qV D Ф В1 DФ B1 l o х 1 х 2 х Ф ВA F c F m şəkil 2. Əlavə elektrik
реклама
Akademik B.M.Əsgərovun 80 illik yubileyinə həsr olunmuş «FİZİKANIN AKTUAL PROBLEMLƏRİ» IX RESPUBLİKA ELMİ KONFRANSININ MATERİALLARI (6 dekabr 2013-cü il) “Müəllim” nəşriyyatı BAKI – 2013 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı Konfransın təşkilat komitəsi: Sədr Sədr müavini Sədr müavini Məsul katib Akademik A.M.Məhərrəmov prof. A.H.Kazımzadə prof. M.Ə.Ramazanov f.r.e.n. K.İ.Alışeva Üzvlər: Akademik B.M.Əsgərov, prof. E.Ə.Məsimov, prof. R.Q.Məmmədov, prof. Ə.Ş.Abdinov, prof. İ.M.Əliyev, prof. C.M.Quluzadə, prof. R.C.Qasımova, dos. E.Ələkbərov, dos. M.R.Rəcəbov 2 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı PLENAR MƏRUZƏLƏR Явления переноса в низкоразмерных электронных системах Аскеров Б.М., Фигарова С.Р Бакинский Государственный Университет В настоящее время электронные явления переноса в низкоразмерных системах, таких как размерноквантованные пленки, слоистые кристаллы, сверхрешетки, являются объектом интенсивного изучения как экспериментально, так и теоретически. Интерес к таким системам связан с резкой анизотропией спектра. Размеры системы являются очень хорошим параметром, с помощью которого можно управлять физическими характеристикам системы, при этом появляются новые физические явления, которые отсутствуют в массивных образцах. В электронных системах существуют несколько параметров размерности длины, такие как линейные размеры d (как внешний параметр), длина волны де Бройля , длина свободного пробега l , магнитная длина R (как внутренние параметры), сравнение между которыми приводят к новым явлениям и свойствам. В работе рассматриваются явления переноса в таких низкоразмерных системах как размерно-квантованная пленки ( d -электрон находится в квантовой яме) и сверхрешетка, которая представляет собой систему квантовых ям. Показано, что с уменьшением толщины размерноквантованной пленки термоэдс и коэффициент Нернста– Эттингсгаузена изменяется не монотонно, а пилообразно, что определяется поведением плотности состояний. Максимальное значение этих коэффициентов принимает при 3 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı толщине пленки, когда пленочный уровень совпадает с границей Ферми. Построена теория магнитотермоэдс и продольного магнитосопротивления в сверхрешетках с косинусоидальным законом дисперсии (2).Анализируется зависимость кинетических коэффициентов от магнитного поля и степени заполнения зоны и спинового расщепления. Показано, что поведение продольного магнитосопротивления существенно зависит от соотношения между уровнем Ферми, положением уровня Ландау и шириной мини-зоны. Выявлены осцилляции вертикального продольного магнитосопротивления и магнитотермоэдс в магнитном поле, на которые существенно влияет спиновое расщепление и топология поверхности Ферми. Обнаружены области как положительного, так и отрицательного продольного магниитосопротивления. Причем отрицательное магнитосопротивление обусловлено именно спиновым расщеплением. Отмечено, что в сверхсильном магнитном поле, когда спиновое расщепление существенно, магнитосопротивление линейно зависит от магнитного поля. Механизм образования межслоевой сколотой поверхности слоистых кристаллов типа АIIIВVI Пашаев А.М., Тагиев Б.Г., Ибрагимов Р.А., Сафарзаде А.А. Национальная Академия Авиации [email protected] Исследованы морфологические особенности сколотой ван-дер-ваальсовой (ВдВ) поверхности слоистых кристаллов (СК) типа GaSe и GaSe <примесь> методом сканирующей атомно-силовой микроскопии. Полученные изображения морфологии позволяют предположить, что в 4 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı результате механического скола происходит пластическая реконструкция поверхности в виде гофра сложной формы с образованиями, являющимися следствием комплекса взаимодействующих процессов внедренных в межслоевое пространство дислокаций и процесса хемосорбции в условиях ex situ. Атомы Se, которые, образуют ВдВ-поверхность кристалла GaSe, имеют неметаллическую природу и являются основной причиной затруднительного окисления СК. Высокая устойчивость к окислению, низкая шероховатость поверхности и отсутствие на ней оборванных связей дают возможность исследования морфологии сколотой поверхности СК GaSe методами атомно-силовой микроскопии на воздухе при комнатной температуре в условия ex situ. Наличие тонкой оксидной пленки на ВдВповерхности СК, которая возникает через несколько минут после экспозиции образца на воздухе, необходимо учитывать при представлении реальной структуры исследуемой поверхности. Неравновесная система дефектов и адсорбированных частиц на ВдВ-поверхности стремится к равновесию путем самоорганизации, формируя при этом поверхность с минимальной энергией. При таких процессах формируется гофрированная структура, которая наблюдается на ВдВповерхности. Гофрированная поверхность формируется путем самоорганизации, в результате протекания кооперативных дислокационных процессов в базисной и пирамидальных кристаллографических плоскостях, в верхних слоях СК. Различного типа дефекты, в частности, вакансии Se, на поверхности скола GaSe представляют собой центры сорбции сторонних атомов из окружающей среды. В результате хемосорбции на оборванных связях ВдВ-поверхности эти молекулы могут диссоциировать. Хемосорб5 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı ция молекул на структурных дефектах решетки GaSe и взаимодействия между ними с участием подвижных структурных дефектов изменяет поверхностную энергию СК. Движущей силой перестройки деформируемой структуры ВдВ-поверхности кристалла является стремление к минимуму полной энергии дислокационной подсистемы. Энергия снижается за счет объединения дислокаций в структуры большего масштаба. Дислокациям выгодно энергетически объединиться. В системе дислокационных структур наблюдается согласованное (самоорганизованное) поведение, что приводит к гофрированию ВдВ-поверхности. Гофрированные ВдВ-поверхности могут обладать уникальными свойствами подобно моноатомному слою графита (графена), которому прогнозируется широкое практическое применение в нанотехнологии. 6 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı ASTROFİZİKA BÖLMƏSİ HD161796 və HD224014 ifratnəhəng ulduzlarının spektrlərində H xəttinin tədqiqi Baloğlanov Ə.Ş., Məhərrəmov Y.M., Xəlilov Ə.M., Həsənova Ə.R. AMEA N.Tusi adına Şamaxı Astrofizika Rəsədxanası N.Tusi adına Şamaxı Astrofizika Rəsədxanasında (ŞAR) 2 metrlik teleskopun Kasseqren fokusunda quraşdırılmış müasir CCD işıq qəbuledicisinin köməyi ilə 2004 və 2005-ci illərdən etibarən HD161796 (F3Ib) və HD224014 (F8IaG2Ia0e) ifratnəhəng ulduzlarının spektral müşahidələri aparılmağa başlanmışdır. Nəticədə çox yüksək keyfiyyətli spektrlər alınmış və onlar DECH-20 və DECH-20t paket proqramları vasitəsilə işlənmişdir. R=15000 və S/N=150200 ətrafında olmuşdur. Alınmış müşahidə materialları tədqiq edilərkən HD161796 və HD224014 ulduzlarının atmosferində müşahidə olunan Hα (λ6562.817Å) xəttində maraqlı dəyişkənliklərin baş verdiyi müəyyən edilmişdir. Ona görə də bu işdə tədqiq edilən ulduzlara dair ümumi məlumatlarla yanaşı, həm də Hα xəttindəki dəyişmələrdən alınmış nəticələr təqdim olunur. HD161796 ulduzu üçün son məlumatlara görə Teff=6300K, R=246R, logLL =4.93 və d=8300 parsekdir. Qeyd edək ki, HD161796 Post-AGB tipli ulduzdur, yəni nəzəri olaraq ulduzun xarici konvektiv örtüyü ikinci dəfə genişlənmiş və ulduzun helium qatında istilik pulsasiyası və ifratnəhənglərin asimptotik qoluna keçməsi prosesi başlanmışdır. Belə ki, bu ulduz qırmızı nəhəng mərhələsinə keçir, karbondan ibarət olan nüvə sıxılır, laylarda hidrogen və heliumun yanması prosesi gedir. Sonra tədricən örtük atılır, planetar dumanlıq əmələ gəlir və kütləsi təxminən 0.85M olan nüvədən isə ağ cırtdan ulduzun əmələ gəlməsi prosesi gedir. 7 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı HD161796 ulduzunun spektrləri işlənərkən Hα xətti profillərinin strukturunda dəyişkənliklərin olduğu müəyyən edilmişdir. Alınmış nəticələr əsasında ehtimal olunur ki, bu dəyişkənliklər ulduzətrafı örtüyün sferik və simmetrik olmaması ilə əlaqədardır. Digər tərəfdən tapılmışdır ki, Hα xəttində ekvivalent enin və şüa sürətinin qiymətləri zamana görə dəyişir. Belə ki, indiyədək aparılan ölçmələr göstərmişdir ki, Hα xəttində şüa sürəti -47-58 kms, ekvivalent en isə 0.821.57 Å intervalında dəyişir. Bu dəyişkənlik parlaqlıq əyrisinin dəyişməsi ilə 62 günlük periodla sinxron baş verir. HD224014 ( Cas) ifratnəhəng ulduzu üçün son məlumatlara görə Teff = 7000K, R=400R, log LL=5.7, d=2500 parsekdir. Bundan əlavə, Cas - ın görünən ulduz ölçüsü V ~ 4.5m –dir. Lakin bu parlaqlıq gözlənilmədən dəyişə bilir. Belə ki, 1946-cı ildə Cas – ın parlaqlığı V ~ 6m-dək zəifləmiş və bu zaman ulduzun temperaturu Teff =3000K olmuşdur. 2000-2001-ci illərdə yenə bu hal təkrarlanmış və Teff = 4250K olmaqla bir neçə ay davam etmişdir. Qeyd olunan hadisənin periodik olduğu irəli sürülmüşdür. Bu ulduzun diametri Günəşinkindən 400 dəfə böyükdür. Sarı hipernəhəng kimi Cas nadir ulduzlardan biridir ki, onu ifratyenilər kimi partlamağa namizəd hesab edirlər. Cas ulduzunun spektrləri tədqiq edilərkən Hα xətti profillərinin strukturunda, şüa sürəti və ekvivalent enin qiymətlərində dəyişkənliklərin olduğu müəyyən edilmişdir. Aşkar olunmuşdur ki, Cas ulduzunun spektrlərində Hα xəttinin bənövşəyi və qırmızı qanadlarında şüalanma komponentləri yaranır və yox olur. Bundan əlavə indiyədək tədqiqatçıların apardıqları ölçmələrdən məlum olmuşdur ki, Hα xəttində şüa sürətinin qiymətləri əsasən -68.5-31.5 km/s intervalında dəyişir. Ölçmələrin analizi göstərmişdir ki, bəzi hallarda Hα xəttində şüa sürəti kəskin dəyişir. Bu dəyişkənliklərin kvaziperiodikliyə malik olması ehtimal edilir. 8 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı Model üsulu ilə Günəşdə mikroturbulent hərəkət sürətinin təyini Səmədov Z.A., Şabanova Z.F., Hümbətova X.Z. Bakı Dövlət Universiteti Ulduz spektrlərini tədqiq edərkən məlum olmuşdur ki, bütün genişlənmə mexanizmləri dəqiqliklə nəzərə alınsa belə xəttin müşahidə profilini izah etmək mümkün olmur. Odur ki, belə qəbul olunmuşdur ki, ulduz atmosferlərində atomların istilik hərəkəti ilə yanaşı qazların xaotik hərəkətlərinin digər növü mövcuddur. Bu növ hərəkətlər “turbulent” hərəkətlər adlandırılmışdır. Beləliklə, atomların tam xaotik hərəkət sürəti: Burada υ0- atomların orta istilik hərəkət sürəti, ξt- turbulent hərəkət sürətidir. Şərti olaraq iki növ turbulentlik: böyük miqyaslı (makro) və kiçik miqyaslı (mikro) turbulentlik fərqləndirilir. Hesab edilir ki, turbulent hərəkətdə iştirak edən qaz kütlələrinin xətti ölçüsü ulduz atmosferinin qalınlığından çox kiçik olarsa belə qaz kütlələrinin hərəkəti mikroturbulentlik, turbulent hərəkətdə iştirak edən qaz kütlələrinin xətti ölçüsü ulduz atmosferinin qalınlığı ilə müqayisə olunandırsa belə qaz kütlələrinin hərəkəti makroturbulentlik adlanır. Mikroturbulent hərəkət sürətinin təyininin ən müasir və dəqiq üsulu atmosfer modelləri üsuludur. Bu üsul hər hansı atom və ionun geniş ekvivalent enlikli diapozona malik çoxlu sayda xətlərinin tədqiqinə əsaslanır. Mikroturbulent hərəkət sürətinə ξt müxtəlif qiymətlər verərək hər bir xətt üçün onun ölçülmüş ekvivalent eninə Wλ görə uyğun elementin miqdarı lgε hesablanır və ξt üçün müəyyən qiymət seçilir, belə ki, ξt-nin seçilmiş bu qiymətində lgε-nın Wλ-nın artması ilə sistematik dəyişməsi müşahidə olunmur. Başqa sözlə, müxtəlif intensivlikli xətlərə görə təyin olunan miqdar lgε eyni olmalıdır. Günəşin spektrində ən çox müşahidə olunan xətlər FeI-ə məxsus 9 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı xətlərdir, həmçinin bu xətlərin osillyator gücləri daha dəqiq təyin edilmişdir. Şəkil . ξt=1.1 km/s olduqda lgε(FeI)-in Wλ-dən asılığı Günəş üçün Teff=5887K, lgg=4.57 parametrli model seçilir və bu model əsasında mikroturbulent hərəkət sürətinin müxtəlif qiymətlərində lgε(FeI) miqdarı hesablanmışdır. Müəyyən olunmuşdur ki, ancaq ξt=1.1 km/san (Şəkil ) olduqda lgε ilə Wλ arasında korelyasiya olmur. Beləliklə, Günəş atmosferində mikroturbulent hərəkət sürəti üçün təyin edilmişdir: ξt=1.1 km/s HD 203574 (G5III) ulduzunun effektiv temperaturun və ağırlıq qüvvəsinin təcilinin təyini Səmədov Z.A., Qədirova. Ü.R., İsgəndərova R.E. Bakı Dövlət Universiteti Bu işdə HD203574 (G5III) ulduzunun effektiv temperaturu və atmosferində ağırlıq qüvvəsinin təcili təyin olunmuşdur. Ulduzun spektri 2009-cu il 26 iyunda Şamaxı Astrofizika Rəsədxanasının 2m-lik teleskopunda alınmışdır. Teleskopun kasseqren fokusunda qoyulmuş YƏQ-li eєelle-spektrometrdən istifadə olunmuşdur. Spektral ayırdetmə 0.3Ǻ, 10 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı siqnal/şum nisbəti S/N=200. Spektrlərin işlənməsi DECH-20 proqramı ilə aparılmışdır. Hα ətrafında xətti dispersiya 8 Ǻ/mm tərtibindədir. Balmer seriyasının Hα və Hβ xətlərinin ekvivalent enləri təyin olunmuşdur. Hα xətti üçün WHα ≈1.591 Ǻ, Hβ xətti üçün WHβ≈1.159 Ǻ. Ulduzun effektiv temperaturu (Teff) və səthində ağırlıq qüvvəsinin təcili (lgg) bir sıra fotometrik və spektral kəmiyyətlərin müşahidə və atmosfer modelləri əsasında hesablanmış qiymətlərini müqayisə etməklə təyin olunur. Müqayisə olunan fotometrik indekslər: [c1] və Q. Burada [c1]=с1-0.2(b-y), Q=(U-B)-0.72(B-V). Spektral kəmiyyət olaraq Hidrogenin Balmer seriyasının Hα və Hβ xətlərinin ekvivalent enləri göstərilir. [c1] indeksi orta zolaqlı uvby, Q indeksi isə geniş zolaqlı UBV fotometrik sistemində təyin olunur. Bu indekslər ulduzlararası fəzada udulmanın təsirindən azad olduqları üçün onlardan istifadə etmək əhəmiyyətlidir. [c1], Q indekslərinin müşahidə qiymətləri [c1]=0.292, Q=0.03 . Hα və Hβ xətlərinin ekvivalent enlikləri, [c1] və Q indekslərinin nəzəri qiymətləri isə bir sıra atmosfer modelləri üçün Kuruç tərəfindən hesablanmışdır. [c1], Q, W(Hα), W(Hβ) kəmiyyətlərinin atmosfer modelləri əsasında hesablanmış qiymətlərini müşahidə qiymətləri ilə üst-üstə salaraq bu kəmiyyətlərin hər biri əsasında bir neçə Teff və lgg cütlərini alırıq. [c1], Q, W(Hα), W(Hβ) kəmiyyətlərinin müşahidə və nəzəri hesablanmış qiymətlərinin müqayisəsi əsasında təyin olunan Teff və lgg сütlərini Teff ,lgg müstəvisində qeyd edərək uyğun qrafiklər qurulur (şəkil 1). Ulduzun effektiv temperaturu (Teff) və səthində ağırlıq qüvvəsinin təcilinin təyinində yenilik ulduzların parallaksının tətbiqidir. 11 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı Şəkil 1. lgg ,Teff diaqramı [c1], Q, W(Hα), W(Hβ) kəmiyyətlərinin müşahidə və nəzəri hesablanmış qiymətlərinin müqayisəsi və parallaksın tətbiqi əsasında qurulan qrafiklər Teff ,lgg müstəvisində Teff və lgg-nin qiymətlərinin kompakt bölgəsində kəsişir. Bölgənin mərkəzi ulduzun atmosfer parametrlərini təyin edir. İşdə alınmışdır ki, Teff= 5100 ±200K, lgg=2.7±0. Редже-эйкональный метод для упругого адрон-ядерного рассеяния Абдулвагабова С.К., Ахмедов Р.А., Эфендиева И.К. Бакинский Государственный Университет Настоящая работа посвящена рассмотрению упругого рассеяния адронов на нуклонах ядра при высоких энергиях, с применением Редже-эйконального метода с учетом s- канальной унитарности. Дифракционное рассеяние в модели Редже описывается обменом помероном – вакуумным движущимся полюсом в комплексной плоскости углового момента. В работе большое внимание уделяется рассмотрению 12 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı аналитических свойств амплитуды упругих процессов как функции угловых переменных и возможности расширения соответствующих областей аналитичности при учете условия унитарности. Преимущество этого подхода перед простым реджевским подходом заключается в том, что он в явном виде приводит к соблюдению унитарности в sканале. Кроме того, использование в качестве основного уравнения схемы условия двухчастичной унитарности, аналитически продолженного в область высоких энергий, дает возможность эффективного учета структуры сингулярностей амплитуды рассеяния в плоскости углового момента и приводит к представлениям для амплитуды, содержащим в малой степени модельные предположения. Достоинством развиваемого здесь подхода является то, что он позволяет единым образом исследовать процессы рассеяния на малые и большие углы, имеющие дифракционный и автомодельный характер, соответственно. Определение угла отклонения заряженной частицы во время прохождения через неоднородную ядерную среду Абдулвагабова С.К., Бархалова Н.Ш., Байрамова Т.О. Бакинский Государственный Университет В данной работе с учетом кулоновского взаимодействия изучено угол отклонения во время прохождения заряженной частицы через неоднородную ядерную среду, обусловленную флуктуацией плотности. Любое нарушение неоднородности свойств приводит к возникновению рассеяния. Поэтому рассеяние частицы при движении в ядерном веществе можно связать с рассеянием нуклонной волны на случайных флуктуациях плотности ядерного вещества. Но в размещении таких рассеивающих центров 13 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı всегда имеются корреляция и рассеяние оказывается частично когерентным. Для когерентно рассеивающей системы нуклонов сечение неупругого рассеяния содержит вклад интерференционного неупругого рассеяния. Неоднородность среды изменяет спектр рассевающих ядер и выносит поправки к сечению неупругого рассеяния. Исходным пунктом расчета послужили известные формулы теории многократного рассеяния. Для описания многократного рассеяния в «неоднородной» ядерной среде применена оптическая модель, в рамках которой рассматривается уравнение Липмана-Швингера с эффективным, регулярно зависящим от пространственных координат потенциалом. Полученное в первом борновском приближении выражение для угла отклонения позволяет определить флуктуацию плотности ядерного вещества, тем самым помогает изучению структуры ядер. Ulduzların effektiv temperaturunun və ağırlıq qüvvəsi təcilinin təyini Tahirov M.M., Güləhmədova S.N. Bakı Dövlət Universiteti [email protected] Ulduzlararası fəzada udulmanın təsirindən azad olan, UBV fotometrik sistemində Q=(U-B)-0,72(B-V), uvby-sistemində isə [c1]=c1 0,2(b-y) indekslərindən istifadə olunur. Q, və [c1] indekslərinin müşahidə qiymətləri ədəbiyyatlardan götürülür. Bir sıra atmosfer modelləri üçün Hα və Hβ 14 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı xəttlərinin ekvivalent enlikləri, [c1] və Q indeksləri Kuruç tərəfindən hesablanmışdır. Effektiv temperaturun və ulduzun səthində ağırlıq qüvvəsinin təcilinin təyini üsulu Q, [c1] kəmiyyətlərinin atmosfer modelləri əsasında hesablanmış qiymətlərinin müşahidə qiymətləri ilə müqayisəsinə əsaslanır. Müşahidə və nəzəri hesablanmış qiymətləri üst-üstə salaraq yuxarıda göstərilən kəmiyyətlər əsasında bir neçə Teff və lgg cütlərini alırıq. Q, [c1] kəmiyyətləri əsasında təyin olunan Teff və lgg cütlərindən istifadə edərək lgg-nin Teff–dən asıllıq müstəvisində hər bir kəmiyyət üçün uyğun qrafiklər qurulur. Bu üsulla Prosiyon üçün alınmışdır ki, Teff=6680K, lgg=4.00 Tətbiq etdiyimiz üsulla təyin olunan effektiv temperatur Teff infraqırmızı sel üsulunun nəticələri ilə üst-üstə düşür. Cədvəldə 1948-ci ildən 2013-cü il arasında Prosiyon ulduzunun effektiv temperaturu Teff və qravitasiya sahəsinin intensivliyinin lgg təyin olunduğu qiymətləri verilmişdir. Bizim nəzəri üsulla təyin etdiyimiz parametrlər müxtəlif müəlliflərin müşahidədən aldığı qiymətlərə yaxındır. Определение спектрофотометрических характеристик линий разных химических элементов в инфракрасной спектре Солнца Кули-Заде Д.М., Шабанова З.Ф., Кадырова У.Р. Бакинский Государственный Университет Инфракрасной спектр Солнца до сих пор является практически неисследованной области спектра хотя его исследование может играть важную роль при диагностике новых небесных объектов где происходит образование молодых звезд. В спектральный области от λ7500Å до λ8800Å нами были отобраны около 50 инфракрасных линий в спектра Солнца принадлежащих различным хими15 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı ческим элементам. В качестве спектр был использован цифровой спектральный материал полученный Курочном и др. с помощью Куде спектрометра высокой дисперсиям и высокого разрешения. Результаты приведены в табл. 1. λ,Å 0.637 ∆ λ1/2 (mÅ) 229 W (mÅ) 215 0.659 ∆ λ1/2 (mÅ) 228 W (mÅ) 197 FeI 0.492 171 NiI 0.569 196 FeI 0.528 223 134 FeI 0.470 241 107 7714.310 NiI 0.523 8346.131 MgI 0.360 320 152 7727.610 NiI 94 8387.782 FeI 0.670 238 172 7742.722 216 117 8439.581 FeI 0.499 336 81 0.547 198 142 8498.062 CaII 0.711 972 1269 NiI 0.483 108 96 8514.082 FeI 0.456 298 106 7832.108 FeI 0.559 206 159 8515.122 FeI 0.326 198 82 7918.383 SiI 0.368 816 97 8542.144 CaII 0.801 2098 2962 7932.351 SiI 0.407 228 124 8556.797 SiI 0.213 245 138 7937.150 FeI 0.582 225 176 8582.271 FeI 0.018 269 87 7945.858 FeI 0.573 225 177 8648.472 SiI 0.190 226 165 7998.953 FeI 0.571 219 166 8662.170 CaII 0.801 1659 2523 8046.058 FeI 0.550 211 146 8674.750 FeI 0.079 256 115 8085.175 FeI 0.541 228 157 8688.642 FeI 0.236 389 272 8183.250 NaI 0.767 284 277 8710.398 FeI 0.126 115 84 8194.836 NaI 0.808 281 300 8717.833 MgI 0.146 216 110 8207.744 FeI 0.378 168 77 8728.024 SiI 0.204 213 108 8213.041 MgI 0.442 281 110 8736.040 MgI 0.199 417 293 8220.388 FeI 0.615 260 219 8742.466 SiI 0.235 169 99 8232.319 FeI 0.407 185 93 7771.96 OI 0.290 212 70 8248.137 FeI 0.359 168 77 7774.18 OI 0.255 208 68 8248.802 CaII 0.271 219 95 7775.40 OI 0.212 204 43 7511.031 Ele ment FeI 7531.153 7616.960 R0 λ,Å 8327.061 Ele ment FeI 111 8331.926 167 8339.413 187 154 0.497 180 FeI 0.408 7780.586 FeI 7788.933 16 R0 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı Остаточные интенсивности в используемом спектральном материале дается через 0,2 mÅ, что позволяет построить линий с большой уверенностью. Использованы только наиболее чистые неблендированные линии. Обработка спектра были выполнены программой Origin. Были определены эквивалентные ширины W, полуширины, четвертьширины и центральные глубины профилей с большой точностью. Данная работа выполнена при финансовой поддержке Фонда Развития Науки при Президенте Азербайджанской Республики – Грант № EİF -2012-2(6)-39/12/1 HD 199478 ifrat nəhəng ulduzunun spektrində NaI dubletinin tədqiqi İsmayilova Ş.K., Mikayılov X.M. AMEA Şamaxı Astrofizika Rəsədxanası [email protected] HD 199478 (HR 8020) isti ifratnəhəng ulduzdur. Spektral sinfi B8Iae və ulduz ölçüsü 5.69m kimi qiymətləndirilir [1]. Ulduzun spektrində xətlərin profillərində Be tipli ulduzlara xarakterik olan struktur müşahidə olunur. Xüsusi ilə H xəttinin emissya komponentində müşahidə olunan qoşa komponentli piklər müasiryanaşma metodlarına əsasən ulduzdan maddə axını və ulduz səthinəmaddə tökülməsi ilə izah olunur.Bu baxımdan HD 199478 ulduzunun tədqiqi mühüm əhəmiyyət kəsb edir. Ulduzun müşahidələri 2011-ci ildə 02 iyul–06 oktyabr tarixləri intervalında ŞAR-ın 2-metrlik teleskopunun Kasseqren fokusunda eşelle-spektroqraf vasitəsilə aparılmışdır [2]. İşıq qəbuledicisi kimi ölçüsü 530x580 piksel (1 piks=24x18 mik.) olan 17 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı azotla soyudulan CCD-dən istifadə olunmuşdur. 94 günlük müşahidə periodunda λλ4700-6600 ÅÅ dalğa uzunluğu intervalında 34 spektr alınmışdır. Alınmış spektrlərin işlənməsi DECH20 paket proqram qovluğu vasitəsilə yerinə yetirilmişdir [3]. Bu işdə əsas məqsəd Na І dubletinin tədqiqidir. Xətlərin profilləri qurulmuşdur, ekvivalent enləri və günəşə gətirilmiş şüa sürətləri təyin edilmişdir. Şəkildən güründüyü kimi Na І dubletlərinin hər iki xətti D1 və D2 xətti iki güclü və zəif strukturlu komponentlərdən ibarətdir. Zəif komponentin natrium xətlərinə aid olması əvvəlcə bizdə şübhə doğururdu. Lakin bizim müşahidə periodu ərzində natrium dubletinin hər iki xəttinin qırmızi qanadında bu komponentlərin yaranması və hər iki zəif komponentin şüa sürətlərinin biri-birinə yaxın olması bu komponentlərin natrium dubletlərinə aid olduğunu deməyə əsas verir. 1,62 1,42 Relative Intensity 1,22 1,02 0,82 0,62 0,42 0,22 -100 -50 0 50 Radial Velocity 100 D1 xəttinin güclü komponentin ekvivalent eninin orta qiyməti 0.82 Å ətrafinda, şüa sürətinin qiyməti -18 km/s ətrafındadır. D2 xəttinin güclü komponentin ekvivalent eninin orta qiyməti 0.75 Å ətrafinda, şüa sürətinin orta qiyməti -18 km/s ətrafındadır. D1 xəttinin zəif komponentinin ekvivalent eninin orta qiyməti 0.17 Å ətrafinda, şüa sürətinin orta qiyməti +39 km/s ətrafında, D2 xəttinin zəif komponentinin ekvivalent 18 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı eninin orta qiyməti 0.15 Å ətrafinda, şüa sürətinin orta qiyməti + 42 km/s ətrafında Beləliklə HD 199478 ulduzunun spektrində Na І dubletinin xətləri qoşa komponentlidir. D1 və D2 xətlərinin həm güclü komponentlərinin spektral parametrləri, həmdə zəif komponentlərinin spektral parametrləri 66,7 günlük periodik dəyişmələr göstərir. 1. Markova, N., & Valchev, T. 2000, A&A, 363, 995 2. Mikayılov X.M., Xəlilov V.M., Ələkbərov İ.