Журнал «Известия вузов. Радиоэлектроника» Индекс по каталогу «Пресса России» 42183

Журнал «Известия вузов. Радиоэлектроника»
Индекс по каталогу «Пресса России» 42183
№ 3, 2012, Том 55, 6 статей.
Специальный выпуск «Проблемы радиолокации»
Журнал индексируется в международных базах:










SCOPUS
Google Scholar
OCLC
ВИНИТИ
РИНЦ
Academic OneFile
EI-Compendex
Gale
INSPEC
Summon by Serial Solutions
Информация представлена по следующему принципу (каждая статья с новой страницы):
1. страницы статьи с, по
2. УДК
3. ФИО авторов сокращенно
4. ФИО авторов полностью, если такая информация есть
5. ФИО авторов на английском
6. Название статьи на русском
7. Название статьи на английском
8. Название организации авторов
9. Аннотация на русском
10. Аннотация на английском
11. Ключевые слова
12. Список литературы статьи
3
18
УДК 519.2: 530.1: 600.1
Горбань И. И.
I. I. Gorban
Горбань Игорь Ильич
igor.gorban@yahoo.com
Gorban I. I.
Статистически неустойчивые процессы: связь с фликкер, неравновесными, фрактальными и
цветными шумами
Statistically Instable Processes: Connection with Flicker, Nonequilibrium, Fractal and Colored
Noise
99-114
DOI: 10.3103/S0735272712030016
Институт проблем математических машин и систем Национальной академии наук Украины,
Украина, Киев, 03187, пр-т Глушкова, 42
Institute of Mathematical Machines and Systems Problems of NAS of Ukraine (IMMSP NASU),
Kyiv, Ukraine
Институт проблем математических машин и систем Национальной академии наук Украины
Украина, Киев, 03187, пр-т Глушкова, 42
Institute of Mathematical Machines and Systems Problems of NAS of Ukraine
Kyiv, Ukraine
Поступила после переработки 10.03.2012
Received in final form March 10, 2012
Аннотация.
Получены аналитические выражения, связывающие параметры статистической
неустойчивости со спектром процесса. Показано, что статистическая устойчивость
определяется исключительно характером зависимости спектральной плотности мощности
процесса от частоты. Установлено, что статистически устойчивыми являются шумы с
нарастающей при повышении частоты интенсивностью, белый шум, а также равновесный
фликкер-шум, спектральная плотность мощности которого описывается зависимостью 1/f β,
где показатель формы спектра 0 < β < 1, и фрактальный гауссовский шум. Статистически
неустойчивыми являются неравновесные фликкер-шумы со спектральной плотностью
мощности 1/f β при β  1. Установлено, что статистически неустойчивыми процессами могут
быть не только нестационарные случайные и детерминированные процессы но и
стационарные процессы
Abstract.
Analytical expressions that link statistical instability parameters with process’s spectrum are
obtained. It is shown that statistical stability is determined solely by the character of spectral power
density dependence on frequency. It is revealed that statistically stable noises are those with rising
intensity when frequency is increased, white noise, and equilibrium flicker noise described by the
dependence 1/f β where the spectrum shape parameter is 0 < β < 1 as well as fractal Gaussian noise.
Statistically instable noises are nonequilibrium flicker noises with spectral power density 1/f β when
β  1. It is determined that not only random nonstationary and deterministic processes are
statistically instable as it was considered earlier, but stationary processes as well
Ключевые слова:
фликкер-шум, неравновесный шум, статистически неустойчивый процесс, фрактальный
процесс, теория гиперслучайных явлений, flicker noise, nonequilibrium noise, statistically
instable process, fractal process, theory of hyper-random phenomena
1. Горбань И. И. Теория гиперслучайных явлений / И. И. Горбань. — К. : ИПММС НАНУ,
2007. — 184 с. — Эл. версия: http://ifsc.ualr.edu/jdberleant/intprob/.
