ВЛИЯНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИСТОЧНИКОВ СВЕТА С.П.ПАНОВА, студентка 3 курса кафедры ФЭ 89131174304, [email protected] Научный руководитель - С.В.СМИРНОВ, профессор, г.Томск, ТУСУР Светодиоды, или светоизлучающие диоды (СИД, в английском варианте LED — light emitting diode)— полупроводниковый прибор, излучающий некогерентный свет при пропускании через него электрического тока. Работа основана на физическом явлении возникновения светового излучения при прохождении электрического тока через p-nпереход. Цвет свечения (длина волны максимума спектра излучения) определяется типом используемых полупроводниковых материалов, образующих p-n-переход. Рисунок 1.1 – Строение светодиода Светодиодное освещение — наиболее быстро развивающийся и перспективный вид искусственного освещения. За последние пять лет благодаря появлению новых технологий стоимость светодиодных световых приборов снизилась в 40 раз. Производители светодиодов активно улучшают характеристики своих изделий. Еще не так давно компаниям удавалось серийно выпускать диоды со световой отдачей 80– 90 лм/Вт, далее 110 лм/Вт, 130 и 140 лм/Вт, и вот в декабре прошлого года появилась информация о начале серийного выпуска компанией CREE диодов со световой отдачей 200 (!) лм/Вт. В наши дни активно разрабатывают методы по улучшению различных характеристик светодиодов, рассмотрим одну из таких характеристик - температуру p-n перехода и температуру носителей тока. Как известно температура p-n перехода, соответствующая температуре активной области кристаллической решетки, является важным параметром светодиодов. Данная характеристика важна по нескольким причинам. Во- первых, от температуры p-n перехода зависит квантовый выход излучения диода. Во-вторых, работа в режиме высоких температур значительно сокращает время жизни устройства. В- третьих, высокая температура внутри светодиода может явиться причиной разрушения его корпуса. Именно по перечисленным выше причинам желательно знать зависимость температуры перехода от протекающего тока. Имеется ряд методов для определения температуры переходов: измерение теплового сопротивления определение температуры по спектрам электролюминисценции бесконтактный метод А также некоторые другие. Стоит отметить что данные методы являются косвенными, в них температура перехода определяется по легко изменяемым параметрам. нас привлекло два метода измерения температуры: по смещению длины волны пика излучения и по сдвигу прямого напряжения при изменении температуры. Измерение температуры перехода по прямому напряжению. Эта процедура состоит из двух этапов: калибровочного измерения прямого напряжения на диоде Vf в импульсном режиме и измерения этого напряжения в режиме постоянного тока.На этапе калибровочных измерений исследуемый светодиод помещается в термостат с регулятором, поэтому температуры диода и перехода всегда известны. Температура в термостате изменяется в заданном диапазоне значений, обычно 20-120 °С. В ходе калибровочных измерений на диод подается импульсный ток с высокой скважностью (~ 1000), что необходимо для исключения внутреннего разогрева светодиода из-за инжекционного тока. Прямое напряжение измеряется в заданном температурном интервале для разных значений тока. Из калибровочных измерений определяется зависимость между прямым напряжением и температурой р-п-перехода в заданном интервале токов If. Этап измерений проводится при комнатной температуре в режиме постоянного тока, изменяющегося в заданном интервале значений. Прямое напряжение измеряется в моменты стабилизации температуры. На основе полученных и калиброванных данных находят значения температуры р-п-перехода для разных значений тока Этот метод точнее, чем измерение температуры р-п-перехода по длине волны максимума в спектре излучения, поскольку последнему методу свойственна некоторая неопределенность при определении длины волны в максимуме, положение которого трудно найти корректно для уширенных спектральных линий. В данный момент проводиться исследование работы светодиодов при длительном температурном воздействии, для того что бы сравнить полученные нами данные с данными полученными в НИИПП и сделать соответствующие выводы. Данные исследования проводятся для определения конструктивно-технологического запаса(КТЗ).Нас также интересует, будет ли деградировать ВАХ светодиодов, так как если деградация не будет наблюдаться, следовательно можно сделать вывод , о том, что сила света изменяется из за иных параметров. В НИИПП были проведены испытания на воздействие повышенной температуры. При испытаниях на воздействие повышенной температуры были применены 4 ступени: 100 ,125 , и две по 150 .Время выдержки на каждой ступени 24 часа. На рисунке 1.2и 1.3 приведены графики изменения силы света от ступени испытаний красных и зеленых светодиодов соответственно. Рис. 1.2 Результаты испытаний красных светодиодов ИПД152А9-К на воздействие повышенной температуры. Рис. 1.3 Результаты испытаний зеленых светодиодов ИПД152А9-Л на воздействие повышенной температуры. Из графика представленного на рисунке 1.2 видно, сила света красного светодиода имеет тенденцию к снижению после 3 ступени в 125 °С. То же самое можно сказать и о зеленых светодиодах показанных на рисунке 1.3. Для того что бы данные были более достоверными необходимо провести измерения многократно. Можно с уверенностью сказать, что исследования в этой области стимулируются повышенным интересом со стороны общества. Перспективы значительной экономии энергии привлекают инвестиции в сферу изучения процессов, развития технологии и поиска новых материалов. Список литературы 1. Шуберт Ф.Е. Светодиоды/ пер.с англ. под редакцией А.Э. Юновича - 2-е изд. М.:ФИЗМАТЛИТ, 2008, - 496с.