Новые ИМС с приемкой &quot

1
ОАО «ИНТЕГРАЛ» Статус разработок новых микросхем специального назначения по состоянию на 01.07.2014г.
ЗАО «РОССПЕЦПОСТАВКА»
Тип, наименование ОКР,
(прототип)
Основные технические характеристики,
параметры разрабатываемых микросхем
Срок
окончания
ОКР
Корпус/
наличие
образцов
Микросхемы запоминающих устройств
1659РУ1Т
ОКР «Донор КНИ»
СОЗУ емкостью 256Кбит
(прототип HX6356 компании
Honeywell)
ИМС с организацией 32К×8 бит на основе КНИ-технологии.
Напряжение питания Ucc= 5.0В ± 10% .
Динамический ток потребления ICCО ≤ 130мА, ток потребления в режиме хранения ICCS ≤ 10мА.
Время выборки адреса tA(A) ≤ 50нс, время выбора tA(СЕ) ≤ 50нс.
Время выборки разрешения выхода tA(ОЕ) ≤ 80нс.
Рабочий температурный диапазон - от минус 60°С до плюс 125°С.
4183.28-2
образцы в
наличии
СВВФ: 7И1- 4Ус, 7И6-1.5×6Ус, 7И7- 0.1× 5Ус, 7.И8 – 0.08×2Ус, 7С1-10×1Ус, 7С4 -0.5×1Ус, 7К1-5×1К,
7К4 - 0.2×1К.
1666РЕ014
ОКР «Сегмент М»
Разработка микросхемы FRAM
ЗУ емкостью 1Мбит
(прототип FM28V100
компании Ramtron)
1644РС2Т
ОКР «Друид ПЗ»
ИМС ЭСППЗУ емкостью
256Кбит с I2C интерфейсом
(прототип АТ24С256
компании Atmel)
АЕЯР.431220.853-01 ТУ
ИМС имеет организацию 128К×8 бит.
Напряжение питания - UCС= 2.0B ÷ 3.6В
Динамический ток потребления - ICCО ≤ 12мА
Ток потребления в режиме хранения - ICCS ≤ 500мкА
Количество циклов обращения (записи, считывания) – N ≥ 1012
Рабочий температурный диапазон - от минус 60°С до плюс 125°С
СВВФ: 7И1 - 4Ус, 7И6 - 0.5×5Ус, 7И7 - 4Ус, 7.И8 – 0.001×1Ус (в режиме хранения информации при
Ucc=0÷3.6 В - 1Ус), 7С1 - 1Ус, 7С4 – 0.5×1Ус, 7К1 – 0.25×2К, 7К4 - 0.25×1К
АЕЯР.431220.981ТУ
ИМС имеет организацию 32К×8 бит.
Напряжение питания Ucc= 5.0В ± 10%.
Ток потребления в режиме хранения ICCS ≤ 6.0мкА.
Число циклов стирания/ записи – не менее 100 000.
Время выборки tA ≤0.55мкс .
Время цикла стирания/ записи tCY ≤ 10мс.
Рабочий температурный диапазон - от минус 60°С до плюс 125°С.
СВВФ: 7И1-3Ус, 7И6- 0.2×5Ус, 7И7- 0.7×4Ус, 7И8-0.4×1Ус, 7С1-1Ус, 7С4 -0.3×1Ус, 7К1- 0.15×2К,
7К4 - 0.15×1К
АЕЯР.431210.850 ТУ
ОКР сдана
Направлены документы для
включения
ИМС в
«Перечень
МОП
44 001.02»
4184.32-1
образцы в
наличии
4183.28-2
образцы в
наличии
2
1655РР1Т
ОКР «Друид 256ПЗ»
Разработка микросхемы
ЭСППЗУ (FLASH-типа)
емкостью 256Кбит
(32К х 8 бит) с параллельной
записью – считыванием
(прототип AT28C256
компании Atmel)
1642РК2У
ОКР «Салон 2»
Разработка двухпортового
СОЗУ 256Кбит (прототип
IDТ7007 компании IDT)
ОКР «Дюйм КНИ 0.35»
ИМС СОЗУ на основе КНИтехнологии емкостью 1Мбит
(прототип - Rad Hard SRAM
HX6228 компании Honeywell)
Напряжение питания - UCС= 5.0B10 %
Рабочий температурный диапазон - от минус 60°С до плюс 85°С
Динамический ток потребления – IОСС ≤ 50мА
Число циклов стирания/ записи – 10 000
Время выборки адреса – tA(А) ≤150нс, время выбора - tА(СЕ) ≤150нс
Время выборки разрешения выхода – tА(OE) ≤70нс
Время цикла записи (для байтовой и страничной записи) – не более 10мс
4183.28-2
12.2014
образцы в
наличии
12.2014
5134.64-6
01.2015
4149.36 – 1
09.2015
5134.64-6
СВФФ: 7И1- 3Ус, 7И6- 4Ус, 7И7- 2×4Ус, 7С1- 1Ус, 7С4 - 0.01×1Ус, 7К1- 5×1К, 7К4 - 0.05×1К
АЕЯР.431210.786 ТУ
ИМС имеет организацию 32К×8 бит.
Напряжение питания - UCС= 5.0B10 %
Время выборки адреса - tA(A) ≤ 70нс, время выборки разрешения выхода – tА(OE) ≤35нс
Рабочий температурный диапазон - от минус 60°С до плюс 125°С
СВВФ: 7И1- 3Ус, 7И6- 5Ус, 7И7- 3Ус, 7.И8 – 0.02×1Ус, 7С1- 10Ус, 7С4 - 1Ус, 7К1- 5×1К, 7К4 - 0.5×1К
АЕЯР.431220.849 ТУ
КМОП СБИС СОЗУ с информационной емкостью 1 Мбит (128К x 8 бит).
