Èíôîðìàöèîííûé áþëëåòåíü Контрактные проекты.
реклама
Èíôîðìàöèîííûé áþëëåòåíü ÏÀÑ íàíîñòðóêòóðû ñâåðõïðîâîäíèêè ôóëëåðåíû http://perst.isssph.kiae.ru 15 апреля 1998ã. Òîì 6, âûïóñê 7 Â ýòîì âûïóñêå: ПРОГНОЗЫ Контрактные проекты. Прошедшее, настоящее и есть ли будущее Два года назад Миннауки провело первый конкурс-тендер в области научного приборостроения по своим специальным заданиям. В конце декабря прошедшего года объявлены исполнители второго конкурса-тендера. С вопросом о том, как формируются эти специальные задания, чем отличаются проекты, выполняемые по специальным заданиям от традиционных проектов по программам Миннауки, а также каковы итоги и перспективы этих конкурсов, ПерсТ обратился к первому заместителю министра науки Геннадию Викторовичу Козлову. ПерсТ. С какой целью проводятся конкурсы по специальным заданиям Миннауки? Г.В.К. Стратегическая цель – повысить эффективность использования результатов научных исследований. Пути же достижения этой цели – различные. Один из них – развитие инновационной инфраструктуры. Этот путь успешно применяется в большинстве технически развитых стран мира. И опять же мировой опыт подсказывает нам, что наиболее быстрый и наиболее дешевый путь насыщения рынка наукоемкой продукцией проходит через создание малых инновационных фирм. Россия также пошла по этому пути, и 50 тысяч малых предприятий по выпуску наукоемкой продукции, действующих в России сегодня, - подтверждение бесспорности уже состоявшегося факта. ПерсТ. Миннауки причастно к созданию этих малых предприятий? Г.В.К. Да, и не в последнюю очередь. Миннауки выбрало два варианта поддержки малых предприятий. Один – прямой, заключающийся в правовой и чисто организационной поддержке малых предприятий, рожденных инициативой снизу. В этом варианте весь риск, связанный с выживанием в условиях рынка, лежит на самих предприятиях. Миннауки же старается создать условия, в которых малым фирмам было бы чуть полегче жить. Например, помогает им сгруппироваться в опустевших зданиях институтов и заводов для достижения некоторой жизнеспособной критической массы. При такой группировке они могут создавать эффективные единые информационные и маркетинговые службы, иметь помещения, защищенные от, увы! все еще существующего рэкета. С этой целью Миннауки при содействии региональных органов управления создает инновационные технологические центры. На сегодняшний день только за счет федеральных средств создано 18 таких центров. По аналогии с ними формируются центры и региональными администрациями. Второй вариант (и он ближе к теме нашей сегодняшней беседы) – это определение приоритетов научно-технического развития и формирования разработок по специаль- È äàëåå ... СВЕРХПРОВОДНИКИ 2 Изотоп-эффект "спиновой щели" в ВТСП! 3 Сверхпроводимость в системе Cs-Sr-Bi-Pb-O Корреляция между Tc и изгибом слоев CuO2 в ВТСП 4 Сверхпроводники для большого адронного коллайдера МИКРОТЕХНОЛОГИИ 4 Угроза фоновой радиации для микрочипов Путешествуя по карте Nanoelectronics Roadmap ВЕСТИ С КОНФЕРЕНЦИЙ 5 Нанофотоника’99: Лазер Андронова на эффекте Ганна Семинар ФТИАН: О квантовых компьютерах и телепортации КОНФЕРЕНЦИИ 6 8-12 September 1999. Casta Papiernicka, Slovak Rep. WWS'99 20-25 September 1999. Kharkov, Ukraine. 4-th International Symposi-um on Diamond and Related Films 25 - 30 сентября 1999. г.Галле, Германия. "Новые методы в электронной микроскопии для материаловедения" НОВОСТИ ФИЗИКИ В БАНКЕ ПРЕПРИНТОВ ным заданиям Миннауки. В этом варианте продвигается как наукоемкая продукция с рыночным спросом, так и важная, например, для безопасности страны и людей, а также для решения социальных задач. При этом ответственность за будущую реализацию продукции ложится и на плечи заказчика, в данном случае на Миннауки. ПерсТ. И каким же образом выбираются эти задания? Существует ли надежная методика их отбора? Г.В.