Ə.,ŞAR Sirkulyarı, 2005 г. №109, 21-30 3. Г.А.Галазутдинов, Препринт САО РАН, 92 (1992). Santimetrlik sakit və aktiv Günəş radiofluktuasiyalarına fraktal tədqiqat üsulunun tətbiqinin bəzi xüsusiyyətləri Hüseynov Ş.Ş. AMEA N.Tusi adıan Şamaxı Astrofizika Rəsədxanası shirin.gü[email protected] Günəş və Yer atmosferlərində baş verən proseslərin təzahürü kimi Günəş radioşüalanması fluktuasiyalarında dalğa və turbulentliyin araşdırılması mühüm təcrübi əhəmiyyət kəsb edən üsullardan biridir. Məlumdur ki, son bir neçə on illiyə qədər Günəş radioşüalanması fluktuasiyalarından təşkil olunmuş zaman sıralarının tədqiqinə klassik üsulların (Furye, Tez dəyişənli Furye və onun müxtəlif versiyalarının) tətbiqi səhv nəticələrə gətirib çıxarmışdır. Çünki, bu üsullar prosesin dinamikasını araşdırmağa imkan versə də, xaosdan determiləşmiş xaotikliyi ayırd edə bilmir. Tədqiqatçılar tərəfindən bu cür müxtəlif nəticələrin alınmasının əsas səbəbi faydalı siqanalın tərkibində küyün çox olmasıdır. Bu baxımdan, işdə Yer səthində Günəşin santimetrlik radioşüalanması nəticəsində alınan fluktuasiyalardan təşkil olun19 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı muş zaman sıralarına modifikasiya edilmiş fraktal tədqiqat üsulu tətbiq edilmişdir [1]. Fraktal tədqiqat üsulu keçmiş SSRİ-nin müxtəlif məkanlarında fəaliyyət göstərən RT-2, RT-12, RT-24 və RT-64 radioteleskoplarında quraşdırılmış 2÷30 sm-lik geniş diapazonda işləyən həssas radiometrlər və mərhum Hüseynov Akif tərəfindən düzəldilmiş f=1÷2GHz və f=2÷4GHz diapazonda işləyən radiospektroqraflar vasitəsi ilə 1974-1989-cu illərdə alınmış müşahidə məlumatlarına tətbiq olunmuşdur. İşdə fraktal tədqiqat üsulunun nəticəsi kimi modifikasiya edilmiş Qrasberqer-Prokacia alqoritmi əsasında fraktal ölçü dərəcəsi hesablanmışdır. Məlum olmuşdur ki, fraktal ölçü dərəcəsinin qiyməti və onun dinamikası Günəş və Yer atmosferlərində gedən proseslərlə sıx bağlıdır. Tədqiqat aşağıdakı mühüm elmi nəticələri söyləməyə imkan vermişdir: 1. Fraktal ölçü dərəcəsinin qiyməti Fd1.2÷1.4 olduqda fluktuasiyanın amplitudunun qiyməti çox kiçik olduğundan (ümumi radioşüalanmanın 10-4 hissəsini təşkil edir) dəyişikliyi Yer atmosferində baş verən dalğa və turbulent proseslərə aid etmək olar. Sakit Günəş radioşüalanması fluktuasiyalarının amplitud qiymətinin kiçik olmasının əsas səbəbi kimi, yəni fluktuasiyaların yaranma mexanizmi kimi Puasson modeli təklif olunmuşdur [2]. Başqa sözlə, fraktal ölçü dərəcəsinin bu qiymətində, sakit Günəş radioşüalanması Yer atmosferindəki prosesləri araşdırmaq üçün təbii mənbə rolunu oynayır. 2. On iki güclü alışma (≥ 2 bal) hadisələri ətrafında aparılan tədqiqat nəticəsində fraktal ölçü dərəcəsinin qiyməti Fd1.6÷1.9-a çatır. Qiymət zamandan asılı olaraq tez-tez dəyişir. Bu qiymətə görə hesablanmış Kolmoqorov entropiyası alışma hadisəsinə 1÷3 gün qalmış azalmağa başlayır. Başqa sözlə, alışma hadisəsinə yaxınlaşdıqca ağ küy tədricən determiləşmiş xaotikliklə əvəz olunur. Bu da alışma hadisəsinin baş verməsi üçün toplanan enerjini müəyyən edir. Yuxarıda qeyd etdiyimiz bu mühüm nəticələr Yer atmosferindəki proseslərin mahiyyətini başa düşmək və güclü 20 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı alışma hadisələrinin 1-3 gün qabaqcadan miqdarı cəhətdən xəbər vermək üçün optimal parametrlərin seçilməsi baxımından mühüm təcrübi əhəmiyyət kəsb edir. 1. Гусейнов Ш.Ш., Гусейнов А.М. Оценка времени предсказуемости в солнечной атмосфере. Изв. АН Азерб. Респуб. 2002, т.XXII, №5; с.127131. 2. Гусейнов Ш.Ш., Гусейнов А.М., Гребинский А.С. Пуассоновские модели формирования флуктуаций. Вестник Бакинского Университета. 2004, №2, с.166-174. Günəş spektrində spektral xətlərin profillərinin incə quruluşu haqqında Quluzadə C.M. Bakı Dövlət Universiteti Əvvəllər Günəş spektrində Fraunhofer xətlərinin asimmetriyasını öyrənmək üçün kəmiyyət üsulu yox idi. Xətlərin profillərinin bənövşəyi və qırmızı qanadlarının birbaşa müqayisəsi, asimmetriya əmsalı üsulu, bisektor üsulu və s. üsulların hamısı keyfiyyət xarakterli olduğundan profillərin asimmetriyasını ətraflı öyrənmək mümkün deyildi. Bundan başqa spektral xəttin profilinin asimmetriyasını bütövlükdə xarakterizə edən müəyyən bir fiziki kəmiyyət yox idi. Son illər Bakı Dövlət Universitetinin Astrofizika kafedrasında spektral xətlərin asimmetriyasını ətraflı öyrənmək üçün köhnə üsulların heç birinə söykənməyən yeni kəmiyyət üsulu təklif edilmişdir. Bu üsulda xətlərin profillərinin asimmetriyasını hərtərəfli xarakterizə etmək üçün 4 yeni adlı fiziki kəmiyyət daxil edilmişdir: 1. Differernsiyal asimmetriya ( Ri ) vi ri (1) Profilin ixtiyari dərinliyində asimmetriyanı təyin edir. 21 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı Burada vi və ri profilin bənövşəyi və qırmızı qanadlarında eyni Ri dərinlikli nöqtələrin xəttin mərkəzindən olan məsafədir. Differensiyal asimmetriya ( Ri ) 0 olduqda asimmetriya bənövşəyi, ( Ri ) 0 olduqda isə asimmetriya qırmızı adlanır. Əgər profilin verilmiş Ri dərinliyində differensiyal asimmetriya ( R) 0 olarsa bu dərinlikdə profil simmetrikdir. Təcrübə göstərir ki, differensiyal asimmetriya (R ) verilmiş xətt daxilində həm qiymətcə həm də işarəcə dəyişir. Başqa sözlə profilin bir dərinliyində meydana gələn bənövşəyi asimmetriya başqa dərinlikdə qırmızı asimmetriyaya və tərsinə çevrilir. Buradan xəttin profilinin asimmetriyasının incə quruluşa malik olması aşkar olmuşdur. Bəzi spektral xətlər üçün ( Ri ) bir neçə dəfə dəfə qiymətini və işarəsini dəyişir və bənövşəyi asimmetriya ( ( Ri ) 0) qırmızı asimmetriyaya ( R) 0 keçir. 2. İnteqral asimmetriya Differensiyal asimmetriyanın profilin dərinliyindən asılılığı ixtiyari bir xətt üçün aşağıdakı şəkildə verilmişdir. Bu şəkildə cizgilənmiş sahəni aşağıdakı düsturla ifadə etmək olar: ( Ri ) Ri (2) i Bu ifadə profilin inteqral asimmetriyası adlanır və profilin 22 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı bütövlükdə asimmetriyasını təyin edir. Aydındır ki, (2)- ni aşağıdakı kimi də yazmaq olar: ( Ri ) Ri ( Ri ) Ri , (3) ( R)0 burada ( R)0 ( R ) R ev4nb i ( R ) 0 i ( Ri ) Ri ( R )0 inteqral asimmetriyanın uyğun olaraq pozitiv və neqativ hissələridir. 3. Qalıq asimmetriya ( Ri ) Ri ( Ri ) Ri (3) ( R )0 ( R )0 profildə hansı asimmetriyanın üstün olduğunu göstərir. 0 olduqda profildə bənövşəyi asimmetriya, 0 olduqda isə qırmızı asimmetriya üstünlük təşkil edir. 0 olduqda profildə hər iki asimmetriya eyni güclüdür. 4. Nisbi asimmetriya ( Ri ) Ri (4) 0 i W inteqral asimmetriyanın profilin ekvivalent eninin (profildə tam udulmanın) hansı hissəsini təşkil etdiyini göstərir. Bu kəmiyyətlərin birinci üçü ölçü vahidli (mÅ) adlı kəmiyyətlərdir. Onlar spektral xətlərin profillərinin asimmetriyasını hərtərəfli və kəmiyyətcə təsvir etməyə imkan verir. Əvvəlki üsullardan alınır ki, spektral xəttin intensivliyi artdıqca asimmetriya əmsalı artır. Bu nəticəni fiziki olaraq izah etmək olmur və onun reallığı şübhə doğurur. Müasir təsəvvürlərə görə Günəş və ulduz spektrlərində spektral xətlərin profillərinin asimmetrik olması onların atmosferində gedən dinamik proseslərlə (konvektiv hərəkətlər və 23 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı müxtəlif növ dalğalarla) əlaqədardır. Mənbəsi elektronların trayektoriyasından kənarda olan hal üçün Aaronov – Bom effekti Rəcəbov M.R., Verdiyeva T.İ. Bakı Dövlət Universiteti Son zamanlar fəzanın qeyri-trivial topologiyaya malik oblastlarında hərəkət edən mikrozərrəciyin tədqiqinə aid kvant mexaniki məsələlər böyük maraq kəsb edir. Bu zaman kvant nəzəriyyəsində sərhəd şərtləri ilə yanaşı zərrəciyin hərəkət etdiyi xarici sahənin şəkli də mühüm rol oynayır. Belə topoloji effektlərin baş verdiyi kvant mexaniki məsələlərdən biri də Aaronov – Bom effektidir. İşdə xarici elektromaqnit sahəsində hərəkət edən zərrəciyin hərəkəti klassik mexanika və kvant mexanikası nöqteyi-nəzərindən şərh edilir. Belə sahədə hərəkət edən zərrəciyin Şredin ger tənliyinə elektromaqnit sahəsinin potensialları A , A aşkar şəkildə daxil olurlar. 2 1 ˆ e i P A e t 2m c 1 Klassik sahə halında zərrəciyin halı ona elektromaqnit sahəsi tərəfindən təsir edən Lorens qüvvəsi ilə təsvir olunur. Klassik tənliyə sahənin yalnız intensivlik vektorları daxil olurlar. 24 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı d m dt V 1 H rotA e eE H c 2 c2 2 1 A E grad c t ; Kvant zərrəciyi vektor potensialı A 0 olduğu, lakin maq nit sahəsinin olmadığı H 0 oblastda elektromaqnit sahəsi tərəfindən təsiri hiss edir. Aaronov – Bom effekti adlanan bu fenomen qüvvə olmadıqda zərrəciyə maqnit sahəsinin təsirini öyrənir. Kvant sahəsində yüklü zərrəcik xarici elektromaqnit sahəsinin təsirini, zərrəciyin hərəkətinin mümkün olmadığı, yəni müşahidə olunma ehtimalı çox kiçik olan və hətta sıfır olan fəzanın oblastında hiss edə bilər. Qeyri-relyativistik müstəvi rotatora baxılır. Belə sistemin Şredinger tənliyi: 2 1 ˆ2 ˆ2 ˆ e 3 P P P A r z 2 c Bu tənliyin həlli: 1 im 4 m e ; m 0;1;2 2 Enerji spektri: 2 2 m n 5 ; 0 1 2R 2 Alırıq ki, zərrəciyə təsir edən Lorens qüvvəsi sıfıra bərabər olduqda belə, zərrəciyin hərəkət etməsi mümkün olmayan oblastda toplanmış maqnit sahəsi enerji spektrini deformasiya edir, yəni zərrəcik maqnit sahəsinin təsirini hiss edir. 25 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı 𝝁− 𝑵 ⟹ 𝝂𝝁 𝜦𝝄 x prosesində 𝜦𝝄 - hiperonun polyarizasiyası Abdullayev S.Q., Məmmədova Ü.E. Bakı Dövlət Universiteti Yüksək enerjilər fizikasında ən çox tədqiq olunan proseslərdən biri lepton–nuklon dərin qeyri-elastiki səpilmə (DQES) prosesidir. Son illərdə standart DQES prosesləri ilə yanaşı yarıinklüziv proseslərə olan maraq da xeyli artmışdır. İşdə yüklü zəif cərəyanlar hesabına baş verən müon – nukon DQES-də yarıinklüziv 𝛬𝜊 -hiperonun doğulması prosesinə baxılmışdır: 𝜇 − + 𝑁 ⟹ 𝜈𝜇 +𝛬𝜊 (ℎΛ ) + 𝑋, (1) 𝜊 burada ℎΛ - 𝛬 - hiperonun uzununa polyarizasiyasıdır. Kvark-parton modeli çərçivəsində prosesin effektiv kəsiyi: d h dˆ h 2 f qNi x Dq f h f z dxdydz qi q f h f dy burada 𝑓𝑞𝑁𝑖 (x) – kvarkın nuklon daxilində paylanma funksiyası, Λ(ℎΛ ) 𝐷𝑞 𝑓(ℎ𝑓 ) (z) – polyarizə olunmuş kvarkın polyarizə olunmuş 𝛬𝜊 - hiperona fraqmentasiya funksiyası, ̂ 𝑑𝜎 𝑑𝑦 – elmentar parton proseslərinin effektiv kəsikləri, x, yvə z – kinematik dəyişənlərdir. (1) prosesinin parton prosesləri aşağıdakılardır: u d u s , , 3 d u , s u 𝛬 - hiperonun doğulması prosesinin effektiv kəsiyi bərabərdir: 𝜊 f N x Dq z f qN x Dq z 1 y 2 d h 2 xs f f i 2 qi F 2 N N dxdydz 2 qi q f h f q x Dq z f q x Dq z 1 y i f f i 26 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı burada F= 𝑈𝑞𝑖 𝑞𝑓 𝑋𝑤 2 −1 (𝑥𝑦𝑠 + 𝑀𝑤 ) , Uud = cos 𝜃c , Uus = sin 𝜃c , Λ(+1) Λ(+1) ∆𝐷𝑞Λ𝑓 (z) = 𝐷𝑞𝑓(+1) (z)-−𝐷𝑞𝑓(−1) (z) 𝑋𝑤 = 𝑠𝑖𝑛2 𝜃𝑤 - Vaynberq parametri ,𝜃𝑐 – Kabibbo bucağı,√𝑠 – müon-nuklon sisteminin tam enerjisidir. (4) düsturu əsasında - 𝛬𝜊 -hiperonun uzununa polyarlaşma dərəcəsi hesablanır: Δ𝐷𝑑Λ (𝑧) + 𝑅Δ𝐷𝑠Λ (𝑧) 𝑃Λ = − (5) 𝐷𝑑Λ (𝑧) + 𝑅𝐷𝑠Λ (𝑧) burada R=𝑡𝑔2 𝜃𝑐 =0,056- dır. 0 - hiperonun uzununa polyarlaşma dərəcəsi yalnız d və s kvarkların fraqmentasiya funksiyalarından asılır. Təcrübələrdə 𝛬𝜊 - hiperonun uzununa polyarlaşma dərəcəsinin öyrənilməsi polyarizə olunmuş kvarkların fraqmentasiya funksiyaları haqqında informasiya verə bilər. Наблюдательные загадки GW Ориона Баширова У.З., Абди Г.А. Шамахинская Астрофизическая Обсерватория им.Н.Туси НАН Азербайджана По современным представлениям в протозвездной стадии начальные массы звезд зависят от аккреции газа, которая происходит на поверхность звезды через аккреционный диск. В этом сообщении излагаются результаты анализа полученные на основании спектрального и фотометрического материала молодой системы GW Ori. На рис.1 приведена зависимость эквивалентных ширин эмиссии линии Нβ и Н, К СаII от фазы спектроскопического периода 241.9 дней, определенного в работе [3]. 1 около фазы 0.5 наблюдается значительное уменьшение эквива27 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı лентной ширины линии Нβ. 1 линии Н, К СаII также показывают незначительное уменьшение эквивалентных ширин около фазы 0.5. Звезда GW Ori представляет собой тройную систему, где главный компонент “А” – звезда спектрального класса dK0-dK3e, второй компонент “В” составляет с компонентом “А” тесную пару (расстояние между ними rAB ≈ 1.4 а.е.), и третий компонент “С”, находящийся от главного на расстоянии rAC ≈ 8 а.е. ([5]). Все исследователи [3, 4 , 5] сходятся на том, что период обращения компонент “А” и “В” вокруг общего центра тяжести – Р1=242d , а компонента “С” – Р2=3600d ([5]). Орбиты компонент “В” и “С” вокруг “А” примерно круговые и судя по параметрам орбиты орбитальная плоскость образует небольшой наклон с лучом зрения. Возможно, что в системе GW Ori существует (или существовал) обмен массами между компонентами “А” и “В”, о чем говорится и в [4]. В этом случае тесная двойная система компонент “А” и “В” как бы сыграла роль “ускорителя” эволюции. Компонент “А” стал меньше, а компонент “В” приобрел дополнительную массу и размеры за счет вещества верхних, гравитационно наиболее слабо связанных слоев атмосферы компонента “А”. Возможно, что подобным обменом масс можно объяснить и тот факт, что в работе [4] авторами были получены два значения периода примерно одинаковой достоверности – Р1=242d,02 и 242d,32. Таким образом, используя параметры, предполагаемые в теории звездообразования, для звезд солнечной массы можно качественно объяснить вышеуказанное загадочное явление об исчезновении затмений в двойной системе GW Ori. 1. Bate, M. R., & Bonnell, I. A. 1997, MNRAS, 285, 33 28 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı 2. Ochi, Y., Sugimoto, K., & Hanawa, T. 2005, ApJ, 623, 922. 3. Mathieu R.D., Adams F.C., Latham D.W. The T Tauri spectroscopic 4. 5. binary GW Orionis. Astron.J., 1991, v.101, p.2184-2198. Шевченко В.С., Гранкин К.Н., Мельников С.Ю., Ламзин С.А. Квазиалгол GW Ori. Природа затмений и оценка масс компонентов. Письма в Астрон.журн. 1998, т.24, №8, с.614-621. Berger J.P., Monnier J.D., Millan-Gabet R., et al. First astronomical unit scale image of the GW Orionis triple system. Astron.Astrophys. 2011, v.529, p. 1-4. Вращение звезд Алиев С.Г. Шамахинская Астрофизическая Обсерватория им.Н.Туси НАН Азербайджана Вращение является неотъемлемым свойством всех небесных тел. Осевое вращение наряду с массой и температурой – один из фундаментальных параметров звезд. Идея о том, что осевое вращение звезд может быть определено из измерения ширин спектральных линий, впервые была высказана у Эбни. Примерно 90 лет тому назад Г.А.Шайн и О.Струве впервые предложили и потом применили метод определения скорости вращения (точнее, ее проекции на луч зрения - Vsini) звезд разных типов на основании измерений ширин линий [2]. В данной работе кратко приводятся основные результаты о взаимосвязи и влияния вращения на самые разнообразные характеристики, параметры и эволюцию звезд. На распределение энергии в спектре, на интенсивности линий, определяемый химический состав атмосфер, спектральную классификацию, на форму поверхности, законы изменения фундаментальных параметров (Те, g) по поверхности и потемнения к краю, на светимости, показатели цвета и т.д.. Как 29 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı правило, быстрое вращение (Vsini ≥100 км∕с) встречается исключительно у звезд главной последовательности (ГП) спектральных классов О, В, А и ранних F. Скорости вращения звезд более поздних, чем F5, очень низки и не превосходят ~ 20км/с. Кроме того, были выявлены, что величины Vsini для магнитных СР-звезд в 2-3 раза ниже, чем у нормальных звезд ГП той же температуры. В торможении вращения звезд существенную роль может играть магнитное поле и потеря вещества. Звезды ГП с радиоактивными оболочками (без конвективной оболочки) имеют средние скорости вращения ~ 200км/с, что в три раза меньше критической. Только Ве- звезды вращаются со скоростями, приближающимися к критическим (500 км/с). Было установлено, что средняя скорость вращения зависит от спектрального класса и быстрее всего вращаются горячие звезды спектральных классов В и А. Это позволяет нам сделать заключение о том, что вращения звезды отражает как бы ее внутреннюю температуру (энергии). Проблема возникновения и дальнейшая эволюция углового момента звезд, остается до сих пор нерешенным. Кроме того неясно за счет каких механизмов идет диссипация углового момента протозвездных фрагментов; проблема медленного вращения химически пекулярных и магнитных звезд, по какой причине и на каком этапе эволюции пекулярные звезды теряют большую часть своего углового момента. Для решения этих вопросов необходимо иметь большое количество высококачественных однородных материалов наблюдений, что дело будущего. 30 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı Переменность межзвездных линий NaI 5890 и NaI 5896 в спектре звезды типа WR, HD 192163 Рустамов Д.Н., Абдулкеримова А.Ф. Шамахинская Астрофизическая Обсерватория им.Н.Туси НАН Азербайджана Звезда типа WR, HD 192163 (WN6, SB1) находится в центре кольцевой туманности NGC 6888 генетически связанной с нею [1]. В данной работе исследуется дублет натрия NaI 5890 (D2) и NaI 5896 (D1) в спектре звезды типа WR, HD 192163, с целью выявления возможного вклада кольцевой туманности NGC 6888 в формирование этого дублета. Спектральные наблюдения звезды HD 192163 были проведены на кассегреновском фокусе 2-м телескопа Шамахинской астрофизической обсерватории (ШАО) НАН Азербайджана в 2005-2009 гг. Применялся эшеллеспектрометр с ПЗС-матрицей с форматом 530х580 пикселей, спектральный диапазон 4000−7000 ÅÅ, спектральное разрешение R = 13 600, отношение сигнала к шуму S/N 100. Аппаратура наблюдений подробно описана в [2]. Получены 46 эшелле-спектрограммы исследованной звезды и стандартной звезды HD 189847. По эшеллеспектрограммам определена лучевая скорость межзвездных линий D1 и D2. Среднеквадратичная ошибка, определенная по стандартной звезде HD 189847 равно 3 км/c. Получены следующие результаты: - вывялена асимметрия межзвездных линий поглощения D2 и D1 в спектре звезды типа WR, HD 192163. Асимметрия этих линий во всех случаях обнаружена в фиолетовых крыльях профилей этих линий. - не обнаружена асимметрия линий D2 и D1 в спектрах стандартной звезды HD 189847. 31 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı - применением статистических методов анализа выявлена периодическая переменность лучевых скоростей линий D2 и D1. Обнаруженная нами асимметрия указанных линий поглощения в спектре звезды типа WR, HD 191765, объясняется вкладом генетически связанной с этой звездой кольцевой туманности NGC 6888, в формирование этих линий. Выявленная переменность линий поглощения D2 и D1 в спектре звезды HD 192163, по-видимому, связана с динамическими процессами, происходящими в кольцевой туманности NGC 6888. 1. Лозинская Т.А., Письма в Астрон. Журн., 1980, т.6, стр.350-355. 2. Х.М.Микаилов, В.М.Халилов, И.А.Алекберов, Циркуляр ШАО., 2005, 109, стр. 21-29. Maqnetar modelləri Allahverdiyev Ə.O., Novruzova H.İ. AMEA Fizika İnstitutu Son illərdə yüksək dəqiqliyə malik yeni müşahidə materialları sayəsində bilinən neytron ulduz (NU) çeşidlərinin sayı 7-yə çatmışdır. Bunlar daha öncə tapılmış olan klassik radiopulsarla yanaşı qoşa sistemlərdə akkresiya nəticəsində termal şüalanan rentgen pulsarları, mərkəzi kompakt obyektlər, sönük neytron ulduzlar, izolə olunmuş rentgen neytron ulduzlar, millisaniyəlik pulsarlar, anomal rentgen pulsarları (ARP) və təkrarlanan yumşaq qamma şüa mənbələridir (TYQŞM). Bu axırıncı 2 tip son illərdə daha çox diqqəti cəlb etməkdədir. Bunun səbəbi isə ümumi olaraq maqnetar adlanan bu obyektlərin rentgen oblastında şüalandırdığı enerjinin onların fırlanma enerjisi itkilərindən ~10-100 dəfə çox olmasıdır. Bu obyekt32 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı lərin P fırlanma periodları və ətraf mühitlə qarşılıqlı təsiri xarakterizə edən periodun zamana görə birinci tərtibdən törəməsi olan P başqa pulsarlardan fərqli olaraq çox dar bir aralıqda dəyişirlər. Buna görə də bu obyektlərin enerji mənbəyi, NU digər təzahür formalarından fərqli olaraq, yüksək maqnit sahəsinin annihilyasiyası ilə izah olunmağa çalışılır. Hal-hazırda bu obyektlərin təbiətini və onların təkamülünü izah edən bir neçə model mövcuddur (akresiya mexanizmi ilə şüalanan “fallback”, maqnitodipol mexanizminə əsaslanan maqnetar modeli və s.). Bunların hər birinin özünəməxsus müsbət və mənfi cəhətləri vardır (onların əsasında hesablanan və müşahidə olunan neytron ulduz (NU) parametrlərinin müqayisəsi, NU ümumi təkamül prosesinə uyğunluğu və s.). Bu sadalananlar son zamanlar intensiv araşdırılmaqdadır. Bu iş, əsasən, “fossilfield” adlanan modelin maqnetarlara tətbiq oluna bilmə imkanlarının araşdırılmasına həsr olunmuşdur. Daha öncə təlkif etdiyimiz sınağın tətbiqi nəticəsində göstərilmişdir ki, maqnetarlar maqnitodipol mexanizmi ilə təkamül edir və onlar yüksək kütləli ulduzlardan əmələ gələ bilər. Yuxarıda qeyd etdiyimiz sınağın əsas mahiyyəti pulsar ların P P diaqramında müxtəlif modellərə əsaslanaraq hesablanmış təkamül izlərinin müşahidə materallarına nə dərəcədə uyğun gəlməsini meydana çıxarmaqdan ibarətdir. Bu məqsədlə müxtəlif modellərdən çıxan pulsar yaşlarının bu obyektlərin yaşları üçün daha dəqiq hesab olunan kinematik-statistik yaşlarla müqayisəsi aparılmışdır. Pulsarların kinematik-statistik yaşı dedikdə bu obyektlərin Qalaktika müstəvisindən məsafəsi və onların orta statistik sürətlərini istifadə etməklə tapılan yaşları nəzərdə tutulur. Bu üsulla tapılmış pulsar yaşları təkamül modelindən asılı olmayıb obyektin Qalaktika müstəvısinə qədər olan məsafəsi (|Z|) ilə düz mütənasibdir. Araşdırmalar göstərdi ki, mövcud iki modeldən maqnetar 33 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı modeli müşahidə materiallarının daha böyük qismini təkbaşına izah etməyə qadirdir (əslində hal-hazırda maqnetarlara aid olduqca geniş müşahidə materallarının hamısını izah edə bilən bir model və ya nəzəriyyə mövcud deyil) və maqnetarlar adi radiopulsarlarla nisbərən daha böyük kütləli ana ulduzlardan yaranmış ola bilərlər. Maqnetarların yüksək maqnit sahələrinin dinamo mexanizmi ilə deyil, “fossil field” modeli ilə yarana biləcəyi bir sıra arqumentlərlə əsaslandırılmışdır. Amma son müşahidələr və nəzəri tədqiqatlarda alınan yeni nəticələr maqnetarların digər modellərini tam istisna etməyə hələlik imkan vermir. Остатки сверхновых в областях активного звездообразования Асваров А.И., Мамедханова Г.Б. Институт Физики, НАН Азербайджана [email protected]; [email protected] Процесс рождения новых звезд как в теоретическом так и в наблюдательном плане является исключительно трудной и многообразной проблемой. Мы в данной работе представляем результаты анализа рождения и их смерти в областях активного звездообразования (ОАЗ). Известно, что образование звезд происходит комплексно, в компактных ассоциациях. Согласно авторам работы [1] 90% звезд рождаются в ассоциациях размером 1пс. Рассмотрим первое поколение образовавшихся массивных звезд, первые (самые массивные) из которых за короткое время, меньше чем 106 лет, успевают закончить свою эволюцию и взорваться как сверхновая второго типа (СН II). Важная особенность эволюции ОСН в ОАЗ заключается в том, что на расширение оболочки оказывает влияние звездная состав34 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı ляющая массы, которая остается внутри ОСН, хотя диффузная составляющая материи полностью сгребается ударной волной и концентрируется около фронта ударной волны [2]. Большое количество молодых звезд разной массы, оставшиеся внутри ОСН, будут эволюционировать в среде, где давление очень высокое, хотя с расширением и со вре2 менем оно падает согласно Pin ESN Rs3 ESN 03 t 6/5 . 1/5 Это давление будет мешать свободному истечению вещества из звезд оставшихся внутри ОСН, образуя вокруг них плотные оболочки, не характерные для нормальных одиночных звезд, которые хорошо наблюдаются и поэтому хорошо изучены. Конечно, звезды, эволюционирующие ОАЗ, из-за сильного поглощения практически не видимы на Земле. Очень частые вспышки СН в таких областях, служат главным источником информации о процессах, происходящих в них. Из-за сильного поглощения в оптическом и ИК областях, в последние годы радио и рентгеновские наблюдения используются как важный канал информации об ОАЗ. Поведение яркости СН определяется распределением околозвездного вещества. Для рассматриваемого случая характерно большое разнообразие возможных сценарий развития. Рассмотрим несколько случаев. Если новая СН следует сразу за первой, то у ее прародителя вообще не будет оболочки, наблюдательно такую СН II будет отличаться отсутствием линий водорода и маловероятно ожидать от такого СН излучение в радио и рентгеновском диапазонах. Другой крайний случай – взрыв звезды окруженной плотной газовой оболочкой. Такая СН со временем может давать резкое увеличение яркости и, они легко могут генерировать радио и рентгеновское излучение. Специальные наблюдения областей активного звездообразования в рентгеновском диапазоне с помощью телескопа Чандра выявила избыток точечных 35 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı источников жесткого рентгеновского излучения [3]. Высокочувствительные радионаблюдения [4] также выявляют большое количество источников радиоизлучения в ОАЗ. Ожидается, что более массивные звезды, у которых возраст меньше, дают СН II по первому сценарию, менее массивные звезды, которые живут дольше и у которых большое количество потерянной массы остается вокруг звезды, дают СН второго типа. Рассматриваемая здесь проблема тесно связана с одной из фундаментальных проблем астрофизики о начальной функции масс образующихся новых звезд. 