Эксперименты, поставленные с целью выяв

Эксперименты, поставленные с целью выявления принципиальных отличий дифракции
и интерференции волн и электронов
Демьянов В.В.
Морская государственная академия им. адмирала Ф.Ф.Ушакова, Новороссийск
e-mail: demjanov@ nsma.ru
Представлены результаты экспериментальной перепроверки решающих опытов физики по
"дифракции" и "интерференции" электронов. Я доказываю, что ни явления огибания препятствий, ни
явления "волновой интерференции" электрона от одной щели с электроном от другой (дебройлевски
близко расположенной к первой) в природе не существует. Суть дела в том, что мои опыты периода
1969-73 годов были выполнены с помощью более совершенных полупроводниковых детекторов пролёта электронами щелей и прилёта электронов на интерференционный экран, чем были доступны
учёным в 1920-50-х годах. Новый уровень экспериментирования показал, что открытые в первой половине 20-го века картины оказались лишь карикатурным подобием истинно дифракционных и интерференционных картин от электромагнитных волн (ЭМВ).
Мои опыты обнаруживают, что электроны ведут себя как классические частицы с наблюдаемой траекторией. Электроны с возмущёнными препятствием траекториями не имеют ни малейшей тенденции к огибанию
препятствий, как это характерно для ЭМВ. Напротив, электроны избирательно рассеиваются препятствиями под
наперёд определёнными углами в противоположном огибанию направлении, и это доступно наблюдению. Более
того, эти наперёд заданные траектории определяемы экспериментально. Я обнаружил так же, что картины рассеяния электронов щелями не волновой природы, т.к. не чувствительны к вариациям многих геометрических параметров щелей. В случае прохода через такие щели ЭМВ, наоборот, происходят большие изменения дифракционных и интерференционных картин. Анализ поведенческих реакций электронов на прохождение через щели заставляет предполагать, что каждый электрон представляет собой суперплотную микросферу (плотностью
ρе~10−12 г/см3), окружённую несколькими сферическими упругими поясами электромагнитно-поляризованного
эфира, вероятно, возбуждаемыми ещё не изученными процессами в недрах тела электрона. Период между поясами упругости вдоль радиуса электрона, порядка периода реальной электромагнитной волны де Бройля. Именно структурная сложность устройства электрона (как, по-видимому, и других частиц) и определяет природу периодичности их рассеяния на препятствиях. При большом и, особенно, чётном числе рассеивающих границ распределения рассеяния электронов трудно отличить от дифракционных и интерференционных картин, возникающих при прохождении ЭМВ через препятствия.
Дифракция электромагнитных волн и "антидифракция"
электронов на полуплоскости
Всё началось в 1968-69 годах с экспериментального обнаружения мной скандальной непохожести поведений световой волны и электронной "волны-частицы". Волны света от любых двух
когерентных источников в любой точке интерференционного экрана (например, на Э2, рис.1) всегда присутствуют одновременно. Одновременного же присутствия электронов любых двух "интерферирующих" пучков в любой точке экрана (например, Э2 на рис.3) обнаружить не удаётся
(проверено мной с точностью до 3 ns). Если в обоих случаях формируются дифракционные и интерференционные картины, то как это реализуется на электронах, никогда не встречающихся на
интерференционном экране в одной точке? − задал я вопрос и начал искать ответы.
Я предположил, что своеобразие процессов рассеяния электронов на периодических структурах, истолкованное в опытах Дж. Томсона и К. Дэвиссона (1927) как "дифракция" электроновволн, сильно извращено сложностью второстепенных следствий периодичности использованного
ими кристаллического рассеивателя. Чтобы избавиться от "мусора" этой периодичности, я решил
сравнить простейшую дифракционную картину от электромагнитных волн (ЭМВ) с аналогичной
картиной рассеяния электронов на унитарном рассеивателе. Таковым является граница непрозрачной полуплоскости (см. рис.1 и 3). Дифракционная картина рассеяния ЭМВ на границе непрозрачной полуплоскости хорошо изучена теоретически и экспериментально и её главные черты представлены на рис.1, взятом из [2].