К. Первый и главный метод – это ориентация на упомянутые приоритеты, второй был отработан при проведении нашего первого тендера, в 1996 году. Тогда по конкурсу было отобрано всего 5 заданий. Именно их успешный финиш подтолкнул Миннауки на финансирование уже 36 разработок в рамках нового конкурса (1998 года). Применяемая методика предполагает два этапа конкурса. Первый этап – конкурс заданий, а второй – конкурс исполнителей этих заданий. Заявки на темы (задания) конкурса принимаются через соответствующие Управления Миннауки, связанные с множеством предприятий и организаций в курируемой ими области исследований. По каждому из этапов формируется своя Экспертная комиссия. Уверяю вас, дискуссии на заседаниях комиссии бывают исключительно бурными и подчас даже жесткими. Конкуренция огромна. Так, на текущий конкурс было подано 450 тем-заявок, а по результатам выбрано только 36 тем (менее 10%). Затем не менее напряженный конкурс был проведен и среди исполнителей (подано 150 проектов, отобрано 36 – по числу заданий). Каждый из принятых к финансированию проектов предполагает продвижение разработки до промышленного образца в течение 2-х лет. ПерсТ. Борис Симонов, генеральный директор НП “Инновационное Агентство”, пропагандирует формулу “1-10-100”, отражающую соотношение необходимых инвестиций, соответственно, для “исследований - создания инновационного продукта - промышленного освоения”. Если следовать этой формуле, то финансирование проектов по вашим заданиям должно быть значительно выше, чем традиционно принято для рядовых проектов ГНТП. Так ли это? Г.В.К. Да, так. Если вернуться к проектам тендера по научному приборостроению 1998 года, то по каждому проекту будет выделено порядка 1.5млн. руб. на два года. ПерсТ. Да, это значительные суммы на фоне, например, 75-100 тысяч руб., среднего денежного веса проектов прошлого года по поисковым исследованиям. Какие же конкретные результаты можно получить при указанных Вами суммах 2 1999, том 6, выпуск 7 финансирования? Можно ли это проиллюстрировать на конкретных примерах уже законченных проектов первого тендера? Г.В.К. Возьмем три примера из первого тендера. Противогриппозная вакцина “гриппол” иммунного характера (кстати, при испытаниях выяснилось также, что она одновременно является и первой в мире вакциной против острых респираторных заболеваний!) принята для производства на Уфимском фармакологическом заводе. При дополнительном вложении на закупку сертифицированной технологической линии (стоимостью 25 млн. долл.) окупаемость затрат может быть достигнута за 1-1.5 года, благодаря невысокой себестоимости вакцины и высокому спросу на нее. Одним из итогов проекта мембранного комплекса по очистке сточных вод стало соглашение с администрацией Саратова о внедрении комплекса на отдельных участках Волги. По проекту ультравысоковакуумного низкотемпературного СТМ была разработана конструкция с регулируемой температурой (от сотен мК) сканирующего туннельного микроскопа, изготовлены и прошли испытание два образца микроскопа (один установлен в ИФТТ РАН в Черноголовке, другой – в НИИФП в Зеленограде), подготовлена документация на изготовление серии таких микроскопов. Но, возможно, не менее важный результат проекта – зеленоградская фирма НТ-МДТ (директор – Виктор Быков), выполняющая этот проект, вышла и активно действует на мировом, бурно растущем рынке СТМ. СВЕРХПРОВОДНИКИ Изотоп-эффект "спиновой щели" в ВТСП! Есть надежда, что скоро будет поставлена точка в затянувшихся дебатах относительно природы псевдощели в нормальной фазе недодопиpованных ВТСП купратов. В лаборатории профессора D.Brinkmann'a (Universitat Zurich) интернациональный коллектив физиков провел прецизионные измерения изотопического эффекта "спиновой щели" в YBa2Cu4O8 [1]. Y-124 - идеальное соединение для проведения измерений изотопического эффекта из-за четко определяемой стехиометрии по кислороду и пренебрежимо малой диффузии кислорода. Измерялись спин-решеточная релаксация 63Cu ЯМР методом и намагниченность с использованием сквид-магнитометра. Оказалось, что температура "спиновой щели" - Т*, примерно равная 150К в этом кристалле, так же как и температура сверхпроводящего перехода Тс=81К, изменяются пpи замене 16 O на 18O. Следовательно, "спиновая щель" не может быть связана только со спиновыми степенями свободы. Этот же эффект подтвердила и группа из Victoria University of Wellington (Новая Зеландия) [3], которая предварительно сообщала отрицатель- ПерсТ, ный результат [2]. Согласно их последним измерениям [3] изотоп-эффект на температурной зависимости ядерной релаксации действительно существует, причем в [3], он отмечен лишь при температурах ниже 180К. М. Еремин 1. 2. 3. F.Raffa, et al., Phys. Rev.Lett, 1998, 81(26) p.5912 G.V.M.Williams et al., Phys.Rev. Lett. 1998, 80, p.377 J. Tallon, et. al. http://xxx.lanl.gov/abs/cond-matt/990280 Сверхпроводимость в системе Cs-Sr-Bi-Pb-O В Австралии (Australian Technology Park) синтезированы новые безмедные сверхпроводящие оксиды со структурой перовскита [T.P.Beales, Solid State Commun. 