1. 2. 3. 4. Lada, C. J., & Lada, E. A. 2003, ARA&A, 41, 57 Asvarov A.I. Proc. IAU, 2013, V.292, p. 97 Kuhn et al., 2013, E-preprint arXiv1309.4484 Pérez-Torres M.A et al. 2009, A&A 507, L17 Dirak-Maksvel tənliklərinin şərti invariantlığı Bədəlov V.H. Fizika Problemləri İnstitutu, Bakı Dövlət Universiteti Fiziki proseslərin modeli olan diferensial və ya inteqrodiferensial tənliklər sistemi Li mənada çox dar simmetriya qrupuna malikdirlər. Qeyri-xətti proseslərdə bu özünü daha qabarıq göstərir. Hazırda bu tənlklərin simmetriya qrupunu genişləndirmək üçün iki istiqamətdə elmi tədqiqat işləri aparılır. Bunlardan birincisi, tənliklərin simmetriya xassələrini tədqiq etmək üçün yeni metodların işlənməsidir ki, bu da həm lokal və həm də qeyri-lokal simmetriya xassələrinin tapılmasına gəlir. İkinci istiqamət isə diferensial tənliklərinin simmetriya qrupunu bütün həllərdə deyil, onun hər hansı alt həllər çoxluğunda öyrənilməsinə əsaslanır. Nəticədə bu tənliklər sisteminin simmetriya qrupu genişlənir. Beləliklə, bu istiqamətdə verilmiş tənliklər sisteminin müəyyən şərtlərə əsaslanan 36 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı simmetriya qrupu tapılır və bu cür tapılmış invariantlıq şərti invariantlıq adlanır. Qeyd edək ki, ixtiyari əlavə şərt verilmiş tənliyin simmetriya qrupunu genişləndirmir. Ona görə də elə əlavə şərt öyrənib-qurmaq lazımdır ki, sistemin simmetriya qrupu daha geniş olsun. Çoxlu sayda proseslərin modeli olan Dirak-Maksvel tənlikləri kütləsi, yükü və cərəyan sıxlığı sıfra bərabər olduqda Li mənada 23-parametrli simmetriya qrupuna görə invariantdır. Əks halda bu tənliklərin simmetriya qrupu azalır və o, 14parametrli qrupa görə invariant olur. İşdə Dirak-Maksvel tənliklərinin 14-parametrli invariantlıq cəbrinə daxil olmayan Q-şərti invariantlığına əsaslanan metodla yeni Q-şərti invariantlıq xassələri araşdırılmışdır. Beləliklə, əsas həllər çoxluğuna daxil olmayan müəyyən alt həllər çoxluqlarında tənliklər sistemi daha geniş simmetriya qrupuna malik olur. Простой метод вычисления функции распространения в аксиальной калибровке Агамалиева Л.А., Байрамова Т.О., Ахмедова С.М. Бакинский Государственный Университет После предложения и доказательства В.Грибовым о неоднозначности ряда калибровок, используемых в неабелевых калибровочных теориях, возникла необходимость нахождения или способ вычисления квантово-полевых функций Вычисление конкретных эффектов определяется знанием квантово-полевых функций. Одним из таких функций является функция распространения или функция Грина. В теории поля функция Грина определяется как среднее значение операторов поля по вакууму. Здесь очень существенно вычислять среднее значение хронологического про37 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı изведения по вакууму. Эта процедура довольно утомительна, поэтому вычисление функции Грина более простым методом оказывается очень актуальным, что и делается в данной работе. В предложенной схеме не используются методы теорий возмущений, что отвечает современной концепции о непертубативном методе вычисления квантово-полевых функций. В данной статье вычисляется функция распространеk ния в аксиальной калибровке - 2 2 A 0 , здесь k (nk ) 2 k t и t (k ) t . Получено нами следующая 2 k nk формула: 2 k k s k k s nk s k2 4 Эта формула представляет собой функцию распространения или функцию Грина глюона в калибровке k A 2 2 0 . k nk Анализ данной формулы показывает, что она состоит из поперечной и продольной частей. Если принять =0 (калибровка Ландау) тогда формула становится поперечной. G s 1 k2 1. Dochitzer Yu., D’yakonov D., Troyan S. // Phys. Repts, V58, p. 270 (1980) 2. Basseto A., Ciafaloni M., Mardiesini G. // Phys. Repts, V100, p. 201 (1983) 3. Гаджиев С., Мамедов А., Гаджиева Л. // Краткие сообщения ОИЯИ, Дубна №1 (87)-98 4. Алексеев А. // ЯФ том 33, вып. 2 (1981) 5. Велиев Э., Карнаухов С., Файнберг В. // ЯФ том 49, вып. 6 (1989) 38 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı Yarıinklüziv e (e ) e ( e ) h X proseslərində asimmetriyalar Abdullayev S.Q. Bakı Dövlət Universiteti [email protected] Yüksək enerjilər fizikasında geniş müzakirə olunan proseslərdən biri də lepton-nuklon dərin qeyri-elastiki səpilmə prosesidir. Belə proseslər polyarizə olunmuş kvarkların nuklon daxilində paylanma funksiyaları haqqında informasiya mənbəyidir. İşdə polyarizə olunmuş elektron (pozitron)-nuklon toqquşmasında yarıinklüziv h hadronun doğulması proseslərinə baxılmışdır: e ( ) N (hN ) e ( e ) h X , (1) burada elektronun (pozitronun) spirallığı, hN nuklon hədəfin uzununa polyarizasiyası, h – - və ya K -mezonlardır. Kvark-parton modeli çərçivəsində (1) prosesinin diferensial effektiv kəsiyi aşağıdakı şəkildə yazıla bilər: d (e N ) dˆ h (2) f qN( h(qh)N ) ( x) Dq ( z ), dxdydz q , hq dy burada f qN( h(qh)N ) ( x) – polyarizə olunmuş kvarkın polyarizə olunmuş nuklon daxilində paylanma funksiyası, Dqh (z ) kvarkın dˆ hadrona fraqmentasiya funksiyası, – parton proseslərinin dy effektiv kəsiyi, x, y və z – adi kinematik dəyişənlərdir. Elektron (pozitron)-nuklon toqquşmasının parton proseslərini yazaq: e qi e q j , e q j e qi , (3) e q j e qi , e qi e q j , 39 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı burada, qi u, c; q j d , s; qi u , c ; q j d , s ola bilər. Hər bir parton prosesi yalnız bir spiral amplituda malikdir: dˆ LL (e qi e q j ) dy dˆ LR (e q j e qi ) dy dˆ RR (e qi e q j ) dy dˆ RL (e q j e qi ) dy 2 xs 4 xs sin W xys M W2 2 U ij 2 xs xs sin 4 W xys M W2 2 U ij 2 , 2 (1 y ) 2 , U ud U cs cosC , U us U cd sin C . Buradan görünür ki, sol elektron (sağ pozitron) yalnız sol spirallı kvarklarla və sağ spirallı antikvarklarla qarşılıqlı təsirdə olur. Yarıinklüziv elektron-nuklon səpilməsinin effektiv kəsiyi üçün aşağıdakı ifadə alınmışdır: d 2 xs dxdydz 4 xs xys M W2 2 2 1 (1 ) U ij { f qNi ( x) Dqhj ( z ) (1 y) 2 4 qi , q j sin W f qNj ( x) Dqhi ( z ) hN [f qNi ( x) Dqhj ( z ) (1 y) 2 f qNj ( x) Dqhi ( z )]}. (5) Həmin ifadə əsasında ikispinli asimmetriyanı təyin edək: ( h ph ) ( ah ah ) , (6) ANh h hp ( p ph ) ( ah ah ) burada p ( ah ) elektronun və nuklon hədəfin spinləri paralel (antiparalel) olduğu halda baxılan prosesin effektiv kəsiyidir. ANh h ikispinli asimmetriyanın maraqlı bir xassəyə malik olduğu aşkarlanmışdır. Bu asimmetriya kvarkların nuklon daxilində paylanma funksiyalarından asılıdır, lakin fraqmentasiya funksiyalarından isə asılı deyildir. Paylanma funksiyalarının ifadələri ədəbiyyatdan götürülərək ikispinli Ap (e p), ApK K (e p) , Ap (e p) və ApK K (e p) asimmetriyalarının x və y dəyişənlərindən asılılıq qrafikləri qurulmuşdur. 40 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı МГД-волны и неустойчивости температурноанизотропной плазмы солнечной короны как источник ее нагрева Джалилов Н.С. Шемахинская астрофизическая обсерватория НАН Азерб. На основе 16-моментных МГД-уравнений, которые учитывают тепловые потоки в анизотропной бесстолкновительной плазме, рассмотрены свойства неустойчивостей. Для всех возникающих в МГД-приближении неустойчивостей (обычная несжимаемая шланговая неустойчивость, вторая сжимаемая почти продольная шланговая и почти поперечная зеркальная неустойчивость замедленных магнитозвуковых мод, а также тепловая неустойчивость, вызванная тепловым потоком вдоль магнитного поля) рассмотрены их аналоги в кинетическом приближении. Исследовано кинетическое дисперсионное уравнение в низкочастотном диапазоне вблизи тепловой скорости ионов. Учтено течение ионного компонента плазмы вдоль магнитного поля. Сравнения МГД и кинетических порогов и инкрементов неустойчивостей показали хорошее согласие двух подходов. Это дает основания считать, что 16моментные МГД-уравнения с хорошей точностью могут описывать динамику бесстолкновительной плазмы. На основе развитой теории рассмотрены МГД-неустойчивости температурно-анизотропной корональной плазмы. Показано, что в условиях солнечной короны для слабых магнитных полей (B < 1 Гс) могут развиватьсяа периодические зеркальные неустойчивости медленных МГД-волн, а для сильных магнитных полей (B > 10 Гс) развиваются колебательные ионно-звуковые неустойчивости. Найдены инкременты нарастания неустойчивостей 41 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı и оценены временные и пространственные масштабы развития и распада колебательной неустойчивости. Показано, что рассматриваемые неустойчивости могут играть заметную роль в энергобалансе короны и рассматриватьсяв качестве крупномасштабного источника энергии волнового механизма нагрева короны. Необходимые условия оптимальности для систем с импульсными воздействиями при нелокальных краевых условиях Ягубов М.А., Кулиев Г.Ф., Юсубов Ш.Ш. Бакинский Государственный Университет Известно, 1 , что исследование многих физических процессов сводится к исследованию решений системы обыкновенных дифференциальных уравнений с импульсными воздействиями, при наличии начальных или краевых условий. Поэтому, является разумным и постановка различных задач оптимального управлениях в таких процессах. В связи с такими задачами в работе рассматривается следующая задача: Пусть движение обьекта происходит на интервале времени I t0 , T и пусть 0 ,1,...,m t0 0 1 ... m1 m T фиксированные моменты времени из этого интервала. Предположим, что на каждом из интервалов i-1,i , i 1, m 1 , m1, T траектория движения x t R n описывается системой дифференциальных уравнений (1) x t f t , x t , u t , t0 t T , t i 42 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı с нелокальными краевыми условиями 1x 1 ... e x e 0 при импульсных воздействиях x i x i i x i , i 1, 2,..., m 1 . (2) (3) Здесь f t , x, u - заданная n -мерная вектор-функция, непрерывная по совокупности переменных и имеет непрерывные частные производные по x, u до второго порядка включительно, i ( x) -заданные n -мерные дважды непрерывно дифференцируемые вектор-функции, 0 R n - заданная точка, 1, 2 ,..., e t0 1 2... e T фиксиро- ванные точки, u t - r -мерная кусочно-непрерывная вектор-функция управляющих воздействий со значением из непустого открытого множества U R r (допустимое управление): (4) u t U R r , t t0 , T . Под решением задачи 1 3 , соответсвующим заданному допустимому управлению u t U , понимаеся кусочно-абсолютно непрерувная на t0 , T , t i функция, а в точках разрыва i существует конечный левый предел x x t , i 1,..., m 1 . i lim t i , t Задача заключается в минимизации функционала T S u x 1 ,..., x e f 0 t , x t , u t dt t0 (5) определенного на решениях системы 1 3 , порожденных всевозможными допустимыми управлениями, где 43 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı z1,..., ze -заданная дважды непрерывно-дифференци- руемая по z1,..., ze скалярная функция , f0 t , x, u заданная скалярная функция , непрерывная по совокупности переменных и имеющее непрерывные частные производные по x, u до второго порядка включительно. Для задачи 1 5 получены различные необходимые условия оптимальности первого и второго порядков. 1. Самойленко А.М., Перестюк Н.А. Дифференциальные уравнения с импульсным воздействием (Вища Школа, Киев,1987). Применение динамического программирования к решению задачи оптимального управления для линейного параболического уравнения Гасанов К.К., Гасанова Л.К., Танырвердиев Т.С. Бакинский Государственный Университет В работе применяется принцип оптимальности Беллмана к решению задачи оптимального управления линейного параболического уравнения с интегральным квадратичным критерием качества. Известно, что передача тепла и диффузия играют важную роль в различных технологических процессах. Пусть объект управления в области D(0 t T , 0 x l ) описывается уравнением y y a (t , x) b(t , x) y u (t , x) t x x с начальным условием y (0, x) ( x) , 0 x l и неклассическими краевыми условиями 44 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı y(t ,0) y(t , l ) , yx (t , l ) 0 , 0t T , где a(t, x) 0 , b(t , x) 0 , ( x) L2 (0, l ) , u(t , x) управляющая функция. Допустимыми управлениями являются все функции из L2 ( D) . В выбранном классе допустимых управлений требуется указать управление u (t , x ) такое, чтобы функционал l T l 0 0 0 J (u ) a( x) y 2 (t , x)dx u 2 (t , x)dxdt принимал наименьшее возможное значение, где a( x) 0 - заданная функция, 0 , T - фиксированный момент времени. Группировка центральных звезд планетарных туманностей по средней светимости и среднему радиусу Алышева К.И., Алили А.Г. Бакинский Государственный Университет Как известно, эволюция планетарных туманностей связана с их центральными звездами. Для детального исследования эволюции этих объектов требуется точное построение диаграммы Герцшпрунга-Рессела. В представленной работе для выполнения поставленной задачи нами для 100 планетарных туманностей были вычислены радиусы и светимости центральных звезд планетарных туманностей. Далее туманности были распределены по средним светимостям и средним радиусам. На представленных диаграммах Генцшпрунга-Рессела показаны светимости взятые из литературы (рис. 1) и рассчитанные нами. Как показывает сравнение диаграммы почти совпадают. 45 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı I qrup L*/L0 10000 II qrup III qrup 1000 IV qrup V qrup VII qrup 100 VIII qrup IX qrup 10 X qrup XI qrup 1 LgXII T*qrup 6,0 5,5 5,0 4,5 4,0 Рис. 1 L/L0 10000 1000 100 10 LgT* 1 6,0 5,5 5,0 Рис. 2 46 4,5 4,0 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı FİZİKİ ELEKTRONİKA BÖLMƏSİ Солнечные преобразователи на основе селенидов галлия и индия 1Абдинов А.Ш.,1 Амирова С.И., 2Бабаева Р.Ф., 1Рагимова Н.А., 1Рзаев Р.М. 1Бакинский Государственный Университет 2Азербайджанский Государственный Экономический Университет Кристаллы моноселенидов галлия (GaSe) и индия (InSe) помимо других привлекательных для прикладных целей свойств, привлекают внимание также обладанием высокой фоточувствительностью в широком диапазоне оптического излучения (от 0.20 мкм до 1.35 мкм) даже при температурах вплоть до 300-350К. Ширина запрещенной зоны этих полупроводников составляет ~2.10 эВ и 1.29 эВ для GaSe и InSe соответственно. Возможность получения путем простого скалывания из крупных слитков отдельные плоскопараллельные пластинки с различной толщиной (от нескольких мкм вплоть до 7÷8 мм), заметная пластичность, зеркальность (гладкость на атомарном уровне) поверхности отдельных слоев, позволяют создать на основе этих полупроводников анизотипные гетероструктуры без всякой температурной технологии – путем посадки на оптический контакт при комнатной температуре. Это позволяет создать на их основе высокочувствительные фотоэлектрические солнечные преобразователи. Невозможность получения большой поверхности, большое значение удельного сопротивления и относительна высокая себестоимость кристаллов GaSe и InSe хотя ограничивают их применение для массового создания, но не умоляют высокую ценность этих полупроводников в 47 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı качестве хорошего опытного материала для проведения экспериментальных исследований, служащих обогащению физики и конструированию солнечных фотоэлементов. Нами установлено, что при слабом (N≤10-1 ат.%) легировании редкоземельными элементами (РЗЭ) из группы лантана (Gd, Ho и Dy), в зависимости от содержания введенной примеси (NРЗЭ), во-первых, немонотонно меняются параметры спектра и абсолютная величина фотоответа этих полупроводников; во вторых, расширяется протяженность насыщенной части спектра фоточувствительности гетероструктур и, в-третьих, при NРЗЭ≥10-2 ат.% обеспечивается высокая стабильность параметров и характеристик фотопреобразователей на их основе. Фотоэлектрические параметры и характеристики солнечных преобразователей на основе этих полупроводников не зависят от химической природы введенной примеси. Выявлено также возможность управление фоточувствительностью созданных солнечных элементов в ИК-области путем одновременного фонового освещения собственным светом. Предполагается, что все эти особенности фотоэлектрических свойств солнечных преобразователей на основе кристаллов GaSe и InSe могут быть полезными как для выяснения механизма происходящих в них различных электронных процессов, так и для создания разного типа других фотоэлектрических приемников светового излучения. Экспериментально снимались световая характеристика исследуемых структур при различных внешних и внутрикристаллических условиях. На основе анализа полученных данных оценены основные параметры и предложена схема электронных переходов, которые качественно удовлетворительно объясняет физический механизм обнаруженных в них явлений. 48 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı Импеданс спектроскопия слаботочного неонового разряда в капиллярной трубке Мурадов А.Х., Гусейнов Т.Х., Аллахвердиев Ш.А. Бакинский Государственный Университет a_muradov@yahoo, [email protected] Динамические свойства газоразрядной плазмы можно характеризовать импедансом (комплексное динамическое сопротивление), знание которого позволяет прогнозировать неустойчивости в разряде и методы их устранения, создавать системы стабилизации различных плазменных параметров. На основе анализа кривых импеданса (диаграмм-годографов) можно составить эквивалентную схему разряда, определить собственные реактивности и оценить устойчивость разряда, учитывая реактивности плазмы и внешней цепи [1- 3]. В отличии от традиционных широких разрядных трубок, в которых уже начиная от давления в несколько десятых Торр, возбуждение и ионизация осуществляется ступенчато, а гибель заряженных частиц определяется амбиполярной диффузией, в капиллярных трубках из-за высокой электронной температуры в образовании заряженных частиц преобладают прямые процессы, а уход осуществляется в режиме свободного падения. Это позволяет применить к капиллярному разряду метод динамической характеристики в наиболее простой форме с учетом одного фактора инерционности – процесса ионизации принимая во внимание свободную диффузию. Настоящая работа посвящена изучению импеданса положительного столба капиллярного разряда в неоне. Измерена динамическая вольтамперная характеристика разряда. Вычислен импеданс разряда при малых плотностях разрядного тока, когда заряженные частицы возникают 49 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı Im Z/R0 путем прямой ионизации и исчезают в результате свободного падения или амбиполярной диффузии. Получена расчетная динамическая характеристика для соответствующих условий с учетом инерционности процесса ионизации. Сопоставление расчетных и экспериментальных кривых свидетельствует о применимости предложенной модели для расчета динамического сопротивления слаботочных капиллярных разрядов. Измерения проводились в разрядной трубке с внутренним диаметром 2мм и длиной 40см. На рис. 1 приведен пример измеренной динамической характеристики при силе разрядного тока J p 10 мА . В соответствии с плоским характером статической ВАХ, кривая начинается с 0,6 0,5 0,4 0,3 0,2 0,1 0 1 10 4 8 10 5 10 3 3 10 3 3 0 1,5 10 4 2 10 4 3 10 4 4 5 10 0,5 1 1,5 Re Z/R0 Рис.1. Годограф динамической вольт-амперной характеристики разряда (сплошная кривая с треугольниками – расчет, точки – измеренные значения. (Ne, P 130 Па , в 2 мм , J P 10 мА , R0 80кОм ). начала координат при низких частотах. Импеданс носит индуктивный характер, с ростом частоты реактивная составляющая увеличивается, достигает своего максимального значения при частоте порядка 10 4 Гц , затем спадает. Активная составляющая с ростом частоты монотонно возрастает. Модуль импеданса во всем диапазоне измерений монотонно возрастает и при предельно высоких частотах 50 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı имеет преимущественно активный характер и стремится к значению, равному удельному сопротивлению столба постоянному току. Расчет динамического сопротивления произведен на основе системы уравнений, характеризующей положительный столб капиллярного разряда. Линеаризация и последующее решение полученной системы относительно комплексного динамического сопротивления единицы длины столба позволяет определить частотные зависимости действительной и мнимой частей сопротивления [4]. Уравнение баланса электронов можно записать в виде n (1) Da n zn , t где n концентрация электронов, D a - коэффициент амбиполярной диффузии, z – скорость ионизации. Для максвелловского распределения электронов с достаточной точностью z выражается так: eVi kTe z Be , (2) где B - коэффициент, выражающийся через эффективное сечение и, потенциал ионизации Vi , а также и электронную температуру Te . Двумя другими уравнениями служат уравнение, определяющее электронную температуру [1] eE , (3) T 0,63 e m P M и выражение силы тока разряда (4) J enSbE , где b – подвижность электронов, S – сечение разряда. Комбинируя уравнениями (3, 4, 1) получаем уравнение 51 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı V i 1 dJ 1 dU Be eGU DU , J dt U dt (5) где постоянные G и D зависят от давления газа и межэлектродного расстояния . Уравнение (5), связывающее J , U , dJ , dU предdt dt ставляет собой уравнение динамической ВАХ тока в газовом промежутке при заданных условиях. Конкретный вид характеристики зависит от того, как именно меняются U и J с течением времени. Легко анализируются два предельных случая медленных и быстрых изменений. При весьма медленных изменениях тока dJ 0 , dU 0 ; тогда из (5) dt dt Vi GU DU 0 , представляющее собой плоскую следует Be статическую ВАХ в виде U const . При очень быстрых dJ dU процессах производные и велики, в то время как dt dt правая сторона (5) от скорости процесса непосредственно не зависит. При достаточно высокой частоте колебаний или крутом фронте напряжения им можно пренебречь. Остающееся в этом случае уравнение 1 dJ 1 dU (6) 0 J dt U dt интегрируется и дает линейную зависимость между и , соответствующего закону Ома. Линеаризуя уравнение (5) находим динамическое сопротивление столба в виде Z R jX , (7) где действительная часть R и мнимая часть X комплексного сопротивления выражаются через , и G . В силу громоздкости явные выражения R и X здесь не приводятся. Рассчитанные значения импеданса при разных 52 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı частотах приведены в виде диаграммы на рисунке 1. Как следует из сопоставления расчетных и экспериментальных зависимостей, качественно ход годографов динамического сопротивления согласуются с общими закономерностями экспериментальных кривых, что свидетельствует в пользу применимости предложенной модели для расчета импеданса слаботочного разряда в трубках малого диаметра. [1]. Грановский В. Л. Электрический ток в газе, М.Гостехиздат, 1952, т.1, с.374-382. [2]. Привалов В.Е., Шишов С.И. "Радиотехника и электроника", 1987, т.32, №8, с.1678-1685. [3]. Дейч Г., Голубовский Ю.Б., Радиотехника и электроника, 1978, №6, с.1205-1211. [4]. Абдуллаев Р.А., Гусейнов Т.Х. Журнал “Известия вузов Радиоэлектроника” Киев, 2008, т.51, №4. p-GaAs/n-Cd1-xZnxS1-ySey heterokeçidlərinin Volt-Farad xassələrinin tədqiqi Abdinov Ə.Ş., Məmmədov H.M., Səfərov V.H., Məmmədov V.U., Nəzərova S.Ü. Bakı Dövlət Universiteti [email protected], [email protected] Sulu məhluldan elektrokimyəvi çökdürmə üsulu ilə alınmış p-GaAs/Cd1-xZnxS1-ySey heterokeçidlərin keçid oblastının topoqrafiyasının daha dəqiq və geniş təsvir edilməsi məqsədi ilə, bilavasitə çökdürülmədən və müxtəlif rejimlərdə termik işlənmədən sonra onların keçid tutumunun xarici gərginliyin qiymətindən və tezliyindən asılılıqları tədqiq edilmişdir. Ölçmələr keçidə tətbiq olunan dəyişən xarici elektrik sahəsinin 10 kHs tezliyində aparılmışdır. Əksər tərkibli nazik təbəqələr əsasında keçidlər üçün C-n=f(U) asılılıqlarında n2, 53 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı yəni bu heterokeçidlərin bağlayıcı təbəqəsinin sərhədi kəskin deyil. Bu nəticə öz növbəsində termik işlənməmiş heterokeçidlərin keçid oblastının tam formalaşmadığını, yəni keçid oblastında çoxlu sayda nano-heterokeçidlərin olduğunu bir daha sübut edir. Kontakta gətirilmiş p-GaAs və n-Cd1-xZnxS1ySey materiallarının kristal qəfəs parametrlərinin qiymətləri biri-birinə yaxınlaşdıqca C-n=f(U) asılılığınının qrafikindəki ayrı-ayrı hissələr üçün n-nin qiyməti 2-yə yaxınlaşır və x=0,9; y=0,8 tərkiblərində n=2,1 qiymətini alır. Bu isə kontakta gətirilmiş materialların heterokeçidin komponentlərinin qəfəs parametrləri uzlaşma dərəcəsi artdıqca onların təşkil etdiyi p-n keçidin bağlayıcı təbəqəsinin sərhədinin kəskinləşdiyini deməyə imkan verir. C-n=f(U) asılılığının qrafikində çox da dəqiq olmayan xəttiliyin müşahidə edilməsi və n-nin 2-dən az da olsa fərqlənməsi, kontakt komponentlərinin qəfəs parametrlərinin uzlaşmasına baxmayaraq, keçid oblastında hələ də defekt səviyyələrinin olduğunu göstərir. 