Напряжение питания - Ucc= 5.0В ± 10%
Статический ток потребления – 2.0мА
Динамический ток потребления – 120мА
Время выборки адреса – 50нс
Рабочий диапазон температур – минус 60ºС ÷ +125ºС
СВВФ: 7.И1 – 4Ус; 7.И6 – 5Ус; 7.И7 – (5-6)Ус; 7.И8 – 2Ус; 7.С1 – 10х1Ус; 7.С4 - 1Ус; 7.К1 – 5х1К;
7.К4 – 0.5х1К
ОКР «Донор 48»
СБИС СОЗУ емкостью 4Мбит
(512К х 8 бит)
(прототип ACT–S512K8
компании Aeroflex Circuit
Technology)
ИМС СОЗУ с информационной ёмкостью 4Мбит для асинхронного и синхронного чтения/записи и
хранения информации в блоках оперативной памяти вычислительных систем.
ИМС обеспечивает применение изделий в условиях воздействия специальных факторов.
Информационная ёмкость – 4Мбит (512K×8 бит)
Напряжение питания - Ucc= 5.0В ± 10%
Статический ток потребления – 5.0мА
Динамический ток потребления при UCC =5.5В; IO=0А; f*=1/tCY(RD) – 120мА
Время выборки адреса – 25нс
Уровень стойкости к специальным факторам по накопленной дозе – 50Крад
Рабочий диапазон температур – минус 60ºС ÷ +125ºС
СВВФ: 7И1–4Ус, 7И6–0.2×5Ус, 7И7–0.4×5Ус; 7.И8–0.04×1Ус; 7.С1–50×5Ус; 7.С4 –2×5Ус; 7.К1– 2К;
7.К4–5×1К; 7К9 (7К10) ≥20МэВ, 7К11 (7К12) ≥70МэВ×см2/мг
3
ОКР «Донор 416»
СБИС СОЗУ емкостью 4Мбит
(256К х 16 бит)
(прототип CY7C1041D
компании Cypress
Semiconductor Corporation)
ОКР «Донор 432»
СБИС СОЗУ емкостью 4Мбит
(128К х 32 бит)
(прототип ACT–S128K32
компании Aeroflex Circuit
Technology)
ИМС СОЗУ с информационной ёмкостью 4 Мбит для асинхронного и синхронного чтения/записи
и хранения информации в блоках оперативной памяти вычислительных систем.
ИМС обеспечивает применение изделий в условиях воздействия специальных факторов.
Информационная ёмкость – 4Мбит (256K×16 бит)
Напряжение питания - Ucc= 5.0В ± 10%
Статический ток потребления – 20мА
Динамический ток потребления – 60мА
Время выборки адреса – не более 25нс
Уровень стойкости к специальным факторам по накопленной дозе – 50Крад
Рабочий диапазон температур – минус 60ºС ÷ +125ºС.
СВВФ: 7И1–4Ус, 7И6–0.2×5Ус, 7И7–0.4×5Ус; 7.И8–0.04×1Ус; 7.С1–50×5Ус; 7.С4 –2×5Ус; 7.К1– 2К;
7.К4–5×1К; 7К9 (7К10) ≥20МэВ, 7К11 (7К12) ≥70МэВ×см2/мг
ИМС СОЗУ с информационной ёмкостью 4 Мбит для асинхронного и синхронного чтения/записи
и хранения информации в блоках оперативной памяти вычислительных систем.
ИМС обеспечивает применение изделий в условиях воздействия специальных факторов.
Информационная ёмкость – 4Мбит (128Kx32 бит)
Напряжение питания - Ucc= 5.0В ± 10%
Статический ток потребления – 20мА
Динамический ток потребления – 60мА
Время выборки адреса – не более 25нс
Уровень стойкости к специальным факторам по накопленной дозе – 50Крад
Рабочий диапазон температур – минус 60ºС ÷ +125ºС.
09.2015
5134.64-6
09.2015
5134.64-6
12.2014
4183.28-4
12.2014
Н18.64-1В
СВВФ: 7И1–4Ус, 7И6–0.2×5Ус, 7И7–0.4×5Ус; 7.И8–0.04×1Ус; 7.С1–50×5Ус; 7.С4 –2×5Ус; 7.К1– 2К;
7.К4–5×1К; 7К9 (7К10) ≥20МэВ, 7К11 (7К12) ≥70МэВ×см2/мг
ИМС микроконтроллеров
1881ВГ4Т
ОКР «Двина 135»
Разработка конструкции RISCмикроконтроллера с FLASH памятью, устойчивого к СВВФ
(прототип AT90S/ LS2333
компании «Atmel»)
1880ВЕ1У
ОКР «Двина 51АС»
Разработка микроконтроллера с
АЦП, устойчивого к воздействию СВВФ
(прямой аналог отсутствует)
ИМС содержит ЭСППЗУ (128 × 8 бит), FLASH - ЭСППЗУ программ (2К × 8 бит), СОЗУ (128 × 8
бит), таймеры / счетчики, сторожевой таймер (WDT), аналоговый компаратор, АЦП, АЛУ.
Напряжение питания - Ucc=4.0В ÷ 6.0В
Рабочий температурный диапазон - от минус 60°С до плюс 125°С
Тактовая частота – 4МГц
СВВФ: 7И1-2Ус, 7И6-2Ус, 7И7-2Ус, 7.И8-0.02х1УС
АЕЯР.431310.854 ТУ
ИМС 8-разрядного микроконтроллера архитектуры 80С52 с системой команд MCS-51, контроллером
мультиплексного канала (КМК) связи по ГОСТ Р 52070-2003, работающим в режиме оконечного
устройства, и встроенным 10-разрядным аналого-цифровым преобразователем (АЦП).