106 (1998) 673]. Критические температуры поликристаллических образцов с номинальными составами (Ba,Cs)(Bi0.25Pb0.75)O3 и (Sr,Cs)(Bi0.25Pb0.75)O3 оказались равными 9К и 7.5К соответственно. Сверхпроводящие свойства очень чувствительны к атмосферам синтеза и отжига, что говорит о существенной роли кислородной стехиометрии для сверхпроводимости. Корреляция между критической температурой и изгибом слоев CuO2 в ВТСП Известно много сверхпроводников, в которых структурная неустойчивость препятствует повышению критической температуры Tc за счет химического замещения. Например, в фазах Шевреля MMo6S8 попытка увеличить Tc путем изменения радиуса ионов M приводит к структурному переходу, в результате которого на уровне Ферми открывается диэлектрическая щель и пропадают не только сверхпроводящие свойства, но и металлические. Аналогично, уменьшение содержания калия в сверхпроводнике Ba1-xKxBiO3 с целью повышения Tc ведет к понижению симметрии структуры и переходу в несверхпроводящую фазу. Стандартное (основанное на модели БКШ) объяснение этим козням природы таково: рост Tc обусловлен приближением уровня Ферми к пику плотности электронных состояний N(E), а для структуры это энергетически невыгодно, поэтому она и претерпевает фазовый переход, подавляющий сверхпроводимость. В совместной работе группы ученых из Argonne National Laboratory (США), Technion (Израиль) и Ben Gurion University (Израиль) исследовалась взаимосвязь сверхпроводящих и структурных характеристик купратных ВТСП [O.Chmais-sem et al., Nature 397, 45 (1999)]. При этом основное внимание уделялось не таким хорошо изученным явлениям как, например, изменение параметра орторомбичности и переход из орторомбической в тетрагональную фазу при допировании, а довольно-таки "тонкому" структурному нюансу, которому раньше не придавалось особого значе- ПерсТ, 1999, том 6, выпуск 7 3 ния: "изгибу" (buckling'у) проводящих слоев CuO2. Такой изгиб образуется в результате смещения атомов кислорода из слоев CuO2 в перпендикулярном направлении. Это смещение невелико (порядка 0.1Ǻ), однако приводит, строго говоря, к нарушению двумерности слоев CuO2. Авторы немногочисленных работ по исследованию корреляции Tc и buckling'а пришли к единому мнению, что увеличение изгиба ведет к понижению Tc. Однако этот вывод основан исключительно на экспериментах с ВТСП, имеющими одинаковый ("оптимальный") уровень допирования, но относящимися к разным семействам. При этом действительно оказывается, что Tc максимальна в тех системах, где buckling минимален. Однако наибольший интерес представляет другой подход: изучение взаимосвязи Tc и buckling'а в одном и том же ВТСП при изменении допирования (то есть фактически при изменении концентрации носителей заряда). Именно такой эксперимент и был поставлен в работе, о которой идет речь. Ее авторы выбрали для этой цели ВТСП (La1-xCax)(Ba1.75-xLa0.25+x)Cu3Oy. При 0<x<0.4 это соединение является практически однофазным и допускает изменение содержания кислорода в очень широких пределах - вплоть до y=7.3. Величина Tc образцов с различными x и y варьируется от нуля до 80К, причем даже при очень низкой Tc10К ширина сверхпроводящего перехода составляет всего несколько кельвин, что свидетельствует о высоком качестве образцов и однофазности их структуры. Результат оказался противоположным тому, который можно было бы ожидать из аналогии с уже известными данными. Было установлено, что при x=const зависимости Tc и угла buckling'а (определяемого как угол наклона связи Cu-O к плоскости CuO2) от содержания кислорода y (то есть от концентрации носителей) имеют одинаковую колоколообразную форму и достигают максимума при одной и той же величине y=7.15 (в максимуме Tcmax=50К при x=0.1 и 80К при x=0.4, тогда как max=6.3 при x=0.1 и 5 при x=0.4). Полученные результаты однозначно указывают на то, что сверхпроводящий и структурный отклики на изменение уровня допирования имеют общую природу. Интересно, что данные предыдущих работ при этом не опровергнуты: при фиксированном ("оптимальном") допировании величина Tc действительно тем больше, чем слабее buckling. В качестве возможного объяснения обнаруженной корреляции между Tc и buckling'ом сами авторы предлагают уже упоминавшуюся выше концепцию пика плотности электронных состояний N(E): по мере приближения степени допирования к оптимальной величине плотность состояний на уровне Ферми растет, в результате чего Tc увеличивается; изгиб же слоев CuO2 (а именно они дают основной вклад в N(E)) стремится так