35 35 termik işlənmədən əvvəl -n C , 10 -19 F -n 30 25 25 n=1.7 20 15 10 10 5 5 -1,0 -0,5 0,0 0,5 1,0 35 0 -1,0 -0,5 0,0 0,5 1,0 35 300oC, 15 dəqiqə 30 400oC, 20 dəqiqə 30 25 n=1.4 25 -19 15 15 10 10 C , 10 20 -n F -n n=1.9 20 15 0 200oC, 15 dəqiqə 30 20 n=2 5 0 5 -1,0 -0,5 0,0 0,5 1,0 U, V 0 -1,0 -0,5 0,0 0,5 1,0 U, V Şəkil 1. Arqon mühitində müxtəlif rejimlərdə termik işlənmiş p-GaAs/Cd0.1Zn0.9S0.2Se0.8heterokeçidlərinin C-n=f(U) miqyasında volt-farad xarakteristikaları Apardığımız təcrübi ölçmələr göstərir ki, arqon mühi54 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı tində seçilmiş müəyyən rejimlərdə termik işlənmədən sonra C-n=f(U) asılılığının xarakteri dəyişir. Bu zaman həm keçid tutumunun qiyməti azalır, həm də bağlayıcı təbəqənin sərhədi kəskinləşir. Arqon mühitində 3000C-də 15 dəqiqə ərzində termik işlənmədən sonra tədqiq etdiyimiz heterokeçidlərin voltfarad xarakteriasikasında dəqiq C-2=f(U) asılılığı müşahidə edilir. Lakin, termik işlənmə temperaturunun və müddətinin sonrakı artımında keçidətrafı oblastda neytral atomların və defektlərin ionlaşması ilə bağlayıcı təbəqənin sərhəddi yenidən pozulur – keçidin eni və tutumun qiyməti artır, yəni keçid dağılmağa başlayır. 1. Boukortt A. , Abbar B., Abid H., Sehil M., Bensaad Z., Soudini B. Calculation of electronic and optical properties of the quaternary alloys Zn1−xCdxSySe1−y // Materials Chemistry and Physics, v. 82, No 3, p. 911-920, 2003. GaSe<Sn> layli kristallarda fotokeçiriciliyinin öyrənilməsi Əliyev İ.M., Əliyeva V.İ. Bakı Dövlət Universiteti Yarımkeçirici kristalların bütün vacib xassələri müxtəlif növ defektlərin olması ilə təyin olunur. Yarımkeçirici materiallarda mürəkkəb defektlərin yaranmasına daha çox diqqət verilir. Bu defektlər aşqarlanmış atomların məxsusi və quruluş defektlərinin qarşılıqlı təsiri nəticəsində əmələ gəlir. Güclü elektrik sahələrində GaSe-nin optik xassələri öyrənilib. Göstərilmişdir ki, fundamental udulma kənarının sahə ilə yerdəyişməsindən başqa tədqiq olunan jnümunələrdə udulma zolağının genişlənməsi baş verir. GaSe eksitonlarının fotokeçiriciliyi tədqiq olunub. İşdə eksitonların dağılması və GaSe monokristal nümunələrinin fotokeçiricilik spektrlərinin formalaşmasında olan rolu göstərilmişdir. Ölçmələr həm təmiz, həm də qalay ilə aşqarlanmış nümu55 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı nələrdə aparılmışdır. Otaq temperaturunda müqavimətin artımı, nümunənin uzunluğunun qısa olduğuna görə 10%-i aşmır. Nümunələr p-tip keçiriciliyə malikdirlər. GaSe üçün xarakterik olan fotokeçiricilik əyriləri göstərilmişdir. Burada həmçinin udulma zolağının spektral oblastında çoxsaylı əksolmaları nəzərə alınmadan qurulmuş eyni nümunənin optik udulma əyrisi qurulmuşdur. Qrafiklərdən göründüyü kimi GaSe-nin udulma zolağı böyük yarımoxlu n=1 udulma zolağına malikdir. Həmçinin 300K temperaturda optik udulma və fotokeçiriciliyə uyğun maksimumların enerji udulması 0,622 mkm dalğa uzunluğu ilə üstüstə düşür. Fotokeçiriciliyin maksimal udulması və n=1 olan eksiton udulması He temperaturlarında üst-üstə düşür. Temperaturdan asılı olaraq eksiton udulması və fotokeçiricilik zolağı yarımeninin böyüməsi eksiton-fonon qarşılıqlı təsiri ilə əlaqədardır. GaSe-də fotocərəyanın kinetik tədqiqatında göstərilmişdir ki, fotokeçiricilik aşqar xarakterli, yəni monopolyardır. İşığın udulması aşağı zonada çoxlu sayda elektronların olması ilə əlaqədardır. Əsas maksimumlar oblastında fotokeçiricilik GaSe-nin əsas udulma zolağına uyğundur. Eksitonlar kristal daxilində hərəkət edərək qəfəsin defektləri və ya aşqarları ilə qarşılıqlı təsirdə olaraq onlara öz enerjisini verirlər. Bunun nəticəsində aşqarların biri uyğun mərkəzləri tərəfindən tutulur, digəri isə sərbəst zonaya atılır və keçiricilik monopolyar hal alır. Burada iki hala baxıla bilər: 1) E a olan aşağı temperaturlar halı; 2) E a olan yuxar temperaturlar halı. (Burada GaSe-də akseptorların ionlaşma enerjisidir). Birinci halda fotokeçiricilik temperaturdan asılı olaraq azalır, ikinci halda isə eksponensial olaraq artır. Aşağı temperaturlarda mərkəzlərin termik ionlaşması azdır və keçiricilik 56 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı temperaturdan zəif asılıdır. Yuxarı temperaturlarda ( E a ) akseptorların termik ionlaşmasından başqa eksitonların fononlardan səpilməsi prosesi də mövcuddur. Axırıncı prosesdə fotocərəyan temperaturdan eksponensial asılıdır. Fotocərəyanın kəskin böyümə sərhədi və fotokeçiriciliyin yarımeni zolağının temperaturdan asılılığından görünür ki, sərhəd sahəsi 77K temperaturda böyüyür. Bu işdə həmçinin fotocərəyanın nümunəyə tətbiq olunan gərginlikdən asılılığı ölçülmüşdür. Şüalanma mənbəyi olaraq 50 Hs tezliyə malik olan ЛГИ-21 lazerindən istifadə olunmuşdur. Göründüyü kimi fotocərəyanın doymasından sonra kəskin böyümə səddi yaranır və bu böyümə yenidən doymaya gətirir. Fotocərəyanın ikinci dolmuş hissəsi onunla əlaqədardır ki, işıqdan yaranmış bütün eksitonlar ionlaşırlar. Адсорбция молекул бензола на поверхности иридия Насруллаев Н.М., Гасанов Р. Ф., Ахмедова А.Р. Бакинский Государственный Университет Покрытие поверхность Ir углеродом было произведено высокотемпературной (T1600 K) адсорбцией молекул бензола. Работу выхода островков графита определяли независимо, зондируя поверхность иридия и рения двумя потоками: молекулами CsCl, которые давали информацию об относительной площади двумерных островков, и атомами К, которые легко ионизируется лишь на участках поверхности, свободных от островков. Если воспользоваться формулой Саха-Ленгмюра, измерив предварительно два тока ионов калия I 1 и I 2 с чистой поверхности иридия и с поверхности, содержащей островки графита, с относительной площадью S0: I1 eS 57 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı I 2 e S S0 eS0 eV 1 Q0 Q exp kT , то из отношения I 1 / I 2 можно определить и работу выхода островков, которая оказалось равной e=4,45 эВ. Работа выхода монослоя графита на иридии определялась несколькими способами: из графиков Ричардсона, по поверхностной ионизации атомов трудноионизируемых элементов (Na, Ba), а также по полному ионному току (Na, K, Ba). Было установлено, что поверхность монослоя графита на иридии однородна по работе выхода и имела e=(4,450,05) эВ. Образование монослоя графита уменьшает e иридия до 4,45 эВ которая совпадает с той же работой выхода для поверхности кристалла графита измеренной с помощью Оже спектрометра. При высокотемпературной адсорбции бензола на поверхности иридия вырастает графитовый слой, который ослабляет интенсивность оже-пика иридии ~1,6 раза и такой ослабление свидетельствует о равной моноатомной толщине графитового слоя [2]. Существует также несколько сообщений посвящённых получению графена, выращенного на других подложках на пример на подложках карбида кремния SiC(0001) [3]. Графитовая плѐнка формируется при термическом разложении поверхности подложки SiC. 1. Насруллаев Н.М., Рутьков Е.В., Тонтегоде А.Я. Адсорбция, десорбция и миграция молекул СзС1 на монослое графита на иридии. ЖТФ. 1987. 57. С. 353-356. 2. Галль Н.Р., Михайлов С.Н., Рутьков Е.В., Тонтегоде А.Я. Характер адцорбционной связи между монослоями графита и поверхностью рения. ФТТ. 1985. 27. С. 2351-2356. 3. Rollings E. et. al. Synthesis and characterization of atomically thin graphite films on a silicon carbide substrate J. Phys. Chem. Solids 67, 2172 (2006) DOI:10.1016/j.jpcs.2006.05.010 58 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı Анизотропия оптических переходов в монокристаллах II-III2-VI4 1,2Мехтиев Н.М., 2Салимова П.З. 1 Азербайджанская Государственная Нефтяная Академия, 2 Бакинский Государственный Университет Исследованиями фотопроводимости и оптического поглощения в поляризованном свете монокристаллов CdGa2Se4, CdIn2Se4, ZnIn2Se4 со структурой тиогаллата, решетка которых характеризуется различными значениями тетрагонального сжатия, установлено, что в формировании внутрикристаллического поля ведущая роль принадлежит «химическому фактору», то есть наличию неэквивалентных атомов и вакансий в катионной подрешетке. Тетрагональное сжатие изменяет величины кристаллического расщепления. Соединения CdGa2Se4, CdIn2Se4 и ZnIn2Se4 кристаллизуются в тетрагональной структуре, и характерным для них является наличие сжатия кристаллической решетки вдоль тетрагональной оси «С» (η=2-с/a >0). Кроме того наличие двух сортов атомов в катионной подрешетке также создают определенное изменение в энергетическом спектре. Теоретические расчеты и экспериментальные результаты показывают, что тетрагональное сжатие приводит к «положительному», а разность псевдопотенциалов атомов катионной подрешетки к отрицательному кристаллическому расщеплению (∆кр) и правила отбора в области края фундаментального поглощения определяются конкурирующим вкладами указанных факторов в кристаллическое расщепление. Значения ширины запрещенной зоны, определенные из спектров поглощения и ФП при 300К равны 2,25еВ, 1,73еВ и 1,83еВ для CdGa2Se4, CdIn2Se4 и ZnIn2Se4, соответ59 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı ственно. Наличие ряда особенностей в спектрах ФП CdGa2Se4, CdIn2Se4 и ZnIn2Se4 вблизи края фундаментального поглощения свидетельствует о сложности электронных состояний, формирующих край фундаментального поглощения. Облучение образцов линейно поляризованным светом показало, что амплитуды этих особенностей определяется взаимным расположением оптической оси кристалла С и электрического вектора падающего излучении Е. Bблизи края поглощения hv≥Еg, значение фототока при EC больше, чем при EIIC. В спектрах оптического поглощения также доминирует переходы при EC. В спектре ФП можно выделить три особенности, отмеченные линиями А, В, С; причем линии А и В преимущественно проявляются при EC, а линия С доминирует при EIIC. Поляризационную чувствительность фотоактивного поглощения кристаллов было оценено вычислением частотной зависимости коэффициента фотоплеохроизма Pi=(iII-i┴)/(iII+i┴) и формы индикатрисы фототока. iφ=iIIcos2(φ-fπ/2)+i┴sin2(φ-fπ/2). Существенные изменения в спектре Pi проявляются при достижении энергии линий А, В, С. Знак P i около А для CdGa2Se4 и линий А, В для CdIn2Se4 и ZnIn2Se4 отрицателен, что свидетельствует о том, что А и В переходы разрешены в поляризации ЕС. Инверсия знака Pi при достижении линии С показывает, что оптические переходы типа С разрешены для EIIC. Из энергетического положения А, В, С линий были определены параметры валентной зоны, таких как, кристаллическое (Δкр) и спин-орбитальное (Δсо) расщепления на основе квазикубической модели Хопфилда. Значения Δкр для указанных соединений имеет отрицательный знак. Влияние различных обработок на свойства контакта 60 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı кремний Пашаев И.Г., Мехтиев Р.Ф. Бакинский Государственный Университет [email protected] В последние годы увеличился объём исследований, посвященных использованию плёнок металлов и металических сплавов с аморфной структурой в технологии диодов Шоттки (ДШ), что обусловлено их важным прикладным значением [1]. С барьерами Шоттки отличаются повышенной радиационной стойкостью, их технология может быть удешевлена за счет устранения операции высокотемпературной диффузии для создания p-nпереходов, использования поликристаллических подложек. Применение металлов с аморфной структурой позволяет формировать более однородную и устойчивую во времени границу раздела (ГР) металл-полупроводник и получить диоды Шоттки с характеристиками, близкими к идеальным. Исследовано влияние различных обработок (механичскихтермических и ультразвуковых) на свойства диодов Шоттки, а также влияние облучения -квантами на характеристики образцов фото преобразоводитель (ФПЭ)с барьером Шоттки для солнечных элементов При изготовлении кремниевых ФПЭ с барером Шоттки для солнечных энергетики поверхности химико-механической полировке, производилось напыление металлического сплава состава Ni35Ti65, который имеет тенденцию к аморфизации [3]. Данное концентрациионное соотношение обеспечивалось подбором скоростей испарения компонентов сплава, который наносили методом электронно-лучевого испарения из двух источников. Подложки были изготовлены из бездислокационных монокристаллов кремния, выращенных методом Чохральского, легированных фосфором. Удель61 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı ное электрическое сопротивление ~0,7 Ом·см, кристаллографическая ориентация <111> [4]. Матрица содержала 14 диодов, площади которых менялись в интервале от 100 до 1400 мкм2, площадь контакта составляла 200 мкм2. Установлено, что -облучение негативно сказывается на характеристиках ДШ (искажение как обратной, так и прямой ВАХ по сравнению с исходными, увеличение обратного тока Iобр ). Показано, что восстановление параметров ФПЭ после -облучения, возможно с помощью ультразвуковой обработки. По-видимому, в этом случае происходит перегруппировка и атермический отжиг радиационных дефектов, образованных гамма-квантами. Полученные в работе результаты свидетельствуют также о том, что УЗО частично восстанавливает структуру -NiTi и кристаллическую структуру кремниевой подложки образцов ФПЭ после -облучения. Экспериментально установлено, что характер и степень изменений фотоэлектрических свойств ФПЭ зависят от выбранного режима УЗО, т.е. регулируя режим УЗО, можно целенаправленно корректировать параметры ФПЭ. 1. Askerov Sh. G., I.G. Pashaev Conference Proceeding Second International Conference on Technical and Physical Problems in Power Engineering - Tabriz-Iran. 6-8 September 2004. Р. 367 - 368. 62 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı Частотно-емкостные характеристики МДМ – структуры на основе фталоцианина меди Садраддинов С.А. Бакинский Государственный Университет Целью настоящей работы является установление энергетической диаграммы, определение параметров барьерного слоя и полупроводника в «сэндвич» структуре Al-РсСu-Al. Из зависимости емкости от температуры для двух частот видно, что емкость системы в области низких и высоких температур значительно отличаются (~ 9 раз). Эта характеристика хорошо объясняется, если принять, что барьерные слои является структурными элементами образца. При низких температурах сопротивление объема Rb R 0 exp( / kT ) велико и емкость системы определяется емкостями обьема и двух барьеров Шоттки, соединенных последовательно (1) C ( 2 / C 1/ C )1 , s b а при достаточно высоких температур емкость системы пределяется последовательно соединенными емкостями обоих барьеров Шоттки: CCs / 2 (2) Для величины барьерной емкости получено C 1400рФ . s На зависимости емкости от температур построена также теоретическая кривая для частоты I кГц по формуле [2]: C 1(C R ) b b , (3) C s 2 1 2C ( C / 2C ) R 2 b s b b при следующих параметров: 63 C b 167пФ, С s 1400 п, Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı -2 R0 2,65 10 Ом и 0,55 эВ . Видно, что в области 300 С теоретическая кривая хорошо согласуется с экспериментальными результатами В области низких температур емкость системы обнаруживает, что в емкости проявляется обратимый фазовый переход [3]. Определив барьерную емкость структуры можно определить ширину барьеров Шоттки s из соотношения (4) s 0 S / C s где для РсСu 3, 0 3,5 [4]. Вычисленная ширина каждого из барьеров Шоттки оказывается равной s 0,11 0,13мкм . С другой стороны, ширина барьеров Шоттки определяется выражением: 2 1/ 2 s [ 2( m i )0 / e N ] t , откуда 2 2 N 2( m i ) 0 / e s , t (5) где N - концентрация центров захвата, m и i - соответt ственно работа выхода материала электродов и РсСu. По этой формуле N t 2 10 cм . Из частотной зависимости емкости можно определить энергию активации Ф по формуле 16 -3 ln ln( aR01 ) / kT , (6) где а – постоянная, зависящая от выбранного частного значения емкости. Определенное таким образом значение энергии активации- Ф=0,53 эВ. 1 Зависимость ln от Tmax должна дать прямую, наклон которой пропорционален энергию активации Ф=0,54 эВ. Точке пересечения этой прямой с осью частоты 64 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı соответствует: 0 [ R 2 Cb (Cs / 2 Cb )] 1 / 2 . (7) 0 Значение R0, вычисленное из этой формулы с использованием параметров Сb=167 пФ,Сs=1400 пФ оказывается равным 1,8102 Oм . К физическим процессам нанесения тонких пленок импульсным плазменным методом Давудов Б.Б. Бакинский Государственный Университет Пленочные микрокомпозиции из проводящей и диэлектрических фаз могут быть получены разными способами: совместным осаждением частиц проводящей и диэлектрических фаз, формированием диэлектрической фазы частичным окислением, внедрением в пленку, состоящую из одной фазы, частиц другой фазы и др. Для получения высокоомных керметных пленок успешно могут быть использованы импульсные плазменные испарители, в которых происходит непосредственное испарение проводящих и диэлектрических материалов, находящихся в разрядной камере устройства. Разрушение диэлектриков и поступление массы разрушения в зону разряда в импульсных плазменных испарителях определяются тепловыми потоками из плазмы на поверхность этих материалов. Полный тепловой поток из плазмы на поверхность диэлектриков представляет собой сумму конвективного и лучистого потоков. Конвективный тепловой поток, оцененный по фор- 65 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı 1 ni vi Ei , невелик и приблизительно равен (3-6) 4 103 Вт/см2. Здесь ni концентрация ионов в плазме, vi – муле Q их скорость, E i – тепловая энергия частиц. Лучистый тепловой поток можно оценить по закону 4 Стефана – Больцмана Q Te ,где 5,67 10-12Вт/см2 – постоянная Больцмана. Для плазмы с достаточно высокой температурой (50 000-100 000 К) эта величина достаточно велика (105-106 Вт/см2) и может привести к быстрому повышению температуры в тонком поверхностном слое до такой величины, при которой начинаются фазовые превращения материала стенки разрядной камеры. А это, в свою очередь, приводит к деструкции и интенсивной сублимации материала. Молекулы этого вещества, поступая в разрядный промежуток, в результате многократного столкновения диссоцируются, и происходит частичная ионизация продуктов разрушения, что и подтверждается микроскопическими и спектроскопическими исследованиями. В сублимации соединения Вi12GeO20 в спектре наряду с однократно возбужденными линиями атомов висмута, германия и кислорода наблюдались двух- и даже трехкратные возбужденные линии этих атомов. Отметим, что этот кристалл обладает свойствами фотопроводникового и электрооптического материала, то есть в нем под действием внешнего электрического поля происходит оптическая активность. Составляющие сложных соединений, таких как висмут германат, имеют различные давление паров, то есть летучесть компонентов сильно отличается, и по этой причине в стационарных испарителях вещество испаряется несогласованно и, следовательно, состав конденсата будет отличаться от состава исходного материала. В импульсных плазменных испарителях же в тонком приповерхностном 66 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı слое очень большая температура достигается мгновенно в течение нескольких микросекунд, и происходит одновременное испарение (сублимация) вещества. Это обстоятельство обеспечивает сохранение стехио-метрического состава тонких пленок сложных соединений, получаемых этим методом. Silisum əsasında hazırlanmış Şottki diodlarının elektofiziki xassələrinə müxtəlif metallik təbəqələrin mikrostrukturunun təsiri Əsgərov Ş.Q., Paşayev İ.G. Bakı Dövlət Universiteti Keçən əsrin 70-ci illərindən başlayaraq metallar və yarımkeçiricilər arasındakı sərhəd tamamilə götürülməklə yanaşı bunların hər ikisinin unikal xassələrindən istifadə olunurdu. Ayırıcı sərhəddin xüsusiyyətləri 1 çox faktorlardan: ölçülərdən, nizamlılıqdan, kimyəvi reaksiyaların əmələ gəlməsindən və kinetik proseslərin getmə xarakteristikalarından asılıdır. Sadalanan faktorlar içərisində əsas yeri ayırıcı sərhədin bircinsliyi tutur [1.2]. Ona görə ki elektron qurğuların keyfiyyəti və davamlılığı bu faktordan asılıdır. Ayırıcı sərhəddə bircinslik problemini həll etməkdən ötrü götürülən maddə ya amorf ya da polikristal olmalıdır. Monokristallik Şottki diodu əsasında praktiki olaraq inteqral mikrosxem düzəltmək çətindir. Bu münasibətlərdə amorf strukturlu metallardan istifadə oluması daha perespektivlidir. Son 40 il ərzində amorf yarımkeçirici və metal xəlitələrin geniş istifadə olunması onların intensiv öyrənilməsinə gətirib çıxarmışdır. Bundan başqa fundamental elm sahələrində də amorf metallardan geniş istifadə olunur. Belə ki, amorf metallarda nizamsız quruluşu öyrənmək üçün böyük imkanlar da vardır. Amorf xəlitələrdən istifadə olunması bizə tam əsas verir ki mikrosxem elementlərinin key67 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı fiyyət və davamlı olmasına həmçinin amorf xəlitələrin kimyəvi cəhətdən aktiv olmaması onlarda gedən diffuzion proseslərin sürətini azaldır [3]. Bu işdə silisium əsasında hazırlanmış NixTi100-x-nSi (harda ki, x=4;19;37;74;96) Şottki diodların elektrofiziki xassələrinə muxtəlif metallik təbəqələrin mikrostrukturunun təsiri öyrənilmişdir. Şottki diodlarinin əsas parametirləri, potensial çəpərin hündürlüyü və qeyri bircinslik əmsalı təcürbü yolla hesablanmış və bu parametirlərin kontaktın toxunma sahəsindən, tərkib və strukturdan asillığı müəyyın edilmişdir, bununla bərabər müxtəlif tərkibli diodların lektrofiziki xassələrinə termoemalın təsiri öyrənilmişdir, termoemal 100-600°C aparılmışdır. ŞDnın təcrübi nümunələri müxtəlif sahəli diod matrisləri şəklində (100-1400) mkm2 ölçülərində hazırlanmışdır. Amorf və polikristal xəlitə əsasında hazırlanmış NixTi100-x n-Si Şottki diodlarının elektrofiziki xassələri tədqiq edilərək, alınmış nəticələrə gorə Ni35Ti65 xəlitəsi amorf, qalanlari isə polikristallik struktura malikdir. Təcrübi yolla tapılmış NixTi100-x-nSi ŞD əsas parametirləri, potensial çəpərin hündürlüyü və qeyri bircinslik əmsalı və bu parametirlərin kontaktin toxunma sahəsindən, tərkib və strukturdan asillığı toxunma sərhəddinin qeyri bircinsliyi ilə izah olunur. Alinmış nəticələrdən görünür ki, NixTi100-x-nSi ŞD potensial çəpərin hündürlüyü və qeyri bircinslik əmsalı xəlitənin Ni35Ti65 amorf halinda kontaktın toxunma sahəsindən, polikristal xəlitələrlə müqayisədə zəyif asilığı movcuddur. NixTi100-x-nSi Şottki diodunun parameterlərinin termoemaldan asilı olaraq dəyişmələri arasında müəyyən korrelyasiyanın olması müəyyən edilmişdir. 1. 2. 3. Аскеров Ш.Г // ПЖТФ, 1977, т.3, №18, с.968-970. Пашаев И. ФТП, 2012, том 46, вып. 8 c.1108-1110. Аморфные металлические сплавы. Под ред. Ф.Е.Люборского. М.: Металлургия, 1987, 620с. 68 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı Влияние температуры получения на фотолюминесценцию ZnSe Агалиева С.Т., Ахмедзаде Н.Д., Ширинов М.М. Институт Физики НАН Азербайджана В работе приводятся спектры фотолюминесценции (ФЛ) поликристаллического ZnSe полученного из парогазовой фазы и прошедшего различное число этапов сублимационной перекристаллизации. Полученные спектры сравнивались со спектрами ZnSe, синтезированного из расплава. ZnSe является перспективным материалом для разработки на его основе лазерных и некогерентных электроннолучевых и инжекционных излучающих приборов, в сине-голубой области оптического спектра, оптики для лазерной ИК – техники, приборов и устройств отображения информации, интегральной оптики и т.д. Широкое применение в полупроводниковой электронике ZnSe сдерживается трудностями, связанными с проблемами его получения с управляемыми физическими свойствами. Как правило, при получении соединений ZnSe, с использованием современных методов, не удаётся исключить влияния примесей как заведомо содержащихся в элементах соединения так и неконтролируемо заносимых в соединение в процессе высокотемпературного синтеза. Эти примеси, создавая энергетические уровни в запрещённой зоне полупроводника, оказывают отрицательное влияние на оптические, излучательные и фотоэлектрические свойства приборов, изготавливаемых из него, значительно снижают их надёжность. Поэтому необходимость получения высокочистого соединения стехиометрического состава для дальнейшего изготовления приборов из него с эффективной излучательной рекомбинации в собственной области спектра, очевидна. Исследована динамика изменения спектров ФЛ ZnSe, 69 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı прошедшего различное число этапов сублимационной перекристаллизации. Эффективность очистки ZnSe оценена по разрешению спектральных линий ФЛ и их интенсивности в экситонной области (h=2,784-2,8 эВ) и интенсивности краевого излучения при температуре 77 К. Спектральная ширина щели при записи спектра ФЛ составляла 1 А0 (0,2 мэВ). Анализ спектров ФЛ показал, что лучщее разрешение пиков экситонной люминесценции достигнуто в ZnSe, полученном при относительно низких (до 1200 0С) температурах возгонки и кристаллизации. По мере увеличения числа этапов перекристаллизации максимумы линий краевой люминесценции затухают и напротив, возгораются максимумы линий собственного излучения. В итоге после прохождения четвёртого этапа перекристаллизации для полученного ZnSe характерны высокая интенсивность экситонной люминесценции и слабая интенсивность краевого излучения. Эти качества обнаруживают перспективу использования этого материала при изготовлении приборов из него. Спектры комплексного импеданса в кристаллах TlInSe2 Алиева Н.