,6 В, UIL=0 В
IIH
1
Выходное напряжение низкого уровня, В
UCC1 = 1,71 В, UCC2 = 3,0 В, IOL = 4 мА
IIL
не более
Выходное напряжение высокого уровня, В
UCC1 = 1,71 В, UCC2 = 3,0 В, IOH = 4 мА
UOL
Значение параметра
Выходной ток низкого уровня в состоянии
«Выключено»,мкА,UCC1=1,89В, UCC2=3,6В, UOZ=0 В
Выходной ток высокого уровня в состоянии
«Выключено», мкА, UCC1 = 1,89 В, UCC2 = 3,6 В,
UOZ=3,6 В
- 20
1
1
20
1
IСС1
Ток потребления по UCC1, мА, UCC1 = 1,89 В, UCC2 = 3,6
В, UIL=0 В, UIH=3,6 В, нагрузки отключены
IСС2
Ток потребления по UCC2, мА, UCC1 = 1,89 В,
UCC2 = 3,6 В, UIL=0 В, UIH=3,6 В, нагрузки отключены
tDRR
Длительность тактового интервала межрегистровой
пересылки, нс, UCC1 = 1,71 В, UCC2 = 3,0 В
60
2, 3, 4
60
2, 3, 4
25
2
Примечание: 1. Для пользовательских выводов на сконфигурированной ПЛМ. 2. Контроль
параметра проводится на сконфигурированной ПЛМ. 3. Значение должно быть установлено в
процессе ОКР по согласованию с потребителем и Заказчиком до проведения
предварительных испытаний. 4. Допускается изменение нормы параметра в процессе и после
воздействия специальных факторов 7.И, 7.С, 7.К. 5. Нормы на параметры указаны в диапазоне
рабочих температур от - 60 °С до +100 °С.
СБИС ОЗУ должны выполнять свои функции и сохранять значения параметров в пределах
установленных норм во время и после воздействия специальных факторов в соответствии с
ГОСТ РВ 20.39 414.2 (Вид специальных факторов - Значения характеристик специальных факторов):
7.И - 4УС; (7.И8 – 0,02х1УС); 7.С - 0,5х4УС - 4УС; 7.К - 0,5х1К - 0,5х2К; (7.К11 - 40 МэВ×см2/мг).
Разработка ряда
радиационностойких БМК:
БМК-400 и БМК1000
"Алмаз-6"
2012-2014 г. г.
Разработка отечественных радиационно-стойких КМОП КНИ 4-х канальных базовых матричных НПК
кристаллов (БМК) емкостью от 400 до 1000 тыс. вентилей с встроенными блоками ОЗУ по единым «Технологическ
технологическим нормам и единой технологии. Технология изготовления – КМОП КНИ 0,18 – 0,25 ий Центр»
мкм.
Основные параметры БМК и количество условных вентилей по типам:
Размер
Масса
Количество
Тип
кристалла, микросхем в
условных вентилей,
Тип корпуса*
БМК
не более,
корпусе, не
не менее, шт.
мм2
более, г.
Тип
1
400 000
Металлокерамический
планарный 240 выводов
15×15
20
Тип
2
1000 000
Металлокерамический
планарный 256 выводов
15×15
Тип
3
400 000
Бескорпусное исполнение с
числом контактных площадок до
604
15×15
Тип
4
1000 000
Бескорпусное исполнение с
числом контактных площадок до
604
15×15
20
Примечание: *количество выводов должно быть установлено на этапе технического
проектирования
В состав каждого БМК входят:
 4 канала обработки данных с раздельным  элементы ввода/вывода.
питанием;
Канал обработки данных содержит массив вентилей для реализации функций назначения. Каждый
канал обработки данных БМК типа 1 дополнительно содержит аппаратно реализованные блоки
СОЗУ емкостью не менее 12 Кбайт в каждом канале. Библиотека ядра БМК должна содержать
широкий набор функциональных библиотечных ячеек, включая комбинационную логику, триггеры
RS, D, T и JK типов, триггеры сканирования и др. Библиотека элементов ввода-вывода должна
обеспечивать согласование и обмен информацией различных цифровых устройств и содержать
ячейки входа, выхода и вход-выхода с третьим состоянием.
Значения электрических параметров микросхемы при приемке и поставке, в течение наработки до
отказа, в процессе и после воздействия специальных факторов, в течении гамма-процентного срока
сохраняемости, при их хранении в условиях, допускаемых ОСТ В 11 0998-99, должны
соответствовать:
Обозначение, наименование параметра, единица измерения,
режим измерения
UOL - Выходное напряжение низкого уровня, В
(IOL = 3,0
Норма
не менее
не
более
0,3
Температур
а
среды, С
600…+850
мА)
( IOL= 30 мкА)
0,1
UOH - Выходное напряжение высокого уровня, В
(IOH= 1,5 мА) Ucc-0,3В
600…+850
(IOH= 30 мкА) Ucc-0,1В
5
+25010
12
-600…+850
0,3
+25010
3,0
-600…+850
0,3
+25010
3,0
-600…+850
60
+25010
100
-600…+850
CI - Входная емкость, пФ
7
+25010
CI/O - Емкость входа/выхода, пФ
7
+25010
ICC - Ток потребления, мА
ILIL, ILIH - Токи утечки низкого и высокого уровней на входе, мкА
IOZL, IOZH - Выходной ток низкого и высокого уровней в
состоянии «Выключено», мкА
tD - Время задержки на вентиль, пс
Примечание: Значения норм на параметры входной емкости и емкости входа/выхода при
температуре среды от минус 60 до плюс 85 °С устанавливаются на 1 этапе ОКР по
согласованию предприятием-потребителем, определяемым Заказчиком.
Микросхема должна выполнять свои функции и сохранять значения параметров в пределах
установленных во время и после воздействия специальных факторов, виды, характеристики и
значения характеристик которых должны соответствовать: (Вид специальных факторов - Значения
характеристик специальных факторов): 7.И - 4УС; (7.И8 - 0,02 1 Ус); 7.К - 1,5х1К - 1,5х2К; (7.К11, 7К12
- 40 МэВ×см2/мг).
Разработка БМК
СБИС "система на
кристалле"
обработки данных
со встроенным
процессорным
ядром с
повышенной
стойкостью к
СВВФ
"Алмаз-9"
2012-2014 г. г.
СБИС базового матричного кристалла (БМК) класса «система на кристалле» со встроенным ФГУП НИИ МА
процессорным ядром для создания серии полузаказных СБИС обработки данных с повышенной «Прогресс»
стойкостью к СВВФ для применения в бортовой аппаратуре КА ЕКС и бортовых системах обработки
специальной информации в реальном масштабе времени.
Кристалл СБИС БМК СнК должен быть выполнен по технологии - КНИ 0,25-0,18 мкм и
содержать следующие функциональные блоки:
 вычислительное 32 разрядное ядро с тактовой частотой 150 МГц с поддержкой DMA и MMU;
 сопроцессор ЦОС;
 сопроцессор модульной арифметики;
 масочное ПЗУ (объем определяется на этапе ТП);
 статическое ОЗУ (объем определяется на -этапе ТП);
 регулятор напряжения на 1,8 В;
 ФА.ПЧ на частоту до 150 МГц;
 полузаказную матрицу объемом 4*100К вентилей.
Номинальное значение напряжения питания СБИС БМК СнК:
 ядра(UСС1) - 1,8 В ±12%;
 элементов ввода/вывода (UСС2 ) - 3,3 В ±12 %..
Значения электрических параметров:
 входное напряжение высокого уровня1), В (UСС2 = 3,3 В) - не менее 2,2 (-400С - +1250С) и не
более 3,3 (-400С - +1250С);
 входное напряжение низкого уровня1), В (UСС2 = 3,3 В) - не более 0,7 (-400С - +1250С);
 входной ток высокого уровня1,2), мкА (UСС2 = 3,3 В) - не менее минус 10 (-400С - +1250С) и не
более 10 (-400С - +1250С);
 входной ток низкого уровня1,2), мкА (UСС2 = 3,3 В) - не менее минус 10 (-400С - +1250С) и не
более 10 (-400С - +1250С);
 выходное напряжение высокого уровня1), В (UСС2 = 3,3 В; Iuoh = -2 мА) - не менее 2,5 (-400С -
+1250С);
 выходное напряжение низкого уровня1), В (UСС2 = 3,3 В; Iuoh = -2 мА) - не более 0,36 (-400С +1250С);
Примечания: 1) – нормы должны быть уточнены на 2-ом этапе ОКР;
– при использовании входных элементов со встроенными резисторами подтяжки к
земле или питанию, диапазон допустимых значений может быть расширен.
2)
Микросхемы должны выполнять свои функции и сохранять значения параметров в пределах
установленных норм во время и после воздействия специальных факторов:
Вид специальных
факторов
7И
7С
7К
Характеристики
специальных
факторов
Значения характеристик
специальных факторов
7И1
4Ус
7И6
4Ус
7И7
4х4Ус
7И8
1Ус
7С1
10х5Ус
7С4
2х5Ус
7К1
2х1К
7К4
1К
7К11
10-6 сбои/(сутки х бит)
10-7 сбои/(с х бит)
10-6 отказ/(сутки х ИС)
10-7отказ /(с х ИС) или
(40…60) МэВ х
см2/мг1,2)
Примечания: 1) – при наличии тиристорного эффекта должен быть определен его порог, проведены
исследовательские работы по установлению методов и средств его подавления в составе
аппаратуры, а также должны быть проведены экспериментальное определение сохранения
работоспособности СБИС в процессе и после выдержки в состоянии тиристорного эффекта в
течение 5 минут;
2)
– по катастрофическим отказам и тиристорному эффекту.
Допускается в процессе и непосредственно после воздействия специальных факторов 7И с
характеристикой 7И6 временная потеря работоспособности на время не более 1,5 мс.
В процессе выполнения ОКР должны быть разработаны:
Разработка и
освоение
производства
микросхемы
радиационностойкого,
быстродействую
щего,
малошумящего
приемопередатчи
ка
высокоскоростног
о магистрального
последовательног
о интерфейса
"Цифра-1"
2011-2013 г. г.
 трассировщик полузаказных матриц из Verilog, VHDL netlist объемом до 100 К вентилей;
 интерфейс к САПР (документатор) в форматах .lib, .lef, .sdf, .v;
 библиотека элементов ввода/вывода (включая LVDS, OSC);
 маршрут проектирования;
 аппаратно – программный комплекс;
 аппаратно – отладочный комплекс БМК.
Быстродействующий малошумящий приемопередатчик с повышенной стойкостью к СВВФ для ЗАО «НТЦ
высокоскоростного магистрального последовательного интерфейса передачи данных, реализуемого «Модуль»,
на базе технических средств мультиплексного канала передачи данных (МКПД) по ГОСТ Р 520702003, с целью увеличения производительности линий связи систем управления.