видоизменить поверхность Ферми, чтобы понизить и/или уширить пик N(E) и понизить тем самым полную свободную энергию системы. Отличие от "обычных" сверхпроводников состоит в том, что сверхпроводимость "побеждает" структурную неустойчивость, и поэтому переход в диэлектрическую фазу не происходит (хотя если бы можно было "руками" воспрепятствовать buckling'у, то максимальная Tc была бы существенно выше!). Если гипотеза о близости энергии Ферми к пику N(E) как причине высоких Tc в ВТСП верна (она, кстати, периодически "открывается и закрывается" начиная еще с 1986 года), это может существенно скорректировать движение физиков к построению теории высокотемпературной сверхпроводимости. Свою роль в этой теории должны сыграть расчеты электронной структуры, которые, для (La1-xCax)(Ba1.75-xLa0.25+x)Cu3Oy пока не проводились. Л.Опенов Сверхпроводники для большого адронного коллайдера Строительство нового ускорителя, LHC, в ЦЕРН’е способно поглотить значительное количество сверхпроводящих материалов (и НТСП, и ВТСП) и тем способствовать прогрессу сильноточной сверхпроводимости. Судите сами. Для планируемых 1232 сверхпроводящих магнитов дипольного типа потребуется 13800км кабеля на основе сплава NbTi. С учетом листового сверхпроводящего ниобия для ВЧ резонаторов объем закупок сверхпроводящего материала составит 45 млн. долл. К производству сверхпроводящего материала привлечены фирмы Altshom (Франция), Vacuumschmelze (Германия), Europa Metalli (Италия), Furukawa (Япония), IGC (США). Обойденная Россия (хотя потенциал в производстве этих материалов у нас действительно велик!) все же отыграется на поставках сверхпроводящих токовводов (пока не подтвержденное частное сообщение), оборудования для вывода запасенной энергии при переходе СП-обмотки в нормальное состояние (ИФВЭ, Серпухов) и готовых теплых магнитов (ИЯФ, Новосибирск). CERN Courier, 1999, 39(1), p.11 МИКРОТЕХНОЛОГИИ Угроза фоновой радиации для микрочипов Если изготовители следующего поколения микрочипов не уделят должного внимания растущей угрозе в виде фоновой радиации, то компьютерные системы, контролирующие критические моменты в авиационных узлах и системах, могут в один несчастливый день неожиданно отказать. 4 1999, том 6, выпуск 7 Специалисты Texas Instruments, Intel (США) и STMicroelectronics (Франция) поделились своей тревогой на International Test Conference (октябрь 1988): природные излучения -частиц и нейтронов могут стать разрушителями информации, хранимой в новых поколениях ЗУ и микропроцессорах, изготовленных по 0.18мкм технологии. Чем меньше размеры транзистора, тем меньше величина электрического заряда, необходимого для записи бита информации. Вследствие этого каждый бит становится более чувствительным к помехам со стороны радиации. А авиационный бит, находящийся на высоте 9000м, наиболее уязвим, так как на этой нормальной для полетов высоте уровень космического излучения в 1000 раз выше, чем на уровне моря. Движущиеся с большой скоростью нейтроны могут выбивать в транзисторе электроны с их оболочек. Накапливаясь в кристаллических решетках, электроны образуют заряд, способный исказить информацию. Простое изготовление защитного барьера от -частиц вокруг кристаллов ничего не даст, так как основной поток их идет от самих корпусных материалов, а чтобы остановить нейтрон потребуется бетонная защита толщиной до 3м. Пока остается одно решение (и оно исследуется) - это удвоить число транзисторов, участвующих в хранении одного бита и втиснуть их на свободные места на кристалле. Но какова будет стоимость такого кристалла, если в нем полезно трудится только половина транзисторов, а другая половина пребывает в резерве, чтобы дать отпор радиационному удару! New Scientist, 1998, 160 (2159) Путешествуя по карте Nanoelectronics Roadmap Semiconductor Industry Association (SIA) составила маршрутную карту - Nanoelectronics Roadmap, которая призвана оказать помощь в исследовании возможностей использования нетрадиционных технологий в наноэлектронике. Мотивом для этого стали физические и технологические пределы, препятствующие дальнейшему прогрессу микроэлектроники на базе схемного масштабирования. В результате сильно возросли капиталовложения в альтернативные технологии для наноэлектроники. Ниже формулировка в Nanoelectronics Roadmap основных проблем в технологии одноэлектронных транзисторов (SET). Самым узким местом в технологии SET остаются флуктуации фонового заряда. Ослабить их воздействие на SET схемы можно за