А. Институт Физики НАНА В настоящей работе изучаются процессы ионной проводимости и эффекты объемно-зарядовой поляризации в кристалле TlInSe2. Проведено измерение кинетических зависимостей электропроводности σ(t) в постоянном поле и спектров комплексного импеданса Z*(f) в интервале частот 101-106 Гц. Электрические свойства соединений исследовались широко применяемым в физике конденсированного состояния методом импедансной спектроскопии в интервале температур 100-400К в области частот 25 Гц 1 MГц. Обкладки конденсаторов были получены нанесе70 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı нием платиновых токопроводящих контактов на поверхности сколотых пластинок кристалла. Исследования электропроводимости проводились цифровым измерителем иммитанса Е7-25. С использованием платиновых электродов электрические свойства кристаллов TlInSe2 исследованы в постоянном и переменном измерительном поле при температурах 100−400К. В постоянном поле зафиксировано существенное уменьшение электропроводности σ со временем. В диапазоне частот 101−105 Hs измерены спектры комплексного импеданса Z(٭f). Анализ диаграмм в комплексной плоскости (Z″−Z′) проведен с использованием метода эквивалентных схем замещения. Показано что в исследованном интервале температур и частот электрические свойства TlInSe2 определяются прыжками ионов Tl и накоплением носителей заряда вблизи блокирующих Pt электродов. Исследование электронной структуры тонких пленок Cd1-xMnxTe Мехрабова М.А., 1Нуриев И.Р., 1 Оруджев Г.С., 1Назаров А.М., 1Садыгов Р.М., Гусейнов Н.И. НАНА, Институт Радиационных Проблем, 1Институт Физики Тонкие пленки Cd1-xMnxTe нашли широкую область применения в электронике, оптоэлектронике, наноэлектронике, спинтронике, интегральной оптике, астрофизике и медицине. Особенно нужно отметить их успешное применение в создании высокоэффективных солнечных элементов, детекторов ИК, х- и γ-облучения, работающих при комнатной температуре, оптических изоляторов и т.д. В данной работе исследована электронная структура тонких пленок Cd1-xMnxTe. Были проведены первопринципные расчеты в рамках теории функционала плотности (DFT-density functional theory) с использованием програм71 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı мы Atomistic Tool Kit (АТК). Были рассчитаны зонная структура, плотность состояния, определена уровень Ферми, проведена оптимизация кристаллической структуры и релаксация атомов для антиферромагнитного состояния тонких пленок Cd1-xMnxTe (х=0.0625) в LSDA (Local Spin Density Approximation) приближении в базисе DZDP (double zeta double polarized) с учетом поправки Hubbard-U для 6р-состояний Те (UТе=3.7 эВ) и 3d-состояний Mn (UMn=3.59 эВ). Установили, что верхние уровни валентной зоны, которые расположены в области [-5-0] eV, в основном происходят из 5р-состояний атомов Tе, а нижние зоны проводимости из 5s-состояний атомов Cd. Учитывая, что вклад s-состояний атомов Cd в формирование фундаментального зазора незначителен, мы в расчетах пренебрегли этой поправкой (рис. 1, 2). a) б) Рис. 1. Cd1-xMnxTe (х=0.062), a) кристаллическая элементарная ячейка, б) энергетическая зонная структура б) a) Рис. 2. Cd1-xMnxTe (х=0.0625), a) полная плотность состояния; b) локальные парциальные плотности состояний для 3d-состояний Mn. 72 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı Расчеты были проведены для антиферромагнитного и ферромагнитного состояния. Установлено, что для этих кристаллов устойчивым является антиферромагнитное состояние. Рассчитанная ширина запрещенной зоны хорошо согласуется с экспериментальными данными, полученными нами. В данной работе были синтезированы твердые растворы Cd1-хMnхTe (х=0.05) и рентгенографическим методом определены параметры рещетки. Рентгенографический метод исследования показали, что они кристаллизуются на основе кубической решетки CdTe и с увеличением количества Mn в синтезированных образцах параметр решетки незначительно уменьшается. Кристаллическое совершенство образцов исследовано ЭПР методом (рис. 3). ЭПР спектры снимались при комнатной температуре в ЭПР спектрометре фирмы “Bruker” EMX/lus (в области - x, λ=3.2 sm-1). Определено, что ионы Mn2+ однородно внедрились в кристаллическую решётку соединения. Были получены тонкие пленки указанных твердых растворов на стандартной вакуумной установке УВН -71П3 методом конденсации молекулярных пучков. Подложками служили монокристаллы слюды. Рис. 3. ЭПР спектры твердых растворов Cd1-xMnxTe, x=0.05. 73 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı Пленки получены на подложках при температуре (Т=300 К, 400 К). Кристаллическая структура полученных пленок были исследованы рентген дифрактометрическим методом. Установлено, что при Т=300 К, пленки, полученные на подложках монокристаллической слюды имеют поликристаллическую структуру (рис. 4). Рис. 4. Рентген дифрактометрический спектр тонкой пленки Cd1-хMnхTe (х=0.05) на подложках слюды при Т=400 К. Были исследованы спектры поглощения и пропускания тонких пленок Cd1-xMnxTe (х=0.05), полученных при комнатной температуре на подложках слюды (рис. 5). б) a) Рис. 5. UV-Visible спектры: зеленым цветом представлены спектры слюда – воздух, красным слюда +Cd1-xMnxTe (воздух), синим слюда + Cd1-xMnxTe (слюда) а) поглощение, б) пропускание. 74 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı Спектры регистрировались на спектрометре UV-Visible SPECORD 250 PLUS - 223G1020 в области длин волн λ=300-1000 nm. Определена ширина запрещенной зоны Eg=1.59 эВ. Полученные значения Eg, удовлетворительно согласуются с расчетными данными, полученными нами. [1] G.M.Zewdie Ab–initio calculations of structural and electronic properties of a BeXZn1-XSe ternary alloy. Addis Ababa University, Ethiopia, 2012, 69 p. [2] Shi-Hao Wei, X. G. Gong, Gustavo M. Dalpian and Su-Huai Wei Firstprinciples study of Mn-induced local magnetic moments in host semiconductors. PHYSICAL REVIEW B 71, 144409, 2005, pp.1-6. [3] Booth, N. and Smith, A. S. Infrared Detectors, Goodwin House Publishers, New York & Boston, 1997, pp. 241-248. [4] B.M.Askerov, T.G.Ismailov, M.A.Mekhrabova Interband Faraday rotation in semimagnetic semiconductors. Phisica status solidi (b), 1991, v.163, pp. k117-k121. [5] Г.С.Оруджев, M.A.Meхрабова Первопринципное исследование энергетической зонной структуры CdTe, “Radiasiya Tədqiqatları və onların praktiki aspektləri” VIII konfrans, Bakı, Azərbaycan, 2013, s.40-41. Данная работа выполнена при финансовой поддержке Фонда Развития Науки при Президенте Азербайджанской Республики – Грант № EİF- 20122(6)-39/06/1-M-25 Получение толстослойного графитовой пленки на поверхности рения Оруджов А.К., Алиев И.М., Насруллауев Н.М., Исмаилова Р.Н, Дашдамиров А.О., Рагимов Р.Ш. Бакинский Государственный Университет Изучение электрофизических свойств системы Re-C методами каталитической диссоциации молекул CsCl и термоэлектронной эмиссии ТЭЭ показали, что при Т≤1800 К рениевой ленты в парах бензола и при последующем 75 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı понижении температуры на рениевой ленте образуется монослой графита. А при нагретой до Т≥1900 К рения в парах бензола (PC 6 H 6 =10-3тор) и при последующем понижении температуры до Т≤1600 К на рениевой ленте образуется толстая пленка графита. Работа выхода пленочной системы Re-C определялась по методу поверхностной ионизации молекул CsCl и по ТЭЭ. Оба способа определения работы выхода дали практически совпадающие результаты (еφ=4,5эВ), что соответствует работе выхода Re(10 1 0) –C. При насыщении рения углеродом при Т=1700 К в парах бензола давлением PC 6 H 6 =5·10-5 тор, сопротивление рения R20оC увеличивалось от 0,29 Ом до 0,52 Ом. Тогда зная I1/I0=1,01, T 0,20 чистого рения при Т=1600К можно было найти T1 0,36 для Re (10 1 0)-C. С другой стороны известно, что концентрация предельной растворимости зависит от температуры и с понижением Т она должна уменьшаться. Тогда возникает вопрос об уходе «избыточных» атомов углерода при понижении температуры рения. Так как при понижении температуры рениевой ленты насыщенная углеродными атомами объемный фазовый переход атомов углерода не происходит, то надо полагать, что «избыточные» атомы углерода должны десобироваться из системы Re-C.. При насыщении рения Т=1900 К атомами углерода в парах бензола с давлением PC 6 H 6 =5·10-3 тор сопротивление рения R20оC увеличивалось от 0,29 Ом до 0,66 Ом т.е. ~2,3 раза. После насыщения рения углеродом в этих условиях при понижении температуры производили измерения токов ТЭЭ и ПИ молекул CsCl от тока накала рениевой ленты. Эти зависимости сильно отличались от аналогичных зависимостей в случае насыщения углеродом при температурах Т≤1800 К. После экспозиции рения в парах бензола, в вышеуказанных 76 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı условиях, ток накала Re резко уменьшали до нуля и после выдержки при комнатной температуре определенное время, постепенно увеличивали и измеряли ток ПИ молекул CsCl из которого был вычислен коэффициент диссоциации молекул CsCl. Резкое увеличение коэффициента диссоциации при Т≥1900 К объясняется освобождением поверхности Re от графита (десорбция с поверхности Re атомов углерода). В пользу получения толстого слоя графита на рении свидетельствовала зависимости токов ТЭЭ от тока накала. Значение токов ТЭЭ с графитового слоя на Re при высокотемпературном (Т≥1900 К) насыщении атомами углерода по сравнении с токами ТЭЭ при низкотемпературном (Т<1800 К) насыщении Re (монослой графита на рении) уменьшились в ~150÷200 раз в одинаковых значениях токов накала. Это можно было объяснить уменьшением температуры рениевой ленты, из-за увеличения коэффициента черноты излучения Re с толстым слоем графита. Действительно, в результате высокотемпературного (Т>1900 К) насыщения рения углеродом сопротивление увеличивается в ~2,3 раза. При этом мощность тока накала для данного значения не может уменьшаться. Так, как при высоких температурах мощность в основном выделяется в виде излучения, то W I 2 R T T 4 . Отсюда видно, что из-за увеличения T, температура должна уменьшаться. 77 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı Amplitud-tezlik xarakteristikasının (ATX) və osilloqramın analizinə görə mp3 formatda yazılmış audiosiqnallarda təkrar kodlaşdırılma əlamətlərinin təyini Əliyev L.P., 1Musayeva S.Z. Bakı Dövlət Universiteti 1Azərbaycan Dillər Universiteti İnformasiya daşıyıcısında tutduğu yerə qənaət etmək məqsədi ilə audioinformasiyanın yazılması zamanı müxtəlif növ kodlaşma tətbiq olunur. Keçən əsrin axırlarında MPEG qurupu tərəfindən səsin kodlaşdırılması üçün kodeklər nəsli işlənilmişdir. Bu nəslə MPEG (1), MPEG(2) və MPEG 2.5 kodlaşma standartları daxildir. Bu kodlaşma standartı üçün LayerI, LayerII və Layer III kimi 3 versiya işlənib hazırlanmışdır. Hazırda MPEG1, MPEG2 və MPEG2.5 üçün yaradılmış səsin kodlaşma formatı olan LAYER III daha çox yayılmışdır və qısaja olaraq mp3 adı almışdır. Fonoqramın ilkin olub-olmamasını müəyyən etmək üçün əksər hallarda həmin yazı qurğusu vasitəsilə eksperimental yazılış aparılır və bu fonoqramlar müqayisə olunur. Analoq yazı qurğuları ilə yazılmış audiosiqnalların ilkinliyi müəyyən edilərkən yazı qurğusunun ATX-sı, keçid proseslərini xarakterizə edən START/STOP siqnalları, spektrdə qeydə alınmış sabit harmonikaların fazaja kəsilib-kəsilməməsi və s. tədqiq olunur. Rəqəmsal yazı qurğuları vasitəsi ilə yazılmmış audiosiqnalların ilkinliyinin müəyyən edilməsi zamanı isə qeyd olunan əlamətlərdən başqa faylların struktur analizi də (Binar analiz) faylın ilkinliyinin müəyyən edilməsində vacib şərtlərdəndir. Audiosiqnalın ilkinliyinin müəyyən olunmasında inteqral spektrin (ATX-nın) rolu. İnteqral spektr təkrar kodlaşdırılma izlərinin axtarılması zamanı və yazı qurğusunun eyniləşdirilməsi zamanı istifadə olunan xarakteristikadır. Analoq fonoqramlarda inteqral spektr həm də yazılışdan sonra 78 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı edilmiş dəyişikliklərin müəyyən olunması zamanı rəqəmsal filtrin tətbiq olunub-olunmadığını müəyyən etmək məqsədi ilə istifadə olunur. Bu praktikanı MPEG kodlaşdırılmadan keçmiş fonoqramların analizi zamanı tətbiq etmək olmaz. Məsələn, MPEG I LayerII kodeki vasitəsi ilə kodlaşdırılmış fonoqramın inteqral spektrində 8000 Hs və 16000 Hs tezliklərində amplitud düşgüsü qeydə alınır ki (şəkil 1), bu da sıxma alqoritminin tezlik diapazonunun məhdudlaşdırılması nəticəsində yaranır. Şəkil 1. MP3-fonoqramın müxtəlif hissələrində fon küyünün səviyyəsindən asılı olaraq yazma diapazonu xeyli dəyişə bilər. Şəkil.2-də eyni bir fonoqramın 2 müxtəlif hissəsində inteqral spektrlər təsvir olunmuşdur. Şəkil 2. Diktorun alçaq danışdığı hissədə kodek psixoakustik modeldən istifadə edərək siqnalın ATX haqqında 0-15 KHS diapazonda, diktorun yuksək danışdığı hissədə isə 0-13 KHS diapazonda informasiya saxlayır. Yəni, kodek eyni bir kodlaşdırılma parametrli siqnalın tezlik dapazonunu bu siqnalda olan danışığın ujalığından asılı olaraq dəyişə bilər. Sadə dildə desək, eyni bir yazı qurğusu vasitəsi ilə yazılmış fonoqramın müxtəlif hissələrində tezlik diapazonu müxtəlif ola bilər və bu fonoqramın həmin hissələrinin müxtəlif yazı qurğusu ilə yazılması demək deyildir. Təkrar mp3-kodlaşdırılmanın əlamətlərinin müəyyən edilməsi. mp3-fonoqramın analizi zamanı əsas məsələlərdən 79 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı biri təkrar kodlaşdırılma izinin müəyyən edilməsi məsələsidir. Bəzi müəlliflərin məqalələrində təkrar kodlaşdırılmanın əlamətlərinin müəyyən olunması cəhdinə rast gəlinir. Lakin bu müəlliflər tərəfindən təklif olunan metodlar yalnız o vaxt nəticə verir ki, təkrar kodlaşdırılma bitreytin artırılması ilə baş versin. Kodlaşdırılmanın müəyyən edilməsi üçün osilloqramın analizi göstərir ki, mp3-ün kodlaşdırılması zamanı fonoqramın əvvəlində akustik şəraiti əks etdirməyən və bir qayda olaraq 1 saniyə davam edən siqnal formalaşır. Belə fraqmenti Başlanğıj Xidməti fraqment (BXF) adlandırmaq daha yerinə düşür. BXF koder vasitəsi ilə əlavə olunur və akustik şəraiti əks etdirən fraqmentlərdən amplitudunun kiçik olması ilə fərqlənir. Bu siqnalın uzunluğu və xarakteristikası müxtəlif kodek üçün, eləjə də eyni bir kodekin müxtəlif iş recimi üçün müxtəlifdir. Təkrar kodlaşdırılma zamanı siqnala əlavə BXF əlavə olunur. İki dənə əlavə olunmuş BXF arasında sərhədi müəyyən etmək çətindir. Lakin təkrar kodlaşdırılma zamanı akustik şəraiti əks etdirən ilkin siqnalın əvvəlində ümumi uzunluğu bir BXF-dən böyük olan iki BXF əlavə olunacaqdır (şəkil 3). (3 dəfə kodlaşdırılma) və Şəkil. 3-də (2 dəfə kodlaşdırılma) siqnalın eyni bir fraqmentinin kodlaşdırılmaya qədər, bir dəfə kodlaşdırılmadan Şəkil 3. 80 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı sonra və 2 dəfə kodlaşdırılmadan sonra LAME 3.98.4 kodeki üçün BXF siqnallarının osilloqramları göstərilmişdir: Şəkil 4. Şəkil 4-də birinci osilloqramdan göründüyü kimi LAME 3.98.4 kodeki üçün BXF fraqmentin uzunluğu 11025 Hs tezlikli siqnal üçün 1105, ikiqat kodlaşdırılmada 2210 hesabat nöqtəsi təşkil edir. Müxtəlif markalı və modelli mp3 yazı qurğuları üçün BXF özündə yazı qurğusunun qrup xüsusiyyətlərini əks etdirə bilər. Şəkil 5-də Samsung YP-U3 PPİM yazı qurğusunun mp3-fonoqramında BXF təsvir olunmuşdur. Şəkildə 5də 8572 hasabat uzunluqlu BXF-in kəskin olaraq sıfıra enməsi özünəməxsusluğu təsvir olunmuşdur. Şəkil 5. 1. İSO/İEJ 1172-3:1993 İnformation tejhnology – Joding of moving pijtures and assojiated audio for digital storage media at up to about 1,5 Mbit/s - -Part 3: Audio. 81 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı 2. İSO/İEJ 13818-3:1998 İnformation tejhnology – Generij joding of moving pijtures and assojiated audio information - -Part 3: Audio. Şüalanmanın Cu3 In5 S9 monokristalında yapışma prosesinə təsiri Həsənova L.H., Məhəmmədov Ə.Z., Cahangirova S.Ə. Bakı Dövlət Universiteti Məlumdur ki, I – II – III qrup elementləri əsasında bir neçə tip mürəkkəb quruluşlu yarımkeçirici birləşmə alınır. [1] işində AI B III C2VI B2III C3VI kvazibinar sistemlərin hal diaqramının öyrənilməsi nəticəsində A3I B5III C9VI tip birləşmələrin alındığı göstərilmişdir. Baxılan işdə bu qrupa daxil olan Cu3 In5 S9 birləşməsinin lokal səviyyələrinə elektron şüalanmasının təsiri öyrənilmişdir. Yavaşəritmə üsulu ilə birləşmənin təkmil monokristalları göyərdilmiş, ərimə temperaturu 1080 0C, layvari quruluşa malik heksoqonal sinqoniyada kristallaşan 0 0 ( a 8,4 A, c 17,41 A ) təkmil monokristallar alınmışdır. Mürəkkəb yarımkeçirici birləşmələr praktik tətbiqinə görə perspektiv olduğundan bu maddələrə radiasiyanın təsirinin öyrənilməsi böyük əhəmiyyət kəsb edir. Yarımkeçirici birləşmələrdə nöqtəvi defektlərin meydana gəlmə hallarının nəzəri analizi elementar yarımkeçiricilərə nəzərən çox mürəkkəbdir. Ona görə təcrübi tədqiqatlara böyük ehtiyac var. Təcrübələr göstərmişdir ki, ionlaşdırıcı şüaların təsiri ilə yarımkeçirici maddələrdə bütün hallarda həm akseptor, həm də donor mərkəzləri yaranır. Radiasiya şüalanması zamanı yaranan ən sadə defektlər qəfəsin düyünlərində boş yerlərin və düyünlər arasında dayanıqlı vəziyyət almış atomların olmasıdır. 82 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı Belə defektlər Frenkel defektləri adlanır. Kristalda radiasiya defektlərinin yaranması üçün onun atomlarından birinə «astana enerjisi» adlanan müəyyən enerji vermək lazımdır. Şüalanma zamanı atom defektlərinin yaranması maddənin bir çox xassələrinin dəyişməsinə səbəb olur, ona görə müxtəlif dozalarla radiasiya şüalanması ilə maddənin xassələrini müəyyən qədər idarə etmək olar. Baxılan işdə elektron şüalanmasının Cu3 In5 S9 monokristalının fotoelektrik xassələrinə təsiri öyrənilmişdir. Cu3 In5 S9 monokristallı geniş optik diapazonda yüksək fotohəssaslığa malikdir. Şüalanmadan əvvəl fotokeçiriciliyin maksimumundan tapılmış qadağan olunmuş zolağını eni Eg=1,35 eV, xüsusi müqaviməti 1,6·105 Om·sm, yürüklüyü 70 sm 2 / V s -dir. Əvvəlcə şüalanmamış Cu3 In5 S9 nümunələrində termik stimulyasiya cərəyanı (TSC) öyrənilmişdir. TSC əyriləri b=0,15 dərəcə/san sürəti ilə çıxarılmışdır. Müəyyən olunmuşdur ki, 77-400 K temperatur oblastında Tm=192 K-də bir maksimum müşahidə olunur və maksimumun vəziyyəti ilkin şüalanma müddətindən asılıdır. Bu dolmuş tələlərin sayının şüalanma müddətindən asılılığı ilə izah olunur, belə ki uzun müddət işiqlanma nəticəsində tələlərin maksimum dolması baş verir və TSC-nin artması dayanır. Ümumiyyətlə TSC-nin maksimumunun sürüşməsi güclü zəbtolma zamanı müşahidə olunur. Tədqiq olunan nümunələr enerjisi 6 MeV və inteqral seli 1013, 1014, 1015 zərrəcik/sm2 olan elektron seli ilə şüalanmışdır. 1013 zərrəcik/sm2 intensivlikli dəstə ilə şüalanma TSC əyrisinə təsir etməmişdir. 1014 intensivlikli şüalanma zamanı TSC-nin piki nisbətən aşağı temperaturda müşahidə olunur. İntensivliyin artması yeni bir dəyişiklik vermir. Şüalanma qaranlıq cərəyanın azalmasına səbəb olur. Bu onunla izah olunur ki, şüalanma nəticəsində həm akseptor səviyyələri, həm də donor səviyyələri yaranır. 83 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı [1]. В.И. Тагиров, Н.Ф. Гахраманов, А.Г. Гусейнов. Новый класс I III VI тройных полупроводниковых соединений типа A3 B5 C9 : Изд. БГУ, 2001, с. 303. Строение валентной зоны PbSb2Te4 по данным явлений переноса 1Немов С.А.,1,2Джафаров М.Б., 1Благих Н.М., 1Шелимова Л.Е. 1Санкт-Петербургский Государственный Политехнический Университет, 2Азербайджанский Технологический Университет, Гянджа Относительно новым направлением исследований термоэлектрических материалов является синтез тертрадемитоподобных соединений на основе AIVA2VB4VI. Дополнительный интерес к этим соединениям обусловлен тем, что они являются топологическими изоляторами. Особенностью роста кристаллов PbSb2Te4 является значительное отклонение от стехиометрического состава при кристаллизации, приводящее к образованию большого количества собственных электрически активных точечных дефектов, обеспечивающих дырочную проводимость с концентрацией дырок p ≈ 3∙1020 см-3 [1]. Сложность в изучении зонной структуры соединений PbSb2Te4 связана с малым влиянием добавок компонент на концентрацию дырок, сильной анизотропией электрофизических свойств и смешанным механизмом рассеяния дырок [2]. Анализ экспериментальных данных заметно облегчается при введение примеси меди в шихту кристаллов PbSb2Te4, поскольку легирование медью приводит к существенному (примерно в 2 раза) снижению концентрации дырок до уровня p ≈ (1.6 – 1.7)∙1020см-3, что позволило нам 84 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı сделать оценки параметров валентной зоны PbSb2Te4. Рассмотрим данные по термоэдс S в координатах S/T и Т, приведенные на рис.1 для кристаллов PbSb2Te4:Cu. Как видно из рис. 1а, отношение S/T от Т в образце №1 с минимальной концентрацией дырок (p ≈ 1.6∙1020см-3) вплоть до максимальной температуры (Т=420К) уменьшается в соответствии с моделью однозонного спектра дырок. Рис. 1. Температурные зависимости отношения термоэдс к температуре S/T в плоскости скола для образцов с составом шихты: а) PbSb2Te4:Cu (p ≈ 1.6∙1020см-3); b) PbSb2Te4:Cu (p ≈ 1.7∙1020см-3). Для кристалла №1, в предположении доминирующего акустического механизма рассеяния в соответствии с данными [2], оценены уровень Ферми μ0 ≈ 0.2 эВ и md ≈ 0,5 m0 (m0 – масса свободного электрона). Для кристалла №2 с более высокой концентрацией дырок характерно увеличение отношения S/T от Т при температурах выше 300 К, что может быть объяснено сложным строением валентной зоны. В случае двухзонной модели коэффициент термоэдс S и Холла R описываются формулами: S k0 π2 k0T k 1 r 1 0 л e 3 μл 1 / b e μ /b , r 1 т k 0T 1 / b т 85 (1) Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı R 1 b2 , (1 ) (b ) 2 ep0 (2) в которых: rл, rт – эффективный параметр рассеяния для легких и тяжелых дырок, 1/η = pл/pт, b = uл/uт – отношение концентраций и подвижностей легких и тяжелых дырок соответственно (для акустического механизма рассеяния b ~ (mdт/mdл)5/2,где mdл и mdт – эффективные массы плотности состояний легких и тяжелых дырок соответственно), µт = µл – ΔEv – химический потенциал тяжелых дырок, ΔEv – энергетический зазор между экстремумами валентной зоны, р0= pл+pт –полная концентрация дырок. Таким образом, расчеты двухзонной модели спектра дырок PbSb2Te4:Cu согласуется с экспериментальными данными по термоэдс и эффекту Холла при следующих значениях параметров: mdт ≈ 1.1 m0, ΔEv ~ 0.23 эВ. [1] Л.Е. Шелимова, Т.Е. Свечникова, П.П. Константинов, О.Г. Карпинский, В.С. Земсков. Неорган. материалы. 43, 165 (2007). [2] С.А. Немов, Н.М. Благих, Н.С. Дема, М.К. Житинская, В.И. Прошин, Т.Е. Свечникова, Л.Е. Шелимова. ФТП 46, №4, 463 (2012). [3] С.А. Немов, Н.М. Благих, Л.Е. Шелимова. "Ученые записки ЗабГГПУ" № 3 (44), серия "Физика, математика, техника, технология" (2012). Bitkilərin kök sisteminin temperaturunun yarpaq sisteminin bəzi termodinamik parametrlərinə təsiri Quliyev N.İ., Zeynalov Z.M., Rzayeva L.