Единственность рассеивающей границы в этом опыте сохраняет в неискажённом виде все
уникальные черты процессов рассеяния ЭМВ (рис.1) и электронов (рис.2). Ключевым процессом,
формирующим картину рассеяния первичного потока ЭМВ, является его угловая бифуркациярассеяние на линейной границе от полуплоскости и под полуплоскость. В случае ЭМВ и опыт, и
теория Максвелла дают однозначный ответ: первичный поток, например, EX-поляризованных
ЭМВ возбуждает Y-границу полуплоскости Э1 по всей длине. В результате из фазовых центров на
границе переизлучается угловой спектр вторичных ЭМВ цилиндрической симметрии (рис.1).
Ey
HX
ЕYo(X)=1.0 − плоская ЭМВ
Зона "света"
kλ
kλ,−x
*
Зона "света"
EY(X)
1.2
3
Э1
Z12
Зона тени
ЕXо=1.0
1
ΔX~λ
2л
−X/λ −6
kλ,+x
−4
−2
1'
0.8
•
0
0.4
0
2п
2
3
4
6 Э+X/λ
2
Рис.1. Дифракция (по данным [2]) нормально падающей электромагнитной волны
единичной амплитуды |ЕYо|=1.0 на идеально проводящую полуплоскость, рассеивающая граница которой параллельна оси Y, перпендикулярной плоскости рисунка.
Область +X/λ − зона тени под полуплоскостью, где нет прямой волны |ЕYо|=0 и присутствует только правая
часть распределения 2п дифрагированной от границы волны. Область −X/λ − не укрытая экраном Э1 зона "света",
в которой интерференционная сумма (3) составлена из падающей волны ЕXo (1) и левой части распределения 2л
дифрагированной от границы волны.
Правая (по рис.1) часть углового спектра переизлучённых ЭМВ засвечивает зону тени под
полуплоскостью (гипербола 2п) без интерференции, т.к. здесь присутствует излучение только одного источника. Левая его часть уходит в зону света (гипербола 2л) и, складываясь с основным
первичным потоком света, интерферирует, давая кривую 3. Интерференционные максимумы и
минимумы повторяются, в принципе, неограниченное число раз через отрезки ΔX, кратные длине
волны λ ЭМВ. По мере удаления от границы рассеяния амплитуда интерференционных максимумов и минимумов гиперболически уменьшается до тех пор, пока они не утонут в шумах прибора и станут ненаблюдаемыми.
Засветку (2п) зоны тени правой частью углового спектра излучения ЭМВ границей называют огибанием (дифракцией) препятствия первичным потоком. В зоне подсветки (2п) теневой
области интенсивность переизлучённых границей ЭМВ так же снижается (с удалением от границы) монотонно по гиперболическому закону. Переизлучённое поле под полуплоскостью
единственно, поэтому здесь нет интерференции. По сути дела, это не огибание первичного потока, а совершенно новое излучение в ходе сложного двухстадийного волнового процесса, в
котором вторичное излучение от границы не является продолжением первичного. Фазовые
центры этого нового источника расположены не на бесконечности (как у первичной плоской
волны), а жёстко привязаны к границе полуплоскости. Это радикально отличает его от процессов рассеяния частиц. Я доказал это экспериментально на примере рассеяния электронов.
2
Neо=1.0 − поток электронов
Ve
Зона "света"
−β
Э1
Vе(−β)≠0 Vе(+β)=0
Зона "света"
Neо=1.0
Z12
Fe(X)
3
1
Зона тени
1.2
Ne=0
0.8
1'
~αλБ
0.4
2п
0
2
0
2л
−β
−4
−6
−2
3
6 +β, dgr.
4
Э2
Рис.2. "Антидифракция" (по данным [4] − отсутствие огибания препятствия
потоком электронов) нормально падающего потока электронов на границу непрозрачной полуплоскости.