счет уменьшения критических размеров до 2нм. До тех пор, пока не будет достигнут значительный прогресс в контролировании фоновых зарядов, вряд ли появятся БИС на основе кулоновской блокады. Даже если допустить возможность изготовления БИС на основе одноэлектронных транзисторов, необходимо будет ПерсТ, также решить проблему электростатического взаимодействия между приборами. описания такой связи. Правда, все теоретические модели дают весьма различные константы связи. При отсутствии детального анализа допусков на ошибку для SET все же можно предположить, что при адекватных допусках прибор должен работать либо при меньшей температуре, либо при более высоком напряжении (а, следовательно, мощности). Предложенная Андроновым с соавторами конструкция лазера пока экспериментально не реализована, однако моделирование дает обнадеживающие результаты. Рассчитанная структура состоит из слоев GaAs по 85Å и AlAs по 17Å, оптические переходы осуществляются между вторым и первым уровнями в Г-долине с длиной волны порядка 10мкм. В структуре имеется резонанс между нижним уровнем Xz -долины и вторым уровнем в Г-долине, что обеспечивает эффективное взаимодействие между этими уровнями на гетерогранице и инверсию населенности между вторым и первым уровнями Г-долины в GaAs. Для этой структуры проведено детальное моделирование процессов разогрева и междолинного переноса, показывающее, что лазерный эффект возникает в полях больше 8кВ/см при 80К и 12кВ/см при 300К. Для структуры с большей толщиной слоев GaAs и рассчитанной на длину волны около 15мкм моделирование дает еще более многообещающие результаты: пороговое поле усиления 5 и 8 кВ/см соответственно. Из-за перечисленных проблем SET далек от того, чтобы быть альтернативой сегодняшним КМОП'ам. Только время покажет, будут ли преодолены узкие технологические места. А пока место между МОП и одноэлектронными транзисторами могут занять нано-флэш приборы. Microelectronics Advanced Research Initiative. Nanoelectronics Roadmap. Febr. 1999 http://www.cordis.lu/esprit/src/metalari.htm ВЕСТИ С КОНФЕРЕНЦИЙ Нанофотоника’99: Лазер Андронова на эффекте Ганна Вернемся к нижегородской "Нанофотонике'99" (cм. предыдущий выпуск ПерсТ'а), к одному из докладов, вызвавшему оживленную дискуссию. Речь идет о докладе А.А.Андронова, В.Я.Алешкина и Е.В.Демидова, посвященном работам в ИФМС РАН (Н.Новгород) по созданию совершенно нового внутризонного лазера. Механизм работы таких лазеров основан на достаточно простой общей идее: если в структуре носители на более высоких уровнях обладают большей массой и меньшей подвижностью, то при разогреве электрическим полем они будут накапливаться на этих уровнях, и возникнет инверсная населенность, которую можно использовать для создания лазерного излучения. Фактически, подобная же инверсная населенность возникает в эффекте Ганна, когда при разогреве сильным электрическим полем носители из центральной Г-долины переходят в верхние боковые X- и L-долины. Однако в объеме GaAs прямой оптический переход между центральной и боковыми долинами запрещен. Чтобы “ввести” такой переход, авторы предлагают использовать гетероструктуру, в которой слои AlAs являются квантовыми ямами для носителей в боковых Х-долинах, а слои GaAs - квантовыми ямами для носителей в Г-долинах. На гетерогранице GaAs-AlAs состояния этих долин оказываются замешанными, что и снимает запрет на оптические переходы. Связь Г-Х долин исследовалась достаточно подробно разными методами в последние годы, в частности, на этой же конференции была представлена работа В.А Волкова и Э.Е.Тахтамирова (ИРЭ РАН, Москва), основанная на обобщении метода эффективной массы для ПерсТ, 1999, том 6, выпуск 7 5 Расчеты пока проведены для структур, обладающих лазерным эффектом в среднем ИК диапазоне, где такой эффект проще всего и мог бы быть осуществлен. Это связано с достаточной простотой изготовления резонатора и малостью решеточного поглощения на таких длинах волн. Вообще говоря, увеличивая толщину слоев GaAs в этих структурах, можно надеяться на лазерный эффект и в существенно более длинноволновом диапазоне. В. Вьюрков Семинар ФТИАН: О квантовых компьютерах и телепортации 30 марта и 4 апреля с.г. во ФТИАН’е состоялись очередные заседания еженедельного научного семинара по квантовым компьютерам (по вопросам участия в нем звоните Леониду Федичкину (095) 332 4987). К.А.