Состав и основные характеристики:
 узел приемника и узел передатчика, построенные на широкополосных малошумящих
операционных усилителях;
 возможность подключения к информационным магистралям передачи данных по ГОСТ Р 520702003 с использованием внешних изолирующих трансформаторов;
 возможность одновременной передачи по физической среде МКПД высокочастотной (до 200
Мбит/с) и низкочастотной информации между устройствами интерфейса, выполненными по ГОСТ
Р 52070-2003;
Корпус металлокерамический. Напряжение питания: ± 5В ± 5%; ±12В ± 5%.
Температурный диапазон работы: -60 … +85˚С.
Разработка и
освоение
производства
ряда БИС
супервизора
питания
"Цифра-2"
2011-2012 г. г.
Ряд супервизоров питания с повышенной стойкостью к СВВФ, предназначенных для контроля за ОАО
допустимым уровнем питания и формирования сигналов обнуления микропроцессорных БИС.
«Ангстрем»,
Напряжение питания микросхем – от 1,2 В до 5,5 В. При контроле включения сигнала RST
микросхемы имеют напряжение питания: ИС1 – от 4,1 В до 4,57 В; ИС2 – от 2,86 В до 3,33 В;
ИС3 – от 2,71 В до 3,18 В; ИС4 – от 2,41 В до 2,88 В;
Основные параметры:
 длительность сигнала Reset по выводу RST: 250 – 450 мс;
 время задержки от момента Uсс= Uсстр до включения/выключения сигнала Reset по выводу RST – не
более 1,2 мкс/450 мс;
 ток потребления в статическом режиме не более 55 мкА, в динамическом режиме – 8 мА;
 выходное напряжение «0» на выводе RST – не более 0,42;
 выходное напряжение «1» на выводе RST для определения состояния «кнопка нажата» не более
3,32 В;
 выходное напряжение «0» на выводе RST для определения состояния «кнопка отпущена» не более
0,85;
Микросхемы выполняются в металлокерамических корпусах для поверхностного монтажа и в
бескорпусном исполнении на полиамидном носителе (модификация 2).
Температурный диапазон: -60…+125ºС. Значения характеристик специальных факторов: 7.И1-4Ус;
7.И6 - 4Ус1; 7.И7 -4Ус; 7.И8 –0,02х1Ус; 7С1 -4Ус; 7С4 -4Ус; 7.К1 - К2 (2К3); 7.К4 - 1К2,3; 7.К11 - 60 МэВ х
см2/мг1,4.
Примечания: 2. Уровень требований по стойкости к фоздействию фактора с характеристикой 7.И8
может уточняться по результатам предварительных испытаний. 3. При совместном воздействии
факторов с характеристиками 7.К1 и 7.К4. 4. При независимом воздействии факторов с
характеристиками 7.К1 и 7.К4. 5. По катастрофическим отказам и тиристорному эффекту.
Разработка и
освоение
производства
ряда
приемопередатчи
ков интерфейса
RS-485"
"Цифра-3"
2011-2012 г. г.
Комплект приемопередатчиков интерфейса RS-485 с повышенной стойкостью к СВВФ.
В составе комплекта три микросхемы со скоростью передачи данных:
ЗАО «ПКК
«Миландр»
ИС1 – до 500 Кбит/с; ИС2 – до 2,5 Мбит/с; ИС3 – до 30 Мбит/с. Напряжение питания: 5В ±10%.
Технология производства: КМОП – КНИ или РС КМОП на основе объемного кремния с нормами
0,35 – 0,6 мкм. Корпус металлокерамический. Температурный диапазон работы: -60 … +125˚С.
Значения характеристик специальных факторов: 7.И1 - 4Ус; 7.И6 - 4Ус1; 7.И7 - 4Ус; 7.И8 –0,02х1Ус;
7С1 - 4Ус; 7С4 - 4Ус; 7.К1 – 1К2 (2К3); 7.К4 - 1К2,3; 7.К11 - 60 МэВхсм2/мг1,4. Примечания: 2. При
совместном воздействии факторов с характеристиками 7.К1 и 7.К4. 3. При независимом воздействии
факторов с характеристиками 7.К1 и 7.К4. 4. По катастрофическим отказам и тиристорному эффекту.
Разработка и
освоение
производства
ряда
быстродействую
щих
радиационностойких
операционных
усилителей с
граничной
частотой до 1,5
ГГц
"Цифра-4"
2011-2013 г. г.
Ряд быстродействующих операционных усилителей (ОУ) с граничной частотой до 1,5 ГГц с ФГУП «НПП
повышенной стойкостью к СВВФ. Разработке подлежат: ИС1 – широкополосный ОУ с токовой «Пульсар»,
обратной связью;
ИС2 – широкополосный ОУ с обратной связью по напряжению; ИС3 – сверхбыстродействующий
широкополосный ОУ с токовой обратной связью с функцией «выключено».
Электропитание: ИС1: 5 ÷ 12В; ИС2: 3,3 ÷ 12В; ИС3: 2,7 ÷ 12В.
Основные параметры (при Uп= ±5В/5В):
ИС1
ИС2
 Максимальное выходное напряжение, В,
(RH=150 Ом), не менее
±1,2/1,15
±3,8/3,7
 Напряжение смещения нуля, мВ, не более
4
1/1,4
10
RH=150 Ом
250/350
-
1000/500
RH=1кОм
540/520
320
-
900/665
1000/480
3000/2000
 Верхняя граничная частота
полосы пропускания, МГц, не
менее
 Скорость нарастания выходного
напряжения, В/мкс, не менее
ИС3
±3,9/3,1
(RH=1кОм),
 Время установления выходного напряжения,
нс, не более
25
25
20
 Однополярное напряжение питания, В
4,5 – 12
3,3 – 12
2,7 – 12
 Двухполярное напряжение питания, В
± (2,5 - 6)
± (1,5 – 6)
± (1,4 – 6)
 Дифференциальное входное напряжение, В
±1
± Uп
± Uп
 Выходной ток, мА, не менее
± 50
± 50
± 50
Значения характеристик специальных факторов: 7.И1- 4Ус; 7.И6 - 4Ус; 7.И7 - 4Ус; 7.И8 – 0,002х1Ус2;
7.С1 - 4Ус; 7.С4 - 4Ус; 7.К1 - 1К3(2К4); 7.К4 - 1К3,4. Примечания: 2. Уровень требований по стойкости
к воздействию фактора с характеристикой 7И8 может уточняться по результатам предварительных
испытаний. 3. При совместном воздействии факторов с характеристиками 7К1 и 7К4. 4. При
независимом воздействии факторов с характеристиками 7К1 и 7К4.
Разработка и
освоение
производства
ИМС
радиационностойкого
широкополосного
усилителя
"Цифра-5"
2011-2012 г. г.
Широкополосный усилитель с повышенной стойкостью к СВВФ.
Конструкция – металлокерамический герметичный корпус (тип корпуса устанавливается в ходе
ОКР).
Основные параметры:
 диапазон частот 30 – 1700 МГц;
 КСВ входа и выхода 1,8;
 коэффициент шума не более 2,9 дБ;
 выходная мощность не менее 100 мВт;
 коэффициент усиления по мощности не менее  температурный диапазон -60 … + 85˚С.
18 дБ;
Значения характеристик специальных факторов: 7.И1- 4Ус; 7.И6 - 4Ус; 7.И7 - 4Ус; 7.И8 – 0,02х1Ус2;
7.С1 - 4Ус; 7.С4 - 4Ус; 7.К1 - 1К3(2К4); 7.К4 - 1К3,4. Примечания: 2. Уровень требований по стойкости к
воздействию фактора с характеристикой 7И8 может уточняться по результатам предварительных
испытаний. 3. При совместном воздействии факторов с характеристиками 7К1 и 7К4. 4. При
ФГУП «НПП
«Пульсар»,
независимом воздействии факторов с характеристиками 7К1 и 7К4.
Разработка и
освоение
производства
радиационностойкого
компаратора
"Цифра-6"
2011-2013 г. г.
Сверхбыстродействующие одноканальный и двухканальный компараторы напряжения с повышенной ОАО
стойкостью к воздействию СВВФ.
«Ангстрем»,
Основные параметры:
 напряжение смещения нуля, мВ: ±5мВ (25˚С); ±9мВ (-60˚С; +85˚С);
 входной ток, мкА (Ucc1 = 5В, Ucc2 = -5,2В)
- ±15 (25˚С); ±20 (-60˚С; +85˚С);
 разность входных токов, мкА (Ucc1 = 5В, Ucc2 = -5,2В) - ±3 (25˚С); ±5 (-60˚С; +85˚С);
 коэффициент подавления синфазных входных напряжений не менее 70 дБ;
 время задержки распространения при включении (выключении), нс: 1,5 (25˚С); 1,8 (-60˚С; +85˚С);
 ток потребления: ИС1 - 18мА (25˚С); 25мА (-60˚С; +85˚С); ИС1 - 34мА (25˚С); 45мА (-60˚С; +85˚С);
 выходное напряжение низкого уровня - (1,89 – 1,55)В - 25˚С;
 выходное напряжение высокого уровня - (1,06 – 0,76)В - 25˚С;
 электропитание Ucc1 = 4,5 – 5,5В, Ucc2 = - (5,5 – 4,5)В;
 дифференциальное входное напряжение не более ±5В;
 синфазное входное напряжение (Ucc ±0,3)В;
 выходной ток не менее 50мА;
 температурный диапазон работы -60 … + 85˚С.
Значения характеристик специальных факторов: 7.И1 – 4Ус; 7.И6 – 4Ус1; 7.И7 – 4Ус; 7.И8 - 0,1х1Ус2;
7.С1 – 4Ус; 7.С4 – 4Ус; 7.К1 – 0,5х2К3(2К4); 7.К4 –1К3,4. Примечания: 2.Уровень требований по
стойкости к воздействию фактора с характеристикой 7.И8 может уточняться по результатам
предварительных испытаний. 3. При совместном воздействии факторов с характеристиками 7.К1 и
7.К4. 4. При независимом воздействии факторов с характеристиками 7.К1 и 7.К4.
Разработка и
освоение
производства в
радиационностойком
исполнении ИМС
усилителя с
регулируемым
коэффициентом
усиления и
квадратурного
модулятора
"Цифра-8"
2011-2013 г. г.
Усилитель с регулируемым коэффициентом усиления и квадратурный модулятор с повышенной ФГУП «НПП
стойкостью к воздействию СВВФ.
«Пульсар»,
Основные параметры усилителя с регулируемым коэффициентом усиления (ИС1):
 напряжение питания ±5В; ±5В;
 максимальное выходное напряжение ± 2,6В;
 ток потребления не более 18 мА;
 верхняя граничная частота полосы пропускания - не менее 70 МГц;
 диапазон регулирования коэффициента усиления - не менее 41 дБ;
 точность регулирования – не более 1 дБ.