Область углов +β от границы под полуплоскость − зона тени перекрытого прямого потока; в
этой области отсутствует рассеяние 2п электронов от границы.
Область углов −β от границы в зону "света", создаваемого прямым потоком; в этой области первичный (1) и рассеянный (2л) границей потоки электронов суммируются (кривая 3).
Мои экспериментальные исследования рассеяния потока электронов на границе непрозрачной для них полуплоскости показали, что, во-первых, отсутствует угловая бифуркация части электронного потока на границе. Угловой спектр электронов рассеивается
только в зону света (влево по рис.2), а вправо никакого рассеяния нет. Во-вторых, при
всех исследованных мной энергиях электронов первичного потока (0,2÷100 эВ) главный
максимум (рис.2) рассеянных электронов оказывается самым удалённым. Дальше этого
максимума к первичному потоку Neo ничего не добавляется, в то время, как в случае ЭМВ
влево от границы (рис.1) в зоне света количество интерференционных максимумов ничем
не ограничено. Ограничены только возможности наблюдения дальних максимумов чувствительностью экспериментальной установки.
Ey
HX
ЕXo(X)=1.0 − плоская ЭМВ
βo
kλ
kλ,−x
*
Зона "света"
ЕXо=1.0
Зона
тени
2л
−4
Z12
Зона тени
1.2
1
Э1
kλ,+x
EX(X)
3
−X/λ −6
Зона "света"
−2
1'
0.8
•
0
0.4
0
2п
2
4
3
6 +X/λ
Э2
Рис.3. Дифракция (по данным [2]) наклонно падающей электромагнитной волны
единичной амплитуды |ЕYо|=1.0 на идеально проводящую полуплоскость, рассеивающая граница которой параллельна оси Y, перпендикулярной плоскости рисунка.
Область X/λ>−3.5 − зона тени под полуплоскостью, где нет прямой волны |ЕYо|=0 и присутствует
только часть левого (2л) и всё правое (2п) распределения рассеянной границей волны. Область X/λ< −3.5λ
− не укрытая экраном Э1 зона "света", в которой интерференционная сумма (3) составлена из падающей
волны ЕXo (1) и удалённой части распределения 2л дифрагированной от границы волны.
3
Уникально и то, что интенсивность более слабых максимумов при рассеянии электронов на границе полуплоскости гиперболически падает в обратном направлении (т.е. по
мере приближения их к рассеивающей границе). Расстояние между максимумами оказывается кратным длине волны де Бройля ~αλБ, где α(Z12) − коэффициент кратности экспериментальной установки. Налицо классический механизм рассеяния частиц с неклассическим набором поясов упругости, отстоящих друг от друга на расстоянии, кратном периоду, известному науке как длина волны де Бройля. Понять открытое мной явление в рамках
действующих в физике точечных представлений частицы без предположения о внутренней стереоструктуре её эфиродинамических поясов упругости, видимо, невозможно.
Neо=1.0 − поток электронов
Зона "света"
βo
Ve
−βi
Зона "света"
Neо=1.0
Ne(X)
3
1
~αλБ
~αλБ
2л
−β −8
−6
−4
Э1
Vе(−βi)≠0 Vе(+βi)=0
−2
Z12
Зона тени
1.2
Ne=0
0.8
1'
0.4
2п
0
2
0
3
4
6 +β, dgr.
Э2
Рис.4. "Антидифракция" (т.е. отсутствие огибания потоком электронов препятствия, по данным [4]) наклонно падающего потока электронов на непрозрачную
полуплоскость.
Область β>3.5o − зона тени под полуплоскостью, в которой наблюдается полное отсутствие электронов.
Область β<3.5o − зона "света", в которой суммируются (в кривой 3) первичный (1) и рассеянный (2л) потоки электронов.