Валиев рассказал о работах, посвященных организации квантовых вычислений на ионах в ловушках Пола. Такие ловушки для удержания ионов были предложены еще в 1964 году и представляют собой металлические стержни, на которые подается как постоянное, так и переменное напряжение. Вдоль оси системы для ионов образуется потенциальная яма в радиальном направлении, в которой они и удерживаются. Кулоновское взаимодействие ионов приводит к их расталкиванию на расстояния порядка 1мкм. Экспериментально реализованы цепочки, состоящие из десятка ионов. Их отчетливо видят по фотолюминесценции. В качестве квантового бита (кубита) выступает основное и первое возбужденное состояние иона. Переход между этими состояниями происходит при воздействии лазерного пучка, при- чем дистанция между ионами позволяет осуществить доступ к каждому из них в отдельности. Для осуществления взаимодействия между кубитами можно использовать наинизшую моду акустических колебаний, обусловленных длиннодействующими кулоновскими силами между ионами. Акустические колебания, естественно, охватывают одновременно всю цепочку ионов. С.Н.Молотков и С.С.Назин (ИФТТ РАН, Черноголовка) рассказали о приемах телепортации непрерывного состояния квантовой системы. Способ телепортации состояния, являющегося суперпозицией состояний дискретного спектра, был предложен Bennett’ом в 1993 году и опирается на использование вспомогательной системы, находящейся в запутанном квантовом состоянии (entangled state), например, знаменитой ЭПР-пары. Часть этой системы попадает в распоряжение Алисы, а другая - Боба. Телепортация происходит в результате определенных измерений квантовой системы, выполняемых Алисой. В результате у Боба оказывается в точности то состояние, которое хотела передать ему Алиса. Через год после публикации Bennett’а появилась статья Vaidman’а, в которой фактически методика передачи дискретного состояния переносилась на непрерывные состояния. С.Н.Молотков и С.С.Назин обратили внимание слушателей семинара на тот факт, что этот подход содержит некорректные с математической (а значит, и физической) точки зрения выражения и, на самом деле, требуется более внимательное отношение к этой проблеме. В частности, не все так просто с измерением непрерывного состояния, на котором основана телепортация. После измерения непрерывного состояния система не переходит в определенное состояние, а лишь сужается фазовый объем ее возможных состояний. Нечто подобное уже происходило на заре построения квантовой теории, когда возникли большие заминки с состояниями непрерывного спектра. В конечном итоге все успокоились на использовании либо квазинепрерывного спектра помещении квантовой системы в “ящик”, либо обобщенных функций Дирака. С.Н.Молотков и С.С.Назин предприняли попытку придать математическую строгость самой процедуре измерения квантовой системы. Предложенная ими конкретная процедура телепортации относится к передаче волнового пакета фотонов с ограниченным спектром частот, причем при измерении используются некоммутирующие операторы, а именно, энергия и время. В.Вьюрков КОНФЕРЕНЦИИ 6 1999, том 6, выпуск 7 20-24 June 1999, Moscow, M.V.Lomonosov Moscow State University, Russia. International Symposium on Magnetism (MISM), devoted to the memory of E.I. Kondorskii. Main topics 1. Micromagnetism and Magnetization Reversal 2. Transport Phenomena 3. Itinerant Magnetism 4. Magnetic Semiconductors 5. Magnetooptics 6. Low Dimensional Magnetism 7. Magnetic Materials 8. Miscellaneous Contact: Alexander Granovsky, Nicolai Perov phone: (095) 939 4787 fax: (095) 932 8820 e-mail: [email protected] 1 - 3 July 1999. Dubna, Russia. International Workshop on Spin, Charge and Orbital Ordering In Complex Magnetic Oxides Contact: phone: 7(09621)62690, fax: 7(09621)65882, e-mail: [email protected] 8-12 September 1999. Casta Papiernicka, Slovak Republic. 9th International Workshop on Weak Superconductivity (WWS'99) The main subjects are: Josephson effects and tunneling in LTS and HTS weak link structures (SIS, SNS, ScS, multilayers) intrinsic Josephson effects on HTS stack junctions, multilayers Josephson effects in arrays and mesoscopic systems materials for LTS and HTS weak link structures SQUIDS and weak links applications RF properties and applications and other cryoelectronic devices (flux-flow, three terminal,) Workshop chairmen Dr. S. Benacka Prof. P. Mueller Prof. P. Seidel Attention! For those who plan to participate in EUCAS'99 in Spain will be arranged transport to Vienna airport. Deasline abstracts - 30 May Contact: Phone: +421 7 54775820, ext. 2139, ext. 2059 Fax: +421 7 54775816 e-mail: [email protected] http://cryo.savba.sk/Conf.htm 14-17 September. Sitges, Barcelona, Spain. 