Состав:
- MCS-51 - совместимое процессорное ядро;
- ОЗУ данных 256 × 8 бит;
- три 16-разрядных таймера / счетчика;
- асинхронный последовательный интерфейс (UART);
4
- пять 8-разрядных портов ввода / вывода;
- дополнительное ОЗУ данных 16 K х 8 бит;
- сторожевой таймер, функционирующий от собственного RC- генератора;
- монитор питания и КМК по ГОСТ Р 52070-2003;
- 10-разрядный аналого-цифровой преобразователь.
Напряжение питания - UCС= 5.0B10 %
Ток потребления – Icc ≤ 100мкА
Динамический ток потребления при fC = 12МГц – Iocc ≤ 50мА
Рабочий температурный диапазон - от минус 60°С до плюс 125°С
Частота следования импульсов тактовых сигналов - FC ≤ 24МГц
СВВФ: 7И1- 4Ус, 7И6- 4Ус, 7И7- 0.2х5Ус, 7И8- 0.02×1Ус, 7С1- 5Ус, 7С4 - 5Ус, 7К1- 5×1К, 7К4 - 0.5×1К
АЕЯР.431280.335-03 ТУ
Интерфейсные микросхемы
5559ИН20Т, 5559ИН21Т
ОКР «Дуплекс 3485ПЗ»
Интерфейсные ИМС приемопередатчиков стандартов
RS-485/ 422 с напряжением
питания 3.3В
(прототипы MAX3485,
MAX3486)
5559ИН22Т
ОКР «Домен 25»
ИМС автономного САN- контроллера
(прототип МСР 2515
компании Microchip)
ИМС 5559ИН20Т (прототип – МАХ3485) - содержит один передатчик и один приемник, скорость
передачи 12Мбит/с;
ИМС 5559ИН21Т (прототип – МАХ3486) - содержит один передатчик и один приемник, скорость
передачи 2.5Мбит/с.
Напряжение питания UCС= 3.3B10 %.
Рабочий температурный диапазон - от минус 60°С до плюс 125°С.
Ток потребления в режиме холостого хода ICC ≤ 2.2мА.
СВВФ: 7И1-3Ус, 7И6-4Ус, 7И7-5×3Ус, 7.И8 - 0.001х1УС, 7С1-1Ус, 7С4-1Ус, 7К1- 10×1К,
7К4 - 0.5×1К.
АЕЯР.431230.846 ТУ
ИМС содержит 1 передатчик и 1 приемник последовательных данных протокола CAN2.0B, скорость
передачи до 1Мбит/с.
Напряжение питания микросхемы Ucc=2.7В ÷ 5.5В.
Частота синхронизации fOSC ≤ 25МГц.
Частота следования импульсов тактовых сигналов SPI-интерфейса fCLK ≤ 10МГц.
Динамический ток потребления при fOSC = 25МГц – Iocc ≤ 30мА.
Статический ток потребления (в энергосберегающем режиме) ICCS ≤ 80мкА.
Рабочий температурный диапазон - от минус 60°С до плюс 125°С.
СВВФ: 7И1- 2Ус, 7И6- 2Ус, 7И7- 2Ус, 7.И8 - 0.02×1УС.
АЕЯР.431230.847 ТУ
ОКР сдана
Направлены документы для
включения
ИМС в
«Перечень
МОП
44 001.02»
4112.8-1.01
4153.20-1.03
образцы в
наличии
5
5559ИН73Т, 5559ИН74Т
ОКР «Связь»
ИМС интерфейсных приемопередатчиков манчестерского
кода с напряжением питания
3.3В
(прототипы HI1573, HI1574
компании Holt)
ИМС 5559ИН73Т – сдвоенный приемо-передатчик манчестерского кода с принудительной установкой выходов приемника в состояние лог. «0».
ИМС 5559ИН74Т – сдвоенный приемо-передатчик манчестерского кода с принудительной установкой выходов приемника в состояние лог «1».
Напряжение питания UCС= 3.3B  0.15В.
Ток потребления (нет передачи информации) ICC ≤ 10мА.
Динамический ток потребления (один канал, рабочий цикл передачи информации 50 %)
IOCC1 ≤ 250мА.
Динамический ток потребления (непрерывная передача информации) IOCC2 ≤ 500мА.
Рабочий температурный диапазон - от минус 60°С до плюс 125°С.
СВВФ: 7И1-2×3Ус, 7И6- 5Ус, 7И7-0.5×5Ус, 7.И8 - 0.2×1УС, 7С1-10×1Ус, 7С4 -5×1Ус, 7К1-5×1К,
7К4 - 0.5×1К.
Пороговые ЛПЭ по ТЭ: ≥60МэВ×см2 /мг, сечение насыщения по ТЭ: ≤ 1×10-1 см2, пороговые ЛПЭ по
КО: ≥60МэВ×см2 /мг, сечение насыщения по КО: ≤ 1×10-1 см2
5560ПЛ1У
ОКР «Магистраль 150»
Разработка умножителя
частоты с пониженным
энергопотреблением для
сопряжения КМОП аппаратуры
с высокоскоростным каналом
(прототип SN65LVDS150
компании TI)
5560ИН3У
ОКР «Магистраль 151»
Разработка параллельнопоследовательного
преобразователя с
передатчиком стандарта LVDS
(прототип SN65LVDS151
компании TI)
АЕЯР.431230.848 ТУ
ИМС содержит систему ФАПЧ, блок программирования коэффициента умножения частоты,
приемник последовательных данных стандарта LVDS и два передатчика последовательных данных
стандарта LVDS.