Ə. Gəncə Dövlət Universiteti Bitkilərin kök sisteminin temperaturunun yarpaq sisteminin termodinamik göstəricilərinə təsirinin kompleks şəkildə öyrənilməsi mühüm nəzəri və praktiki əhəmiyyətə malikdir. Hazırki işin məqsədi, kök sistemi sahəsində temperaturun, qaranlıqda yarpaq sistemindən suyun hərəkətinin sərbəst enerji 86 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı balansına (SEB), yəni biokimyəvi reaksiyaların baş verməsi zamanı səbəst enerjinin yığılmasına təsirini nəzəri olaraq əsaslandırmaqdan ibarətdir. Qaranlıqda yarpaq sistemi vasitəsilə hərəkət edən suyun SEB kəmiyyəti, tənəffüs prosesində ayrılan sərbəst Gibs enerjisi ilə (izobar-izotermik potensial), istilik şəklində enerji itkisi fərqindən ibarətdir. Bu kəmiyyət, biotermodinamikada səth – sərhəd yanaşmasına daxil edilmişdir. Bunun isə əsasını, qeyri-taraz xətti termo-dinamikanın bitki ətraf mühit sisteminin sərhədinə tətbiqi təşkil etmişdir və həmin sərhəddə baş verən əsas proseslər – su və istilik mübadiləsi prosesləri nəzərə alınmışdır. Qaranlıqda yarpaq sisteminin SEB – inə, tənəffüs prosesində ayrılan sərbəst enerjinin molekulyar səviyyədə kəmiyyət göstəricisi kimi baxmaq olar. Səth–sərhəd yanaşmasına müvafiq olaraq, energetika nöqteyinəzərindən tənəffüs prosesinin təsviri aşağıdakı termodinamik kəmiyyətlərin təyin edilməsinə gətirib çıxarılır.Yarpaq sistemi və ətraf hava arasındakı sərhəd səthinə təsir edən axınların və qüvvələrin termo-dinamik analizindən sonra, aşağıdakı kimi tənlik alınmışdır: (1) T C F Vist . T E Z , m 2 saat Burada F – entropiya məhsulunun xarakterizə edən parçalanma funksiyası; Vist . - yarpaq-hava istilik mübadiləsinin sürəti; T– yarpaq–hava sisteminin orta mütləq temperaturu ; Z suyun gizli buxarlanma istiliyi; E - transpirasiyanın intensivliyi, - transpirasiya edən yarpaq səthi və onu əhatə edən hava səviyyəsində havanın özünəməxsus rütubətləri fərqlidir. Aydındır ki, bitkinin yarpaq sistemində entropiya məhsulu, yarpaq sistemi ilə ətrafdakı hava arasındakı su və istilik mübadiləsi ilə təyin edilir. Yuxarıda qeyd edilən sərbəst enerji növü aşağıdakı tənliklə təyin edilir. G T C (2). Z E 0 Vist. ; 2 t T m saat 87 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı Burada - G t - sərbəst enerjinin sürəti; 0 - yarpaq səthinin temperaturunda doymuş su buxarının səciyyəvi rütubəti; Vist . , T , T , E , Z - (1) tənliyində qeyd edilən mənalarda istifadə edilmişdir. Qaranlıqda istilik mübadiləsinin ((2) tənliyində ikinci hədd) qiyməti, yarpaqla ətrafdakı hava arasındakı su mübadiləsi ((2) tənliyində birinci hədd) ilə müqayisədə aşağıdır. Qaranlıqda tənəffüs prosesində ayrılan sərbəst enerji ((2) tənliyi) ilə parçalanma funksiyası ((1) tənliyi) arasındakı fərq, qaranlıqda yarpaq sistemində hərəkət edən suyun sərbəst enerji balansıdır. Bu kəmiyyət aşağıdakı tənliklə ifadə edilir: G1 C (3) Z E 0 Z E , t Burada G t m 2 saat - sərbəst enerjinin toplanma sürətidir. Beləliklə, qaranlıqda tənəffüs zamanı sərbəst enerjinin toplanması sürəti kəmiyyətcə xarakterizə olunmuşdur. Aparılmış tədqiqatlardan belə bir nəticə çıxarmaq olar ki, qaranlıqda tənəffüs zamanı biokimyəvi realsiyalarda enerji mənbəyi qaranlıqda yarpaq sistemində hərəkət edən suyun sərbəst enerjisidir. Orqanizmdə suyun hərəkət sürəti artdıqca, tənəffüsün sürəti, yəni tənəffüs prosesləri zəncirində metabolik proseslərin sürəti də artır. Bu asılılıq, bitliklərdə biokimyəvi reaksiyaların intensivliyinə və effektivliyinə nəzarət etmək üçün yeni imkanlar yaradır və həm də onun havanın temperaturu və nisbi rütubəti vasitəsilə məqsədyönlü nizamlana bilməsi imkanlarını göstərir. 88 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı CdInGaS4 əsasında hazırlanmış elektrofotoqrafik təbəqələrdə fotoelektret halı Məmmədov N. C., Məmmədova E. İ., Musayev S.X. Azərbaycan Dövlət Aqrar Universiteti Gəncə Dövlət Universiteti Elektrofotoqrafiyanın əsasını yüksəkmüqavimətli, işığa həssas yarımkeçiricilərin daha az müqavimətli əsas üzərinə çəkilmiş təbəqəsi təşkil edir. Yüklənmiş elektrofotoqrafik təbəqələrdə gizli elektrostatik sahənin paylanması baş verir. Aydınlaşdırıcı toz sistemi vasitəsilə həmin gizli elektrostatik sahəni aşkarlamaq və qızdırma vasitəsilə bərkitmək olar. Xüsusi kimyəvi üsullarla aşkarlayıcı toz suyu özünə çəkən hal, işıqlanmış sahələr isə suyu itələyən halına gətirilir. Bizim tədqiq etdiyimiz halda toz halına salınmış yüksəkmüqavimətli, işığa həssas CdİnGaS4 kristalları şəffaf birləşdirici mühitdə qarışdırılaraq kağız üzərinə çəkilmişdir. Yüksək keyfiyyətə malik elektrofotoqrafik sistemin alınması üçün onun daha yüksək potensiala qədər yüklənməsi, qaranlıqda potensialın yarıya qədər düşmə müddətinin böyük olması və işıqlanmada potensialın azalmasının ətalətsiz və qısa müddətdə düşməsi vacib şərtdir. Maddənin belə halı fotoelektret halı adlanır. Deməli, belə elektrofotoqrafik sistemlərdə fotoelektret halının yaranması və bu halın parametrlərinin yaxşılaşdırılması böyük elmi və praktiki əhəmiyyətə malikdir. Ona görə də bu elektrofotoqrafik təbəqənin əsas elementi olan CdİnGaS4 yarımkeçirici materialının elektrik, fotoelektrik, optik xassələrinin tədqiqi, onların qadağan zonasının öyrənilməsi, bu zonadakı ilişmə (t-mərkəz) və rekombinasiya (r-mərkəz) səviyyələrinin parametrlərinin öyrənilməsi və idarə olunması xüsusi əhəmiyət kəsb edir. Tədqiqatlar göstərmişdir ki, CdİnGaS4 yarımkeçiricisini müxtəlif maddələrlə aşqarlamaq yolu ilə maddənin fotoelektret 89 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı halının xarakteristik parametrlərini yaxşılaşdıran nəticələr almaq olar. Məlum olmuşdur ki, aşqarlama yolu ilə “dayaz” ilişmə səviyyələrini kompensasiya etməklə və “dərin” ilişmə səviyyələrini yaratmaqla yarımkeçirici materialın qaranlıq müqavimətini artırmaq, işığa həssaslığını yüksəltmək, qaranlıqda potensialın yarımdüşmə müddətini artırmaq, proyeksiyalandırma zamanı ətalətliliyi azaltmaq və beləliklə də yarımkeçirilərdə yaranmış informasiyanı daha uzun müddətə saxlanmasını və informasiyanın başlanğıc parametrlərinin minimal dəyişməsinə nail olmaq olar. Tədqiq olunan kristalın mis və ya qızılla aşqarlanması onun qaranlıq potensialını və qaranlıqda yarımdüşmə müddətini artırır və işıqlanmada yarımdüşmə müddətini kəskin azaldır. Beləliklə görünür ki, yarımkeçirici maddələrin fotoelektret halının parametrlərini dəyişdirmək və idarə etmək üçün CdİnGaS4 kristalının sintezi zamanı onun aşqarlanması yarımkeçiricinin qadağan zonasında “dayaz“ səviyyələrin kompensasiya olunmasına və “dərin” səviyyələrinin yaranmasına səbəb olur ki, bu da öz növbəsində madənin fotoelektret halının xarakteristik parametrlərinin yaxşılaşmasına səbəb olur. Eyni zamanda müəyyənləşdirilmişdir ki, elektrofotoqrafik təbəqələrin parametrləri əlavə komponentlərdən də məsələn, birləşdirici mühit, əsas və s. dən asılıdır. Стационарная фотопроводимость монокристаллов p-TlIn0,99Ag0,01Se2. Касумов И.И., Зейналов З.М., Рустамов В.Д., Мовсумова И.М. Гянджинский Государственный Университет В работе излагаются результаты исследований стационарной фотопроводимости кристаллов p-TlIn0,99Ag0,01Se2. Образцы для измерения стационарной фотопроводимости 90 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı изготовлены в виде прямоугольных пластинок с двумя взаимопараллельными зеркальными гранями естественного скола и размерами axbxc=1÷3x2÷9x0,05÷1 мм3. В качестве измерительных электродов использованы, главным образом, сваренные конденсаторным разрядом никелиевые проволоки диаметром-0,1мм. Фотоэлектрические свойства исследованных кристаллов p-TlIn0,99Ag0,01Se2 изучены при значениях напряжений, не превышающих 20В в направлении /001/. Вольтамперные характеристики в пределах, указанных выше рабочих напряжений, для всех изученных образцов при различных температурах в темноте и при освещении светом соответствующей длины волны, оказались линейными. На рис. 1 представлены приведенные в равному числу фотонов кривые спектрального распределения стационарной фотопроводимости (Jф=ЕΔσст) при 77 и 300К для пяти образцов с различными полупроводниковыми параметрами, изготовленных из монокристаллов pTlIn0,99Ag0,01Se2. Спектральная зависимость стационарной фотопроводимости образцов из монокристаллов pTlIn0,99Ag0,01Se2 при температурах 77К (пунктирная линия) и 300К (сплошная линия). Спектральные характеристики 1,2,3,4 относятся к образцам с удельными сопротивлениями при комнатной температуре 1,67·106, 2,45·106, 4,1·106, 7·106 Ом·см, соответственно. Напряженность электрического поля прило91 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı жена в направлении, параллельном кристаллографической оси /001/, а монохроматические лучи света падали перпендикулярно к плоскости /110/. Как следует из представленных на рис.1 данных, для всех исследованных кристаллов p-TlIn0,99Ag0,01Se2 на всем рассматриваемом диапазоне длин волн спектральная фоточувствительность с повышением температуры резко возрастает. Отношение величин стационарной фотопроводимости на спектральных максимумах при соответствующих температурах 𝑚𝑎𝑥 𝑚𝑎𝑥 (300К): Jф𝑚𝑎𝑥 (77К) Δσ 𝑚𝑎𝑥 для ст(300К):Δσ ст(77К)=Jф отмеченных выше образцов варьировалось от 20 до 75. В отличие от известных, температурный коэффициент фототока для фоторезисторов из монокристаллов рTlIn0,99Ag0,01Se2 положителен в области 77-300К и выше. Для образца №1 усредненное значение температурного коэффициента (300К)−J𝑚𝑎𝑥 J𝑚𝑎𝑥 (77К) ф ф ΔТ·J𝑚𝑎𝑥 (77К) ф =0,46град-1, а для образца №3 – 0,31град-1. Другая характерная особенность исследованных кристаллов р-TlIn0,99Ag0,01Se2 заключалась в расширении области их спектральной чувствительности с повышением температуры в сторону длинных волн (рис.1). Nadir torpaq elementi itterbium (Yb) ilə aşqarlanmış Ga2(Se0,95Te0,05) kristallarının qalıq fotokeçiriciliyi Əliyev S.İ., İsmayılov E.X., Məmmədov E.M. Gəncə Dövlət Universiteti A2III B3VI qrupundan olan yarımkeçiricilər Ca2 Se3 , Ca2 Te3 onların bərk məhlullarından olan Ca2 (Se0,95Te0,05 ) 3 müxtəlif üsullarla alınır. Belə yarımkeçiricilərin xüsusi müqaviməti və keçiriciliyinin tipi aşqar atomları ilə yanaşı quruluş deffek92 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı terindən də asılıdır. Tədqiqatlar göstərmişdir ki, geniş zonalı yarımkeçiricilərdə uzunmüddətli relaksasiya və qalıq fotokeçiriciliyi öyrənilmişdir. Ca2 Se3 və Ca2 Te3 kristalları əsasında alınmış Ca2 (Se0,95Te0,05 ) yarımkeçiricisi A2III B3VI qrupundan olan geniş zonalı yarımkeçiricilər sinifinə daxildir. Nadir torpaq elementi itterbium (Yb) ilə aşqarlanmış Ca2 (Se0,95Te0,05 ) 3 kristallarının otaq temperaturunda (3000K) və (4÷2,2·103 v/san) elektrik sahəsində stasionar Volt – amper xarakteristikası (VAX) tədqiq edilmişdir. Müəyyən olunmuşdur ki, tələli kvadratik oblastda I~U2 asılılığı, cərəyanın kəskin artma oblastında isə I~Un asılılığı ödənilir. VAX-ın xarakteristik nöqtələrini araşdırmaqla tələbələrin parametrləri təyin edilmişdir. İtterbium (Yb) ilə aşqarlanmış Ca2 (Se0,95Te0,05 ) 3 kristallarının qalıq fotokeçiriciliyi və uzunmüddətli relaksasiya (260÷400 K) temperatur intervalında müxtəlif dalğa uzunluqlarında öyrənilmişdir. Müəyyən edilmişdir ki, qalıq fotokeçiriciliyi və uzunmüddətli relaksasiya bu kristallarda otaq temperaturunda makximum qiymətə malikdir. Məlum olmuşdur ki, itterbium (Yb) aşqarları bu yarımkeçiricilərdə qalıq fotokeçiriciliyi və relaksasiya müddətini artırır. Kompleks tədqiqatlar göstərmişdir ki, uzunmüddətli relaksasiya və qalıq fotokeçiriciliyi əsasən Kristal daxili qeyri – bircinslilik və onun yaratdığı potensial relyefle bağlıdır. 93 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı BƏRK CİSİMLƏR FİZİKASI BÖLMƏSİ Analytical evaluation of Askerov functions arising from anisotropy of the thermoelectric power in superlattices Mamedov B.A. Department of Physics, Faculty of Arts and Sciences, Gaziosmanpaşa University, Tokat, Turkey [email protected] In this work, we propose the analytical approach which enables us more accurate calculation of Askerov functions arising from components of the thermoelectric power in superlattices. Using the binomial expansion theorem, these functions are expressed through the binomial coefficients and familiar basic functions. This work is the first attempt in the literature to analytically evaluate of Askerov functions. The convergence of the series is tested by concrete cases of parameters. As an example of application to realistic systems, the ratio of the transverse and longitudinal components of / thermopower for compound GaAs/Al0.36Ga 0.64 AsSLs is calculated by using new formulae. The exact analytical and numerical solutions are compared with each other and good agreements are obtained. Fe əsaslı yeni sinif ifratkeçiricilərin fiziki xassələri Əsgərzadə İ.N. Azərbaycan MEA Fizika İnstitutu Ankara Universiteti, Ankara, Türkiye Məruzə 2008 ilində kəşf olunmuş yeni sinif Fe əsaslı ifratkeçirilərin fiziki xassələrinin öyrənilməsinə həsr olunacag94 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı dır. Fe əsaslı ifratkeçiriciəlrin elektronik xassələri, anizotrop və çoxzonalılıq effektləri, magnit və ifratkeçiricilik düzən parametrlərinin garşılışlı təsiri son zamanlar çox geniş şəkildə araşdırılmaqdadır [1,2]. Burada Gizburq-Landau nəzəriyyəsi daxilində anizotrop və çoxzonalılıq effektləri diqqətə alınarag kritik maqnit sahələrinin anizotropiya parametri tədqiq olunmüşdur. Bundan əlavə kritik temperatur yaxınlığında fluktuasiya effektləri diqqətə alınarak istilik tutumunun və magnit nüfuzetmə qabiliyyəti hesablanmişdır. Əldə olunan sonuçlar təcrübi nəticələrlə tutuşdurulmuş və uyğunluq əldə edilmişdir. 1. I.N.Askerzade, Physics Uspekhi,49,1003(2006) 2. I. Askerzade, Unconventional superconductors: anisotropy and multiband effects, Springer-Verlag, 177p. (2012). Accurate evaluation of the specific heat capacity of solids and its application to MgO and ZnO crystals Askerov I.M., Eser E. Department of Physics, Faculty of Arts and Sciences, Gaziosmanpasa University, Tokat, Turkey [email protected] Using binomial coefficients, new, simple and efficient algorithms are presented for the accurate and fast calculation of the heat capacity of solids depending on the Debye temperature. As will be seen, the present formulation yields compact, closed-form expressions which enable the straightforward calculation of the heat capacity of solids for arbitrary temperature values. Finally, the algorithm is used to simulate the variation of the specific heat capacity against temperature of MgO and ZnO crystals. The results were compared with those reported in the literature and found to be in close agreement with those of other studies. 95 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı GeSe kristalında səth fononlarının təməl prinsiplərdən hesablanması Haşimzadə F.M., Hüseynova D.Ə., Cahangirli Z.A., Mehdiyev B.H. AMEA-nın Fizika İnstitutu Məlumdur ki, kristallarda səthin mövcud olması, ideal (sonsuz) kristallarin fonon spektrində kəskin dəyişiklərə, o cumlədən, lokal və rezonans halların yaranmasına gətirir. Həmin lokal və rezonans hallar, Raman səpilməsi və infraqıfmızı udulma spektrlərində özlərini biruzə verir. Lokal sıxlıq funksionalı nəzəriyyəsinin xətti cavab formalizmi həm ideal (həcmi) kristtalların qəfəs dinamikasını, həm də səth fononlarının spektrlərini kifayət qədər dəqiqliklə hesablamaq imkanı verir. Təqdim olunan işdə laylı quruluşa malik GeSe kristalının səth fononları təməl prinsiplərdən hesablanmışdır. GeSe birləş16 məsi ortorombik sinqoniyalı qəfəsə və D2h fəza simmetriya qrupuna malik laylı quruluşlu maddədir. Elementar özək tillərinin uzunluqları a=4.414°A , b=3.862°A and c=10.862°A olan düzbucaqlı paralelepiped şəklindədir. Elementar özəkdə dörd formul vahidi yerləşir. Elementar özəkdəki dörd kation və dörd anion atomunun koordinatları (qəfəs sabitləri hissələrində) aşağıdakı şəkildə verilir: ± (1/2- x;3/4;1/2+z) [1]. Bu işdə , biz səth fononlarının hesablanması üçün ədəbiyyatda ən geniş istifadə olunan nazik təbəqələr metodunu tətbiq edirik. Baxdığımız halda hər təbəqə 7.863°A qalınlıqlı iki laydan ibarətdir. Bu təbəqələr 13.72°A məsafələrlə bir-birindən ayrılan periodik quruluşla düzülür. Təbəqələrarası məsafə kifayət qədər böyük olduğundan quruluş ikiölçülü kristal səthini təmsil edir. Hesablamalar sıxlıq funksionalı nəzəriyyəsində lokal sıxlıq yaxınlaşmasında müstəvi dalğalar bazisində ABİNİT [2] program paketi vasitəsilə aparılmışdır. Ge və Se atomlarının 96 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı psevdopotensialları üçün normallaşmanı qoruyan, Hartvigsen Goedekker–Hutter [3] tərəfindən təklif olunan psevdopotensiallar qəbul edilmişdir. Dalğa funksiyalarının ayrılışında tam enerjinin yüksək dəqiqliklə hesablanmasını təmin edən enerjiləri 40Ha-ni aşmayan müstəvi dalğalardan istifadə olunmuşdur. Kristalın tarazlıq quruluşu Hellmann- Feynman qüvvələrini 107 Ha/Bohr qiymətinə qədər tam enerjini minimallaşdırmaqla təyin olunmuşdur. Brilluen zonası daxilində inteqrallama aparmaq üçün, Monkhorst – Pak [4] sxemı əsasında 4×4×1 hissələrə bölünmüşdür. Səth fononlarının tezliklərinin dalğa vektorundan asılılıqları aşağıdaki şəkildə qöstərilmişdir. Şəkildə həmçinin həcmi kristalın fonon spektrinin ikiölçülü səth Brilluen zonasına proyeksiyasi da göstərilmişdir (şəkildə qaralanmış yerlər). Göründüyü kimi, həcmi kristalın fonon spektrinin proyeksiyasisındaki qadağan zolaqlarda və “energetik cibciklərdə“ lokal fonon səviyyələri yerləşir. Həcmi spektrin kənarlarında (yuxarı xə aşağı hıssəsində) tam lokallaşmış səth fonon zonaları yerləşir. Spektrin yuxarı hissəsində yerləşən səth fonon zonaları bütün ikiölçülü Brilluen zonası boyu həcmi fonnonlala qarışmır və beləliklə əsl səth rəqslərinin optik fononlarıdır. Bu fononların əmələ gəlməsində səthdə və səthə yaxın yerləşən atomların relaksasıyası (kristalin daxilindiki tutduğu vəziyyətlərlə müqayisədə yerlərindən sürüşməsi) mühüm rol oynayır. Həcmi spektrin aşağı kənarında yerləşən fonon zonası isə səthdə yayılan Reley dalğalarını təmsil edir. Bu fonon zonasından başqa X-S-Y istiqamətində yayılan 97 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı bir aşağı tezlikli akustik moda da mövcuddur. Biz hesab edirik ki, deyilən akustik moda səthə normal rəqslərə aiddir. Fonon spektrinin şəklinin yan tərəfində (sağda) fonon hallarının sıxlığı göstərilmişdir. Burada da qaralanmış yerlər həcmi fononlara aiddir. Şəkildə səth fononlarının tam lokallaşmış (həcmı fononlara qarışmayan), qismən lokallaşmış, rezonas (həcmi fononların hal sıxlıgini artıran) və antirezonans(həcmi fononların hal sıxlıgini azaldan) halları aydın görmək olur. 1. H. C. Hsueh, H. Vass, S. J. Clark, G. J. Ackland, and J. Crain, Phys.Rev. B 51,16750, (1995) 2. X. Gonze, J.M. Beuken, R. Caracas, F. Detraux, M. Fuchs,G.M. Rignanese, L. Sindic, M. Verstraete, G. Zerah, F. Jallet. Comput. Mater. Sci. 25, 478 (2002). 3. C. Hartwigsen, S. Goedecker, J. Hutter. Phys. Rev. B 58, 3641 (1998). 4. H. Monkhorst, J. Pack. Phys. Rev. B 13, 5188 (1976). Новый метод расчета термомагнитного тока Агаева Р.Г. HAHA, Институт физики [email protected] Термомагнитный ток в поперечном квантующем магнитном поле был рассчитан многими авторами. Подробный обзор публикаций по теме содержится в книге [1]. Расчет термомагнитного тока в поперечном квантующем магнитном поле связан с принципиальными трудностями. Кинетическое уравнение в поперечном квантующем магнитном поле не применимо. С другой стороны, термомагнитный ток обусловлен действием не динамической, а статистической силы на носителей зарядов. В этом случае статистическая сила пропорциональна градиенту температуры. А как вводить статистическую силу в гамильтониан, 98 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı было не известно. И как следствие, отпадал прямой путь расчета термомагнитного тока в квантующем магнитном поле. Поэтому возникала необходимость в окольных путях для решения этой задачи. Например, в [1] был предложен метод расчета термомагнитного тока в квантующем магнитном поле. Этот метод основывался на предположении, что при локальном термодинамическом равновесии температура может рассматриваться как функция центра циклотронной орбиты электрона и на некоторых наглядных соображениях, используемых Титейкой. Однако выражение для поперечного термомагнитного тока, перпендикулярного к градиенту температуры и к квантующему магнитному полю, не удовлетворяло соотношению Эйнштейна. Образцов [2] показал, что необходимо дополнительно учитывать поверхностные токи при расчете поперечного термомагнитного тока в квантовом случае. Эти поверхностные токи связаны с вкладом в ток электронов, движущихся по незамкнутым орбитам вблизи границы образца. Статистическая сила была впервые включена в гамильтониан в [3] при расчете флуктуаций термомагнитного тока. Расчет не диссипативного термомагнитного тока в поперечном квантующем магниитном поле был произведен для специального случая, а именно для объемного образца. Этот расчет основывался на предположении, что наличие температурного градиента в системе аналогично влиянию некоторого внешнего электрического поля на него. Предложенный подход, включающий статистическую силу в гамильтониан, представляет новый метод расчета термомагнитного тока. Назовем его методом эффективного гамильтониана (МЭГ). В МЭГ по аналогии с электрическим полем полагаем, что температура является потенциалом некоторого внешнего поля, напряженность которого есть – grad T, а соот99 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı ветствующая потенциальная энергия имеет вид kr gradT . Таким образом, при построении гамильто ниана исследуемой задачи исходим из формального соответствия электростатического потенциала температуре T и абсолютного значения заряда электрона e постоянной Больцмана k. Следует отметить, что соответствие T в методе аналогий раннее встречалось, а соответствие e k, как нам известно, установлено впервые. Дальнейшие расчеты показали, что МЭГ может быть успешно применен не только в частном случае [3], но и при расчетах как продольного, так и поперечного термомагнитного тока в различных системах, например, в квантовой проволоке и в квантовой пленке. Во всех случаях результаты, полученные для термомагнитного тока с помощью МЭГ, совпадают с результатами, вычисленными методами, не включающими статистическую силу в гамильтониан. Итак, предложен новый метод для расчета термомагнитного тока, этот метод дает возможность включить статистическую силу в гамильтониан, установлена аналогия между зарядом электрона и постоянной Больцмана, отпадает необходимость в учете поверхностных токов при расчете термомагнитного тока. 1] Аскеров Б.M., Электронные явления переноса в полупроводниках. М., «Наука», 1985. [2] Образцов Ю.Н.,ФТТ 1964, 6, с.414, ФТТ 1965, 7, с.573.[3] Aghayeva R. G., J. Phys. C: Solid State Phys. 1985, 18, p.5841. 100 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı Спектры фотолюминесценции слоистых кристаллов TlGaxIn1-xSe2 1Paşayev А.M., 1Aqayeva S.X., 2Əliyeva M.X., 3Yoğurtçu Y.K. 1Azərbaycan Hava Yolları QSC MAA, 2Azərbaycan Dövlət Neft Akademiyası, 3Atatürk Universiteti, Türkiyə TlGaxIn1-xSe2 bərk məhlullarının monokristallik nümunələrinin 10÷95K temperatur, 0,04÷3,98Vt sm-2 lazer həyəcanlanma intensivliyi və 1,75÷2,07 eV şüalanma enerji intervalında fotolüminecceysiya (FL) spektrləri tədqiq edilmişdir. TlGaxIn1-xSe2 (x=0,5;0,7;0,8;0,9) bərk məhlullarının monokristalları Bricmen-Stokbarqer üsulu ilə alınıb. Tərkib element analizi rentgen-fluoressent spektroskopiyası üsulu ilə aparılıb. Alınan monokristallardan c oxuna perpendikulyar istiqamətdə nazik laylar çıxarılıb. Təbii alınan laylar güzgü səthinə malik olduğundan lüminessensiya ölçüləri üçün onlardan istifadə olunub. Nümunələr helium kriostatına yerləşdirilib, temperaturun 10 K-dən başlayaraq artırılması və tənzim olunması 0,5K dəqiqliklə aparılıb. Sistemin bütün hissələri avtomatik olaraq kompüterlə idarə olunub. 10K-də və həyəcanlanma enerjisinin sıxlığının 1,40Vt sm-2 qiymətində TlGaxIn1-xSe2 (x=0,7;0,8;0,9) krictallarının şüalanma spektrləri 1,75÷2,07 eV oblastında yerləşir. Temperaturun və şüalanma enerji sıxlığının eyni qiymətində x=0,5 tərkibinin FL spektri 1,050÷2,07 eV–a uyğun geniş oblastda yerləşir və iki müxtəlif maksimuma malik olur. İkinci spektrin maksimumu h𝜈𝑚 =1,912 eV-a uyğun gəlir. Bu spektr x=0,7;0,8;0,9 tərkiblərinin spektri olan oblastda yerləşir, intensivliyi isə onlardan xeyli boyük olur. Tədqiq olunan Fl spektrlərinin piklərinin yarısına uyğun olan eni 10K-də≈0,105 eV–dur. TlGaxIn1-xSe2 (x=0,5;0,7;0,8;0,9) bərk məhlullarının 101 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı müxtəlif temperaturlarda FL spektrləri öyrənilib və həmin spektrlərin maksimumunun temperatur asılılığı müəyyən edilib. Göstərilib ki, temperaturun 10K-dən 40K-ə qədər artması ilə 0,7;0,8;0,9 tərkiblərinin FL spektrinin pikinin intensivliyi dəyişmir, lakin sonrakı artması ilə sürətlə azalır və 60K-də sönür. x=0,5 tərkibinin FL spektrinin maksimumunun intensivliyi 10÷40K oblastında dəyişmir, lakin temperatur sönməsi T=95Kdə baş verir. 10K temperaturda lazerin həyəcanlanma enerjisinin müxtəlif qiymətlərində FL spektrləri öyrənilmişdir. Göstərilmişdir ki, həyəcanlanmanın enerji sıxlığının 0,04÷3,98Vt sm-2 diapazonunda dəyişməsi ilə x=0,5 tərkibinin FL spektrinin maksimumu alçaq enerjilərə tərəf sürüşür. Alınan nəticələr araşdırılmış və uyğun rekombinasiya modeli təklif olunmuşdur. Термоэлектрические свойства Ag19Sb29Te52+0.3 ат.3% CdCl2 Рагимов С.С., Бабаева А.Э. НАН Азербайджана, Институт Физики Проведено исследование термоэлектрических свойств Ag19Sb29Te52+0.3 ат.3% CdCl2 в температурном интервале 77-320К. Экспериментальные результаты показали, что данный состав имеет р-тип проводимости с концентрацией носителей заряда 5.1018см-3. Достаточно высокое значение коэффициента термоэдс и значение решеточной теплопроводности порядка 6,8.10-3Вт/см.К позволяет применить это состав (из-за высокого значение удельной чувствительности) в качестве чувствительного элемента р-ветви в термоэлектрических приемниках ИК излучения. 102 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı -1 -1 ,Ohm .cm S,V/K 100 350 80 300 60 250 40 200 150 50 100 150 200 250 300 20 350 T,K Исследование термоЭДС в сверхпроводящем Bi2Sr2CaCu2O8+x Рагимов С.