4th European Conference on Applied Superconductivity (EUCAS’99) Website: www.icmab.es/eucas99 ПерсТ, 20-25 September 1999. Kharkov, Ukraine. 3-rd International Symposium on Vacuum Technology and Equipment jointly with 4-th International Symposium on Diamond and Related Films. Contact: E.V.Savtchenko Fax: +0572-35-35-29 e-mail: [email protected] 25 - 30 сентября 1999. г.Галле, Германия. Осенняя школа "Новые методы в электронной микроскопии для материаловедения". Организационный комитет: А.Л.Асеев /Новосибирск H.Hofmeister / Halle, W.Neumann / Berlin, P.Werner / Halle, G.Radnoczi / Budapest. Оргкомитет школы имеет возможность для поддержки участия молодых ученых (оплата расходов по проживанию и части дорожных). Для этого необходимо в срок до 1 июня 1999 г. представить следующие материалы: заявку по форме, CV, перечень публикаций, два рекомендательных письма от старших ученых, смету с оценкой минимально возможных дорожных расходов. Более подробная информация: http://www.mpi-halle.mpg.de Контакт: Александр Леонидович Асеев e-mail: [email protected] [email protected] 4 - 8 октября 1999г. St. Petersburg, Russia. The 4th Biennial International Workshop in Russia "Fullernes and Atomic Clusters" IWFAC'99 http://www.ioffe.rssi.ru/IWFAC99/index.html INVITED LECTURES L.Echegoyen (University of Miami, USA) Electrochemical Studies of Fullerene Derivatives: How to Move and Remove Adducts from C60, C70, C76, C78, and C84 P.Eklund (University of Kentucky, USA) Chemically Doped, Single-Walled Carbon Nanotubes T.Enoki (Tokio Institute of Technology, Japan) Nano-Graphite and its Intercalation Compounds M.Heritier (University Paris-Sud, France), Phase transitions in the AnC60 family K.Kadish (University of Houston, USA) (The title will be announce) H.Kuzmany (University of Wien, Austria) Vibrational Spectroscopy of Fullerene Nanostructures: Networks and Tubes V.V.Kveder (Institute of Solid State Physics, Russia) Optical and Electronic Properties of Fullerene C60 Single Crystals and Effect of its Doping Using in-Diffusion of Metal Ions in External Electric Field Yu.E.Lozovik (Institute of Spectroscopy, Russia) ПерсТ, 1999, том 6, выпуск 7 7 Femtosecond Response and Perspective of Femtosecond Nanolitography on New Cluster Materials. V.M.Mikoushkin (Ioffe Physico-Technical Institute, Russia) Excitation of C60 by Electron Impact L.B.Piotrovsky (Institute of Experimental Medicine RAS, Russia) Fullerenes as Biological Active Compounds N.Shinohara (Nagoya University, Japan) Recent Advances in Endohedral Metalofullerenes Z.Slanina (Toyohashi University of Technology, Japan). Higher and Smaller Fullerenes - Isomerism and Relative Stabilities: Pristine and Metal Covered Species B.L.Tumanskii (Institute of Organoelement Compounds, Russia) The EPR Study of Radical Reactions of Fullerenes and Their Derivatives F.Wudl (UCLA, USA) Bucky Solar Cells and a Bucky Light Bulb Contact: Phone: 007 (812) 247 61 51 Fax: 007 (812) 247 58 94 E-mail: [email protected] http://www.ioffe.rssi.ru/IWFAC99/index.html 20-25 February 2000. Houston, Texas, USA. 6th International Conference Materials and Mechanisms of Superconductivity and High Temperature Superconductors (M2S-HTSC-YI) Topics: Superconducting Materials Physical Properties Synthesis and Processing Applications Deadline abstracts – September 15, 1998 Contact: Fax: (713) 743 8216 E-mail: [email protected] Web site: http://m2s-conf.uh.edu НОВОСТИ ФИЗИКИ В БАНКЕ ПРЕПРИНТОВ Новое магнитоупорядоченное состояние электронной плазмы в металлах В рамках простейшей модели металла (электронный газ в присутствии однородного фона положительного заряда для обеспечения электронейтральности) показано, что кулоновское взаимодействие между электронами приводит к новому типу магнетизма. При этом основное состояние металла представляет собой магнитоупорядоченное состояние, описывающееся нелокальным магнитным полем, которое не приводит к поляризации электронных спинов, но индуцирует специфические дальнодействующие корреляции между электронами с противоположно направленными спинами. Теоретическая величина энергии связи в расчете на один электрон более чем в два раза превышает энергию связи немагнитного состояния. Авторы утверждают, что предложенный ими новый тип магнитного упорядочения может наблюдаться экспериментально. C.Cronstrom