Напряжение питания - UCС= 3.3B  10 %
Статический ток потребления – ICC ≤ 70мА
Рабочий температурный диапазон - от минус 60°С до плюс 125°С
Максимальная частота на выходе МСО – fmax ≥ 400МГц
Время перехода в режим синхронизации – tLOCK ≤ 1.0мс
ОКР сдана
Направлены документы для
включения
ИМС в
«Перечень
МОП
44 001.02»
4153.20-6
12.2014
Н09.28-1В
12.2014
Н14.42-1В
СВВФ: 7И1-1Ус, 7И6-3Ус, 7И7-3Ус, 7.И8 - 0.02×1УС, 7С1-1Ус, 7C4-0.2×1УС, 7К1-2×1К, 7К4 - 0.1×1К
АЕЯР.431200.765 ТУ
АЕЯР.431200.765-05 ТУ
ИМС параллельно-последовательного преобразователя с передатчиком стандарта LVDS,
преобразующий 10-разрядный код с уровнями КМОП/ ТТЛ параллельной шины в последовательную форму для передачи по одному высокоскоростному каналу LVDS.
ИМС содержит сдвиговый регистр, три приемника последовательных данных стандарта LVDS и два
передатчика последовательных данных стандарта LVDS
Напряжение питания - UCС= 3.3B  10 %
Ток потребления в активном режиме – ICC ≤ 30мА
Рабочий температурный диапазон - от минус 60°С до плюс 125°С
СВВФ: 7И1-1Ус, 7И6-3Ус, 7И7-3Ус, 7.И8 - 0.02×1УС, 7С1-1Ус, 7C4-0.2×1УС, 7К1-2×1К, 7К4 - 0.1×1К
АЕЯР.431200.765 ТУ
АЕЯР.431200.765-03 ТУ
6
5560ИН4У
ОКР «Магистраль 152»
Разработка приемника
стандарта LVDS с
последовательно- параллельным преобразователем
(прототип SN65LVDS152
компании TI)
ИМС приемника стандарта LVDS с последовательно- параллельным преобразователем для приема
последовательных данных с уровнями стандарта LVDS и преобразования их в 10-разрядный код с
уровнями КМОП/ ТТЛ.
ИМС содержит сдвиговый регистр, три приемника последовательных данных стандарта LVDS и
передатчик последовательных данных стандарта LVDS
Напряжение питания - UCС= 3.3B  10 %
Ток потребления в активном режиме – ICC ≤ 25мА
Рабочий температурный диапазон - от минус 60°С до плюс 125°С
СВВФ: 7И1-1Ус, 7И6-3Ус, 7И7-3Ус, 7.И8 - 0.02×1УС, 7С1-1Ус, 0.2×1УС, 7К1-2×1К, 7К4 - 0.1×1К
АЕЯР.431200.765 ТУ
АЕЯР.431200.765-04 ТУ
12.2014
Н14.42-1В
ОКР «Магистраль 95»
Разработка параллельнопоследовательного преобразователя 21-разрядного кода с
тремя передатчиками стандарта LVDS
(прототип SN65LVDS95
компании TI)
ИМС параллельно-последовательный преобразователя с тремя каналами данных стандарта LVDS ,
преобразующего 21-разрядный код параллельных данных с уровнями ТТЛ в последовательную
форму для передачи по трем раздельным высокоскоростным каналам LVDS.
Напряжение питания – UCС= 3.3B  10 %
Статический ток потребления во включенном состоянии – не более 110мА
Статический ток потребления в выключенном состоянии – не более 0.28мА
Скорость передачи данных – 480Мбит/с
Рабочий диапазон температур – минус 60ºС ÷ +125ºС
СВВФ: 7И1 – 3Ус, 7И6 - 5Ус; 7.И7 – 0.2×5Ус; 7.И8 – 0.04×1Ус; 7.С1 – 50×5Ус; 7.С4 - 2×5Ус;
7.К1 – 10×1К; 7.К4 - 0.5×1К, 7К9 (7К10) ≥ 20МэВ, 7К11 (7К12) ≥ 70МэВ
2015
H16.48-1B
ОКР «Магистраль 96»
Разработка трехканального
приемника стандарта LVDS с
последовательнопараллельным преобразованием в 21-разрядный код
(прототип SN65LVDS96
компании TI)
ИМС приёмника стандарта LVDS с последовательно-параллельным преобразованием в 21разрядный код представляет собой трехканальный приёмник последовательных данных стандарта
LVDS с последовательно-параллельным преобразованием в 21-разрядный код для приема последовательных данных с уровнями стандарта LVDS и преобразования их в 21-разрядный параллельный
код с уровнями ТТЛ.
Напряжение питания – UCС= 3.3B  10 %
Статический ток потребления во включенном состоянии – не более 82мА
Статический ток потребления в выключенном состоянии – не более 0.28мА
Скорость передачи данных – 480Мбит/с
Рабочий диапазон температур – минус 60ºС ÷ +125ºС
2015
H16.48-1B
СВВФ: 7И1 – 3Ус, 7И6 - 5Ус; 7.И7 – 0.2×5Ус; 7.И8 – 0.04×1Ус; 7.С1 – 50×5Ус; 7.С4 - 2×5Ус;
7.К1 – 10×1К; 7.К4 - 0.5×1К, 7К9 (7К10) ≥ 20МэВ, 7К11 (7К12) ≥ 70МэВ
7
ОКР «Магистраль 3М»
Разработка передатчика стандарта LVDS в микрокорпусе
для применения в составе
телекоммуникационных
систем, устойчивого к воздействию факторов космического
пространства
(прототип SN55LVDS31W
компании TI)
ИМС сверхбыстродействующего счетверенного линейного передатчика с дифференциальным
выходом стандарта LVDS. Интерфейсный передатчик последовательных данных предназначен для
применения в телекоммуникационных системах, соответствующих стандартам LVDS, с низкой рассеиваемой мощностью, трансляторах уровня, приемопередающих устройствах, чувствительных к
электромагнитному излучению, системах управления промышленными объектами специального
назначения. Микросхема счетверенного линейного передатчика с дифференциальным выходом
содержит четыре передатчика последовательных данных стандарта LVDS.