Основные параметры квадратурного модулятора:
Литера А
Литера Б
 диапазон рабочих частот, МГц
750 … 2550
90 … 1100
 фазовая ошибка, гр., не более
± 2,5
± 0,9
-12
-14
5В ± 6%
5В ± 5%
 уровень сигнала гетеродина, дБм, не менее
 напряжение питания, В, не менее
Изделия должны быть стойкими к воздействию специальных факторов 7И, 7С, 7К по ГОСТ РВ
20.39.414.2-98 с характеристиками: 7И1,7И6,7И7 –по группе 4Ус; 7И8 –по группе 0,1х1Ус; 7С1- по
группе 4Ус; 7С4–по группе 0,5х5Ус; 7К1–по группе 2,5х1К; 7К4–по группе 0,5х1К; 7К12 - 60
МэВ•см2/мг. На этапе технического проекта прорабатывается вопрос о возможности реализации
следующих требований по стойкости к воздействию спец.факторов с характеристиками: 7И7 – 5Ус;
7И8 – 2х4Ус; 7И12 - 7И13 – 2х2Р;
Температурный диапазон работы: -60 … + 85˚С.
Разработка и
освоение
производства в
радиационностойком
исполнении ИМС
прецизионных
"Цифра-9"
2011-2013 г. г.
Микросхемы прецизионных операционных усилителей (ОУ) повышенной стойкостью к воздействию ФГУП «НПП
СВВФ. Разработке подлежат: ИС1 – прецизионный ОУ с обратной связью по напряжению; ИС2 - «Пульсар»,
прецизионный малошумящий ОУ с обратной связью по напряжению.
Конструкция – металлокерамический герметичный корпус.
Основные параметры:
ИС1
ИС2
операционных
усилителей
 максимальное входное напряжение, В, не менее
Uп = ± 5В, Rн = 500 Ом
±3
Uп = ±15В, Rн = 500 Ом
± 10
± 12 (Rн=2кОм)
0,5
± 25х10-3
7
40
Uп = ± 5В, Rн = 500 Ом
30
1000 (Rн=2кОм)
Uп = ±15В, Rн = 1кОм
50
 напряжение смещения нуля, мВ, не более
 входной ток, мкА, не более
 коэффициент усиления, В/мВ
 произведение коэффициента усиления на ширину полосы, МГц
Uп = ± 5В
400
Uп = ± 15В
550
 нормированная ЭДС шума, нВ/√Гц, не более
2,5
5,5
 максимальная скорость нарастания выходного напряжения, В/мкс
Uп = ± 5В, Rн = 500 Ом
100
Uп = ±15В, Rн = 1кОм
150
1,7 (Rн=2кОм)
 частота единичного усиления, МГц (Uп=±15В, Rн=2кОм), не
менее
 размах входного напряжения шума, мкВ, не более (Fвх =0,1-10Гц)
18
 нормированный ток шума, нА/√Гц
4,0
Предельно-допустимые параметры:
 напряжение питания, В
5
ИС1
ИС2
± (4,5 – 16,5)
± (14,5 – 16,5)
 дифференциальное входное напряжение, В, не
более
 синфазное входное нпряжение, В, не более
±6
± 0,7
± Uп
± Uп
 выходной ток, мА, не менее
± 30
± 30
-60 … + 85˚С
-60 … + 125˚С
 температурный диапазон
Значения характеристик специальных факторов: 7.И1 – 4Ус; 7.И6 – 5Ус; 7.И7 – 0,5х5Ус; 7.И8 –1Ус;
7.И12 - 7.И13 – 2х2Р; 7.С1 – 4Ус; 7.С4 – 5Ус; 7.К1 – 0,5х2К; 7.К4 – 0,5х1К; 7.К11 – 45 МэВ•см2/мг.
Разработка и
освоение
производства
спецстойких
функциональносложных
радиочастотных
микросхем
"Цифра-10"
2011-2013 г. г.
Функционально-сложные радиочастотные микросхемы приемного тракта с повышенной стойкостью ОАО
к СВВФ.
«Ангстрем»,
Состав: МШУ; смесители на первую и вторую промежуточные частоты (СЧ1, СЧ2); генератор
управляемый напряжением (ГУН); УПЧ с автоматическим регулированием усиления (АРУ); АЦП;
делитель на 8.
Основные параметры:
Малошумящий усилитель
 диапазон рабочих частот – 0,2-2,2 ГГц;
 коэффициент шума 2,5 дБ (типовой);
 коэффициент усиления по мощности: Ку мин=12 дБ, Ку ном=15 дБ;
Смеситель СЧ1
Смеситель СЧ2
 диапазон рабочих частот – 1-2 
ГГц;

 потери преобразования 0-3 дБ;
 коэффициент
шума
12
дБ 
(типовой).
Генератор управляемый напряжением
диапазон входных частот – 200-900 МГц;
коэффициент преобразования – не менее 9дБ, 12дБ
(номинал);
коэффициент шума 12 дБ (типовой).
 диапазон частот – 0,2-2,2 ГГц;
 выходная мощность – до 1 дБм;
 уровень фазовых шумов при отстройке 100 кГц, дБ/Гц: -90 (типовой); не более -85;
УПЧ с автоматическим регулированием усиления
 диапазон частот – 20-500 МГц;
 коэффициент усиления по мощности – не менее 20 дБ; 23 дБ (типовой);
 выходная мощность при компрессии 1 дБ – не менее 1 мВт; 1,5 мВт (типовое значение).
АЦП
 разрядность – 8 бит;
 частота дискретизации – не менее 50 МГц; 60 МГц (типовое значение);
 динамический диапазон – не менее 42 дБ; 45 дБ (типовое значение);
 интегральная нелинейность, ЕМР: ±1 (типовое значение); не более ±2;
 дифференциальная нелинейность, ЕМР: ±1 (типовое значение); не более ±2.
Делитель частоты на 8
 выходная мощность – не менее 1 дБм; 2 дБм (типовое значение);
 коэффициент деления
8;
 диапазон частот – не менее 10…1500 МГц; 10…2000 (типовое значение).
Номинальное напряжение питания в диапазоне 2,7-5,5 В.
Температурный диапазон среды при эксплуатации -60…+85ºС.
Изделия должны быть стойкими к воздействию специальных факторов 7.И, 7.С, 7.К по ГОСТ РВ
20.39.414.2-98 с характеристиками: 7.И1 – 5Ус; 7.И6 – 6Ус; 7.И7 – 0,5х5Ус; 7.И8 – 1Ус; 7.И12 – 7.И.13 –
2х2Р; 7.С1 и 7.С4– 5Ус; 7.К1 – 0,5х2К; 7.К4 – 1К.
Разработка и
освоение
производства
комплекта
радиационностойких
быстродействую
щих АЦП
разрядностью 8,
12, 14 бит
"Цифра-11"
2011-2012 г. г.
АЦП быстродействующие, стойкие к воздействию СВВФ.
Число разрядов АЦП: 8 бит
Частота преобразования, МГц: 600 не менее. Время преобразования: 5 нсек не более.
Интегральная нелинейность, ед. мр: 2,5. Дифференциальная нелинейность, ед. мр: 2,0.
Отношение сигнал шум SNR, дБ: 55, не менее
Апертурное время задержки - устанавливается в ходе ОКР.
Напряжение смещения нуля - устанавливается в ходе ОКР.
Питание: UСС1=1,8 В; UСС2=2,5 В. Ток потребления 600 мА не более.
Число разрядов АЦП: 12 бит
Частота преобразования, МГц: 300 не менее.
Время преобразования: 50 нсек не более.
ОАО «СКТБ
ЭС»
Интегральная нелинейность, ед. мр: 2,5.
Дифференциальная нелинейность, ед. мр: 2,5.
Отношение сигнал шум SNR, дБ: 60, не менее. Ток потребления 600 мА не более.
Апертурное время задержки - устанавливается в ходе ОКР.
Напряжение смещения нуля - устанавливается в ходе ОКР.
Питание: UСС1=1,8 В;UСС2=2,5 В.
Число разрядов АЦП: 14 бит
Частота преобразования, МГц: 200 не менее.
Время преобразования: 75 нсек не более.
Интегральная нелинейность, ед. мр: 2,5.
Дифференциальная нелинейность, ед. мр: 2,0.
Отношение сигнал шум SNR, дБ: 60, не менее. Питание: UСС1=1,8 В; UСС2=2,5 В.
Апертурное время задержки - устанавливается в ходе ОКР.
Напряжение смещения нуля - устанавливается в ходе ОКР. Ток потребления 600 мА не более.
Значения характеристик специальных факторов: 7.И1 - 4Ус; 7.И6 - 4Ус1; 7.И7 - 4Ус; 7.И8 –
0,002х1Ус2; 7С1-4Ус; 7С4-4Ус; 7.К1-1К3 (2К4); 7.К4–0,5х1К3,4; 7.К11-60 МэВхсм2/мг1,5. Примечания: 2.
Уровень требований по стойкости к воздействию фактора с характеристикой 7.И8 может уточняться
по результатам предварительных испытаний. 3. При совместном воздействии факторов с
характеристиками 7.К1 и 7.К4. 4.При независимом воздействии факторов с характеристиками 7.К1 и
7.К4. 5.По катастрофическим отказам и тиристорному эффекту.
Разработка и
освоение
производства
комплекта
радиационностойких
прецизионных
АЦП
разрядностью
18…24 бит
"Цифра-12"
2011-2013 г. г.
Прецизионный последовательного приближения АЦП, стойкий к воздействию СВВФ.
Число разрядов АЦП: 18 бит. Количество каналов: 1.
Погрешность смещения характеристики преобразования в начальной точке шкалы: 10 мВ.
Производительность: 3 MSPS. Интегральная нелинейность, ед. мр: 2,75
Дифференциальная нелинейность, ед. мр: 1,75. Рабочий диапазон температур: - 60C…+85ºC.
Динамический диапазон свободный от помех (SFDR): не менее 65 дБ. Питание: UСС1=1,8 В; UСС2= 2,5
ОАО «СКТБ
ЭС»
В.
Отношение сигнал/шум (SNR): 60 дБ. Встроенный ИОН: 1,235 В.
Значения характеристик специальных факторов: 7.И1- 4Ус; 7.И6 - 4Ус1; 7.И7 - 4Ус; 7.И8 – 0,002х1Ус2;
7С1 -4Ус; 7С4 -4Ус; 7.К1 -1К3 (2К4); 7.К4 –0,5х1К3,4; 7.К11-60 МэВхсм2/мг1,5. Примечания: 2. Уровень
требований по стойкости к воздействию фактора с характеристикой 7.И8 может уточняться по
результатам предварительных испытаний. 3. При совместном воздействии факторов с
характеристиками 7.К1 и 7.К4.
4. При независимом воздействии факторов с характеристиками 7.К1 и 7.К4. 5.По катастрофическим
отказам и тиристорному эффекту.
Прецизионный АЦП, стойкий к воздействию СВВФ.
Архитектура: ∑ - ∆ типа. Число разрядов АЦП: 24 бит. Количество каналов: 8.