Особенно ярко волновая сущность дифракции света и корпускулярная модель "антидифракции" электронов проявляются при сравнении наклонного (под некоторым углом
βо≠0) падения потоков света и электронов на полуплоскость (рис.3 и 4). Из рис.3 видно,
что бифуркация первичного потока света на границе полуплоскости жёстко привязана к
фазовым центрам границы, а из рис.4 следует, что при рассеянии электронов влево ничего
подобного не наблюдается (т.к. нет ни угловой бифуркации рассеиваемого потока электронов, ни её привязки). Наблюдается ещё два обратных процесса. На ЭМВ увеличение
угла падения уменьшает число наблюдаемых дифракционных максимумов в зоне света за
счёт расширения области неинтерферирующего вторичного излучения света под полуплоскостью. На электронах, напротив, увеличение угла падения потока на полуплоскость
увеличивает число наблюдаемых дифракционных максимумов в зоне света (рис.4), хотя
область тени тоже расширяется. Такое поведение электронов несёт в себе черты, характерные рассеянию классических упругих макрообъектов на упругом препятствии.
Дифракция электромагнитных волн и "антидифракция"
электронов на щели
Календарно впервые явление, которое я назвал "антидифракцией" электронов, я наблюдал при пропускании потока электронов через узкую щель в непрозрачном экране (см.
рис.5 и [4]). Именно в этом опыте я впервые заметил, что в т.н. "дифракционной" картине
рассеяния электронов присутствует всегда (всегда!) только по одному боковому максимуму. За дальними пределами этих двух боковых максимумов не обнаруживается никаких
4
"интерференционных" следов. В опытах с пропусканием света через волновоэквивалентные узкие щели в непрозрачном экране, напротив, после первых боковых интерференционных лепестков всегда (всегда!) наблюдаются ряд уменьшающихся по амплитуде интерференционных всплесков с шагом, кратным длине волны первичного потока ЭМВ. Именно в опыте по схеме рис.5 я впервые понял, что "левый" лепесток рассеяния
электронов формирует правая граница щели, а "правый" лепесток рассеяния электронов
формирует левая граница щели. Поняв это я, перепроверил все эти эффекты в чистом виде
в описанных выше опытах (рис.2 и 4) рассеяния электронов на одной границе непрозрачной полуплоскости. Только после этого прояснилась картина, обладающая качеством абсолютно однозначного понимания сути происходящих процессов.
Neо=1.0 − поток электронов
Зона "света"
Э1л
Зона "света"
Ve
л
ΔZ
Э'1л
*
Зона тени
ΔX
Зона "света"
Зона тени
Ne=0
п
Xo
•
*β
Ne(X)
1
Э1п
X
Ne=0
Z12
β
1.0
1'
3
0.8
2п
0.4
~αλБ
3
−β
−6
−4
−2
1'
~αλБ
2л
3
0
0
2
4
6 +β, dgr.
Э2
Рис.5. Дифракция (по данным [4]) нормально падающего потока электронов единичной интенсивности Nо|=1.0 на непрозрачную плоскость со щелью шириной ΔX~3λБ:
- правые лепестки рассеяния (2л) формируются только левой границей "л" полуплоскости Э1л;
- левые лепестки рассеяния (2л) формируются только правой границей "п" полуплоскости Э1п.
Экспериментальный результат, представленный на рис.5, обладает столь неподдельной простотой объяснения случившегося в "большой" физике пассажа квантово-волнового
представления микрочастиц "частицами-волнами", что я могу кратко завершить этот параграф следующим выводом. Произошло это потому, что начиная с усложнения схемы рассеяния электронов на одной границе схемой с двумя границами (на узкой щели) многие
выявленные мной оригинальные отличительные признаки рассеяния электронов на одной
границе (на полуплоскости, рис.2 и 4) оказываются сильно вырожденными на кривой 3,
рис.5. В результате, кривая 3 становится почти двойником дифракционной картины от
потока ЭМВ на волново-эквивалентной щели в непрозрачном экране. "Почти" потому, что
"несущественные" различия картины на рис.5 от аналогичной на ЭМВ можно заметить.
