Требования к тезисам - Стандартные образцы в измерениях и

II-я МЕЖДУНАРОДНАЯ
НАУЧНАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ
СТАНДАРТНЫЕ ОБРАЗЦЫ
В ИЗМЕРЕНИЯХ И ТЕХНОЛОГИЯХ
14 –18 сентября 2015 г.
Екатеринбург, Россия
[email protected]
ТРЕБОВАНИЯ К ОФОРМЛЕНИЮ ТЕЗИСОВ ДОКЛАДОВ
УСЛОВИЯ ОПУБЛИКОВАНИЯ:
 Соответствовать правилам оформления.
ПРАВИЛА ОФОРМЛЕНИЯ:
 Название файла должно содержать фамилию первого автора, например: Petrov_tez.doc
 Тезисы доклада (Статья) оформляются на русском и английском языках.
 Объем – не должен превышать 5 страниц формата А4;
 Нумерация страниц обязательна;
 Ссылки на литературу приводятся в тексте в квадратных скобках;
 В
конце статьи помещается Список использованной литературы, оформленный в
соответствии ГОСТ Р 7.0.5 2008 «Библиографическая ссылка»; (Рекомендации оформления
списка литературы размещены на сайте журнала «Стандартные образцы» http: rmjournal.ru)
 Текст статьи должен быть тщательно вычитан и подписан автором, который несет
ответственность за научно-теоретический уровень публикуемого материала;
 Статья представляется в оркомитет конференции в бумажном виде и на электронном
носителе (по e-mail) в формате Microsoft Word. Бумажный вариант должен полностью
соответствовать электронному.
 При наборе статьи рекомендуется учитывать следующее:
Поля верхнее 2 см, левое 2,2 см, правое 1,5 см; нижнее 1,7 см, текст выровнен по ширине.
Шрифт: гарнитура – «Times New Roman», кегль – 12 (в рисунках, таблицах, литературе кегль 10), цвет – черный. Иллюстрации, графики и диаграммы должны быть размещены по тексту и
иметь подрисуночные подписи. Все буквенные обозначения, приведенные на рисунках,
пояснять в основном или подрисуночном тексте.
Абзац: первая строка – отступ 1 см, междустрочный интервал – 1,15.
СОПРОВОДИТЕЛЬНЫЕ ДОКУМЕНТЫ:
Экспертное заключение подписанное руководителем организации.
Тезисы докладов принимаются до 15 июня 2015 г.
в электронном виде по адресу
[email protected]
Пример
ГСО УДЕЛЬНОГО ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ
МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ — СОСТОЯНИЕ И ПЕРСПЕКТИВЫ
Кобелева С.П.1,Терентьев Г.И.2, Холодный Л.П.3
Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
119049, Россия, г. Москва, Ленинский пр., д. 4
тел: + 7 495 638-45-60 е-mail: [email protected]
1
ФГУП УНИИМ, 109017, Россия, г. Екатеринбург, 620000, Екатеринбург,
ул. Красноармейская, 4., [email protected]
2
ОАО «ГИРЕДМЕТ», 109017, Россия, г. Москва, Б. Толмачевский пер., д.5.
3
Полупроводниковые материалы, приборы и интегральные схемы на их основе без
преувеличения изменили за последние 50 лет жизнь всего человечества. Современное
поколение учащихся и работающих людей не представляет себе жизнь без многочисленных
гаджетов, основной частью которых являются полупроводниковые микросхемы. Удельная
электропроводность полупроводников () сильно зависит от температуры, а при комнатной
температуре (Тк) может меняться на десятки порядков в зависимости от химического состава
и кристаллического совершенства. Так,  монокристаллического кремния при Тк изменяется
от 250 К Ом см до 0,001 Ом см. Для разных целей требуются полупроводники с разным 
.Поэтому этот параметр является важнейшим и определяет марку полупроводникового
материала. Так, марки основного на сегодняшний день полупроводникового материала —
кремния, помимо типа электропроводности (электронный, дырочный) и типа введенной
примеси содержит значение  при температуре 23 C [1].
…………………………..
Таблица № 1
Обеспеченность стандартами четырехзондовых измерений
СЛИТОК
ПЛАСТИНА
SEMI
MF 43
MF 84, MF 81
РФ
ГОСТ 24392-80, ГОСТ
19658-81
-
СЛОЙ
диффузионный, эпитаксиальный,
имплантированный
MF 374
MF 1527
-
…………………………
ЛИТЕРАТУРА
[1] ГОСТ 19658 Кремний монокристаллический в слитках. – М: Издательство стандартов, 1990, с.69
[2] ГОСТ 24392-80 Кремний и германий монокристаллические. Измерение удельного электрического
сопротивления четырех зондовым методом ИПК. – М: Издательство стандартов, 2001, 7с.
[3] ASTM F-43-94. «Test Methods for Resistivity of Semiconductor Materials» Annual Book of ASTM Standard,
V.10.05.
2
RESISTIVITY REFERENCE MATERIALS — STATE OF ART AND FUTURE
Kobeleva S.P.1, Terentiev G.I.2, Kholodniy L.P.3
1
National University of Science and Technology «MISIS»
119049, Russian Federation, Moscow, Leninsky pr., 4
tel: + 7 495 638-45-60 е-mail: [email protected]
2
FGUP «UNIIM», 620000, Russia, Ekaterinburg, Krasnoarmeiskaya st.r., 4, [email protected]
3
JSC «Giredmet», 109017, Russia, Moscow, Bolshoy Tolmachevsky per., 5.
Semiconductor materials, devices and chips change very much human life for the last 50 years. We
can not imagine a life without numerous gadgets based on the semiconductor chips. Resistivity of
semiconductors () dramatically depend on temperature. It can vary by tens of orders at room temperature
(ТR) when both chemical composition ore crystal perfection changes. For example  silicon single crystals
(SSC) at ТR changes from 250000 to 0,001 Ohm cm. For different purposes requires semiconductors with
different . Therefore, this parameter is the most important for qualification of semiconductor material.
Certificate of SSC must include resistivity measured at 23 C [1-5].
…………………….
Table 1 - Standards for resistivity measurement by in-line four probe method
SEMI
INGOT
WAFER
MF 43
MF 84, MF 81
LAYER
diffusion, epitaxy, implanted
MF 374
MF 1527
Russia
ГОСТ 24392-80,
ГОСТ 19658-81
-
-
……………….
REFERENCES
[1] ГОСТ 19658 Ingots of Silicon single crystals. Moscow 1990.
[2] ГОСТ 24392-80 Silicon and Germanium single crystals.. Four probe measurement of resistivity. Moscow 2001.
[3] ASTM F-43-94. «Test Methods for Resistivity of Semiconductor Materials.» Annual Book of ASTM Standard,
V.10.05.
3