Погрешность смещения характеристики преобразования в начальной точке шкалы 10 мВ.
Производительность: 3MSPS. Интегральная нелинейность, % от полной шкалы: 0,005.
Динамический диапазон свободный от помех (SFDR): не менее 85 дБ. Питание: UСС1=1,8 В; UСС2=2,5
В.
Отношение сигнал/шум (SNR): не менее 80 дБ. Встроенный ИОН: 1,235 В.
Рабочий диапазон температур: - 60C…+85ºC. Значения характеристик специальных факторов: 7.И1 4Ус; 7.И6 -4Ус1; 7.И7-4Ус; 7.И8–0,002х1Ус2; 7С1-4Ус; 7С4-4Ус; 7.К1-1К3 (2К4); 7.К4–0,5х1К3,4; 7.К1160МэВхсм2/мг1,5. Примечания: 2. Уровень требований по стойкости к воздействию фактора с
характеристикой 7.И8 может уточняться по результатам предварительных испытаний. 3. При
совместном воздействии факторов с характеристиками 7.К1 и 7.К4. 4. .При независимом воздействии
факторов с характеристиками 7.К1 и 7.К4. 5.По катастрофическим отказам и тиристорному эффекту.
Разработка
комплекта
быстродействую
щих
радиационностойких ЦАП
разрядностью 8,
12, 14 бит
"Цифра-13"
2011-2013 г. г.
Комплект быстродействующих 8-, 12-, 14-разрядных ЦАП с повышенной стойкостью к воздействию ФГУП
СВВФ в металлокерамических герметичных корпусах.
«НИИЭТ»
Основные параметры:
 число разрядов, бит
 интегральная нелинейность, мр
(-60…+85C)
 дифференциальная
нелинейность, мр (-60…+85C)
 внутренне опорное
напряжение, В
 максимальная скорость
преобразования, MSPS, не
менее
(-60…+85C)
 погрешность смещения
характеристики, % от полной
шкалы (-60…+85C)
 динамический диапазон
свободный от помех, дБ, не
менее
(25 ± 10C, Fout = 1МГц)
 отношение сигнал/шум, дБ, не
менее (25 ± 10C, Fout = 1МГц)
ЦАП1
ЦАП2
ЦАП3
8
12
14
± 5,6
± 6,5
±5
(номинал ± 1)
(номинал ± 6)
(номинал ± 2,5)
± 2,1
(номинал ± 1,6)
номинал ± 3
(номинал ± 1,5)
1,2
1,2
1,2
1200
550
400
± 0,5
± 0,03
± 0,03
62
80
84
(FCLK=1200МГц)
(FCLK=550МГц)
(FCLK=400МГц)
48
68
72
(FCLK=1200МГц)
(FCLK=550МГц)
(FCLK=400МГц)
10
10
UC1 = 3,3В; UC2 =
UC1 = UC2 =
 время установления, нс
 напряжение питания
±3
UC1 = 3,3В; UC2 =
1,8В
1,8В
3,3В
Рабочий диапазон температур: -60 … +85C.
Уровни стойкости: 7.И1 – 4Ус; 7.И6 – 4Ус; 7.И7 – 4Ус; 7.И8 – 0,002х1Ус; 7.С1 – 4Ус; 7.С4 –
0,5х4Ус;
7.К1 – 2,5х1К; 7.К4 – 0,1х1К; 7.К11 – 60 МэВ•см2/мг.
Разработка ряда
радиационностойких БИС
цифрового
синтезатора
частоты
"Цифра-16"
2012-2014 г. г.
Разработка ряда радиационно-стойких БИС цифрового синтезатора частоты. Изделия должны ФГУП «НПП
выполняться в модульном или интегральном исполнении. Тип корпуса и конструкция определяются «Пульсар»
в процессе выполнения 2 этапа ОКР. Изделие должно быть изготовлено в литерном исполнении.
Состав и количество изделий в литерном ряду, нормы на параметры для каждой из литер ряда
устанавливаются по согласованию с Заказчикомна 2 этапе ОКР.
Основные параметры:
Обозначение, наименование параметра,
единица измерения (режим измерения)
Значение параметра
не
менее
номинал
Температура
Пункт
окружающей
примечания
не более
среды, °С
Синтезатор частоты
∆fвх
- Диапазон входных частот, ГГц
∆f
1-10
25
1, 3, 4
- Разрешение по частоте, кГц
1
25
1, 3, 4
tп
- Время переключения частоты, мкс
50
25
1, 3
ТК
- Температурный коэффициент, 1/ºС
10-6
25
1, 3, 4, 5
Iпот
- Ток потребления, мА
300
25
1, 2, 3
25
1, 3, 4
190
700
Умножитель частоты
∆fвых -Диапазон выходных частот, ГГц
110
αпрб
- Потери преобразования, дБ
25
αгар
- Подавление гармоник на выходе по
отношению к входной мощности, дБ
27
25
1, 2, 3
30
25
1, 2, 3, 4
1-10
25
1, 3, 4
-3
25
1, 3
25
1, 2, 3
Делитель частоты
∆fвх
- Диапазон входных частот, ГГц
Рвых
- Выходная мощность, дБм
Iпот
- Ток потребления, мА
-9
150
200
Примечание: 1.Значения параметров при температуре минус 60°С и плюс (70)85°С устанавливаются в
процессе выполнения 2 этапа ОКР. 2.Значения параметров указаны при номинальном напряжении
питания. По согласованию с Заказчиком до этапа проведения предварительных испытаний допускается
уточнение значений параметров в процессе выполнения ОКР. 3.Режим измерения устанавливается в
процессе выполнения 3 этапа ОКР. Граничные значения на нормы параметров определяются в процессе
выполнения 3 этапа ОКР. 4.Для случая использования внешнего высокостабильного опорного
генератора.
Изделия должны выполнять свои функции и сохранять значения
параметров в пределах
установленных норм во время и после воздействия специальных факторов в соответствии с
ГОСТ РВ 20.39.414.2-98: 7.И - исполнение 1 - 5УС; (7.И8 - 0,1×1УС; 7.И12 – 0,2×2Р), исполнение 2 4УС; (7.И8 - 0,02×1УС; 7.И12 – 0,1×2Р); 7.С - исполнение 1 - 5УС; исполнение 2 - 4УС; 7.К исполнение 1 - 0,5×2К; исполнение 2 - 1К.
Разработка
микросхемы
аналогового
ключа с полосой
частот не менее
1…2 ГГц
"Цифра-17"
2012-2014 г. г.
Разработка радиационно-стойкой микросхемы аналогового ключа с коммутацией любого из 4 ОАО «СКТБ
входных каналов на 2 выходных.
ЭС»
Значения электрических параметров микросхемы при приемке и поставке в течение наработки до
отказа, в процессе и после воздействия специальных факторов, в течении гамма-процентного срока
сохраняемости, при их хранении в условиях, допускаемых ОСТ В 11 0998-99, должны
соответствовать:
Наименование, единица измерения, режим измерения,
Норма параметра
t
Прим.
обозначение параметра
Максимальная частота аналогового сигнала, ГГц (Udd=5В,
Uin=0В или 5 В); f
не
менее
не
более
1
среды
, °С
25
1
Ток цифровых входов, мкА (Udd=5 В, Uin= 0 В или 5 В); Iin
100
25
1
Ток потребления, мкА (Udd=5В, Uin=0 В или 5В); Idd
100
25
1
Развязка между каналами, дБ; ISL
25
25
Затухание в канале, дБ; LINS
7
25
Неравномерность затухания между каналами, дБ; ΔLINS
1
25
Мощность входного сигнала, дБм
15
Примечание: 1. Нормы на параметры в диапазоне температур -600С…+850С устанавливаются
на 2 этапе ОКР и согласовываются с предприятием-потребителем, определяемым
Заказчиком.
Аналоговый ключ должен выполнять свои функции и сохранять значения параметров в пределах
установленных норм во время и после воздействия специальных факторов в соответствии с
ГОСТ РВ 20.39.414.2-98: 7.И - 4УС; (7.И8 - 0,002х1УС); 7.С - 4УС; 7.К - 1К; (7.К11 - 60 МэВ×см2/мг).
Разработка и
освоение
производства
контроллера
напряжения
питания
"Питание-1"
2011-2012 г. г.
Микросхема ШИМ-контроллера – импульсного преобразователя напряжения питания с активным ОАО
демпфированием, с повышенной стойкостью к СВВФ и высокой частотой преобразования, «Ангстрем»
предназначена для создания современных вторичных источников питания с высокими значениями
КПД и удельной мощности.
Технология изготовления ШИМ-контроллера:
- модификация ИС1 – на объемном кремнии с напряжением питания 13…90 В;
- модификация ИС2 – на КНС- структуре с напряжением питания 13…40 В.
Основные параметры в диапазоне температур -60…+125ºС:
- напряжение встроенного регулятора-ограничителя (без нагрузки) – от 7,3 до 7,9 В;
- величина гистерезиса регулирования: 1-2 В;
- напряжение источника опорного напряжения: 4,85-5,15 В;
- частота встроенного генератора: 180-220 кГц;
- частота генерации с внешним резистором: 500-660 кГц;
- выходное напряжение высокого уровня выхода А при 30 мА и выхода В при 15 мА: (UCC-0,4) В;
- выходное напряжение низкого уровня выхода А при 70 мА и выхода В при 154 мА: 0,4 В;
- температура вкл./выкл. термодатчика: 165ºС;
- температурный гистерезис термодатчика: 25ºС;
- частота внешней синхронизации от 160 кГц до 1000 кГц;
- длительность импульса синхронизации – не менее 100 нс;
- напряжение первичного источника питания от 13 до 90 В (ИС1) и от 13 до 40 В (ИС2);
- внешнее напряжение на выводе питания от 8 В до 15 В;
- постоянная рассеиваемая мощность в нормальных условиях – не более 750 мВт;
- корпус – металлокерамический для поверхностного монтажа.
Значения характеристик специальных факторов: 7.И1 –5Ус; 7.И6 –5Ус1; 7.И7 –0,5х5Ус; 7.И8 (УБР по
7.И6)–2х4Ус2 для ИС2 и 0,02х1Ус2 для ИС1; 7.С1 и 7.С4 -4Ус; 7.К1 –0,5х1К3 (1К4); 7.К4 –1К3,4;
7.К11 -60 МэВ×см2/мг 3. Примечания: 2.В процессе ОКР проводится определение параметров
чувствительности микросхем по сбоеустойчивости при воздействии фактора К с
характеристиками 7.К 9 -7.К12 . 3.При совместном воздействии факторов с характеристиками 7.К1 и 7.К4.
4. При независимом воздействии факторов с характеристиками 7.К1 и 7.К4. 5. По катастрофическим отказам
и тиристорному эффекту.
Разработка и
освоение
производства
комплекта DC/DC
преобразователей,
фильтров,
интегральных
схем и
полупроводников
ых приборов для
них
"Питание-3"
2011-2013 г. г.