Так, для ЭМВ на рис.5 картина содержала бы и влево, и вправо множество убывающих по
амплитуде интерференционных всплесков с шагом через λ, но на это не обращают внимание. При дальнейшем увеличении числа рассеивающих границ (особенно в их множествах
с единым периодом своего повторения на плоском полупрозрачном препятствии, как в
случае кристаллических структур фольги) диаграммы "антидифракционного" рассеяния
электронов получаются неотличимыми от дифракционных картин от r-ЭМВ той же частоты, пропущенных через ту же кристаллическую структуру.
Априорно предопределённый мотив рассеяния
электронов на щели
Итак, в случае дифракции ЭМВ на щели справа и слева от основного максимума, похожего на основной максимум рис.5, возникают с шагом λ (относительно положения Xo=0
центра щели) два множества интерференционных всплесков с убывающей интенсивно5
стью (как показано на рис.1. Фазовые центры источников этой интерференции лежат на
левой и правой границах щели и поэтому на ЭМВ вся дифракционно-интерференционная
картина сильно зависит от геометрических характеристик щели. В частности, в случае
ЭМВ сдвиг на ΔZ левой полуплоскости щели (при неподвижной правой, см. рис.5) на величину ΔZ~λ/2 полностью меняет вид дифракционной картины; на местах всех максимумов появляются минимумы, а на местах минимумов вырастают максимумы. Это указывает на то, что дифракционная картина ЭМВ на щели полностью определяется геомертрическими параметрами щели, отнесёнными к длине волны ЭМВ. Совершенно иное отношение наблюдается в случае "дифракции" электронов на щели волново-подобных размеров.
На электронах убывание амплитуды левого и правого рядов интерференционных боковых всплесков обращены вспять от периферии картины к центральному максимуму
(причины рассмотрены на рис.2 и 4). Поэтому на рис.5 наблюдается только пара самых
дальних и наиболее интенсивных боковых всплесков, а все последующие скрыто вырождены в основном (центральном) лепестке. Такой "антидифракционный" механизм формирования картины рассеяния на электронах (когда правый по рис.5 лепесток формируется
рассеянием электронов левой границей, а левый лепесток − правой границей), обнаружил
не свойственную волновым процессам независимость картины от смещения левой полуплоскости щели на ΔZ~λ/2 (см. рис.5) при неподвижной правой (или наоборот). Электрон
на щели не ведёт себя как волна. На это же указывает априорно предопределённый (до
встречи со щелью) мотив рассеяния электронов на границах щели, абсолютно не связанный с привязкой центров рассеяния (если бы электрон был волной) к границам щели.
Рельеф рассеяния, наблюдаемый экспериментально на плоском экране Э2, фиксирующем приход рассеянных щелью электронов (рис.5), как бы предопределён соответствующей собственной структурой упругих слоёв каждого электрона, имеющей радиальный
период повторения упругости этих слоёв, равный длине волны де Бройля. В этом случае
очевидна независимость "антидифракционной" структуры на рис.5 от тонких наноскопических смещений одной границы щели относительно другой и становится понятной обращённость рядов боковых "антидифракционных" максимумов: самые удалённые слева и
справа оказываются наибольшей интенсивности, а более слабые жмутся к центру и поглощаются главным максимумом картины.
Уникальность интерференции электронов на паре узких
близко расположенных щелей
Максимум новизны к сложившимся представлениям интерференции электронов дали
опыты на двух дебройлевски узких щелях. После соответствующей настройки установки
(на потоке электронов с энергией ~0.3 эВ) были получены известные закономерности отличия суммарного интерференционного распределения электронов, прошедших через обе
открытые щели (кривая 4 на рис.6), от аддитивной суммы распределений (кривая 3) от каждой щели (2Л и 2П), снятых поотдельности. Оказалось, установка экрана Э⊥ со стороны
падающего потока электронов действует также, как и стохастизация прошедших электронов интенсивной подсветкой. В обоих случаях интерференционное взаимодействие щелей
исчезает и суммарное распределение (4) на рис.6 превращается в кривую 3, соответствующую аддитивной сумме парциальных распределений (2Л) и (2П). Этот опыт косвенно
подтверждает высказанные ранее теоретические предположения, что электрон интерферирует на экране Э2 со своей ЭМВ-частью, проходящей через соседнюю щель [*]. Когда
открытая для электронов соседняя (например, левая) щель заэкранирована экраном Э⊥ от
ЭМВ-наводки пролетающего через правую щель электрона, интерференционная картина
на детекторном экране Э2 пропадает (см. кривую 3 на рис.6).