С. Институт Физики НАН Азербайджана Проведено исследования температурных зависимостей термоэдс и электропроводности высокотемпературного сверхпроводника состава Bi2Sr2CaCu2O8+x. Переход в сверхпроводящее состояние происходит при 87К. Ширина сверхпроводящего перехода порядка 10-12К. Знак термоэдс указывает на р-тип проводимость. Температурная зависимость термоэдс проходит через максимум несколько выше области фазового перехода. Значение термоэдс в области максимума достигает 8 мкВ/К. Далее с ростом температуры значение термоэдс уменьшается и в области выше комнатной температуры происходит инверсия знака проводимости. Проведены расчеты на основе двухзонной модели проводимости Xin-a. Показано, что с ростом температуры, электронная часть термоэдс увеличивается и приводит к смену знака проводимости. Согласно экспериментальным результатам и проведенным расчетам оцене103 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı ны значения постоянной межплоскосного спаривания, длина когерентности и энергия Ферми исследованного состава. Полученные данные удовлетворительно согласуются с экспериментальными и литературными данными. İnvers zonalı yarımkeçirci əsaslı silindrik kvant məftilində ikifotonlu udulma İsmayılov T.H., Şərifov R.R. Bakı Dövlət Universiteti Məlumdur ki, yarımkeçiricilərdə və yarımkeçirici əsaslı nanostrukturlarda işığın ikifotonlu udlmasının (İFU) tədqiqi onların zona quruluşu haqqında zəruri məlumatların almması ilə yanaşı, müxtəlif diapazonlarda işləyən iki foton doldurmalı lazerlərin qurulmasına zəmin yaradır. Hal-hazırda ikifotonlu udulma spektroskopiyası işığın koherentlik xassələrinin öyrənilməsində, kristallarda və nanostrukturlarda müxtəlif qeyrixəttiliklərin araşdırılmasında və bir sıra tətbiqi məsələlərdə geniş istifadə olunur. İkifotonlu udulmanın birfotonlu udulmadan fərqli cəhətləri onun yarımkeçiricilərin və aşağıölçülü yarımkeçirici strukturların elektron spektrləri haqqında lazımi məlumatların əldə olunmasında istifadəsini təmin edir. Birincisi, ikifotonlu udulma (İFU) yarımkeçiricilərdə səth təsirinə çox cüzi məruz qalan həcmi həyacanlaşma yaratmağa imkan verir. İkincisi, ikifotonlu doldurma vasitəsi ilə yarımkeçiricilərdə və yarımkeçirici əsaslı elektron sistemlərində asanlıqla yükdaşıyıcıların invers paylanmasını yaratmaq olar ki, bu da lazer effektinin alınması üçün əsas şərtdir. Üçüncüsü, İFU proseslərində dipol keçidləri eyni simmetriyalı zonalar arasında baş verdiyi üçün birfotonlu udulmada üzə çıxmayan enerji səviyyələrini “görmək” olar. Bundan əlavə, qeyd edək ki, hətta izotrop mühitdə belə İFU 104 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı düşən işığın elektrik sahəsinin polyarizasiyasından kəskin surətdə asılıdır. Deyilənlərdən aydındır ki, İFU spektroskopiyasının hazırda böyük maraq kəsb edən nanoölçülü yarımkeçirici elektron sistemlərinin öyrənilməsində effektiv bir metod olması ilə yanaşı, İFU-nun özü lazer effektinin alınmasını təmin edə bilən üsullardan biridir. Bu işdə biz HgTe-un misalında invers zonalı yarımkeçirici əsaslı kvant məftili üçün birzonalı Keyn modelində sonsuz dərin quyu yaxınlaşmasında zonalararası ikifotonlu udulma prosesini araşdırmışıq. Məftilin oxu z oxu istiqamətində götürülmüşdür. T=0 temperaturunda Brillyuen zonasının mərkəzində, yəni, k=0 nöqtəsində cırlamış keçiricilik və ağır deşiklər zonaları ölçüyə görə kvantlanma rejimində diskret altzonalara parçalanır və cırlaşma aradan qalxmış olur.Baxılan prosesdə başlanğıc hallar olaraq ağır deşik altzonaları, aralıq və son hallar kimi isə keçiricilik altzonaları çıxış edir. İFU əmsalı həyacanlaşma nəzəriyyəsindən alınan düsturla hesablanmış və onun üçün düşən işığın tezliyindən ( 2 ) və kvant məftilinin en kəsiyinin radiusundan asılı analitik ifadə alınmışdır. HgTe-da mc<< mh olduğu üçün ağır deşiklər zonasının kvantlanmasını nəzərə almamaq olar və buna görə də İFU keçiricilik zonasındakı birinci altzonanın enerjisinə bərabər astana qiymətindən başlayır. Düşən işığın polyarizasiya vektoru məftilin oxuna perpendikulyar ( z ) olan halda İFU əmsalının 2 -dan asılılığı pilləvaridir, paralel olan halda ( || z ) isə İFU spektri kəskin piklərə malikdir və mişarvari şəkildədir.Göstərilmişdir ki, kvant məftilində İFU əmsalının qiyməti ikiölçülü elektron qazındakı (kvant təbəqəsi) qiymətindən 2 tərtib, həcmi yarımkeçiricidəki qiymətindən isə təxminən 4 tərtib böyükdür. İnvers zonalı yarımkeçirici əsaslı kvant məftilində ikifotonlu doldurma vasitəsi ilə invers məskunlaşmanın alınması və lazer effektinin mümkünlüyü məsələsi müzakirə edilmişdir. 105 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı Излучения проводящих сред в магнитном поле Гасымова Р.К. Бакинский Государственный Университет В работе вычислен импеданс кристалла в образце с одним типом носителей тока в переменном магнитном поле. При вычислении импеданса учитывается граничное условие, а именно значения электрического поля на границах образца. Для импеданса образца получено следующее выражение: Z k x0 Z 0 0 1,2 2 1 1 e 2 e1 1 Lx 12 e 2 e1 1 i 2 / 2 2 / k x c 2 1 , 1/ 2 16 2 20 1 1 i 2 (a ib ) 3 2 D vo 0 0 E0 , 0 en0 0 , H / c , 1,2 i1,2 Lx , 40 / ck x , a 32 2 / 2 , b 4 2 , 03 / k x3v0c 2 Из приведенного выражения видно, что импеданс образца сложным образом зависит от величины электрического и магнитного полей. Определены условия, при которых вещественная часть импеданса имеет отрицательный знак, и образец будет излучать энергию. Показано, что мнимая часть импеданса может иметь отрицательный знак, при выполнении условия: 0 NLx / D / 2 , где Lx - длина образца. 106 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı Поперечное магнитосопротивление в сверхрешетках при рассеянии на ионах примеси Аскеров Б.М., Фигарова С.Р., Гусейнов Г.И. Бакинский Государственный Университет В рамках кинетического уравнения Больцмана в приближении при рассеяния носителей тока на ионах примеси исследовано поперечное магнитосопротивление (МС) в квазидвумерных электронных системах с косинусоидальным законом дисперсии который имеет вид: k 2 k 2 0 (1 cos ak z ) , 2 m (1) здесь 0 - полуширина мини-зоны, a - постоянная решетки в направлении, перпендикулярном плоскости слоя, m эффективная масса электронов в плоскости слоя. Определена зависимость поперечного магнитосопротивления от величины и направления магнитного поля, а также топологии поверхности Ферми. Показано, что в случае квазидвумерного электронного газа поперечное МС положительно во всей области магнитном поле и для слабого магнитного поля оно определяется формулой: ( BII ) 1 II 0 II 0 (2) 0. (0) 3 ln 2r0 a В случае квазитрехмерного электронного газа поперечное МС может быть как положительным в сильном магнитном поле, так и отрицательным в слабом магнитном поле, что следует из формулы ( BII ) (3) 1.31 II 0 II 0 0 . (0) ln 2Z 0 r0 a В промежуточных магнитных полях 1 поперечное МС может менять знак в случае, когда степень запол107 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı нения мини-зоны Z 0 порядка / 2 . Поперечное МС квазитрехмерного электронного газа меняет свой знак из-за наличия в мини-зоне области с отрицательной эффективной массы. При этом поведение МС объясняется механизмом неодинакового рассеяния двух групп электронов, отличающихся ориентацией вращения электрона по циклотронным орбитам в магнитном поле из-за отрицательности эффективной массой. Показано, что существует область магнитных полей, где МС квазилинейно зависит от поля. Кроме того, изучено влияние вида кулоновского потенциала на поперечное МС. Получено, что при рассеянии на дальнодействующем кулоновском потенциале поперечное МС может быть отрицательным в зависимости от степени заполнения зоны, в то время как при рассеянии на короткодействующем потенциале МС положительно. Güclü maqnit sahəsində ölçüyə görə kvantlanmış təbəqədə Riqi-Ledyuk effekti Əsgərov B.M., Mahmudov M.M. Bakı Dövlət Universiteti İşdə güclü maqnit sahəsində olan ölçüyə görə kvantlanmış təbəqədə Riqi-Ledyuk termomaqnit effekti nəzəri tədqiq edilmişdir. İxtiyari kvantlayıcı maqnit sahəsində müxtəlif hallar üçün bu əmsalın maqnit sahəsindən, temperaturdan, yükdaşıyıcıların konsentrasiyasından və təbəqə qalınlığından aşkar asılılıqları tapılmışdır. Əgər kvantlayıcı B maqnit sahəsi z oxu boynca yönələrsə ölçüyə görə kvantlanmış təbəqənin enerji spektri tam diskret olur: 108 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı 1 2 N 1n 2 burada (eB m) - tsiklotron tezlik, N 0, 1, 2, ... - ossilyator kvant ədədləri, 1 ( 2 2m) ( d ) 2 - birinci təbəqə səviyyəsinin enerjisi, m - yükdaşıyıcıların effektiv kütləsi, d - təbəqənin qalınlığı, n 1, 2, ... - ölçü kvant ədədləridir. Cırlaşmış elektron qazlı təbəqədə Riqi-Ledyuk əmsalı k k0T S ( B, d ) 0 f B d 1 şəklində təyin olunmuşdur. Burada f - təbəqənin fonon istilikkeçiriciliyi, - yükdaşıyıcıların kimyəvi potensialı, A - isə A - ədədinin tam hissəsidir. Tapılmışdir ki, bu halda birinci təbəqə səviyyəsinin enerjisi kimyəvi potensiala bərabər olduqda həm maqnit sahəsinin qiymətinin, həm də təbəqə qalınlığının dəyişməsi ilə Riqi-Ledyuk əmsalı ossilyasiya edir. Həmin ossilyasiyaların periodları təyin edilmişdir. Bismut nanoborularının elektron spektri Mustafayev N.B. AMEA Fizika İnstitutu [email protected] Karbon nanoboruları hazırlandıqdan sonra, digər materiallar əsasında nanoboruların yaradılmasına maraq xeyli artmışdır. Məsələn, bismut nanoboruları uğurla sintez olunmuşdur [14]. Bismut əsasında yaradılmış nanostrukturlar, ümumiyyətlə, ölçü effektlərini öyrənmək üçün böyük maraq kəsb edir. Bismut təbəqə və nanoməftillərinə həsr olunmuş çox sayda tədqiqat vardır. Lakin bismut nanoboruları yetərincə öyrənilməmişdir. Bu məruzədə bismut nanoborularının elektron spektri araş109 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı dırılır. Hesab edilir ki, borular nazikdivarlı silindr şəklindədir. Silindr divarının qalınlığı elektronların de-Broyl dalğasının uzunluğundan kiçikdir, buna görə divar daxilində eninə hərəkət edən elektronların enerjisi kvantlanır. Ellipsoidal qeyriparabolik Leks modelinin hamiltonianından [5] və düzbucaqlı potensial yaxınlaşmasından istifadə edilir. Məlumdur ki, en kəsiyi dairə şəklində olan silindrik kvant çuxurunda anizotrop kütləli yükdaşıyıcılar üçün enerjinin kvantlanması məsələsi, en kəsiyi ellips olan silindrik kvant çuxurunda izotrop kütləli yükdaşıyıcılar üçün enerjinin kvantlanması məsələsinə ekvivalentdir [6-8]. Buna görə bismut nanoborusunda elektron halları elliptik koordinat sistemində yazılmış Şrödinger tənliyinin həllindən tapılmışdır. Potensial çuxurun dərinliyi sonsuz olduqda tənlikdə dəyişənləri ayırmaq, dalğa funksiyasının radial hissəsi və bucaqdan asılı hissəsi üçün tənliklərin həllini Matyö funksiyaları vasitəsilə ifadə etmək olur. Nanoboruda kvant səviyyələrinin enerjisi bu tənliklərin köklərindən istifadə etməklə müəyyən edilmişdir. Elektron spektri cüt və tək hallara müvafiq olan enerji səviyyələrindən ibarətdir. Hesablamalar göstərir ki, bismut nanoboruları yarımkeçiricidir (halbuki həcmli bismutun özü yarımmetaldır). Nazik (qalınlığı bir neçə nanometr olan) nanoborularda yasaq zolağının eni 0,5-0,6 eV təşkil edir. Elektron strukturu kinetik və optik xassələr üçün mühüm əhəmiyyət kəsb edir. Belə ki, hesablamalara görə bismut nanoborularında mütləq termo-e.h.q. 200-300 mV/K ola bilər. Bu, həcmli bismutda (77 K temperaturunda α=-43 μV/K), bismut təbəqələri və nanoməftillərində müşahidə olunan qiymətlərdən qat-qat yüksəkdir. Belə yüksək termo-e.h.q. yalnız 9 nm qalınlıqlı bismut/alümin oksid nanokompozitində (maye azot temperaturunda |α| ≈ 270 mV/K) müşahidə olunmuşdur [9]. [1] Yadong Li, Junwei Wang, Zhaoxiang Deng, Yiying Wu, Xiaoming Sun, 110 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı Dapeng Yu, Peidong Yang. J. Am. Chem. Soc., 2001, 123, 9904. [2] Xin-yuan Liu, Jing-hui Zeng, Shu-yuan Zhang, Rong-bo Zheng, Xianming Liu, Yi-tai Qian. Chemical Physics Letters, 2003, 374, 348. [3] L. Li, Y.W. Yang, X.H. Huang, G.H. Li, R. Ang, L.D. Zhang. Appl. Phys. Lett., 2006, 88, 103119. [4] R. Boldt, M. Kaiser, D. Köhler, F. Krumeich, M. Ruck. Nano Lett., 2010, 10 (1), 208. [5] Н.Е. Алексеевский, Ю.П. Гайдуков, З.С. Грибников и др. Электроны проводимости / Под ред. М.И.Каганова и В.С.Эдельмана. – М.: Наука, 1984. – 416 с. [6] С.С. Недорезов. ФНТ, 1982, 8, 504. [7] I.M. Bejenari, V.G. Kantser, M. Myronov, O.A. Mironov, D.R. Leadley. Semicond. Sci. Technol., 2004, 19, 106. [8] V.A. Holovatsky, O.M. Voitsekhivska, V.I. Gutsul. Rom. Journ. Phys., 2008, 53, 833. [9] J.P. Heremans, C.M. Thrush, D.T. Morelli, Ming-Cheng Wu. Phys. Rev. Lett., 2002, 88, 216801. Yarımkeçirici kvant çuxurunda qızmış elektronların termoelektrik hərəkət qüvvəsi Babayev M.M. AMEA-nın Fizika İnstitutu [email protected] Güclü (qızdırıcı) elektrik sahəsində elektronların qızması termoelektrik və termomaqnit effektlərin qiymətlərini, eləcə də onların elektronların konsentrasiyasından, temperaturdan və s. asılılıqlarını xeyli dəyişdirir. Bu işdə güclü elektrik sahəsinin parabolik potensiallı yarımkeçirici kvant çuxurunda termoehqyə təsiri tədqiq olunmuşdur. Elektronların fononlar tərəfindən sövqünün əhəmiyyətli rol oynadığı aşağı temperaturlar oblastına baxılır. Qızdırıcı elektrik sahəsinin intensivliyi və temperatur qradiyenti elektron qazı təbəqəsi üzrə götürülür. Elektronların akustik fononların deformasiya və pyezoelektrik potensialından və aşqar ionlardan səpilmə mexanizmlərinə baxılır. 111 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı Elektronların relaksasiya müddətləri hesablanarkən səpici potensialların ekranlaşması da nəzərə alınır. Qızdırıcı elektrik sahəsinin intensivliyi 𝐸⃗ və qəfəsin temperatur qradiyenti ∇𝑇, uyğun olaraq, kvantlanmanın olmadığı 𝑧 və 𝑦 oxu istiqamətlərində yönəldilir. Məsələ effektiv elektron temperaturu yaxınlaşmasında həll edilmişdir. Elektronların temperaturu 𝑇𝑒 balans tənliyindən tapılır: stasionar halda elektron sisteminin elektrik sahəsindən aldığı enerji ( 𝜎𝑦𝑦 (𝑇𝑒 )𝐸 2 ) bu sistemin fononlar sisteminə verdiyi enerjiyə ( 𝑊𝑒,𝑝ℎ (𝑇𝑒 ) ) bərabər olur: 𝜎𝑦𝑦 (𝑇𝑒 )𝐸 2 = 𝑊𝑒,𝑝ℎ (𝑇𝑒 ). Burada 𝜎𝑦𝑦 (𝑇𝑒 ) - ikiölçülü elektron qazının güclü elektrik sahəsində elektrik keçiriciliyidir. Elektron qazı təbəqəsi boyunca qəfəsin 𝛻𝑦 𝑇 temeratur 𝛽𝑦𝑦 (𝑇𝑒 ) qradiyenti yaradılanda əmələ gələn termoehq [1]: 𝛼 = 𝜎 𝑦𝑦 (𝑇𝑒 ) . Burada 𝛽𝑦𝑦 (𝑇𝑒 ) əmsalı (və deməli α) iki hissədən - elektron və 𝑝ℎ 𝑒 (𝑇 ) fonon hissədən ibarətdir: 𝛽𝑦𝑦 (𝑇𝑒 ) = 𝛽𝑦𝑦 𝑒 + 𝛽𝑦𝑦 (𝑇𝑒 ). Kvant çuxurunda təbəqə boyunca kvantlanma baş vermədiyi üçün, bu təbəqə üzrə elektrik cərəyanını, 𝜎𝑦𝑦 (𝑇𝑒 ) və 𝛽𝑦𝑦 (𝑇𝑒 ) əmsallarını hesablyanda Bolsmanın kinetik tənlik metodundan istifadə etmək olar [1]. Termoehq üçün ədədi hesablamalar 𝐺𝑎𝐴𝑠/𝐴𝑙𝑥 𝐺𝑎1−𝑥 𝐴𝑠 parabolik kvant çuxurunda aparılmışdır. Güclü elektrik sahəsində termoehq-ni hesablamaq üçün əvvəlcə elektron temperaturu və onun qəfəs temperaturuna görə törəməsi hesablanmışdır. Güclü cırlaşma şərtinin ödəndiyi temperatur oblastında termoehq-nin elektron hissəsi elektrik sahəsinin artması ilə xeyli artır, fonon hissə isə elektrik sahəsindən asılı olmur. Şəkildə qəfəsin müxtəlif temperaturlarında (T = 3, 4, 5K) ümumi (elekton+fonon hissə) termoehq-nin qızdırıcı elektrik 112 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı sahəsinin intensivliyindən asılılıq qrafikləri verilmişdir. Şəkildən göründüyü kimi ümumi termoehq intensivliyin artması ilə xətti asılılıqdan daha yüksək sürətlə artır. 1. Б.M.Aскеров, Электронные явления переноса в полупроводниках, Москва, Наука (1985), 318 стр. Эффект Нернста-Эттингсгаузена в квазидвумерных электронных системах Гусейнов Г.И. Азербайджанский Архитектурный и Строительный Университет Термомагнитный эффект Нернста-Эттингсгаузена (Н-Э) является наиболее чувствительным к механизмам релаксации и температуры. Поэтому изучение этого эффекта дает ценную информацию о механизме рассеяния носителей тока. Знак эффекта НЭ существенно зависит от механизма рассеяния и температуры. В отличие от эффекта Холла, два знака поперечного эффекта НЭ нельзя обьяснить наличием двух сортов носителей тока. Поэтому смена знака эффективной массы носителей тока, которая имеет место в сверхрешетках, должна существенно влиять на этот эффект. В работе, теоретически изучался НЭ в квазидвумерных и квазитрехмерных системах при рассеянии носителей тока на фононах и ионах примеси. Энергетический спектр для сверхрешетки имеет косинусоидальный вид, а время релаксации электронов проводимости анизотропно, по разному зависит от компонента волнового вектора. Здесь рассматривалась сверхрешетка с вырожденным электронным газом в перпендикулярной плоскости слоя, 113 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı неквантующем магнитном поле. Получено, что в квазидвумерном электронном газе коэффициент НЭ при рассеянии на акустических фононах равен нулю, в то время, как при рассеянии на оптических фононах он был отличен от нуля и становится положительным k e Q 2 2 0 0 , e m где k0 -коэффициент Больцмана, e -заряд электрона, m эффективная масса электронов проводимости. Показано, что в зависимости от величины магнитного поля и степени заполнения зоны коэффициент НЭ при рассеянии носителей тока на слабо экранированных ионах примеси может быть как положительным, так и отрицательным. Следует отметить, что в слабом магнитном поле коэффициент НЭ отрицателен и не зависит от параметра экранировки кулоновского потенциала k k T e Q 4 2 0 0 0 , m e 0 где 0 -ширина одномерной минизоны проводимости, 10 - поперечный компонент обратного времени релаксации. Cd1-xZnxO nazik təbəqələrinin alınması və bəzi fiziki xassələrinin tədqiqi Pənahov M.M., Məmmədova V.C. Bakı Dövlət Universiteti [email protected] Cd1-xZnxO (Eg=2.53.3 eV) keçirici şəffaf bərk məhlulları yüksək kimyəvi dayanıqlığa malik olmaları, iqtisadi cəhətdən ucuz başa gəlmələri, spektrin UB və görünən oblastlarında buraxma qabiliyyətinin yüksək olmasına görə optoelektronikada 114 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı və günəş energetikasında geniş tətbiq olunur. İşdə katod çökdürmə metodu ilə şüşə/SnO2 altlıqları üzərində müxtəlif tərkibli Cd1-xZnxO (x=0.1; 0.2; 0.3; 0.4) nazik təbəqələri alınmışdır. Çökdürülmədə Zn(NO3)2+ +Cd(NO3)2+KNO3+H2O sulu məhlulundan istifadə edilmişdir. Çökdürülmə otaq temperaturunda və 70-800C temperaturda aparılmışdır. Reaksiyanın davametmə müddətindən asılı olaraq 0.02 – 1 mkm qalınlıqlı Cd1-xZnxO nazik təbəqələri alınmışdır. Müəyyən edilmişdir ki, nazik təbəqələrin səthinin morfologiyası, elektrik və optik xassələri çökdürmə potensialından və məhlulun temperaturundan aslılıdır. Anod materialı kimi reaksiyada qrafit elektrodlardan istifadə edilmişdir. Çökdürülmə katod potensialının -0.9 V, - 1.2 V, -1.23 V, -1.28 V, -1.30 V və -1.35 V qiymətlərində aparılmışdır. Reaksiya məhlulunun turşuluğu azot turşusunun əlavə edilməsi ilə idarə edilşmişdir (pH = 3-5). Atom qüvvət mikroskopunda (AFM) aparılmış tədqiqatlar əsasında müəyyən edilmişdir ki, katod potensialının U-1.22 V qiymətlərində alınmış nazik təbəqələrin səthi məsaməli quruluşa malik olub, qeyri-bərabər paylanmış, ölçüləri 7100 nm intervalında dəyişən kristallitlərdən ibarətdir. Katod potensialının qiymətinin cüzi olaraq artması (-1.22U-1.25 V) nazik təbəqələrin səth quruluşunu kəskin olaraq dəyişir. Belə ki, səthdəki məsamələrin konsentrasiyası kəskin olaraq azalır, kristallitlərin ölçüsü kiçilir (57 nm) və nazik təbəqələr bircins nanoquruluşlu səth nümayiş etdirir. Katod çökdürmə potensialının U-1.3 V qiymətlərinə qədər artması ilə, nazik təbəqələrin səthindəki kristallitlərin ölçüsünün artması ilə bərabər səthdəki defektlərin konsentrasiyası da kəskin olaraq azalır. Lakin potensialın sonrakı artımı səthdə yenidən qeyri-bircinslik dərəcəsini artırır. Qeyd edək ki, katod potensialının U-1.3 V qiymətlərində alınmış nazik təbəqələrin altlığa adgeziyası çox zəif olur. Belə ki, bu gərginliklərdə yalnız 0.5 nm qalınlıqlara qədər zəruri 115 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı adgeziyaya malik mümkündür. Cd1-xZnxO nazik təbəqələri almaq Внутризонное поглощение света в параболической квантовой яме в магнитном поле Гадирова И.Р. Бакинский Государственный Университет Вероятность и спектр оптического поглощения на внутризонных переходах в структурах с квантовыми ямами определяют перспективность создания длинноволновых инфракрасных детекторов на основе таких структур. В структурах с квантовыми ямами разрешены внутризонные прямые переходы между размерноквантованными состояниями зоны проводимости и валентной зоны, если вектор поляризации падающего излучения имеет компоненту, параллельную оси размерного квантования. В настоящей работе изучается влияние внешнего магнитного поля на внутризонные прямые переходы в параболической квантовой яме (ПКЯ). Рассмотрим ПКЯ, помещенную в магнитное поле, вектор напряженности H которого направлен вдоль плоскости квантовой ямы. В этом случае разрешены внутризонные прямые переходы между размерно-магнито-квантованными уровнями различной четности. Для переходов электронов из состояния с n 0 в состояние с n 1 коэффициент поглощения определяется выражением 4e2 ne /2 , 10 2 2 2 2 c m dR ( ) 0,25 где - частота света, ne - двумерная концентрация элекронов в нижней квантовой подзоне ( n 0 ), m - эффектив116 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı ная масса электрона в зоне проводимости, d - толщина слоя квантовой ямы., - диэлектрическая проницаемость полупроводниковой квантовой ямы, - полуширина пика поглощения, 2 02 2 , 0 8E , d 2m eH , mc R , m E - высота квантовой ямы в зоне проводимости. Частота, соответствующая максимуму поглощения при внутризонных межуровневых переходах зависит как от параметров квантовой ямы, так и от величины магнитного поля. Максимумы поглощения с ростом магнитного поля сдвигаются в высокочастотную область. Энергетическое расстояние между размерно-магнито-квантованными уровнями с ростом напряженности магнитного поля увеличивается, что дает возможность управлять рабочей частотой инфракрасного детектора. Yüksək maqnit nüfuzluqlu ərintilərin alınması Pənahov T.M. Azərbaycan Memarlıq və İnşaat Universiteti Müasir elmin əsas sahələrindən biri də bərk cisimlər fizikasının bir bölməsi olan metallar fizikasıdır. Metallar fizikasının inkişafı nanokompozit materialların tətbiqi istiqamətində davam etməkdədir. Bu materialların fiziki xassələri, elektron quruluşu, faza tarazlıq halı metallar fizikasının müxtəlif istiqamətlərində çalışan alimlərin diqqət mərkəzindədir. Maqnit yaddaş qurğularında istifadə olunan bu materiallar daha geniş tətbiq sahələri tapır, məsələn neft hasilatının artırılmasında belə kompozitlərdən istifadə edilməsi planlaşdırılır. 1964-cü ildə Nizamlanan Ni3Fe (permalloy) əsaslı ərin117 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı tisini niobium və tantal metalları ilə legirləməklə uzun müddətli tab almadan sonra maqnit, qalvanomaqnit və termomaqnit xassələrini temperaturdan asılılığını tədqiq etmişdik. Nəticədə (3-5)at% Nb və Ta ilə legirlənmiş ərintinin maqnit xassəsində maqnit nüfuzluğunun kəskin böyüməsi müşahidə olunmuşdu. [1] Doyma maqnitlənməsinin və maqnit nüfuzluğunun tərkibdən asılılığı əyrisində alınmış anomaliyanı xətti asılılıq kimi göstərmək istəyirdim. Lakin indiki Akademik Bəhram Mehralı oğlu Əsgərov və professor Nəbi Qara oğlu Hüseynov məni məcbur etdilər ki, əyrini olduğu kimi izah edim. Həmin məqalə 1964-cü ildə BDU –nun elmi əsərlərində çap edildi. Sonralar tanınmış Yapon professoru S.Masumotodan məktub aldım. O, həmin qrafikdə göstərilən ədədi qiymətləri onlara göndərilməsini xahiş edirdi. 1973-cü ildə Moskvada “Maqnit hadisələri fizikası” sahəsində Beynəlxalq elmi konfrans keçirildi. ABŞ-dan dünya miqyaslı tanınmış mütəxəssis R.Bozort və onun tələbələri, Yaponiyadan S.Masumoto və onun tələbələri gəlmişdilər. Bizim məqalənin yapon, ingilis dilində tərcüməsi ilə onlar da tanış olmuş və alınmış nəticələri yüksək qiymətləndirdilər. Bu məqalənin hazırlanmasındakı məsləhətlərinə görə 49 ildən sonra 80 yaşlı Akademik Bəhram müəllimə təşəkkür edirəm və onu yubileyi münasibətilə təbrik edir, can sağlığı arzu edirəm. Nizamlanan Ni3(Fe1-xTax) 0≤ 𝑥 ≤ 0.5 ərintisini termomaqnit və krioemaldan sonra maqnit nüfuzluğu 103 tərtibində ola bilir. Məlumdur ki, metallik və amorf ərintilərin xassələri alınma texnologiyası və emaldan asılıdır. Ona görə materialların keyfiyyətini yaxşılaşdırmaq üçün “Zabrat Oksigen açıq səhmdar cəmiyyətində” maye və qaz halında azot, oksigen, hidrogen istehsal etməklə yeni texnologiyalar yaratdıq. Bu yerli şəraitdə materialların xassələrini aşağı temperaturlarda tədqiq etmək üçün faydalı oldu. Kompakt, amorf və ovuntu halında olan materialların 118 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı maqnit xassələrinin (doyma maqnit induksiyasının, koersitiv qüvvənin, maqnit nüfuzluğunun) öyrənilməsindən alınmış nəticələr təhlil edilmişdir. Yüksək 106 maqnit nüfuzluğu, doyma maqnit induksiyası 1.5 Tl olan materiallar müxtəlif istehsalat sahələrinə tövsiyyə edilmişdir. Alınmış bu nəticəni təsdiq etmək üçün tədqiq olunan nümunənin Skane Zond Mikroskopunda atom qüvvə mikroskopiyası rejimində (ASM) səthin topologiyasının 3D ölçülü şəkli alınmışdır. Amorf lentlərin ekvatorial Kerr effektinin maqnit sahəsində asılılıq əyrilərindən isə düşən işıq şüalarının müxtəlif dalğa uzunluqlarında səthdəki mikrokristallik təbəqənin qalınlığının qeyri bircins olduğu müəyyənləşdirilmişdir. 