Напряжение питания – UCС= 3.3B  10 %
Статический ток потребления во включенном состоянии – не более 20мА
Статический ток потребления в выключенном состоянии – не более 1.0мА
Выходной ток короткого замыкания передатчика – не более 24мА
Рабочий диапазон температур – минус 60ºС ÷ +125ºС
2017
5119.16-А
2017
5119.16-А
2017
5123.28-А
Микросхема стойкая к воздействию специальных факторов 7.И, 7.С, 7.К.
Стойкость к СВВФ с характеристикой 7И6 – 5Ус; с характеристикой 7И7 – 0.2х5Ус
ОКР «Магистраль 4М»
Разработка приемника стандарта LVDS в микрокорпусе
для применения в составе телекоммуникационных систем,
устойчивого к воздействию
факторов космического пространства
(прототип SN55LVDS32W
компании TI)
ОКР «Магистраль 15М»
Разработка умножителя частоты в микрокорпусе для применения в составе телекоммуникационных систем, устойчивую к воздействию факторов
космического пространства
(прототип SN65LVDS150
компании TI)
ИМС сверхбыстродействующего счетверенного линейного приемника с дифференциальным входом
стандарта LVDS. Микросхема счетверенного линейного передатчика с дифференциальным выходом
содержит четыре передатчика последовательных данных стандарта LVDS.
Напряжение питания – UCС= 3.3B  10 %
Статический ток потребления во включенном состоянии – не более 18мА
Статический ток потребления в выключенном состоянии – не более 0.5мА
Выходной ток 3-го состояния приемника – не более 12мкА
Рабочий диапазон температур – минус 60ºС ÷ +125ºС
Микросхема стойкая к воздействию специальных факторов 7.И, 7.С, 7.К
Стойкость к СВВФ с характеристикой 7И6 – 5Ус; с характеристикой 7И7 – 0.2х5Ус
ИМС представляет собой умножитель частоты, генерирующий скоростной тактовый сигнал,
который используется для синхронизации передачи и приема данных.
Напряжение питания – UCС= 3.3B  10 %
Статический ток потребления во включенном состоянии – не более 70мА
Статический ток потребления в выключенном состоянии – не более 6.0мА
Выходной ток при выключенном питании – +5.0мкА
Рабочий диапазон температур – минус 60ºС ÷ +125ºС
Стойкость к ВВФ с характеристикой 7И6 – 5Ус; с характеристикой 7И7 – 0.2х5Ус
8
ОКР «Магистраль 16М»
Разработка параллельнопоследовательного преобразователя с передатчиком стандарта LVDS в микрокорпусе
для применения в составе телекоммуникационных систем,
устойчивую к воздействию
факторов космического пространства
(прототип SN65LVDS151
компании TI)
ОКР «Магистраль 17М»
Разработка приемника стандарта LVDS с последовательно-параллельным преобразователем в микрокорпусе для
применения в составе телекоммуникационных систем,
устойчивую к воздействию
факторов космического пространства
(прототип SN65LVDS152
компании TI)
ОКР «Каскад 1М»
Разработка интерфейсных
приемо-передатчиков манчестерского кода с напряжением
питания 5В в микрокорпусе
для применения в составе телекоммуникационных систем,
устойчивых к воздействию
факторов космического пространства
(прототип HI-1567, HI-1568)
ИМС представляет собой параллельно-последовательный преобразователь с передатчиком стандарта
LVDS, преобразующий 10-разрядный код с уровнями КМОП/ТТЛ параллельной шины в последовательную форму для передачи по одному высокоскоростному каналу LVDS.
Напряжение питания – UCС= 3.3B  10 %
Статический ток потребления во включенном состоянии – не более 30мА
Статический ток потребления в выключенном состоянии – не более 1.0 мА
Дифференциальное выходное напряжение передатчика – от 0.247В до 0.454В
Скорость передачи данных – 200.0 Мбит/с
Рабочий диапазон температур – минус 60ºС ÷ +125ºС
2017
5142.48-А
2017
5142.48-А
2017
5121.20-А
Микросхема стойкая к воздействию специальных факторов 7.И, 7.С, 7.К
Стойкость к СВВФ с характеристикой 7И6 – 5Ус; с характеристикой 7И7 – 0.2х5Ус
ИМС представляет собой приёмник стандарта LVDS с последовательно-параллельным преобразователем, принимающий последовательные сигналы LVDS и преобразующий их в 10-разрядный параллельный код.
Напряжение питания – UCС= 3.3B  10 %
Статический ток потребления во включенном состоянии – не более 25мА
Статический ток потребления в выключенном состоянии – не более 1.0мА
Входное минимальное дифференциальное пороговое напряжение приемника – +100.0мВ
Скорость передачи данных – 200Мбит/с
Рабочий диапазон температур – минус 60ºС ÷ +125ºС
Микросхема должна стойкая к воздействию специальных факторов 7.И, 7.С, 7.К
Стойкость к СВВФ с характеристикой 7И6 – 5Ус; с характеристикой 7И7 – 0.2х5Ус
Состав разрабатываемых ИМС:
- микросхема 1 (функциональный аналог HI-1567) представляет собой сдвоенный приемопередатчик
манчестерского кода с принудительной установкой выходов приемника в состояние логического «0»;
- микросхема 2 (функциональный аналог HI-1568) представляет собой сдвоенный приемопередатчик
манчестерского кода с принудительной установкой выходов приемника в состояние логической «1».
Напряжение питания – UCС= 5.0B  10 %
Ток потребления в режиме непрерывной передачи по одному каналу – не более 550мА
Рабочий диапазон температур – минус 60ºС ÷ +125ºС.
Микросхемы стойкие к воздействию специальных факторов 7.И, 7.С, 7.К.