6
Neо=1.0 − поток электронов
Зона "света"
Ve
Э1
Э⊥
ЩЛ
Зона тени
Зона "света"
Ne=0
ЩП
1
Зона тени
Ne=0
Ne(X)
4
−10 −8
4
Ne=0
1
1'
0.8
3
2л
Зона тени
Зона "света"
1.0
1'
2л
0.4
4
2п
4
2п
0
−6
−4
−2
X
Э1
Δ
ΔX
−β
Зона "света"
Зона "света"
8 +β, dgr.
6
4
2
0
Э2
Рис.6. Интерференция (по данным [4]) нормально падающего потока электронов единичной интенсивности Nо|=1.0 на непрозрачную плоскость с двумя узкими щелями шириной ΔX~3λ, отстоящими друг от друга на расстоянии Δ~5λ:
1 − интенсивность потока электронов в зоне "света" (1' − то же в отсутствие экрана Э1);
2л − распределение рассеянных электронов от левой щели при закрытой правой;
2п − распределение рассеянных электронов от правой щели при закрытой левой;
3 − распределение рассеянных электронов двумя открытыми щелями при установке непрозрачного для
ЭМВ и электронов экрана Э⊥;
4 − распределение рассеянных электронов двумя открытыми щелями без экрана Э⊥.
Для окончательного решения этого вопроса были выполнены самые трудные эксперименты (см. рис.7). Я обнаружил, что закрытие соседней щели оптопрозрачной (на ультрафиолете) заглушкой (ОПЗ), которая полностью блокирует прохождение через неё электронов (на рис.7 заглушена правая щель), сохраняет в распределении электронов, прошедших через левую щель, тот интерференционный мотив (кривая 3 на рис.7), который
наблюдался в левом распределении при обеих открытых щелях.
Neо=1.0 − поток электронов
Зона "света"
Ve
Δ
Э1
Зона тени
Ne=0
ОПЗ
ЩЛ
ΔX
ДЛ
ЩП
Зона "света"
1
Зона тени
Ne=0
Ne(X)
1
3
−10 −8
−4
−2
0
Зона тени
Ne=0
2
2
0.4
0
−6
X
1'
0.8
2
Э1
ДП
Зона "света"
1.0
1'
−β
Зона "света"
Зона "света"
2
4
6
8 +β, dgr.
Э2
Рис.7. Интерференция (по данным [4]) нормально падающего потока электронов
единичной интенсивности Nо|=1.0 на непрозрачную плоскость с двумя узкими щелями
шириной ΔX~3λ, отстоящими друг от друга на расстоянии Δ~5λ:
1 − интенсивность потока электронов в зоне "света" (1' − то же в отсутствие экрана Э1);
2 − распределение рассеянных электронов двумя открытыми щелями;
3 − распределение рассеянных электронов левой открытой щелью при закрытой оптопрозрачной заглушкой (ОПЗ) правой щели.
7
Если заглушить с помощью ОПЗ левую (по рис.7) щель, то интерференционный мотив, аналогичный кривой 3 на рис.7, сохранится в правом распределении электронов. Любопытным свойством измеренных подобным образом парциальных интерференционных
распределений является примерное соответствие их аддитивной суммы полной интерференционной кривой 2 на рис.7, измеренной при двух открытых щелях [3].