and M.Noga, http://xxx.lanl.gov/abs/cond-mat/9903325 Contact: Christofer Cronstrom [email protected] Антиферромагнетизм и сверхпроводимость U(Pt,Pd)3 Магнитные свойства монокристаллов "тяжелофермионного" соединения U(Pt1-xPdx)3 с x0.05 исследованы методом нейтронной дифракции. Показано, что антиферромагнитный порядок с "малыми" магнитными моментами атомов урана сохраняется с ростом x вплоть до x=0.005. При этом возрастает от 0.018B при x=0 до 0.048B при x=0.005, а температура Нееля TN6К остается неизменной. Параметр порядка имеет необычную "квазилинейную" температурную зависимость. При x0.01 обнаружен другой тип антиферромагнитного порядка – с "большой" величиной 0.5B. В этой фазе TN достигает максимума 5.8К при x=0.05; при этом =0.63B. R.J.Keizer et al., http://xxx.lanl.gov/abs/cond-mat/9903328 Contact: Ronald J. Keizer [email protected] Установлено, что температуры сверхпроводящих переходов Tc в А-фазе и В-фазе U(Pt1-xPdx)3 уменьшаются с ростом x; при этом их разность Tc=Tc(A)-Tc(B) также уменьшается со скоростью 0.3К/ат.%Pd. Обнаружена корреляция между Tc и величиной "малого" магнитного момента атомов урана. Это согласуется с современными теоретическими моделями магнетизма U(Pt,Pd)3. R.J.Keizer et al., http://xxx.lanl.gov/abs/cond-mat/9903333 Contact: Ronald J. Keizer [email protected] Электронное строение металла LiV2O4 с тяжелыми фермионами Путем первопринципных численных расчетов исследована электронная структура LiV2O4 - первого (и пока единственного) соединения с тяжелыми фермионами, не содержащего f-электронов. Установлено, что в результате тригонального расщепления и кулоновского взаимодействия один d-электрон оказывается локализованным, тогда как другие d-электроны частично заполняют сравнительно широкую зону проводимости. Сделана оценка температуры Кондо. Выявлен механизм, приводящий к существенному уменьшению энергии когерентности. Полученные результаты согласуются с экспериментом. V.I.Anisimova et al., http://xxx.lanl.gov/abs/cond-mat/9903372 Contact: Karyn Le Hur [email protected] Пьезомагнетизм и парамагнитный эффект Мейснера в гранулярных сверхпроводниках Предсказаны два новых явления, которые должны иметь место в сверхпроводнике, состоящем из слабо связанных друг с другом гранул, при механическом воздействии. Они основаны на так называемом эффекте пьезофазы (макроскопическом квантовом аналоге пьезоэлектрического эффекта) в системе сверхпроводящих зерен, связанных между собой за счет джозефсоновского взаимодействия. Показано, что механическое напряжение индуцирует парамагнитный момент в отсутствие внешнего магнитного поля (пьезомагнетизм) и ведет к парамагнитному эффекту Мейснера в слабом внешнем поле. S.A.Sergeenkov, http://xxx.lanl.gov/abs/cond-mat/9903393 Contact: Sergei A. Sergeenkov [email protected] Резистивные переходы и Hc2 в монокристаллах YBa2Cu3O6+x с низким содержанием кислорода Измерены температурные зависимости сопротивления в плоскости a-b монокристаллов ВТСП YBa2Cu3O6+x с низким содержанием кислорода (Tc<30К), то есть в "underdoped" области. Обнаружен интересный эффект: ширина резистивного сверхпроводящего перехода увеличивается с ростом магнитного поля крайне незначительно (в отличие от "оптимально допированных" образцов), а при Tc<13К даже уменьшается при увеличении H! На основе анализа экспериментальных данных были найдены зависимости Tc(H) и Hc2(T). При T/Tc>0.1 кривая Hc2(T) имеет положительную кривизну во всем температурном диапазоне вплоть до Tc и не проявляет тенденцию к выходу на константу при понижении температуры. Зависимости Hc2(T) для образцов с разными Tc могут быть описаны универсальной функцией, что согласуется с моделью бозонной сверхпроводимости ВТСП. V.F.Gantmakher et al., http://xxx.lanl.gov/abs/cond-mat/9903397 Contact: Gombo E. Tsydynzhapov [email protected] Экспресс-бюллетень “ПерсТ” выходит при поддержке Министерства по науке и технологиям РФ, 8 1999, том 6, выпуск 7 ПерсТ, Научных Советов Российских научно-технических программ: “Актуальные направления в физике конденсированных сред”, “Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники”, “Физика твердотельных наноструктур” Ответственный редактор: С.Т.Корецкая тел: (095) 930 33 89, e-mail: [email protected] В подготовке выпуска принимали участие: В.Вьюрков, Л.Журавлева, Ю.Метлин, Л.Опенов Компьютерный ввод, макет: О.В.Хлыстунова Тираж: Ю.К.Мухин Адрес редакции: 117296 Москва, Ленинский проспект, 64А ПерсТ, 1999, том 6, выпуск 7 9