Комплект DC-DC преобразователей, фильтров электромагнитных помех, интегральных схем и ОАО
полупроводниковых приборов для них, предназначен для работы в составе бортовой аппаратуры «Ангстрем»
группы 5.1-5.3.
Основные параметры преобразователей:
 входное напряжение: 18…36 В;
 выходное напряжение: 3,3 В (модули А); 5,0 В (модули Б); 12 В (модули В);
 средняя выходная мощность: 3; 6; 10 Вт;
 ток нагрузки: не более 3 А;
 пульсация выходного напряжения: не более 50 мВ;
 габаритные размеры: не более 65х35х11,5 мм;
 корпус металлический – ковар, герметичный, выводы штыревые.
Основные параметры фильтров электромагнитных помех:
 диапазон рабочего напряжения: 0-50 В;
 рабочий ток: 1; 2 А;
 коэффициент подавления помех в диапазоне 100-500 кГц не менее 30-40 дБ;
 допустимая мощность рассеяния не более 2,4 Вт;
 сопротивление по постоянному току между входом и выходом – не более 150 мОм.
Тип и размеры металлического герметизированного корпуса устанавливаются в процессе ОКР.
Параметры ИС ШИМ-контроллера и требуемых полупроводниковых приборов определятся в
процессе ОКР.
Значения характеристик специальных факторов: 7.И1–5Ус; 7.И6 –5Ус1; 7.И7–0,5х5Ус; 7.И8–2Ус2; 7.С11Ус; 7.С4 -0,2х1Ус; 7.К1 –0,5х2К3 (2К4); 7.К4 –0,5х1К3,4; 7.К11 -60 МэВ×см2/мг 3. Примечания: 2.
Уровень требований по стойкости к фоздействию фактора с характеристикой 7.И8 может уточняться
по результатам предварительных испытаний. 3.При совместном воздействии факторов с
характеристиками 7.К1 и 7.К4. 4. При независимом воздействии факторов с характеристиками 7.К1 и 7.К4. 5.
По катастрофическим отказам и тиристорному эффекту.
Разработка и
освоение
производства
радиационностойкой
микросхемы
двухполярного
DC-DC
преобразователя
"Питание-4"
2011-2012 г. г.
Разработка и
освоение
производства
радиационностойкого
усилителя
"Высотка-1"
2011-2013 г. г.
Микросхема двухполярного DC-DC преобразователя с повышенной стойкостью к СВВФ для ФГУП «НЗПП с
применения в импульсных источниках питания РЭА специального назначения. Структура ОКБ»
преобразователя содержит два ШИМ-модулятора, источник опорного напряжения, систему обратной
связи по току и напряжению, также силовые МОП-транзисторы.
Основные параметры:
 выходное напряжение: +(14,4 – 15,6)В; -(14,4–
15,6) В;
 ток нагрузки по каждому выходу 120 мА;
 ток потребления 18 мА, в ждущем режиме 4,5
мА;
 сопротивление силового ключа в открытом
состоянии не более 7 Ом;
 частота ШИМ – 280 кГц;
 напряжение питания 18…36 В;
 температурный диапазон работы: 60…+85ºС;
 корпус металлокерамический типа
4118.24-2;
 наработка на отказ не менее 150
тыс.часов.
Значения характеристик специальных факторов: 7.И1–4Ус; 7.И6 –5Ус1; 7.И7–0,5х5Ус; 7.И8–1Ус2; 7.С11Ус; 7.С4 -5Ус; 7.К1 –0,5х2К3 (2К4); 7.К4 – 1К3,4; 7.К11 - 40 МэВ×см2/мг 1,5. Примечания: 2. Уровень
требований по стойкости к фоздействию фактора с характеристикой 7.И8 может уточняться по
результатам предварительных испытаний. 3.При совместном воздействии факторов с характеристиками
7.К1 и 7.К4. 4. При независимом воздействии факторов с характеристиками 7.К1 и 7.К4. 5. По
катастрофическим отказам и тиристорному эффекту.
Усилитель мощности с применением гетероструктур на основе арсенида и нитрида галлия с ОАО "НИИПП"
выходной мощностью до 5 Вт в диапазоне частот 30-37 ГГц с повышенной стойкостью к
воздействию СВВФ.
Основные параметры:
 диапазон рабочих частот: 30,0-33,0 ГГц (литера 1); 33,0-36,0 ГГц (литера 2); 37,0-40,0 ГГц (литера
мощности с
выходной
мощностью до 5
Вт в диапазоне
частот 30-37 ГГц
3);
 выходная мощность – не менее 1 Вт (литера А) и не менее 5 Вт (литера Б);
 коэффициент усиления по мощности не менее 20 дБ;
 напряжение питания: Uпит1≤20 В, Uпит2≤5 В;
 температура корпуса не более 85ºС.
Значения характеристик специальных факторов: 7.И1–6Ус; 7.И6–5Ус; 7.И7 –0,5х5Ус; 7.И8 -1Ус; 7.И127.И13 – 2х2Р; 7.С1–5Ус;7.С4–5Ус;7.К1–2К1(5х2К2); 7.К4 – 2К1,2. Примечание: 1.При совместном
воздействии факторов с характеристиками 7.К1 и 7.К4. 2.При независимом воздействии факторов с
характеристиками 7.К1 и 7.К4.
Разработка и
освоение
производства
радиационностойкого
усилителя
мощности на GaN
с выходной
мощностью до 10
Вт в диапазоне
частот 1-2 ГГц
"Высотка-2"
2011-2013 г. г.
Разработка и
освоение
производства
радиационностойкого
малошумящего
СВЧ усилителя
для диапазона
частот 1-2 ГГц
"Высотка-3"
2011-2012 г. г.
Усилитель мощности на основе GaN с выходной мощностью до 10 Вт в диапазоне частот 1-2 ГГц с ФГУП «НПП
повышенной стойкостью к воздействию СВВФ.
«Исток»
Основные параметры:
 диапазоны рабочих частот: 1,0-2,0 ГГц (литера 1), 1,3-1,35 ГГц (литера 2);
 коэффициент усиления по мощности: Ку мин=22 дБ; Ку ном=23 дБ;
 выходная мощность: не менее 10 Вт (литера 1) и не менее 20 В (литера 2);
 напряжение питания: Uпит1≤20 В, Uпит2=-(4-6)  температура корпуса не более 85ºС.
В;
Значения характеристик специальных факторов: 7.И1–6Ус3; 7.И6–6Ус3; 7.И7–6Ус3; 7.И8-4Ус; 7.С1–
5Ус; 7.С4–5Ус; 7.К1–2К1(5х2К2); 7.К4–2К1,2. Примечания: 1. При совместном воздействии факторов с
характеристиками 7.К1 и 7.К4. 2. При независимом воздействии факторов с характеристиками 7.К1 и
7.К4. 3. По катастрофическим отказам.
Малошумящий СВЧ усилитель для диапазона частот 1-2 ГГц с повышенной стойкостью к ФГУП «НПП
«Исток»,
воздействию СВВФ, в том числе к ТЗЧ.
Основные параметры:
 диапазон рабочих частот: 1,0-2,0 ГГц;
 коэффициент шума 1,3-1,5 дБ;
 КСВН входа и выхода не более 2,5;
 напряжение питания не более 5,0 В;
 температура корпуса не более 85ºС;
 коэффициент усиления по мощности – не менее 20 дБ;
 выходная мощность при компрессии 1 дБ/мВт – 1,6-2,0 (литера 1), 12,0-15,0 (литера 2);
 максимально допустимая мощность на входе не более 10 мВт.
Значения характеристик специальных факторов: 7.И1–4Ус; 7.И6–4Ус1; 7.И7–4Ус; 7.И8-0,02х1Ус; 7.С1–
4Ус; 7.С4–4Ус; 7.К1–1К2(2К3); 7.К4–1К2,3. Примечания: 2. При совместном воздействии факторов с
характеристиками 7.К1 и 7.К4. 3. При независимом воздействии факторов с характеристиками 7.К1 и
7.К4.
Разработка и
освоение
производства
радиационностойких мощных
генераторных
высокочастотных
MESFET
транзисторов на
основе карбида
кремния
"Высотка-4"
2011-2014 г. г.
Мощные генераторные высокочастотные MESFET транзисторы на основе карбида кремния с ФГУП
повышенной стойкостью к СВВФ, предназначены для использования в перспективных «НИИЭТ»
радиолокационных комплексах, работающих в экстремальных условиях эксплуатации.
Корпус – металлокерамический герметичный.
Основные параметры:
 выходная мощность, Вт, (Uси=50 В; 230
МГц)
 коэффициент усиления по мощности, дБ
(50 В; 230 МГц)
 коэффициент полезного действия стока, %
(50 В; 230 МГц)
 постоянное напряжение сток-исток, В
(Uзи=-15 В; Iс=20 мА)
 начальный ток стока, мА
(Uси=100 В; Uзи=15 В) 25º/125º/-60ºС
Литера
А
Литера
Б
Литера
В
Литера Г
5
10
30
50
13
13
13
13
50
50
50
50
100
100
100
2/10/10
2/10/10
3/15/15
100
(Iс=50 мА)
5/25/25
 максимально допустимое постоянное
-20
-20
-20
-20
напряжение затвор-исток, В
Значения характеристик специальных факторов: 7.И1 – 6Ус; 7.И6 – 5Ус; 7.И7 -0,5х5Ус; 7.И8 –
1Ус; 7.С1 - 5Ус; 7.С4 – 5Ус; 7.К1 – 2К1 (5х2К2); 7.К4 – 2К1,2. Примечания: 1. При совместном
воздействии факторов с характеристиками 7.К1 и 7.К4. 2. При независимом воздействии
факторов с характеристиками 7.К1 и 7.К4.
Разработка и
освоение
производства
радиационностойких МИС
СВЧ
фазовращателей с
повышенной
электрической
прочностью на
нитриде галлия с
цифровым
управлением
фазы от
дециметрового до
сантиметрового
диапазона длин
волн
"Высотка-5"
2011-2013 г. г.
Разработка и
освоение
производства
радиационностойкого
управляемого
дискретного
фазовращателя
для диапазона
рабочих частот
30-40 ГГц
"Высотка-6"
2011-2013 г. г.
Параметрический ряд СВЧ фазовращателей на основе нитрида галлия с цифровым управлением с ОАО
повышенной электрической прочностью и повышенной стойкостью к воздействию СВВФ.
«Светлана»
Основные параметры:
 минимальный дискрет фазы 5,625 град.;
 число разрядов – 6;
 неравномерность АЧХ – не более ±1,5 дБ;
 КСВН входа/выхода 2/2;
 максимально вносимые потери не более
10дБ;
 диапазон рабочих частот 1-12 ГГц (допускается перекрытие пятью литерами);
 время переключения состояний фазы не более 0,2 мкс;
 диапазон температур среды при эксплуатации -50…+60ºС.