2. Горбань И. И. Теория гиперслучайных явлений: физические и математические основы / И.
И. Горбань. — К. : Наукова думка, 2011. — 318 с. — Эл. версия:
http://www.immsp.kiev.ua/perspages/gorban_i_i /index.html.
3. Gorban I. I. Disturbance of statistical stability / I. I. Gorban // Information Models of Knowledge.
— Sofia : ITHEA, 2010. — P. 398–410.
4. Ширяев А. Н. Основы стохастической финансовой математики : Т. 1 : Факты, модели / А.
Н. Ширяев. — М. : ФАЗИС, 1998. — 512 с.
5. Горбань И. И. Статистическая неустойчивость физических процессов / И. И. Горбань //
Радиоэлектроника. — 2011. — Т. 54, № 9. — С. 40–52. — (Известия вузов).
6. Schottky W. // Phys. Rev. — 1926. — Vol. 28. — P. 74.
7. Johnson J. B. // Phys. Rev. — 1925. — Vol. 26. — P. 71.
8. Коган Ш. М. Низкочастотный токовый шум со спектром типа 1/f в твердых телах / Ш. М.
Коган // Успехи физических наук. — 1985. — Т. 145, Вып. 2. — C. 285–325.
9. Жигальский Г. П. Неравновесный -шум в проводящих пленках и контактах / Г. П.
Жигальский // Успехи физических наук. — 2003. — Т. 173, № 5. — C. 465–490.
10. Климонтович Ю. Л. Введение в физику открытых систем / Ю. Л. Климонтович. — М. :
Янус-К, 2002. — 284 с.
11. Vеssоt R. F. С. Experimental Gravitation // Proc. of Int. School of Physics «Enrico Fermi».
Course 56. — N. Y. : Academic Press, 1974. — P. 111.
12. Gagnepain J. J. // Proc. of Symposium on 1/f Fluctuations / J. J. Gagnepain, J. Uebersfed ; ed. by
T. Musha. — Tokyo, 1977. — P. 173.
13. Кроновер Р. М. Фракталы и хаос в динамиченских системах. Основы теории / Р. М.
Кроновер. — М. : Постмаркет, 2000. — 349 с.
14. Mishura Y. Stochastic Calculus for Fractional Brownian Motion and Related Processes / Y.
Mishura. — Berlin Heidelberg : Springer–Verlag, 2008. — 393 p.
15. Wornell G. W. Fractal Signals. In: Digital Signal Processing / G. W. Wornell ; ed. by V. K.
Madisetti and D. B. Williams. — Boca Ration : CRC Press LLC, 1999.
19
28
УДК 621.372:621.391
Погрибной В. А.1,2
W. A. Pogribny1, 2
Погрибной Владимир Александрович
pohry@utp.edu.pl
Pogribny W. A.
Параллельная обработка одно- и двухмерных сигналов в смешанных форматах
1-D and 2-D Signals Parallel Processing in Mixed Formats
115-123
DOI: 10.3103/S0735272712030028
Поступила после переработки 23.02.2012
Received in final form February 23, 2012
Институт телекоммуникаций Технологически-естествоведческого университета (UTP),
Польша, Быдгощ 85–796, аллея Калискего 7
2
Университет Экономики,
Польша, Быдгощ 85–229, ул. Гарбары 2
1Institute of Telecommunications of The University of Technology and Life Sciences (UTP),
Bydgoszcz, Poland
2University of Economy, Bydgoszcz, Poland
1
Институт телекоммуникаций технологически-естествоведческого университета
Польша, Быдгощ, 85796, Алея проф. Калинского 7
Institute of Telecommunications of The University of Technology and Life Sciences
Bydgoszcz, Poland
Аннотация.