Стойкость к СВВФ с характеристикой 7И6 – 5Ус; с характеристикой 7И7 – 0.2х5Ус
9
ОКР «Каскад 2М»
Разработка интерфейсных
приемо-передатчиков манчестерского кода с напряжением
питания 3В в микрокорпусе
для применения в составе телекоммуникационных систем,
устойчивых к воздействию
факторов космического пространства
(прототип HI-1573, HI-1574
компании HOLT)
Состав разрабатываемых ИМС:
- микросхема 1 (функциональный аналог HI-1573) представляет собой сдвоенный приемопередатчик
манчестерского кода с принудительной установкой выходов приемника в состояние логического «0»;
- микросхема 2 (функциональный аналог HI-1574) представляет собой сдвоенный приемопередатчик
манчестерского кода с принудительной установкой выходов приемника в состояние логической «1».
Напряжение питания – UCС= 3.3B  5 %
Ток потребления в режиме непрерывной передачи по одному каналу – не более500мА
Микросхемы устойчивы к воздействию статического электричества
Рабочий диапазон температур – минус 60ºС ÷ +125ºС
2017
5121.20-А
12.2014
4112.8-1.01
Микросхемы стойкие к воздействию специальных факторов 7.И, 7.С, 7.К
Стойкость к СВВФ с характеристикой 7И6 – 5Ус; с характеристикой 7И7 – 0.2х5Ус
ИМС датчиков физических величин
5019ЧТ1Т
ОКР «Дюна 16205»
Разработка микросхемы
программируемого цифрового
термометра с EEPROM и последовательным интерфейсом
(прототип DS1620 компании
Dallas Semiconductor)
ИМС программируемого цифрового термометра c EEPROM, функцией термостата и 1.75 МГц
трехпроводным последовательным интерфейсом.
Состав ИМС: датчик и АЦП температуры, блок 3-х проводного последовательного интерфейса, блок
управления и регистром конфигурации (EEPROM), регистры минимальной и максимальной
температуры (EEPROM), цифровой компаратор с выходным драйвером.
Напряжение питания - VDD = 2.7В ÷ 5.5В.
ИМС должна обеспечивать измерение температуры в диапазоне от минус 60 С до 125С с дискретностью 0.5С и разрешением 12 бит, выдачу результатов измерения в 9-ти битном цифровом коде.
Динамический ток потребления - IОCC ≤ 1000мкА
Статический ток потребления - ISTBY ≤ 1.5мкА
Количество циклов записи ЭСППЗУ - ≥ 50 000
Ошибка измерения температуры, С
при Та = 0С ÷ +70С, VDD=(3.0 ÷ 5.5)В – минус 0.5≤ TERR ≤ 0.5,
при Та = 0С ÷ +70С, VDD < 3.0В – минус 1.25≤ TERR ≤ 1.25,
при Та = –60С ÷ +125С – минус 2.0≤ TERR ≤ 2.0.
СВВФ: 7И1- 2Ус, 7И6- 2Ус, 7И7- 2Ус, 7.И8 - 0.02×1УС.
АЕЯР.431320.855-01 ТУ
10
ПЛИС и БМК
5577ХС3Т, 5577ХС2Т
ОКР «Серия Р»
Разработка специализированной серии однократно программируемых логических
схем на 2К и 8К вентилей,
устойчивых к СВВФ
(прототип RH1020, RH1280
компании Actel)
ИМС 5577ХС3Т имеет матрицу из 547 логических модулей, суммарная функциональная сложность
модулей - 2000 эквивалентных логических вентилей.
ИМС 5577ХС2Т имеет матрицу из 1232 логических модулей, суммарная функциональная сложность модулей - 8000 эквивалентных логических вентилей.
Встроенные средства диагностики в незапрограммированном состоянии.
Напряжение питания - UCC= 5.0В ± 10%.
Напряжение программирования не более 21В.
Рабочий температурный диапазон - от минус 60°С до плюс 125°С
12.2014
СВВФ: 7И1-3Ус, 7И6- 4Ус, 7И7-0.2×5Ус, 7.И8 - 0.02×1УС, 7С1-1Ус, 7С4 -1Ус, 7К1-0.5×2К, 7К4 - 0.5×1К
4226.108-2
(для 5577ХС3Т)
4234.156-1
(для 5577ХС2Т)
АЕЯР.431260.759-02 ТУ,
АЕЯР.431260.759-03 ТУ
1451БК2У
ОКР «Серия АЦ»
Аналогового-цифровой базовый матричный кристалл для
создания полузаказных ИМС
(косвенный прототип БМК
серии USI6000 компании
Universal Semiconductor, США)
ИМС для создания устойчивых к СВВФ полузаказных ИМС, в которых обработка аналоговых
сигналов производится с применением цифрового управления по алгоритму, заданному заказчикомпотребителем.
Состав ИМС:
- матрицы из аналоговых и цифровых компонентов;
- матрица из аналоговых компонентов будет содержать группы, объединяющие в себя наборы МОП-транзисторов,
резисторов и конденсаторов, позволяющие реализовать не менее 36 типовых операционных усилителей;
- матрица из цифровых компонентов будет позволять реализовать не менее 512 эквивалентных логических вентилей и не менее 64 двухтактных триггеров;
- универсальные буферные элементы типа вход-выход (I/O).
ИМС с масочным программированием на заводе изготовителе. Количество программируемых слоев
устанавливается в ходе ОКР, но не более четырех слоев.
ИМС будет поддерживать библиотеку функциональных элементов, реализуемую на компонентах аналоговой и
цифровой матриц. Библиотека функциональных элементов будет включать в себя различные виды генераторов
тока и напряжения, различные операционные усилители, компараторы, источники опорных напряжений, генераторы частоты, ЦАП и АЦП до четырех разрядов, НЧ-фильтры, логические вентили И-ИЛИ-НЕ в различных комбинациях и разрядностью до четырех переменных, RS- и D-триггера, двухтактные D-триггера.