Значения характеристик специальных факторов: 7.И1–6Ус; 7.И6–5Ус; 7.И7–0,5х5Ус; 7.И8 - 1Ус; 7.С1–
5Ус; 7.С4–5Ус; 7.К1–2К1(5х2К2); 7.К4–2К1,2. Примечания: 1. При совместном воздействии факторов с
характеристиками 7.К1 и 7.К4. 2. При независимом воздействии факторов с характеристиками 7.К1 и
7.К4.
Управляемые дискретные фазовращатели 8-мм диапазона длин волн с повышенной стойкостью к ОАО
воздействию СВВФ. Разработке подлежат: дискретный фазовращатель с дискретом фазы 11,25º для «Светлана»
диапазона 30-40 ГГц при рабочей полосе пропускания 5% (литера 1) и дискретом фазы 180º для
диапазона 30-40 ГГц при рабочей полосе пропускания 5% (литера 2).
Состав изделия: отрезок стандартного волнового тракта сечения 7,2х3,4 мм, волноводно-щелевая
линия, быстродействующие pin-диоды, а также схема управления, обеспечивающая требуемые
режимы эксплуатации. Вносимые потери 3,0 дБ (литера 1), 1,0 дБ (литера 2).
Входная импульсная мощность не менее 200 мВт.
Разработка и
освоение
производства
радиационностойких
дискретных
аттенюаторов,
TTL-драйвера для
диапазона
рабочих частот
30-40 ГГц
"Высотка-7"
2011-2013 г. г.
Разработка и
освоение
производства
радиационностойкого
генератора с
перестройкой
частоты для
диапазона
рабочих частот
30-40 ГГц
"Высотка-8"
2011-2013 г. г.
Дискретные аттенюаторы с ТТЛ-драйвером для диапазона рабочих частот 30-40 ГГц с повышенной ЗАО «НПФ
стойкостью к СВВФ, в том числе к ТЗЧ.
«Микран»,
Основные параметры:
 диапазон рабочих частот – 30,0-40,0  максимальное ослабление 30,0 дБ (номинал);
ГГц;
 электропитание: Uпит1≤20 В, Uпит2≤(-5  начальное ослабление – не более 3,0 дБ;
В);
 температура корпуса – не более 85ºС;  максимальная входная СВЧ мощность – не более 5
мВт;
 температурный диапазон среды при эксплуатации -60…+85ºС.
Значения характеристик специальных факторов: 7.И1–4Ус; 7.И6–4Ус; 7.И7–4Ус; 7.И8 – 0,02х1Ус;
7.С1–4Ус; 7.С4–4Ус; 7.К1–1К1(2К2); 7.К4–1К1,2. Примечания: 1. При совместном воздействии факторов
с характеристиками 7.К1 и 7.К4. 2. При независимом воздействии факторов с характеристиками 7.К1 и
7.К4.
Генератор с перестройкой частоты для диапазона рабочих частот 30-40 ГГц с применением ОАО
гетероструктур на основе арсенида и нитрида галлия с повышенной стойкостью к воздействию «НИИИП»,
СВВФ, в том числе к ТЗЧ.
Основные параметры:
 диапазон рабочих частот – 30,0-40,0 ГГц;
 электропитание: Uпит1≤20 В, Uпит2≤(-5 В);
 выходная мощность не менее 22 мВт, диапазон перестройки – не более 10%;
 температура корпуса – не более 85ºС.
 температурный диапазон среды при эксплуатации -60…+85ºС.
Значения характеристик специальных факторов: 7.И1–4Ус; 7.И6–4Ус; 7.И7–4Ус; 7.И8 – 0,02х1Ус;
7.С1–4Ус; 7.С4–4Ус; 7.К1–1К1(2К2); 7.К4–1К1,2. Примечания: 1. При совместном воздействии факторов
с характеристиками 7.К1 и 7.К4. 2. При независимом воздействии факторов с характеристиками 7.К1 и
7.К4.
Разработка
радиационностойкого
квадратурного
модулятора для
диапазона
рабочих частот
30-40ГГц
"Высотка-13"
2012-2014 г. г.
Разработка радиационно-стойкого квадратурного модулятора для диапазона рабочих частот 30- ФГУП «НПП
40 ГГц. Модулятор выполняется в монолитно–интегральном исполнении, тип корпуса уточняется в «Пульсар»
процессе ОКР.
Основные параметры:
Значение параметра
Наименование параметра, единица измерения,
буквенное обозначение
Диапазон рабочих частот, ГГц
не менее
Δfраб.
Подавление боковой полосы, дБ
Lбп
Полоса пропускания, %
Δf/f
Диапазон частот по ПЧ, МГц
Δfпч
Уровень выходного сигнала, мВт
Pвых
Изменение амплитуды выходного
сигнала, дБ
Рвых
номинал
30,0
не более
40,0
30,0
5,0
0
3000,0
3,0
30,0
Мощность гетеродина, мВт
5
Примечание: Значения параметров указаны для температуры окружающей среды 25оС.
Значения параметров для рабочих температур -60оС…+85оС уточняются в процессе
выполнения ОКР до этапа изготовления опытных образцов.
Модуляторы должны выполнять свои функции и сохранять значения параметров в пределах
установленных во время и после воздействия специальных факторов в соответствии с
ГОСТ РВ 20.39.414.2-98: 7.И - 4УС - 5УС; (7.И8 - 0,2×2УС); 7.С - 0,5х5Ус - 4Ус; 7.К - 2,5х1К – 0,1х1К.
Разработка
мощных
радиационностойких
быстродействую
щих СВЧ
"Высотка-14"
2012-2014 г. г.
Разработка мощных радиационно-стойких быстродействующих СВЧ переключателей, ОАО
модуляторов, фазовращателей и защитных устройств на pin-диодах на SiC дм- и см- диапазонов длин «Светлана»
волн. В ОКР разрабатываются два типа изделий для диапазонов частот 1-4 ГГц и 8-12 ГГц.
Значения электрических параметров изделий при приемке и поставке:
переключателей,
модуляторов,
фазовращателей и
защитных
устройств на pinдиодах на SiC для
дм- и смдиапазонов длин
волн
Наименование параметра, единица измерения
Рабочий диапазон
частот:
литера 1
литера 2
Обозначение
параметра
нижняя частота, ГГц
fн
верхняя частота, ГГц
fв
нижняя частота, ГГц
fн
верхняя частота, ГГц
fв
Входная импульсная мощность, Вт (при τи ≤ 1
мкс)
Норма параметра
не менее
не более
1,0
4,0
8,0
12,0
Рвх
1000
литера 1
800
литера 2
Время переключения,
нс
литера 1
tпер
литера 2
50
20
Примечание: Состав и значения остальных электрических параметров переключателей и
защитных устройств (в соответствии с системой параметров) устанавливаются на 1 этапе ОКР
и согласовываются с основным заинтересованным предприятием и организацией,
определяемой Заказчиком.
Изделия должны выполнять свои функции и сохранять значения параметров в пределах
установленных во время и после воздействия специальных факторов в соответствии с
ГОСТ РВ 20.39.414.2-98:
7.И - 4УС - 5УС; (7.И8 - 0,2×2УС); 7.С - 0,5х5Ус - 4Ус; 7.К - 2,5х1К – 0,1х1К.
Разработка
быстродействую
щих мощных
радиационностойких
переключателей,
модуляторов,
фазовращателей и
защитных
устройств на pinдиодах на SiC для
мм-диапазона
длин волн
"Высотка-15"
2012-2014 г. г.
Разработка мощных радиационно-стойких быстродействующих СВЧ переключателей, модуляторов, ОАО
фазовращателей и защитных устройств на pin-диодах на SiC для мм-диапазона длин волн.
«Светлана»
Значения электрических параметров изделий при приемке и поставке должны соответствовать:
Норма параметра
Обозначени
Наименование параметра, единица измерения
е параметра не менее номина не более
л
Рабочий диапазон частот, ГГц
fр
Входная импульсная мощность, Вт
26,0
33,0
40,0
Рвх.
500
tпер.
10,0
при длительности импульса τи ≤ 1 мкс
Время переключения, нс
П р и м е ч а н и е : Функциональные параметры для каждого класса изделий устанавливаются
на 1 этапе ОКР по согласованию с Заказчиком.
Изделия должны выполнять свои функции и сохранять значения параметров в пределах
установленных во время и после воздействия специальных факторов в соответствии с
ГОСТ РВ 20.39.414.2-98:
7.И - 4УС - 5УС; (7.И8 0,2×2УС);
Разработка
радиационностойкого
генератора шума
"Высотка-16"
2012-2014 г. г.
7.С - 0,5х5Ус 4Ус;
7.К - 2,5х1К – 0,1х1К.
Разработка твердотельного генератора шума стойкого к воздействиям спецфакторов (1 тип, 2 ФГУП «НПП
типономинала). Генераторы предназначены для применения в качестве калиброванного источника «Пульсар»
«белого шума» в приемных трактах РЭС перспективных образцов вооружения.
Основные параметры::
Значение параметра
Наименование параметра, единица
измерения (режим измерения)
Обозначени
е параметра
не
менее
норма
не
более
Примеч
ания
Диапазон рабочих частот, ГГц
Спектральная плотность мощности шума,
дБ
Неравномерность СПМШ, дБ
Напряжение питания, В
Ток, мА
fраб
8-12
1
СПМШ
10
1
ΔСПМШ
3
Литера 1
Uпит1
2,8
Литера 2
Uпит2
11,0
6,0
12,0
Iпит
2
13,0
20
2
Примечания: 1. Параметры должны быть уточнены (при необходимости) на 1 этапе ОКР.
2. Допускается уточнение значений параметров и режимов измерения в процессе ОКР
до проведения предварительных испытаний по согласованию с Заказчиком и предприятиемпотребителем, определенным Заказчиком.
Изделие должно выполнять свои функции и сохранять значения параметров в пределах
установленных во время и после воздействия специальных факторов в соответствии с
ГОСТ РВ 20.39.414.2-98:
7.И - 4УС - 5УС; 7.С - 0,5х5Ус - 4Ус; 7.К - 2,5х1К – 0,1х1К.
Разработка
радиационностойкого
малошумящего
КВЧ усилителя
"Высотка-17"
2012-2014 г. г.
Разработка радиационно-стойкого КВЧ малошумящего усилителя (далее  изделия) в монолитном ФГУП «НПП
«Исток»
исполнении. Основные параметры:
Наименование параметра,
Норма
Пункт
единица измерения, обозначение
примеч.
не менее
не более
Рабочий диапазон частот, ГГц, ∆fр
Коэффициент шума, дБ, Кш
литера 1
35-37,5
литера 2
32-40
литера 1
4,0
литера 2
Коэффициент усиления по мощности, дБ,
КуР
Выходная мощность, дБм, Рвых
5,0
литера 1
18,0
литера 2
15,0
5,0
1
КСВН входа, KстUвх
2,5
КСВН выхода, KстUвых
2,5
Входная мощность, дБм
10
Примечание: 1. Значение параметра должно быть уточнено (при необходимости) на этапе
разработки технического проекта с Заказчиком и предприятием-потребителем, определяемым
Заказчиком.