Для убедительности этих опытов я обустроил каждое отверстие полупроводниковыми датчиками, чётко фиксировавшими пролёт каждого электрона именно через ту щель,
наноимпульсный сигнал с которой имел бóльшую амплитуду, чем сигнал соседней. Таким
способом я прямыми измерениями показал, во-первых, что при пролёте электрона через
щель ЩЛ в материале границ этой щели индуцируются токи, часть которых возбуждает
пульс внутреннего фотоэффекта в полупроводниковом датчике ДЛ (см. рис.7), фиксируемый усилителем соответствующего счётчика. Во-вторых, что от этого электрона возбуждается и соседняя щель ЩП (это видно по одновременно возникающему более слабому
импульсу полупроводникового датчика ДП). В-третьих, что при таком способе наблюдения интерференционная картина формируется также, как и в отсутствие датчиков. Вчетвёртых, этой серией опытов я опроверг бытующее с 1930-х годов утверждение, что
наблюдение за местом (щелью) пролёта электронов якобы разрушает интерференционную
картину. Да, сильно возмущающий метод подсветки отверстий разрушает интерференционную картину, а открытый мною метод − не разрушает. В-пятых, я экспериментально
доказал, что опытах по интерференции электронов каждый пролетающий электрон имеет
определяемую наблюдателем траекторию!
Обсуждение и выводы
Выполненная мной в 1969-74 годах перепроверка решающих экспериментов физики
показала такое большое различие волновых проявлений у ЭМВ и электронов в опытах по
их дифракции и интерференции на волново-подобных препятствиях, что обнаруженные на
электронах в чистом виде признаки "похожести" на дифракцию и интерференцию, очищенные от второстепенных искажений, не оставляют сомнений, что электрон − это не
волна. Главные из них следующие:
- электрон при встрече с препятствием не огибает его, как ЭМВ, а рассеивается вспять от
него, как это характерно и для классических макрообъектов; на резких границах щели в
непрозрачном экране левый боковой максимум формируется правой границей щели, а
правый боковой максимум − левой границей щели; иначе говоря, это антидифракционные
боковые лепестки распределения электронов, рассеянных щелью;
- наблюдается обратный порядок формирования боковых лепестков-максимумов при
дифракции на щели: у ЭМВ − первый ближний к основному боковой дифракционный
максимум наибольшей интенсивности, а последующие по мере удаления от основного
максимума имеют гиперболически спадающую интенсивность; расстояние между всеми
соседними боковыми лепестками ~λ; у электронов всё наоборот − "первый" по интенсивности боковой лепесток оказывается самым удалённым от основного максимума распределения прошедших через щель электронов, а все последующие с шагом ~λБ от этого бокового лепестка имеют гиперболически спадающую интенсивность по мере приближения
к основному максимуму распределения; часто кроме самого удалённого бокового лепестка картины "антидифракции" электронов на волново-узкой щели весь последующий ряд
"антидифракционных" максимумов поглощается основным максимумом под щелью.
-------------------Таким образом, обнаруженные мной различия механизмов рассеяния истинных волн и
электронов на волново-резких препятствиях свидетельствует о конце периода благодушно-поверхностной интерпретации решающих экспериментов физики в области дифракции
8
и интерференции частиц и необходимости, как минимум, их перепроверки на новом современном уровне экспериментального искусства.
Литература
1. V.V. Demjanov. < http//arxiv.org/abs/0910.5856 >
2. M. Born, E. Wolf. Principles of Optics. Ad.4. London, New York, Paris: "Pergamon
Press", 1968. (М. Борн, Э. Вольф. Основы оптики. Изд.2. Москва:
"Наука", ФМЛ, 1973).
3. M. Born. Atomic Physics. Ad.7. London: "Blackie and son limited", 1963 (М. Борн.
Атомная физика. Изд.2. Москва: "Мир", 1967).
4. Демьянов В.В. Эфиродинамический детерминизм Начал (Новороссийск: НГМА,
РИО, 2004) 568 с.
5. Демьянов В.В. Эфиродинамические тайны релятивистской и квантовой теорий (Новороссийск: "НГМА-РИО", 2006) 448 с.
9