Представлены общие методы параллельной обработки одно- и двухмерных сигналов,
базирующиеся на функциональном преобразовании сигнала с использованием
соответствующих функций трансформации, например в ДПФ, преобразованиях Гильберта,
вейвлет и подобных. Предложены быстрые параллельные алгоритмы функционального
преобразования в полных (ИКМ–ИКМ) и смешанных (ИКМ–ИКМ или ДМ–ИКМ)
форматах. Последние получены на основании доказанных теорем. В режиме реального
времени и при одинаковой элементной базе предложенные алгоритмы обеспечивают более
широкую полосу обрабатываемых сигналов чем основанные на БПФ. Их быстродействие еще
более возрастает при замене умножений на одновременные сдвиговые операции. Даны
примеры использования разработанных методов в параллельных вычислительных структурах
Abstract.
Paper presents general methods of processing one- and two-dimensional signals that are based on
functional transform of signal using corresponding transformation functions, for example, as in
DFT, Hilbert transform,wavelet transform, etc. Fast parallel algorithms for such functional
transforms in complete (PCM-PCM) and mixed (PCM-PCM or DM-PCM) formats are suggested.
The latter ones are obtained using the proven theorems. In real-time mode and assuming the use of
the same element base the suggested algorithms provide wider bandwidth of processed signals
compared to those based on FFT. Their ability to provide results faster increases even more when
substituting multiplication for shift operations. Examples of using the developed methods in parallel
calculations structures are presented
Ключевые слова:
ЦОС, параллельный алгоритм, дельта-модуляция, DSP, parallel algorithm, delta–modulation
1. Корн Г. Справочник по математике для научных работников и инженеров / Г. Корн, Т.
Корн. — М. : Наука, 1970.
2. Стил Р. Принципы дельта-модуляции / Р. Стил. — М. : Связь, 1979.
3. Дельта-модуляция. Теория и применение / М. Д. Венедиктов, Б. П. Женевский, В. В.
Марков, Г. С. Эйдус. — М. : Связь, 1976.
4. Погрибной В. А. Дельта-модуляция в цифровой обработке сигналов / В. А. Погрибной. —
М. : Радио и связь, 1990.
5. Zrilic D. G. Circuits and Systems Based on Delta Modulation / D. G. Zrilic. — Berlin : Springer
Verlag, 2005.
6. Jayant N. S. On the Power Spectrum of the Staircase Function in Linear Delta Modulation / N. S.
Jayant // IEEE Trans. Acoust., Speech, Signal Process. — 1975. — Vol. ASSP–23, No. 2. — P.
162–168.
7. Liu B. Power Spectra of ADPCM / B. Liu and L. Goldstein // IEEE Trans. Acoust., Speech,
Signal Process. — 1977. — Vol. ASSP–25, No. 1. — P. 56–62.
8. Pogribny W. Parallel Computations in Mixed Formats / W. Pogribny and M. Drechny // Advances
in Computer Science and Technology : IASTED Int. Conf. ACST, 2007, Phuket, Thailand : proc. of
conf. — Phuket, 2007. — P. 287–292.
9. The Transforms and Applications Handbook / Ed. by A. D. Poularikas. — 2nd ed. — Boca Raton
: CRC Press LLC, 2000.
10. Pat. EP 2209071 A2. FFT–based parallel system with memory reuse scheme / S. Halvarsson. —
Pub. 2010.
11. Самарский А. А. Теория разностных схем / А. А. Самарский. — М. : Наука, 1989.
12. Hilbert–Huang Transform and Its Applications / Ed. by N. E. Huang and S. P. Shen. —
Singapore : World Scientific Publishing Co. Pte. Ltd., 2005.
13. Lyons R. G. Understanding Digital Signal Processing / R. G. Lyons. — Addison Wesley
Longman, Inc., 1997.
14. Погрибной В. А. Разностные алгоритмы цифровой обработки сигналов / В. А. Погрибной
// Радиоэлектроника. — 2010. — Т. 53, № 7. — C. 48–55. — (Известия вузов).