Напряжение питания UCC=3.0В 15В.
Статический ток потребления ICC ≤ 5.0мА.
Рабочий температурный диапазон - от минус 60°С до плюс 125°С.
СВВФ: 7И1- 0.5х2Ус, 7И6- 2Ус, 7И7- 0.1×1Ус, 7И8- 0.002×1Ус, 7С1-1Ус, 7С4 -0.01×1Ус, 7К1- 0.1×1К,
7К4 - 0.005×1К.
АЕЯР.431260.841 ТУ
ОКР сдана
Направлены документы для
включения
ИМС в
«Перечень
МОП
44 001.02»
Н18.64-1В
Образцы
в наличии
11
ИМС силовой электроники
1345АП1Т, 1345АП2Т.
1345АП3Т, 1345АП4Т,
1345АП5Т, 1345АП6Т,
1345АП7Т, 1345АП8Т,
1345АП9Т, 1345АП10Т,
1345АП11Т, 1345АП12Т
ОКР «Диор 809»
Комплект ИМС супервизоров
для контроля питания
(прототипы MAX809, MAX810
компании MAXIM)
1554ЛН2У
ОКР «Генератор 2»
ИМС единичного инвертора
(прототип ТС7S04 компании
Toshiba)
ИМС супервизоров для контроля питания +2.5В, +3.0В, +3.3В и +5.0В с низким и высоким уровнями
сигнала сброса.
Работоспособность микросхем в диапазоне напряжений питания от 1.2В до 5.5В.
Рабочий температурный диапазон - от минус 60°С до плюс 125°С.
Ток потребления Iсс ≤ 100мкА.
Напряжение порога срабатывания UTH, В:
4.38≤ UTH ≤ 4.88;
4.14≤ UTH ≤ 4.58;
3.78≤ UTH ≤ 4.22;
2.90≤ UTH ≤ 3.25;
2.76≤ UTH ≤ 3.10;
2.48≤ UTH ≤ 2.78.
Время удержания сигнала RESET в активном состоянии при восстановлении питания
100мс ≤ tH ≤ 840мс.
СВВФ: 7И1- 2Ус, 7И6- 2×4Ус, 7И7- 2Ус, 7.И8-0.03×1Ус, 7С1-1Ус, 7С4 -0.2×1Ус, 7К1-0.05×1К,
7К4 -0.005×1К.
АЕЯР.431310.843 ТУ
ИМС содержит три последовательных инвертора
Напряжение питания UCC= 2.0В ÷ 6.0В.
Рабочий температурный диапазон - от минус 60°С до плюс 125°С.
ICC=4.0 мкА при Т=25С, ICC=80мкА при Т= минус 60С ÷ +125С.
Время задержки распространения при выключении – tPLH ≤ 10нс.
Время задержки распространения при включении – tPHL ≤ 9.0нс.
СВВФ: 7И1- 2Ус, 7И6- 2×5Ус, 7И7- 12×2Ус, 7.И8 – 0.02×1УС, 7С1-1Ус, 7С4 - 12×2Ус, 7К1-25×1К.
1344ЕН2.8У, 1344ЕН3У,
1344ЕН4У, 1344ЕН5У,
1344ЕН8У
ОКР «Генератор 4»
Серия ИМС стабилизаторов
напряжения для малогабаритных кварцевых генераторов
(прототипы ТК717ХХS
компании ТОКО, Япония)
АЕЯР.431200.182 ТУ,
АЕЯР.431200.182-17 ТУ
Серия ИМС стабилизаторов постоянного напряжения с UВЫХ, НОМ.= 2.8В/ 3.0В/ 4.0В/ 5.0В/ 8.0В.
UВХ=( UВЫХ, +1В) ÷ 14В.
Выходной ток IВЫХ ≤ 150мА.
Максимальное падение напряжения UПАД MIN = 330мВ.
Рабочий температурный диапазон - от минус 60°С до плюс 125°С.
СВВФ: 7И1- 0.5×2Ус, 7И6 -2Ус, 7И7-2.4× 4Ус, 7.И8-0.0012×1Ус, 7С1-2.6×1Ус, 7С4 – 1.2×1Ус,
7К1- 12×1К, 7К4 - 0.6×1К.
АЕЯР.431420.840 ТУ
4601.3-1
образцы в
наличии
ОКР сдана
Направлены документы для
включения
ИМС в
«Перечень
МОП
44 001.02»
5221.6-1
образцы в
наличии
5221.6-1
образцы в
наличии
12
1349ЕГ1У
ОКР «Дуга 01»
ИМС регулятора напряжения
отрицательной полярности
(прототип LM137 компании
National Semiconductor)
ИМС является регулируемым стабилизатором напряжения отрицательной полярности и предназначена для формирования отрицательного напряжения от минус 1.2В до минус 37В.
Разность входного и выходного напряжений (Uвх – Uвых) ≤ 40В.
Опорное напряжение (выходное напряжение), В - |-1.225|≤ Uоп ≤ |-1.275|.
Нестабильность по напряжению КU ≤ 0.02%/В.
Выходной ток IВЫХ ≤ 1.5А.
Нестабильность по току КI ≤ 0.33, %/А.
Рабочий температурный диапазон - от минус 60°С до плюс 125°С.
КТ-93-1
образцы в
наличии
СВВФ: 7И1-1Ус, 7И6- 2×2Ус, 7И7- 4Ус, 7.И8 - 0.0001×1УС, 7С1-1Ус, 7С4 - 0.5×1Ус, 7К1- 1К, 7К4 - 0.05×1К.
1342ЕН5Т
ОКР «Дот К»
ИМС микромощного
стабилизатора напряжения
(прототип ADM663A
компании Analog Devices)
АЕЯР.431420.865 ТУ
Входное напряжение UВХ = 6.0В ÷ 16В.