Изделие должно выполнять свои функции и сохранять значения параметров в пределах
установленных во время и после воздействия специальных факторов в соответствии с
ГОСТ РВ 20.39.414.2-98 (Вид специальных факторов - Значения характеристик специальных факторов):
7.И - 5УС; 0,16Ус; (7И12 - 2х2Р); 7.С - 0,5х5Ус - 5Ус; 7.К - 0,5х2К - 1К.
Разработка и
освоение
производства
ряда базовой
технологии и
конструкции
радиационностойких
быстродействую
щих
твердотельных
коммутаторов с
"Сила-1"
2011-2013 г. г.
Быстродействующие твердотельные коммутаторы с электромагнитной гальванической развязкой, ОАО «Протон»,
предназначены для использования в блоках питания, устройствах силового привода и системах
передачи данных аппаратуры специального назначения.
Коммутаторы (нормально разомкнутые) состоят из входного драйвера трансформатора,
высокочастотного трансформатора, который обеспечивает гальваническую изоляцию и подключается
к выпрямительной цепи, управляющей затворами выходных ключевых ДМОП –транзисторов,
подключенных стоками и истоками к разным выводам корпуса.
Исполнение коммутаторов – в виде микросборок в металлокерамических корпусах с размерами
40х45х10 мм3 в трех базовых исполнениях:
Исполнение 1: коммутируемое напряжение 80 В, коммутируемый ток 20 А, выходное сопротивление
электромагнитной
гальванической
изоляцией
в открытом состоянии 0,0025 Ом;
Исполнение 2: коммутируемое напряжение 100 В, коммутируемый ток 10 А, выходное
сопротивление в открытом состоянии 0,01 Ом;
Исполнение 3: коммутируемое напряжение 200 В, коммутируемый ток 5 А, выходное сопротивление
в открытом состоянии 0,02 Ом;
В каждом исполнении, кроме базового, реализуются микросборки с сервисными функциями:
1) с контролем статуса выхода; 2) с контролем статуса выхода и защиты выхода.
Напряжение изоляции – 3000 В, сопротивление изоляции – 5х1010 Ом, динамический ток
потребления во включенном состоянии менее 10 мА, время включения/выключения – 70/750 мкс.
Температурный диапазон: -60…+125ºС. Напряжение электропитания – 5 В ±10%.
Базовая технология и конструкция коммутаторов обеспечивают повышенную стойкость к СВВФ.
Разработка и
освоение
производства
ряда
радиационностойких
микросхем
КМОП
аналоговых
коммутаторов и
ключей
"Сила-2"
2011-2013 г. г.
Аналоговые коммутаторы и ключи (по типу микросхем серии 590) с повышенной стойкостью к
СВВФ. Разработке подлежат:
ИС1 – микросхема 4-х-канального аналогового ключа (однополюсное включение);
ИС2 – микросхема 4-х-канального аналогового ключа (однополюсное переключение);
ИС3 – микросхема 8-канального аналогового коммутатора (организация 8х1);
ИС4 – микросхема 8-канального аналогового коммутатора (организация 4х2);
М5 – РМОП аналоговый ключ по типу 2П304А.
Конструкция: ИС1–ИС4 –металлокерамический корпус Н04.16; М5 – металлостеклянный корпус КТ1-14.
ОАО
«Светлана»,
Основные параметры:
ИС1
ИС2
ИС3
ИС4
 сопротивление в открытом состоянии, кОм, не более
(Uп1 = 13,5 – 16,5В, Uп2 = -(16,5 – 13,5)В, Uком = -15В +15В, Iком = 1мА)
0,1
0,1
0,4
0,4
 время включения, нс, не более
(Uп1 = 13,5–16,5В, Uп2 = - (16,5 – 13,5)В, Сн = 40пФ, Rн = 2
кОм)
500
400
1000
400
 напряжение питания
 коммутируемое напряжение
 коммутируемый ток
Uп1
(13,5 – 16,5) В
Uп2
- (16,5 – 13,5) В
-15 - +15 В
0 – 15 мА
Основные параметры М5:
 сопротивление сток-исток в открытом состоянии – не более 100 Ом (Uзи= -20В, Iс = 1мА);
 крутизна характеристики (Uси= -10В, Iс = 10мА, F=1кГц) – не менее 2,5 мА/В;
 напряжение сток-исток
-  напряжение затвор-сток - 30В;
25В;
 напряжение затвор-исток
-  постоянный ток стока
30 мА.
30В;
Значения характеристик специальных факторов: 7.И1 – 4Ус; 7.И6 – 4Ус1; 7.И7 – 4Ус; 7.И8 - 0,002х1Ус2;
7.С1 – 4Ус; 7.С4 – 4Ус; 7.К1 – 5х1К3(2К4); 7.К4 – 0,5х1К3,4. Примечания: 2.Уровень требований по
стойкости к фоздействию фактора с характеристикой 7.И8 может уточняться по результатам
предварительных испытаний. 3. При совместном воздействии факторов с характеристиками 7.К1 и
7.К4. 4. При независимом воздействии факторов с характеристиками 7.К1 и 7.К4.
Разработка и
освоение
производства
радиационностойкого СВЧ p-in диода аналога
HSMP -3822
фирмы Agilent
Technologies
Разработка и
освоение
производства
радиационностойких
высокотемперату
рных
быстродействую
щих Шотткидиодов для
силовой
высоковольтной
электроники
"Сила-6"
2011-2012 г. г.
"Сила-7"
2011-2013 г. г.
СВЧ p-i-n диод с повышенной стойкостью к воздействию СВВФ межвидового применения.
ОАО
«Светлана»
Основные параметры:
 максимальная общая емкость – не более 0,8 пФ;
 максимальное сопротивление потерь – не более 0,6 Ом;
 минимальное пробивное напряжение – не менее 50 В;
 максимальное время жизни неосновных носителей – не более 50 нс;
 диапазон рабочих температур -60…+125ºС.
Быстродействующие высокотемпературные диоды Шоттки с повышенной стойкостью к воздействию ФГБНУ
СВВФ, предназначены для ИВЭП, устройств электропривода и других преобразовательных ТИСНУМ
устройств силовой высоковольтной электроники. Диоды изготавливаются из полислойных структур
на основе монокристаллического синтетического алмаза. Корпус – металлостеклянный
(металлокерамический) герметичный.
Основные параметры:
А
Б
В
Г
8
8
10
10
(Iпр=2А)
(Iпр=5А)
(Iпр=2А)
(Iпр=5А)
5
5
5
5
(Iпр=2А)
(Iпр=5А)
(Iпр=2А)
(Iпр=5А)
 максимально допустимое обратное напряжение, В
(Iобр=0,1 мА)
600
600
1500
1500
 максимально допустимый прямой ток, А,
средний/импульсный
2/10
5/15
2/10
5/15
80
100
80
100
250
250
250
250
 постоянное прямое напряжение, В, (-60…+250ºС)
 время обратного восстановления, нс
 максимально допустимая рассеиваемая мощность,
Вт
 максимально допустимая температура корпуса, ºС
Разработка и
освоение
производства
серии силовых
интегральных
схем-ключей и
коммутаторов в
монолитном
исполнениии с
функциями
встроенной
защиты по току,
напряжению и
температуре в
диапазоне
напряжений 60100 В и с рабочим
током до 50 А
"Сила-8"
2011-2014 г. г.
Серия силовых интегральных схем – ключей и коммутаторов с рабочими токами до 30 А и ОАО
коммутируемым напряжением до 80 В для применения в составе комплексов бортового «Ангстрем»,
оборудования различного базирования. В микросхемах встроенная защита по току, напряжению и
температуре.
Корпус – металлокерамический, герметичный.
Исполнение
1
Исполнение 2
Исполнение 3
25 (Iпр=9 А)
22 (Iпр=5 А)
35 (Iпр=12 А)
11
30
12
 время включения/выключения, нс
140/180
340/120
200/340
 напряжение питания, В, не более
80
70
80
-10/16
-0,5/6
-0,3/80
80
60
80
Основные параметры:
 сопротивление ключа в открытом состоянии,
мОм
 номинальный ток нагрузки, А
 входное напряжение, В, не менее/не более
 напряжение коммутации нагрузки, В, не более
Температурный диапазон работы: -60…+125ºС
Значения характеристик специальных факторов: 7.И1 – 4Ус; 7.И6,7.И7 – 4Ус; 7.И8 – 0,002х1Ус2;
7С1 – 4Ус; 7С4 – 4Ус; 7.К1 –1К3 (2К4); 7.К8 – 1К3,4. Примечания: 2.Уровень требований по
стойкости к фоздействию фактора с характеристикой 7.И8 может уточняться по результатам
предварительных испытаний. 3. При совместном воздействии факторов с характеристиками
7.К1 и 7.К4. 4. При независимом воздействии факторов с характеристиками 7.К1 и 7.К4.
Разработка
измерительных
модулей для
высокоточных
информационноуправляющих
"Сила-10"
2012-2014 г. г.
Высокоточные высоконадежные радиационно-стойкие модули сбора и преобразования ЗАО НТЦ
"Модуль"
сигналов датчиков 2-х типов:
1.Модули приема, измерения и обработки сигналов аналоговых датчиков:
-диапазон входных напряжений, Uв В -не более 6,3
-количество измерительных входов -не менее 128
систем
-разрядность АЦП -не менее 14
-частота дискретизации, fд -не менее,20х106
-погрешность измерения, мВ ΔU -в пределах ± 0.8
2.Модули приема, измерения и обработки сигналов параметрических датчиков:
-диапазон измеряемых сопротивлений, Ом -не менее 12 и не более 18000
-количество измерительных входов -не менее 64
-разрядность АЦП - не менее 14
-частота дискретизации, fд -не менее 20х106
-погрешность измерения, R Ом : ± (0,0923 + Ах0,0023) (А - измеряемое значение, Ом).
Стойкость к воздействию механических, климатических факторов и специальных сред –
группа 5.3 по ГОСТРВ 20.39.304-98.
Стойкость к воздействию специальных факторов, виды, характеристики и значения
характеристик которых приведены в таблице в соответствии с ГОСТ РВ 20.39.414.2:
Вид специальных факторов Характеристики
Значения характеристик
специальных факторов
специальных факторов
7.И
7.И1
0,2х2Ус
7.И6
2УС1
7.И7
0,2х5Ус
7.И8
1УС5
7.И12-7.И1з
1Р
7.С
7.С1
5Ус
7.С4
5УС
7.К
7.К1
2К2,3
7.К4
1К2,3
7.К11
60 МэВхсм2/мг 1,4
Примечания:
1.
При возникновении тиристорного эффекта или вторичного пробоя определяют
его порог, проводят исследовательские работы по установлению методов и средств
его подавления в составе аппаратуры, а также проводится экспериментальное
определение сохранения работоспособности модулей в процессе и после выдержки в
состоянии тиристорного эффекта в течении 5 минут.