15. Pogribny W. Fast Operations with the Use of Differential Codes / W. Pogribny and M. Drechny
// Computer as a Tool : Int. Conf. IEEE EUROCON, 2007, Warsaw, Poland. — Proc. of conf. —
Warsaw, 2007. — P. 525–529.
16. Pogribny W. Speech processing with the usage of cosine transform on the basis of synthetic
DPCM / W. Pogribny and M. Drechny // Multimedia Signal Processing and Communications. —
48th Int. Symp. IEEE–ELMAR, 2006, Zadar, Croatia. — Proc. of conf. — Zadar, 2006. — P. 119–
122.
17. Pogribny W. Digital Filtration with Use of Synthetic DPCM / W. Pogribny, B. Marciniak, T.
Marciniak // Image and Signal Processing and Analysis. — 4th IEEE Int. Symp., 2005, Zagreb,
Croatia. — Proc. of conf. — Zagreb, 2005. — P. 430–433.
29
36
УДК 681.3.06
Мазурков М. И.
M. I. Mazurkov
Мазурков Михаил Иванович
victor@ospu.odessa.ua
Mazurkov M. I.
Регулярный метод синтеза подстановочных криптографических конструкций с
максимальным расстоянием нелинейности
Regular Method of Synthesis of Substitute Cryptographic Constructions with Maximum Distance of
Nonlinearity
124-130
DOI: 10.3103/S073527271203003X
Поступила в редакцию 06.12.2011
Received in final form December 6, 2011
Одесский национальный политехнический университет
Украина, Одесса, 65044, пр. Шевченко 1
Odessa National Polytechnic University
Odessa, Ukraine
Аннотация.
На основе операторов m-сдвига, циклического сдвига по времени, перестановки, и
циклического сдвига по частоте, предложен регулярный метод синтеза оптимальных
подстановочных криптографических конструкций — S-блоков подстановки, с максимальным
расстоянием нелинейности, и другими практически привлекательными криптографическими
свойствами
Abstract.
We propose a regular method of synthesis of optimal substitution cryptographic constructions — Sboxes, with a maximum distance of nonlinearity, and other cryptographic practically attractive
properties. The presented method based on the m–shift operators, permutations, cyclic time shift,
cyclic frequency shift
Ключевые слова:
шифрование, булевы функции, алгебраическая нормальная форма, аффинный код, расстояние
Хэмминга, m-сдвиг, циклический временной сдвиг, перестановка, циклический частотный
сдвиг, максиминный критерий оптимальности, encryption, Boolean functions, algebraic normal
form, affine codes, Hamming distance, m–shift, cyclic time shift, permutation, cyclic frequency
shift, maximin optimality criterion
1. Рябко Б. Я. Основы современной криптографии и стеганографии / Б. Я. Рябко, А. Н.
Фионов. — М. : Горячая линия–Телеком, 2010. — 232 с.
2. Скляр Б. Цифровая связь. Теоретические основы и практическое применение / Б. Скляр ;
пер. с англ. — Изд. 2-е, испр. — М. : Вильямс, 2003. — 1104 с.
3. Подстановочные конструкции современных симметричных блочных шифров / В. И.
Долгов, Р. В. Олейников, И. В. Лисицкая [и др.] // Радіоелектронні і компютерні системи. —
2009. — № 6. — С. 89–93.
4. Мазурков М. И. Трехуровневая криптографическая система блочного шифрования данных
/ М. И. Мазурков, В. Я. Чечельницкий., К. К. Некрасов // Радиоэлектроника. — 2010. — Т. 53,
№ 7. — C. 43–47. — (Известия вузов).
5. Трахтман А. М. Основы теории дискретных сигналов на конечных интервалах / А. М.
Трахтман, В. А. Трахтман. — М. : Сов. радио, 1975. — 208 с.
6. Мазурков М. И. Системы широкополосной радиосвязи : учебное пособие для студентов
высших учебных заведений / М. И. Мазурков. — Одесса : Наука и техника, 2010. — 340 с.