Выходное напряжение UВЫХ = 5.0В ± 2%.
Ток нагрузки 0.01…100 мА.
Ток потребления при отсутствии нагрузки ICC ≤ 6.0мкА.
Ток потребления при токе нагрузки 100мА – ICC ≤ 50мкА.
Температурны коэффициент выходного напряжения ±1 мВ/°С.
Рабочий температурный диапазон - от минус 60°С до плюс 125°С.
СВВФ: 7И1-1Ус, 7И6-3Ус, 7И7-7×1Ус, 7И8-0.0003×1Ус, 7С1-1Ус, 7С4 -0.07×1Ус, 7К1- 0.1х1К,
7К4 -0.005×1К.
1369ЕС014
ОКР «Дот 780»
ИМС малошумящего двухдиапазонного источника опорного
напряжения
(прототип AD780 компании
Analog Devices)
АЕЯР.431420.836 ТУ
Режим 2.5 В: выходное напряжение UВЫХ = (2.495 – 2.505) В при UВХ = (4.0 ÷ 36) В,
нестабильность по напряжению КU=4.0.• 10-4 %/В,
температурный коэффициент выходного напряжения άUвых =0.003%/°С.
Режим 3.0В: выходное напряжение UВЫХ = (2.995 – 3.005)В при UВХ = (4.5 ÷ 36) В,
нестабильность по напряжению КU=3.3 • 10-4 %/В,
температурный коэффициент выходного напряжения άUвых =0.003%/°С.
Ток потребления при последовательном включении – ICC ПОСЛ ≤ 1.5мА.
Ток потребления при параллельном включении – ICC ПАР ≤ 1.4мА.
Рабочий температурный диапазон - от минус 60°С до плюс 125°С.
СВВФ: 7И1- 1Ус, 7И6- 5×2Ус, 7И7- 1.3×1Ус, 7И8-0.0002×1Ус, 7С1- 1Ус, 7С4 - 0.01×1Ус, 7К1-0.05х1К,
7К4 - 0.005×1К.
АЕЯР.431420.973 ТУ
ОКР сдана
Направлены документы для
включения
ИМС в
«Перечень
МОП
44 001.02»
4601.3-1
4112.8-1.01
образцы в
наличии
13
Микросхемы стандартной логики
ОКР «Дельта МК»
Комплект (24 типономинала)
микросхем для космического
применения
(прототипы сер. 5584Т/АТ и
74VHCXX компании FSC)
ИМС стандартной логики ЛН1, ТЛ2, ЛА3, ЛЕ1, ЛИ1, ЛЛ1, ЛП5, ТМ2, КП11, ТМ9, ИЕ10, ИЕ7, ИД7,
ИД14, ИР8, АП3, АП5, АП6, АП7, ИР22, ИР23, ИР33, ИР35
Напряжение питания - Ucc = 2.0В ÷ 5.5В
Рабочий температурный диапазон - от минус 60С до плюс 125°С
СВВФ: 7И1-3Ус, 7И6-4Ус, 7И7-0.2×5Ус, 7.И8 - 0.02×1УС, 7С1-10×1Ус, 7С4-1Ус, 7К1- 5×1К,
7К4- 0.5×1К.
Сечение насыщения по ОС (σSI.ОС) – не более 1*10-4 см2
Тиристорные эффекты отсутствуют.
Пороговые линейные потери энергии для возникновения ОС (LTH.ОС) - 68 МэВ * см2/ мг.
Пороговые линейные потери энергии по ТЭ (LTH.ТЭ) не менее 68 МэВ * см2/ мг.
Сечение насыщения по ТЭ (σSI.ТЭ) – не более 5.3×10-3 см2.
АЕЯР.431200.209 ТУ
ОКР «Дельта МК»
Разработка ИМС двунаправленного мажоритарного
Элемента
5584ЛП1У
ИМС 5584ЛП1У мажоритарного магистрального двунаправленного элемента 2 из 3, являющегося
микросхемой сопряжения 3-х и 5-ти вольтовой логики (два источника питания) с функцией 8-ми разрядного мажоритарного двунаправленного магистрального элемента «2 из 3» и напряжением питания портов входа/выхода 3.3 В (порт А) и 5.0В (порт В) с тремя состояниями и схемой удержания
информации на выходе.
Ucc = 2.7В ÷ 5.5В
Рабочий температурный диапазон - от минус 60С до плюс 125°С
СВВФ: 7И1-3Ус, 7И6-2 × 5Ус, 7И7-0.9×5Ус, 7.И8 - 0.02×1УС, 7С1-10×1Ус, 7С4 - 4 × 1Ус, 7К1- 5×1К,
7К4 - 0.5×1К.
Сечение насыщения по ОС (σSI.ОС) – не более 0.3*10-4 см2
Тиристорные эффекты отсутствуют.
Пороговые линейные потери энергии для возникновения ОС (LTH.ОС) - 68 МэВ * см2/ мг.
Пороговые линейные потери энергии по ТЭ (LTH.ТЭ) не менее 68 МэВ * см2/ мг.
Сечение насыщения по ТЭ (σSI.ТЭ) – не более 15×10-3 см2.
АЕЯР.431200.209 ТУ
www.rccp.ru
Начальник управления маркетинга Коновалов Андрей Викторович
т/ф (+7 495) 781-21-82 (+375 17) 207-00-73 моб. т.( +375 25) 957-65-45 моб. т.(+7 909)643-92-29
E-mail:[email protected]
CLCC корпуса
5119.16-А
5121.20-А
ОКР сдана
Направлены документы для
включения
ИМС в
«Перечень
МОП
44 001.02»
образцы в
наличии
CLCC корпуса
5142.48-А
образцы в
наличии