Технологическая карта- инструкция по выполнению лабораторной работы Исследование биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером Цель работы: снятие и анализ входных и выходных характеристик; определение по ним h-параметров. Приборы и оборудование: 1. 2. 1. 2. 3. Транзистор VТ1 типа МП42. Резисторы R1 и R2. Амперметр РА1 и РА2. Вольтметры РV1 и РV2. Проводники. Схема опыта: Рис.1. Схема исследования транзистора. Порядок работы 1. Зарисовать схему исследования, изображенную на рис. 1. Выписать из справочника параметры транзистора VТ1 типа МП42: Fα, h21оэ, Uкэmax, Iкmax Ркmax. 2. Включить питание и приборы. 3. Снять входную статическую характеристику транзистора Iб= f(Uбэ) для двух значений Uкэ. Для этого установить необходимое значение Uкэ потенциометром R2 по РV2 и поддерживать его неизменным при снятии характеристики. Напряжение Uбэ изменять потенциометром R1 по РV1. Следить за изменением тока Iб по РА1. Результаты измерений занести в таблицу 1. 4. Снять входную статическую характеристику транзистора Iк= f(Uкэ) для трех значений тока Iб. Для этого установить необходимое значение Iб потенциометром R1 по РА1 и поддерживать его неизменным при снятии характеристики. Напряжение Uкэ изменять потенциометром R2 по РV2. Следить за изменением тока Iк по РА2. Результаты измерений занести в таблицу 2. 5. По данным таблиц 1 и 2 построить в координатных осях графики входных и выходных характеристик транзистора. 6. Выбрать рабочую точку на входных и выходных характеристиках. 7. Выполнить построения на входных и выходных характеристиках для определения h-параметров транзистора. Рассчитать по входным характеристикам h11, h12; по выходным h21, h22 по формулам: h11 = 𝛥𝑈бэ 𝛥𝐼б ; h12 = 𝛥𝑈бэ 𝛥𝑈кэ ; h21 = 𝛥𝐼к 𝛥𝐼б ; h22 = 𝛥𝐼к 𝛥𝑈кэ . 8. Определить в рабочей точке электрические параметры: Iб0, Iк0, Uбэ0, Uкэ0. 9. Составить отчет. Таблица 1. Результаты измерений Iб= f(Uбэ) при Uкэ = const. Uкэ = 0 В Uкэ = 9 В Uбэ, B Iб, мA Uбэ, B Iб, мA 0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 Таблица 2. Результаты измерений Iк= f(Uкэ) при Iб = const. Iб = 0,1 мA Iб = 0,2 мA Iб = 0,3 мA Uкэ, B Iк, мA Uкэ, B Iк, мA Uкэ, B Iк, мA 0 2 4 6 8 10 0 2 4 6 8 10 0 2 4 6 8 10 Контрольные вопросы. Назовите особенности схемы включения с ОЭ. Почему h21э значительно больше 1? Чем объяснить увеличение входного сопротивления транзистора в схемы с ОЭ. Какие параметры транзистора характеризуют его рабочую точку? Каков физический смысл h-параметров? Почему схема с ОЭ наиболее распространена?