2.
При совместном воздействии факторов с характеристиками 7.K1 и 7.К4.
3.
При независимом воздействии факторов с характеристиками 7.K1 и 7.К4.
4.
По катастрофическим отказам и тиристорному эффекту.
5.
Значение УБР должно быть уточнено по результатам испытаний
Требования стойкости модулей к воздействию специальных внешних воздействующих
факторов 7.И, 7.С и 7.К с характеристиками 7.И2-7И5, 7.И9-7.И11 , 7.С2, 7.Сз, 7.С5, 7.Сб, 7.К2,
7.К3, 7.К5,7.К8 не предъявляются.
Допустимое время потери работоспособности модулей во время и непосредственно после
воздействия факторов 7.И с характеристикой 7.И6 должно быть не более 2 мс.
Гамма-процентная наработка до отказа (Ту) модулей при у = 99,8% в режимах и условиях,
установленных в настоящих требованиях к техническим характеристикам работ, должна
быть не менее 152000 ч в пределах срока службы - 25 лет.
Разработка и
освоение
производства
нового поколения
бортовых
радиационностойких СБИС
кодеров
видеоинформации
высокого
разрешения
"Оптрон-1"
2011-2013 г. г.
Кодер видеоинформации высокого разрешения.
Микросхема должна принимать цифровые сигналы изображения, осуществлять кодирование
(сжатие) информации и выводить на назначенные выводы сжатую информацию в формате
транспортного потока со скоростью от 0,5 до 25 Мбит/с.
Выходной ток низкого уровня логических выводов не менее 12 мА.
Выходной ток высокого уровня логических выводов не менее 12 мА.
Частота срабатывания входного D-триггера – не менее 200 МГц.
Напряжения питания: основного ядра – 1,5 В, конфигурируемых выводов – 3,3 В,
выводов на память – 2,5 В.
Рабочий диапазон температур: -60…+85C.
ФГУП "НИИТ"
Значения характеристик специальных факторов: 7.И1- 4Ус; 7.И6 - 4Ус; 7.И7 - 4Ус; 7.И8 – 0,02х1Ус;
7.С1 - 4Ус; 7.С4 - 4Ус; 7.К1 - 1К2(2К3); 7.К4 - 1К2,3.
Примечания:
2. При совместном воздействии факторов с характеристиками 7К1 и 7К4.
3. При независимом воздействии факторов с характеристиками 7К1 и 7К4.
Разработка и
освоение
производства
фотоприёмных
КМОП СБИС
высокого
разрешения
"Оптрон-2"
2011-2014 г. г.
КМОП фотоприемник с разрешением до 1 Мегапикселей с повышенной стойкостью к воздействию
СВВФ.
Конструкция – керамический корпус с планарными выводами, покровное стекло – из кварцевого
стекла.
Основные фотоэлектрические параметры:








число активных пикселей 1024х1024;
размер фоточувствительного элемента (12 … 20)х(12 … 20) мкм2;
интегральная чувствительность не менее 4В/(лк•сек);
экспозиция насыщения при времени накопления 100 мс – не менее 2х10-1 лкс;
динамический диапазон не менее 5000:1;
неравномерность чувствительности по полю 1δ – не более 4%;
неравномерность чувствительности локальная (в любой зоне 5х5 элементов) – не более 2%;
нелинейность световой характеристики в диапазоне освещенности от 0,01 до 0,7 от экспозиции
насыщения – не более 2%;
 темновой ток при экспозиции 100 мс при 20±5˚С – не более 4% от сигнала насыщения;
 неравномерность темнового тока по полю 1δ – не более 4%.
Основные характеристики тестовых КМОП-фотоприемников:





оптический формат 1:1;
шаг пикселей 15 … 20 мкм;
тип пикселей – активный с синхронным накоплением;
спектральный диапазон 0,4 … 1,0 мкм;
формат выходного сигнала – от 4 до 16 выходов по 12 разрядов; возможность считывания не менее
4 неперекрывающихся прямоугольных окон произвольного размера, кратного 64 пикселям;
ФГУП "НИИТ"
ОКР "Оптрон-4" Разработка серии
оптоэлектронных
приборов,
предназначенных
для эксплуатации
в экстремальных
условиях, на
основе
широкозонных
полупроводников
ых структур,
многослойных
гетероструктур и
их соединений
"Оптрон-4"
2012-2014 г. г.
 минимальное время вывода кадра полного формата 10 мс;
 шаг изменения времени накопления не более 1 строки;
 коэффициент усиления 1…32;
 интерфейс управления SPI или I2C;
 напряжение питания – не более 3,3В;
 общее потребление – не более 1,5Вт;
 размер кристалла 12х12 … 20х20 мм.
Значения характеристик специальных факторов: 7.И1,7.И6,7.И7 – 4Ус; 7.И8 – 0,02х1Ус; 7С1 – 4Ус;
7С4 – 4Ус; 7.К1 –1К2(2К3); 7.К4 – 1К2,3. Примечания: 2. При совместном воздействии факторов с
характеристиками 7.К1 и 7.К4. 3. При независимом воздействии факторов с характеристиками 7.К1 и 7.К4.
Разработка серии светоизлучающих диодов (СД) с повышенными яркостью свечения и стойкостью к ОАО «НИИ
специальным воздействиям, предназначенных для комплектации вновь разрабатываемых и ПП»
модернизируемых изделий и образцов ВВТ.
Состав:
 Индикаторные СД видимого диапазона;
 Индикаторные СД для поверхностного монтажа;
 Мощные СД для поверхностного монтажа.
Основные параметры:
Длина
волны
Условное
излучения
обозначени
λ, нм
е СД
(цветовая
темп-ра, ºК)
Режим
измерени
я
Iпр, мА
Угол
Прямое
излучения
постоянное
,
Сила
напряжение
света, кд,
2θ0,5,
не менее
Uпр, В
град.,
не более
не менее
Индикаторные СДИСП1, ИСП2
ИСП1-К
615-680
20
1,0
3,0
60
ИСП1-Ж
580-600
20
1,0
3,0
60
ИСП1-З
505-535
20
1,0
4,5
60
Световой
поток, Ф,
лм, не
менее
ИСП1-С
460-480
20
1,0
4,5
60
ИСП1-Б
4500
20
1,0
4,5
60
ИСП2-К
615-680
100
4,5
3,0
60
ИСП2-Ж
580-600
100
4,5
3,0
60
ИСП2-3
505-535
100
4,5
4,5
60
ИСП2-С
460-480
100
4,5
4,5
60
ИСП2-Б
4500
100
4,5
4,5
60
Индикаторные СД для поверхностного монтажа ИСП16
ИСП16-К
615-680
20-30
0,5
3,0
100
ИСП16-Ж
580-600
20-30
0,5
3,0
100
ИСП16-3
505-535
20-30
0,7
4,5
100
ИСП16-С
460-480
20-30
0,2
4,5
100
ИСП16-Б
4500
20-30
1,0
4,5
100
Мощные СД для поверхностного монтажа ИСП99
МИСП-К
615-680
350
3,0
60-100
30
МИСП-Ж
580-600
350
3,0
60-100
30
МИСП-З
505-535
350
4,5
60-100
35
МИСП-С
460-480
350
4,5
60-100
20
МИСП-Б
4500
350
4,5
60-100
60
Разработка
бескорпусного
радиационностойкого датчика
изображения и
ИС управления
для них
"Оптрон-5"
2012-2014 г. г.
Разработка освоение производства отечественного бескорпусного радиационно стойкого ОАО
высокоскоростного (до 10 000 кадров в сек.) датчика изображения с ИС управления. Актуальным «Ангстрем»
данной работы является оптимальное сопряжение датчика видеоинформации с радиационно-стойкой
ИС управления вплоть до реализации двух ИС отдельно или в виде одного общего кристалла.
По своим скоростным характеристикам разрабатываемая СБИС фотоприёмника не уступит лучшим
мировым аналогам:
Параметры
Максимальный
входной темп
информации
Чувствительность
Выходной темп
нформации, кол.
выходов
Основные параметры:
Значение
параметро
в изделий
по ОКР
640 MSPS
10 000 к/с
(256х256
р)
2 В/лк сек
640 MSPS
64
выходов
Аналоги
Aptina imaging
MT9M413C36STC
CYIL2 SМ1300 AA
(LUPA 1300-2) ф.
Cypress Semiconductor,
США
660 MSPS
500 к/с (1,3 Mp)
окна
740 MSPS
500 к/с (1280x1024 р)
окна
1600 LSB/лк сек
660 MSPS
10 выходов по10 бит
АЦП
25 В/лк сек
740 MSPS
12 выходов по10 бит
АЦП
 Число пикселей: 256 × 256.
 Кадровая частота, Гц, не менее 10 000.
 Число выходов, не более 64.
 Спектральный диапазон, мкм: 400 – 800.
 Потребление, Вт, не более 0,5.
 Динамический диапазон, не менее 5000:1.
 Размер фоточувствительного элемента :(15…30) ×(15…30) мкм2
 Интегральная чувствительность, не менее 2 В/(лксек)
Выполняемые функции:
 Формирование постоянных напряжений, обеспечивающих рабочие режимы аналоговых схем
датчика изображения.
 Формирование импульсных напряжений управления по входным тактовым, строчным и кадровым
сигналам.
 Аналогово-цифровое преобразование выходных сигналов датчика изображения.
Исполнение: В составе микросхемы датчика изображения или в виде отдельной бескорпусной
микросхемы, сопрягаемой с микросхемой датчика изображения по расположению входныхвыходных контактных площадок
 Разрядность АЦП, не менее 10.
 Напряжение питания, В, не более 3,6 (цифровое), 5,2 (аналоговое).
 Потребление, Вт, не более 1,0.
Наименование параметра, единица измерения
не
норма
менее
Напряжение питания, В
не более
Прим.
1
3,2
3,3
3,6
4,5
5,0
5,2
Напряжение входных сигналов высокого уровня,
В
1,8
3,3
3,3
Напряжение входных сигналов низкого уровня,
В
0
Напряжение выходных сигналов высокого
уровня, В
Напряжение выходных сигналов низкого
уровня, В
2,8
0
0,6
3,3
3,3
1
0,6
Ток потребления от источника питания, мА
Допустимая емкость нагрузки, пФ
1
1, 2
100
2
Примечания: 1. Допускается кратковременное до 2 мс увеличение напряжения до 3,6 В.
2. Определяется на этапе предварительных испытаний
Изделие должно выполнять свои функции и сохранять значения
параметров в пределах
установленных норм во время и после воздействия специальных факторов, виды, характеристики и
значения характеристик которых приведены в соответствии с ГОСТ РВ 20.39.414.2-98: 7.И - 4УС;
(7.И8 -0,02×1УС); 7.С - 4Ус; 7.К - 1К; (7.К12 - 60 МэВ×см2/мг).