7. Блейхут Р. Теория и практика кодов, контролирующих ошибки / Р. Блейхут ; пер. с англ. —
М. : Мир, 1986. — 576 с.
8. Мазурков М. И. Быстрые ортогональные преобразования на основе совершенных
двоичных решеток / М. И. Мазурков, М. Ю. Герасименко // Радиоэлектроника. — 2006. — Т.
49, № 9. — С. 54–60. — (Известия вузов).
9. Мазурков М. И. Метод защиты информации на основе совершенных двоичных решеток /
М. И. Мазурков, В. Я. Чечельницкий, П. Мурр // Радиоэлектроника. — 2008. — Т. 51, № 11.
— C. 53–57. — (Известия вузов).
37
42
УДК 621.272.832.01
Гайдай Ю. А., Сидоренко В. С., Синькевич О. В.
Yu. A. Gayday, V. S. Sidorenko, and O. V. Sinkevych
Гайдай Ю. А.
Gayday Yu. A.
Сидоренко Владимир Семенович
Sidorenko V. S.
Синькевич Олег Владимирович
oleg.sinkevych@gmail.com
Sinkevych O. V.
Ближнеполевая СВЧ томография приповерхностного слоя диэлектриков
Near-Field Microwave Tomography of Subsurface Dielectric Layers
131-135
DOI: 10.3103/S0735272712030041
Поступила после переработки 27.02.2012
Received in final form February 27, 2012
Киевский национальный университет им. Т. Шевченко
Украина, Киев, 01601, ул. Владимирская, 64
Taras Shevchenko National University
Kyiv, Ukraine
Аннотация.
Предложен метод 3D визуализации структуры диэлектрических объектов с малыми потерями
на основе данных сканирования ближнеполевым СВЧ микроскопом. Теоретическая модель
подтверждена с помощью экспериментальных исследований ряда тестовых объектов.
Исследована возможность использования зондов со сложной геометрией для дефектоскопии
диэлектриков и анализа объемных неоднородностей
Abstract.
There is represented a method of 3D visualization of a structure of dielectric objects with small loss
on a basis of data, obtained by scanning with near-field microwave microscope. Theoretical model
was proven by means of experimental research of amount of test objects. We researched possibility
of probes with complex geometry application for defectoscopy of dielectric materials analysis of
volumetric non-uniformities
Ключевые слова:
томография, 3D визуализация, СВЧ томография, microwave tomography, 3D visualization
1. Through–wall and wall microwave tomography imaging / A. A. Vertiy, S. P. Gavrilov, V. N.
Stepanyuk, I. V. Voynovskyy // Antennas and Propagation Society Int. Symp. IEEE. — 2004. —
Vol. 3. — P. 3087–3090.
2. Quantitative imaging using a 2.45 GHz planar camera / T. Gunnarsson, N. Joachimowicz, A.
Diet, et al. // 5th World Congress on Industrial Process Tomography, 2007, Bergen, Norway. —
Bergen, 2007.
3. Jaworski A. J. Application of electrical capacitance tomography for measurement of gas–solid
flow characteristics in a pneumatic conveying system / A. J. Jaworski and T. Dyakowski // Meas.
Sci. Technol. — 2001. — No. 12. — Р. 1109–1119.
4. Rosner B. T. High–frequency near–field microscopy / B. T. Rosner, D. W. van der Weide // Rev.
Sci. Instr. — 2002. — Vol. 73, No. 7. — P. 2505–2522.
5. Гайкович К. П. Сканирующая ближнепольная электромагнитная томография / К. П.
Гайкович // Нано- и микросистемная техника. — 2007. — № 8. — C. 50–65.
6. Kanzow C. Levenberg–Marquardt methods for constrained nonlinear equations with strong local
convergence properties / C. Kanzow, N. Yamashita, and M. Fukushima // J. Comput. Appl. Math.
