Аннотация дисциплины «Кинетические процессы в

Аннотация дисциплины
«Кинетические процессы в полупроводниках»
Общая трудоемкость изучения дисциплины составляет – 3 ЗЕ(108 час).
Цели и задачи:
Цель изучения дисциплины – овладение специальными знаниями, необходимыми для
компьютерного моделирования полупроводниковых приборов, анализа соответствующей научнотехнической литературы и проектирования изделий наноэлектроники.
Задачами курса изучение кинетических явлений в полупроводниках и используемого для их
описания математического аппарата; формирование практических навыков решения кинетического
уравнения Больцмана и задач электронного транспорта в полупроводниковых наногетероструктурах.
Основные разделы программы:
1. Кинетическое уравнение для электронов и дырок в полупроводниках.
2. Решение кинетического уравнения в слабых электрическом и магнитных полях.
3. Решение кинетического уравнения в сильном электрическом поле. Роль неупругих
столкновений.
4. Рекомбинационные процессы в полупроводниках.
5. Оптические свойства полупроводников.
6. Резонансное туннелирование в двухбарьерных гетероструктурах.
7. Отрицательная дифференциальная проводимость и блоховские осцилляции.
В результате изучения дисциплины студент должен:
Знать:
зонную теорию полупроводников и низко-размерных полупроводниковых структур, кинетическое
уравнение Больцмана, вид интегралов столкновений в при различных механизмах рассеяния, способы
вычисления времени релаксации; механизмы рассеяния электронов и дырок на примесях и фононах.
Уметь:
находить уровень Ферми в вырожденном и невырожденном полупроводниках, вычислять сечение
рассеяния электрона в полупроводнике при разных механизмах взаимодействия, анализировать зависимость
времени релаксации от температуры, вычислять постоянные Холла.
Владеть:
методами описания кинетических явлений, как в классических полупроводниках, так и в
низкоразмерных полупроводниковых структурах.
Виды учебной работы: лекции, практические занятия
Изучение дисциплины заканчивается - экзаменом.