— 2004. — 172. — P. 375–397.
7. Ближньопольовий мікрохвильовий мікроскоп з активним зондом / Ю. О. Гайдай, В. С.
Сидоренко, О. В. Сінькевич, С. В. Кіпоть, В. Ореховський // Вісник Київського
Національного університету ім. Тараса Шевченка. Серія: Радіофізика та електроніка. —
2006. — Вип. 9.
43
47
УДК 53.082
Чирчик C. В.
S. V. Chyrchyk
Чирчик Сергей Васильевич
chyrchyk@ukr.net
Chyrchyk S. V.
Экспресс-метод определения рекомбинационных параметров в технологических пластинах
кремния
Express Method of Finding Recombination Parameters in Technological Silicon Plates
136-139
DOI: 10.3103/S0735272712030053
Поступила после переработки 01.03.2012
Received in final form March 1, 2012
Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева Национальной академии наук
Украины
Украина, Киев, 03028, пр-т Науки, 41
V. E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics of NAS of Ukraine
Kyiv, Ukraine
Аннотация.
В работе предложен метод определения рекомбинационных параметров из одного измерения
в пластинах Si, таких как скорость поверхностной рекомбинации, «эффективное» и
«объемное» время жизни носителей заряда. В основе метода лежит инжекция носителей
заряда путем импульсного засвечивания локальной области светом из области
фундаментального поглощения полупроводника и измерение временной зависимости
изменения концентрации неравновесных носителей заряда. Метод тестировался в
производственных условиях на технологических пластинах кремния и может использоваться
для качественного контроля в процессе изготовления солнечных элементов
Abstract.
In this paper a new method of finding recombination parameters, such as surface recombination rate,
«effective» and «bulk» lifetime of charge carriers, of a silicon plate based on only one measurement.
This method is grounded on injection of charge carriers by pulse illumination of a local region of
semiconductor’s fundamental absorption region with light and measuring the time dependence of
concentration of non-equilibrium charge carriers. The method is tested in manufacturing conditions
on technological silicon plates and may be used for quality control in manufacturing of solar
elements
Ключевые слова:
рекомбинационный параметр, поверхностная рекомбинация, пластина Si, recombination
parameter, surface recombination, silicon plate
1. Батавин В. В. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур / В.
В. Батавин, Ю. А. Концевой, Ю. В. Федорович. — М. : Радио и связь, 1985. — 264 с.
2. Зи С. М. Физика полупроводниковых приборов / С. М. Зи. — М. : Мир, 1973. — 656 с.
3. Kunst M. The study of charge carrier kinetics in semiconductors by microwave conductivity
measurements / M. Kunst and G. Beck // J. Appl. Phys. — 1986. — Vol. 60. — Р. 3558–3566.
4. Separation of bulk and surface components of recombination life time obtained with a single
laser/microwave photoconductance technique / A. Buczhowski, Z. J. Radzimski, G. A. Rozgonyi, F.
Shimura // J. Appl. Phys. — 1992. — Vol. 72. — Р. 2873–2877.
5. Surface recombination velocity of silicon wafers by photoluminescence / D. Baek, S. Rouvimov,
B. Kim, T.–C. Jo, D. K. Schroder // Appl. Phys. Lett. — 2005. — Vol. 86. — P. 112110–112118.
6. Пат. № 15589 Украина. Бесконтактный способ определения рекомбинационных
параметров в полупроводниках при повышенных температурах / В. К. Малютенко, С. В.
Чирчик // Промышленная собственность. — 2006. — № 7. — С. 4.
7. Чирчик С. В. Бесконтактный способ измерения рекомбинационных параметров носителей
заряда в полупроводниках / С. В. Чирчик // Наукові вісті НТУУ КПІ. — 2009. — № 6. — С.
10–16.
8. A Review of Some Charge Transport Properties of Silicon / C. Jacoboni, C. Canali, G. Ottaviani,
A. А. Quaranta // Solid State Electron. — 1977. — Vol. 20. — Р. 77–85.
9. Файнштейн С. М. Обработка поверхности полупроводниковых приборов / С.
М. Файнштейн. — М. : Радио и связь, 1966. — 225 с.
10. Rajkanan K. Absorption coefficient of silicon for solar sell / K. Rajkanan, R. Singh, J. Shewchun
// Solid State Electron. — 1979. — Vol. 22, No. 9. — С. 793–799.
11. Philipp H. R. Optical Constant of Silicon in the Region 1 to 10 eV / H. R. Philipp and E. A. Taft
// Physical Review. — 1960. — 120, No. 1. — Р. 37–38.
12. Malyutenko V. Surface recombination velocity in Si wafers by photoinduced thermal emission /
V. Malyutenko and S. Chyrchyk // Appl. Phys. Lett. — 2006. — Vol. 89. — P. 051909–051915.
48
56
УДК 621.396.6.004:004.942
Шило Г. Н.
G. N. Shilo
Шило Галина Николаевна
gshilo@zntu.edu.ua
Shilo G. N.
Назначение нормальных допусков с учетом ценовых характеристик электрорадиоэлементов
Normal Tolerance Assigning by Given Price Characteristics of Radio Components
140-148
DOI: 10.3103/S0735272712030065
Поступила после переработки 01.03.2012
Received in final form March 1, 2012
Запорожский национальный технический университет
Украина, Запорожье
Zaporizhzhya National Technical University
Zaporizhzhya, Ukraine
Аннотация.
Получены оптимальные соотношения для назначения допусков на параметры
электрорадиоэлементов в стратегиях минимальной стоимости и минимального отношения
цена/качество. Учитываются ценовые характеристики каждого электрорадиоэлемента.
Допуски определены при нормальном законе распределения параметров. Проведен
сравнительный анализ параметров допускового проектирования для различных стратегий
назначения допусков
Abstract.
Optimal ratios for assigning tolerances of radio components’ parameters in minimal sot and minimal
price-to-quality strategies are obtained. Price characteristics of each radio component are taken into
consideration. Tolerances are determined for the normal distribution law of parameters.
Comparative analysis of tolerance design parameters for various strategies of tolerance assignment
is conducted
Ключевые слова:
электрорадиоэлемент, параметр допускового проектирования, стратегия назначения
допусков, закон распределения параметров, radio component, tolerance assignment
1. Шило Г. Н. Расчет и назначение допусков методом касательных / Г. Н. Шило, А.
Ю. Воропай, Н. П. Гапоненко // Радиоэлектроника. — 2006. — Т. 49, № 2. — С. 43–53. —
(Известия вузов).
2. Шило Г. Н. Геометрические методы назначения допусков // Проблемы управления и
информатики. — 2007. — № 2. — С. 118–126.
3. Михайлов А. В. Эксплуатационные допуски и надежность в радиоэлектронной аппаратуре
/ А. В. Михайлов. — М. : Сов. радио, 1970. — 215 с.
4. Фридлендер И. Г. Расчеты точности машин при проектировании / И. Г. Фридлендер. —
Киев–Донецк : Высшая школа, 1980. — 184 с.
5. Шило Г. Н. Выбор параметров элементов с учетом внешних воздействий при нормальном
законе распределения / Г. Н. Шило, А. Д. Коваленко, Н. П. Гапоненко // Прикладная
радиоэлектроника. — 2010. — Т. 9, № 2. — С. 254–259.
6. Черноусько Ф. Л. Оценивание фазового состояния динамических систем. Метод
эллипсоидов / Ф. Л. Черноусько. — М. : Наука, 1988. — 320 с.
7. Джонсон Д. Справочник по активным фильтрам / Д. Джонсон, Дж. Джонсон, Г. Мур ; пер.
с англ. под ред. И. Н. Теплюка. — М. : Энергоатомиздат, 1983. — 128 с.