1. T.M.Pənahov. Dəqiq ərintilərin fiziki metalşünaslığı. Bakı.2000 Parabolik potensiallı kvant məftilində diffuziya termoelektrik hərəkət qüvvəsi 1Həsənov X.A., 1Hüseynov C.İ., 2Dadaşova V.V. Dövlət Pedaqoji Universiteti 2Bakı Dövlət Universiteti* [email protected] 1Azərbaycan Məlumdur ki, [1] cırlaşmış elektron qazının termoelektrik hərəkət qüvvəsi aşağıdakı universal ifadə ilə verilir k 2 ln F (1) 0 k 0T e 3 F n e Burada F keçiricilikdir. m Elastiki səpilmə yaxınlaşması üçün relaksasiya müddətinin tərs qiyməti isə 119 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı k ' W 0, k ', 0, k 1 k' k 1 Biz N N ' 0 altzonasına, W (0, k ' , 0, k ) 2 (2) kimidir. yəni, kvant limit halına baxacağıq. | M 0 k ' ,0 k |2 ( 0 k 0 k ) M 0 k ' ,0 k M 0 k ' ,0 k (1 M 0eke,0 k (0, 0) 1 ) (3) (4) Burada M 0eke,0 k 0 k (r1 ) 0 k1 (r1 ) V (r1 r2 ) 0 k (r2 ) 0 k2 (r2 )dr1dr2 (5) 1 2 M 0 k ' ,0 k 0 k ' ( x, y, z )V ( x, y, z ) 0 k ( x, y, z )dxdydz 0, k 1 x2 y 2 i k z Exp e 2 R2 R 1 (6) k2 2m (7) 0,k ( x, y, z ) Lz 2 f (8) (0,0) 0 d 0 - aşqarın kulon potensialının ekranlaşmasını nəzərə alan polyarizasiya operatorudur. Aşqar ionlardan səpilmə üçün 1/ 2 e2 (9) V x, y, z x 2 y 2 z 2 Buna görə də, cırlaşmış halda kvant məftilində elektron qazının relaksasiya müddəti aşqar ionlardan səpilmə üçün 2 2e 2 1 1 2m Exp R 2 2 n 2 0, R 2 2 n 2 2 2 1 3 n 8 8 n (10) I 2 2 2mN I Ze 1 2 2 2 1 2 2 2 Exp R n 0, R n 4 4 bu şəklə düşür. NI - aşqarların konsentrasiyası, -statik dielektrik nüfuzluğu, 120 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı Z – aşqarın yükü, Г(0,х)natamam Qamma funksiyadır[2]. 2m 0, 0 F 2 n n istifadə Burada Lz=1 , k F və 2 etmişik. Buradan aşqar ionlardan səpilmə halında cırlaşmış elektron qazı üçün termoelektrik hərəkət qüvvəsinin ifadəsini k0 2 4m 1 k0 T 1 2 n 2 R 2 (11) e 3 4 2 n2 1 1 8 m e 2 n 2 2 1 2 n 2 R 2 2 Exp 2 n 2 R 2 4 4 1 1 1 n 2 2 4 m e2 Exp 2 n 2 R 2 E1 2 n 2 R 2 E1 2 n 2 R 2 8 8 4 I alırıq. Burada Е1 –üstlü inteqral funksiyadır. İndi isə elektronların pyezoakustik fononlardan səpilməsinə baxaq. Pyezoakustik səpilmə potensialı [1] eE pz k0T Exp (iqr ) (13) şəklindədir. V x, y , z q s q Burada Epz– pyezoakustik konstant, ρ - sıxlıq, Ω – həcm, s – səsin sürəti, k0 – Bolsman sabitidir. Uyğun olaraq, cırlaşmış elektronların pyezoakustik fononlardan səpilmə halında relaksasiya müddəti PA 2 1 2e Exp 1 R 2 2 n 2 0, 1 R 2 2 n 2 22 m2 3 n 8 8 n 4m eE k0T 1 1 R pz Exp 2 R 2 n 2 1 Erf R n s 4 2 2 (14) kimi yazılır. Burada Erf(x) – ehtimallar inteqralıdır[2]. Buradan cırlaşmış elektron qazının pyezoakustik fonon121 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı lardan səpilmə halında termoelektrik hərəkət qüvvəsi PA k0 2 4m k0 T e 3 2 n2 8 m e2 1 1 2 n2 R 2 Exp 2 n 2 R 2 2 2 4 n 1 4 2 n2 R 2 4 4 m e2 1 1 2 2 2 1 2 2 2 erfc n R 1 Exp n R E1 n R n 2 2 2 8 8 (15) İndi isə elektronların akustik fononlardan akustik dalğanın deformasiya potensialı vasitəsi ilə səpilməsinə baxaq. Bu səpilmə mexanizmi üçün qarşılıqlı təsir potensialı[3] E kT (16) V x, y, z 1 0 Exp (iqr ) 2 s q ifadəsi ilə verilir. Burada Е1 - deformasiya potensialıdır. Cırlaşmış elektron qazının deformasiya akustik fononlardan səpiməsi üçün relaksasiya müddəti DA 2e2 1 1 2m 1 Exp R 2 2 n 2 0, R 2 2 n 2 2 2 3 n 8 8 n 4m E1 k0T 2 s 2 (17) kimi alınır. Bu ifadədən cırlaşmış elektron qazının deformasiya akustik fononlardan səpilməsi halı üçün termoelektrik hərəkət qüvvəsi k0 2 4m k0T 2 2 e 3 n 8 m e2 1 2 n2 R 2 1 (18) 2 2 n 4 2 n2 R 2 4 m e2 4 1 2 2 2 1 2 2 2 1 Exp n R E n R 1 n 2 2 8 8 DA şəklində alınır. 122 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı [1]. Б.М.Аскеров Электронные явления переноса в полупроводниках, М, «Наука», 1985, 318 с. [2]. Наndbook of mathematical functions, ed. by M.Abramowitz and I.A.Stegun, 1964 (Справочник по специальным функциям, под ред. М.Абрамовица, И.Стиган, М, «Наука», 1979, 830 с.) [3]. Э.П.Синявский, Р.А.Хамидуллин, ФТП, т. 40, в. 11, 2006, стр.1368-1372. О влиянии структурных дефектов на теплопроводность монокристаллов в твердых растворах TlIn 1 x Ndx Te 2 Зарбалиев М.М., Агаева У.М., Гахраманов Н.Ф. Сумгаитский Государственный Университет Переход от исходного соединения с упорядоченным расположением атомов-компонентов к твердым растворам на его основе сопровождается отклонением от обычной закономерности изменения теплопроводности в зависимости от атомного веса. Это обстоятельства вызвано тем, что для твердых растворов переменного состава превалирует рассеяние фононов на локальных точечных дефектах, и основными факторами, влияющим на тепловое сопротивление, обусловленным точечными дефектами, являются локальное изменение плотности и упругих свойств полупроводникового материала, с точки зрения которого представляется интересным исследование теплопроводности анизотропных монокристаллов твердых растворов в системе TlInTe 2 TlNdTe 2 . В работах 1 2 исследована система TlInTe 2 TlNdTe 2 , обнаружена, что в этой системе образуется растворы TlIn 1 x Ndx Te 2 на основе исходного тройного соединения TlInTe 2 до 10 моль. % TlNdTe 2 , они кристаллизуются в тетрагональной ячейке, как и исходное TlInTe 2 , при этом атомы редкоземельного 123 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı элемента неодима проявляя трехвалентность, частично замещают ионы атомов трехвалентного индия. Так как ионы трехвалентного неодима по массе и размерам отличаются от трехвалентных ионов индия, то формирование твердых растворов TlIn 1 x Ndx Te 2 сопровождается образованием структурных дефектов, концентрация которых зависит от относительного количества замещающего элемента неодима в образцах, которые в свою очередь сказывают влияние на тепловые и другие свойства монокристаллов. Теплопроводность твердых растворов названной системы измеряли стационарным методом. Исследование образцы были монокристаллическими и измерения в них проводились в двух кристаллографических направлениях: при параллельном и перпендикулярном направлениях теплового потока (001) при 80-330 К. Решеточная часть теплопроводности определена как разность общей теплопроводности и ее электронной составляющей. Вычисление электронной доли теплопроводности показало, что наиболее значение ее составляет 3 ~ 1,2 10 Вт/ м К . Таким образом, для твердых растворов электронной частью теплопроводности можно пренебречь. Для смешанных кристаллов переменного состава TlIn 1 x Ndx Te 2 в рассеянии фононов превалирует рассеяние их от локальных точечных дефектов, и основным фактором, влияющим на тепловое сопротивление, обусловленным точечными дефектами, являются локальное изменение плотности и упругих свойств среды. Локальное изменение плотности, в основном, зависит от разности средних атомных весов, а локальное изменение упругих свойств – от разности атомных радиусов растворителя и растворенного вещества, т.е. для данного случая соединения TlInTe 2 и растворенного вещества TlNdTe 2 . При проверке теории взаимо124 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı действия фононов с точечными дефектами в твердых растворах TlIn 1 x Ndx Te 2 задача упрощается тем обстоятельством, что в результате частичного замещения атомов индия атомами неодима в TlInTe 2 природа межатомных связей остается совершенно без изменения, так как атомы индия и неодима изовалентны между собой, но существенно различаются по массе. В нашем случае, локальные изменения плотности в решетке не сопровождаются локальным изменением упругих свойств. Согласно теории Амбегаокора 3 и Клименса 4, в выражении теплопроводности неидеальных кристаллов с учетом рассеяния и процессов, перебросав на точечных дефектах при температуре выше дебаевской, параметр неупорядоченности определяется формулой: x1 x M/ M / (1), где x - относительная концентрация примеси, - характеризует упругие свойства среды, M/ M - относительное изменение массы при замене атомов основного компонента с замещающими атомами ΔM M осн M пр , M x MTlInSe 2 1 x MTlNdSe2 , / локальное изменение постоянной решетки. Поскольку в исследуемой нами системе в области растворимости изменения молекулярного веса и параметров элементарной ячейки с переходом от соединения TlInTe 2 к твердым растворам на его основе малы, то вторым слагаемым в формуле (1) можно пренебречь и фононы должны рассеиваться вследствие лишь локальных изменений плотности и при этом коэффициент неупорядоченности вычисляется по упрощенной формуле: 2 2 x 1 x M/ M Поскольку в исследованной 2 125 (2) нами системе Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı TlIn 1 x Nd x Te 2 TlInTe 2 1 x NdTe 2 x TlInTe то TlNdTe 2 x , 2 1 x M TlNdTe 2 M TlInTe 2 M M 1 x M TlNdTe 2 xM TlInTe 2 Вычисленные соответствующим методом значения теплопроводности находились в хорошем согласии с экспериментальными, что свидетельствует о реальности высказанных предположений относительно радикальных замещений TlInTe 2 1 x NdTe 2 x , где 0 x 0,11 и учета влияния локального изменения плотности среды на теплопроводность кристаллов твердых растворов системы TlInTe 2 TlNdTe 2 1. Зарбалиев М.М. Явление переноса заряда и тепла в системах TlInS 2 (Se 2 , Te 2 ) TlLnS 2 (Se 2 , Te 2 ) . Дисс. на соискание ученой степени доктора физико-математических наук. Баку, БГУ, 2001,-284 с. 2. Зарбалиев М.М., Мамедов Э.Г., Ахмедова А.М., Зейналов Г.И.. Российская АН. Неорганические материалы. 2007, т.43, №12, с.16111615. 3. Равич Ю.И., Ефимова Б.А., Смирнов И.А. методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe и PbC . 1968, Москва:, «Наука», – 384 с. 4. Klemens P.G. Phys.Rev., 1960.V.119, № 2. p. 507-510. Elastiklik nəzəriyyəsi tənliyinin invariantlıq qrup operatorları üçün Killinqin invariant kvadratik formasının hesablanması Ağamalıyev Ə.Q., Abaszadə S.A. Bakı Dövlət Universiteti Tezisi təqdim olunan işdə elastiklik nəzəriyyəsi tənliyinin qrup operatorları üçün Killinqin invariant kvadratik forması tapılmışdır. 126 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı Qrup üzrə təyin olunmuş simmetrik kvadratik forma x y A( x), A( y) şərtini ödəyən bixətti formaya deyilir. Li qrupunun Li cəbrinin struktur nəzəriyyəsini təyin etmək üçün xüsusi təyin olunmuş K kvadratik forması xüsusi rol oynayır. Bu kvadratik formanın təyin edilməsi xətti çevirmənin izi (spur) ilə sıx əlaqədardır. A xətti operatorunun L L çevirməsində L operatorunun hər hansı Un bazisinə görə təyin olunmuş matrisanın diaqonal elementlərinin cəminə deyilir. İz (spur) operasiyasının mühüm xassələrindən biri tr A B) tr( B A şərtinin ödənməsidir. Aşağıdakı şərti ödəyən K x. y trad ( x) ad ( y) simmetrik bixətti formaya Killinqin kvadratik forması deyilir. Killinqin kvadratik formasının əhəmiyyəti ondan ibarətdir ki, həmin formanın aşkar şəklini bilərək Li cəbrinin radikalını xarakterizə etmək mümkündür. L Li cəbrin R radikalı x L elementlərinin K(x,y)=0 şərtini ödəyən elementlər çoxluğuna deyilir. Buradan görünür ki, Killinqin kvadratik formasını tapmaq üçün verilmiş diferensial tənliyin operatorlarının aşkar şəklini bilmək lazımdır. Bu [1] işində hesablanmışdır. Həmin operatorların komutasiya şərtləri [2] işində hesablanmışdır. Bu işlərin nəticələrindən istifadə edərək Killinqin invariant kvadratik formasının ifadəsi tapılmışdır, bu ifadə işdə verilmişdir. TlGdS2 kristalının elektrik və istilik xassələri Kərimova E.M., Mustafayeva S.N., Cabbarov A.İ., Həsənov N.Z., Kərimov R.N. Fizika İnstitutu, AMEA TlGdS2 birləşməsi laylı romboedrik sinqoniyada kristallaşır və qəfəs sabitinin parametrləri: a = 4.048 Å; c = 22.40 Å; V = 3.28 10-6 Å3 (M. Duczmal et al. Acta Phys. Polonika. 2000.V. 97. N 5. P. 839). Aşağıda elementlərdən sintez olun127 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı muş TlGdS2-nin elektrikkeçiriciliyinin və termo-e.h.q-nin temperaturdan asılılığının tədqiqinin nəticələri verilir. TlGdS2-nin keçiriciliyinin temperaturdan asılılığı Arrenius koordinatında bir neçə hissədən ibarətdir. Yüksək temperaturlu (500-1000 K) eksponensial əyrinin meyliliyindən TlGdS2-nin qadağan olunmuş zolağın eni təyin edilmişdir Eg = 1.3 eV. T = 250-373 K sahəsində 2-ci eksponensial hissə müşahidə olunmuşdur. Bu sahədə əyrinin meyliliyindən kristaldakı aşqarların energetik səviyyənin aktivləşmə enerjisi təyin edilmişdir Et = 0.2 eV. 250 K-dən aşağı temperaturlarda keçiriciliyin temperat asılılığında sabit meylilik müşahidə olunmur. Temperaturun T = 140 K-ə qədər azalması ilə Et monoton azalır. TlGdS2 kristalında bu tip keçiricilik Fermi səviyyəsi yaxınlığındakı hallar üzrə sıçrayışla baş verir. Kristalın qadağan olunmuş zonadakı yükdaşıyıcıların lokallaşmış halının parametri NF = 1.25 1018 eV-1∙sm-3 və energetik səpilməsi E = 128 meV qiymətləndirilmişdir. Aşağı temperaturlarda (170-250K) sıçrayışların orta məsafəsi Ror = 144 Å, aktivləşmə enerjisinin orta qiyməti W=114 meV, həmçinin sabit cərəyanda keçiriciliyə səbəb olan dərin yükdaşıyıcı tutucuların qatılığı Nt=1.61017 sm-3 müəyyən edilmişdir. Temperaturun 170 K-dən 114 K-ə qədər sonrakı azalmasında TlGdS2 kristalının keçiriciliyi temperaturdan asılı olmur. Bu halı bir lokal səviyyədən o birisinə fonon udulması zamanı sıçrayışın baş verməsi ilə bağlamaq olar. T<110 K-dən aşağı temperaturlarda (82-85K) keçiriciliyin artması müşahidə olunur. TlGdS2-i üçün Küri nöqtəsi 77-85 Kdir; bu birləşmə ferromaqnetikdir və effektiv maqnit momenti eff = 9.4 B bərabərdir (eff = 7.85 B; M.Duczmal et al. 2000). TlGdS2-nin termo-e.h.q.-i temperaturdan asılılığındada T<100 K-də anomal hal müşahidə olunur; 77-373K-də termoe.h.q-nin işarəsi müsbətdir ki, bu da TlGdS2-nin p-tip yarımkeçirici olduğunu göstərir. T = 373 K-də termo-e.h.q.-i mak128 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı simal qiymət alır: α = 118.2 V/K. TlGdS2-nin elektrikkeçiriciliyinin, Holl effektinin və termo-e.h.q.-nin öyrənilməsi nəticəsində yürüklüyün qiyməti və onun temperaturdan müəyyən edilmişdir: T-3/2. Bu hal yükdaşıyıcıların akustik rəqslərdən səpilməsinə uyğundur. TlGdS2-i üçün 300 K-də = 160 sm2/Vs olmuşdur. Tədqiq olunan TlGdS2-in nümunələrinin istilikkeçirməsi stasionar rejimdə kvarsdan hazırlanmış etalona (2 ədəd) nisbətən müqayisə üsulu ilə ölçülmüşdür. Etalon əridilmiş kvarsdan ona görə seçilmişdir ki, onun istilikkeçirmə əmsalı tədqiq olunan TlGdS2-in istilikkeçirmə əmsalı ilə eyni tərtibdədir. TlGdS2 birləşməsində 77-650 K temperatur intervalında ümumi istilikkeçirmənin qiyməti qəfəsin istilikkeçirməsinə uyğun gəlir. Videman-Frans qanununa görə hesablanmış elektronların hesabına yaranan istilikkeçirmənin qiyməti æ = 10-8 VtmK olur. İstilik keçirmənin temperaturdan asılılığında æ~T-1 qanunu müşahidə olunur ki, bunuda üçfononlu proseslərin olması ilə bağlamaq olar. TlGdS2-i üchün 300 K-də æ = 0.0562 Vt∙sm1 -1 ∙K -dir. 129 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı YARIMKEÇİRİCİLƏR FİZİKASI Кристаллы GaSe и InSe в оптоэлектронике Кязым-заде А.Г., Салманов В.М., Салманова А.А. Бакинский Государственный Университет Кристаллы GaSe и InSe привлекают наибольшее внимание исследователей среди полупроводников класса III-VI. Являясь типичной слоистой структурой, основанной на ковалентно-ионном и ван-дер- ваальсовом типах химических связи, и как следствие, обладая высокой анизотропией свойств, они представляют интерес как с теоретической, так и с экспериментальной точек зрения. Эти кристаллы широко используются в нелинейной оптике, могут применяться для создания детекторов ядерных частиц, фотоприемников и лазеров в терагерцовом диапазоне. В полупроводниковой технологии они используются как буферный слой при выращивании эпитаксиальных структур с рассогласованными параметрами решеток, а также входит в число соединений, которые могут образовывать нанотрубки. Наличие экситонного пика у края фундаментального поглощения, обладание шириной запрещенных зон, находящихся в области генерации современных лазеров, в совокупности с их нелинейными свойствами обусловливает востребованность кристаллов GaSe и InSe в бурно развивающейся оптоэлектронике. В настоящей работе приведены экспериментальные результаты исследования нелинейного поглощения в слоистых кристаллов GaSe и InSe при лазерном возбуждении. Исследования проводились на специально нелегированных кристаллах р-GaSe и n-InSe, выращенных методом Бриджмена. В качестве источников излучения были 130 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı использованы YAG:Nd+3 лазер (=1064 нм) и жидкостной лазер (область перестройки длин волн =594-643нм). В работе применялось двухлучевой метод исследования с применением нестационарной цифровой системы, включала в себя запоминающий осциллограф и компьютерную систему. На рис.1,а представлена зависимость величины коэффициента пропускания монокристаллов InSe при Т=77 К от интенсивности излучения при возбуждении кристаллов светом с энергией кванта hν=1.327 эВ. Эта энергия соответствует резонансному экситонному поглощению InSe. Как видно из рисунка, наблюдается нелинейное поглощение в области экситонного резонанса и происходит просветление образца на указанной частоте излучения при высоких уровнях возбуждения. На рис.1,б представлены спектральные зависимости оптической плотности монокристалла InSe. Как видно из рисунка, с увеличение мощности накачки происходит уменьшение и расширение экситонного пика. Оптическая плотность исследованных кристаллов уменьшается примерно в три раза при увеличении мощности возбуждения до 0,8 ГВт/см2. Понашему мнению, экспериментально наблюдаемое нелинейное поглощение света в области экситонного резонанса в слоистых кристаллах InSe может быть объяснено процессом экранирования экситонов плазмой неравновесных носителей, генерированными лазерным светом (переход Мотта). Оценки показывает, что критическая концентрация, необходимая для моттовского перехода в InSe равна nMотт = 2,5 1016 см 3 . Плотность неравновесных носителей, создаваемых лазерным светом в InSe оказалось равным 4,5х1019см-3. Видно, что полученные нами значения концентрации неравновесных носителей на три порядка превышает плотность экситонов, необходимую для моттовского перехода. 131 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı В кристаллах GaSe при высоких уровнях оптического возбуждения также наблюдается нелинейное поглощение, при высоких уровнях возбуждения происходит уменьшение оптического поглощения и сдвиг края полосы поглощения в сторону высоких энергий. Максимальное изменение поглощения () имеет место в непосредственной близости от запрещенной зоны. Экспериментально найденные значения () были сопоставлены с теоретическими значениями. Рис.1. а - Зависимость коэффициента пропускания InSe от интенсивности возбуждения, б - Спектры поглощения InSe при различных интенсивностях возбуждения Iнак.(МВт/см2): 1 - 0, 2-12, 360, 4-250, 5-600. Изменение коэффициента вычислить по формуле ( ' ) 0 ( ' )21/ 2 ( поглощения можно h 3 / 2 3/ 2 3/ 2 ) ne me exp( Ec / k BT ) nh mh exp( Ev / k BT ) k BT (1) где Ec ( ' Eg' ) /(1 me / mh ) (2) Ev ( ' Eg' ) /(1 mh / me ) (3) 0 ( ' ) - коэффициент поглощения при низких уровнях возбуждения для фотона с энергией ( ' ) , me- эффективная масса электрона, mh- эффективная масса дырки, ne и 132 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı nh- концентрация свободных электронов и свободных дырок, соответственно. Eg' - перенормированная запрещенная зона, которая следует от обменного и корреляционного эффекта при высоких плотностях. Зная величины me = 0,3m0, mh = 0,2m0 и вычислив значении ne, nh, Eg' , Ec, Ev по формуле (1) найдем, что относительное изменение 100% для GaSe составляет 0 12%. Это значение близко к экспериментально найденному значению, которое составляет 15%. Незначительная разница между теоретическими и экспериментальными результатами может быть обусловлена тем фактом, что в формуле (2) не учитывается экситонное взаимодействие, хотя в широкозонных полупроводниках, таких как GaSe, кулоновский электронно-дырочный корреляционный эффект должен быть учтен. Учет экситонного взаимодействия в конечном итоге приведет к более точному определению нелинейного поглощения. По нашему мнению, наблюдаемое нелинейное поглощение в GaSe около запрещенной зоны может быть обусловлено эффектом оптического заполнения зон электронами и дырками, генерированные лазерным светом. Действительно, неравновесные носители, созданные лазерным излучением, в результате быстрой релаксации до термического распределения, блокируют дальнейшее поглощение на краю полосы поглощения. Это приводит к просветлению края поглощения и его сдвигу в сторону высоких энергий. В этом случае оптическое поглощение становится отрицательным и это приводит к усилению света, прошедшего через образец, что является предпосылкой для создания полупроводникового лазера на основе кристаллов GaSe. 133 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı Расчет зонной структуры и оптических функций тройных соединений InGaSe2 , InGaTe2 Годжаев Э.М., Абдурахманова У.С., Алиева П.Ф. Азербайджанский Технический Университет Для расчета зонной структуры InGaTe2 опти0 0 мизированные параметры решетки а=8.3945 A , с=6.8352 A , параметры халькогена х=0.1730 [1]. Результаты расчета зонной структуры приводятся на рис.1а. Как видно из рисунка валентная зона InGaTe2 состоит из трех подзон. Нижняя подзона, состоящая из четырех зон, отдалена от остальных широким энергетическим зазором порядка ~6 эВ. Нижние валентные зоны расположенные около -10 11 эВ обязаны своим происхождением 5s-состояниям Te. Следующая группа из четырех валентных зон расположенная на энергетическом уровне около -5 эВ, происходит в основном из s-состояний атомов In и Ga. б) а) Рис. 1. Зонные структуры InGaTe2 (а), InGaSe2 (б) 134 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı Оставшаяся большая группа из десяти зон шириной 5 эВ происходит из р -состояний атомов In, Ga и Te. Ширина запрещенной зоны из наших расчетов получается 0.56 эВ. В данной работе исследован и зонный спектр кристалла InGaSe2 . Оптимизированные параметры решет0 0 ки а=8.0138 A , с=6.9534 A , параметры халькогена х=0.1720 [2]. Зонный спектр InGaSe2 представлен на рис. 1б. За нуль энергии выбран потолок валентной зоны. Основной чертой валентной зоны является то, что она состоит из ярко выраженных трех подзон, разделенных запрещенными участками энергий. Самая низкая подзона, состоящая из четырех зон, лежит обособленно, около -10 -11еV и отдалена от остальных широким энергетическим зазором порядка ~6 еV. Результаты теоретико– группового анализа с использованием свойств симметрии кристалла InGaSe2 показывают, что эти валентные зоны обязаны своим происхождением 5s-состояниям Se. Следующая группа, расположенная на энергетическом уровне около -5 еV, состоит из четырех валентных зон, образованных из 5s-состояний атомов In и 4s-состояний атомов Ga. Самая верхняя подзона, состоящая из десяти зон шириной ~5 еV, происходит в основном из р -состояний атомов In, Ga и Se. 1. Gonze X., Beuken J.-M., Caracas R., Detraux F., Fuchs M., Rignanese G.-M., Sindic L., Verstraete M., Zerah G., Jollet F., Torrent M., Roy A., Mikami M., Ghosez Ph., Raty J.-Y., D.C. First-principles computation of material properties : the ABINIT software project // Allan. Computational Materials Science 25. 478-492 (2002). 2. Mobarak M., Berger H., Lorusso G. F., Capozzi V., Perna G., Ibrahim M. M., Margaritondo G. The growth and characterization of GaInSe2 single crystals // J. Phys. D: Appl. Phys., 1997. 30. p. 2509-2516. 135 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı Диэлектрические свойства композиций с полупроводниковой и нанодобавкой Ахмедова Х.Р., Годжаев Э.М. Азербайджанский Технический Университет Частотная зависимость диэлектрической проницаемости впервые исследовались в композитах ПЭ TlInSe2 [1-2] с алюминиевой наночастицей. В интервале 25Гц-1МГц композиты с алюминиевой наночастицей также были получены выше изложенной технологией. Как следует из рисунка 1б во всем исследованном частотном диапазоне происходит незначительное уменьшение ε с увеличением частоты. Наблюдается слабовыраженный максимум при частоте 200 Гц. Некоторое исключение составляет композит 90об.% ПЭ 5об%TlInSe 2 5об.%Al для которого происходит увеличение ε в интервале частот 100 кГц-1МГц. В целом, с добавлением алюминиевой наночастиц в состав композитов их диэлектрическая проницаемость остается б) a) Рисунок 1. Частотные зависимости диэлектрической проницаемости (а) и диэлектрических потерь tgδ(ν) (б): 2-x=3; 3-x=1; 4 - x=5 ), хоб%ПЭ+хоб.%TlİnSe2 + уоб.% Al (1-x=7, у= 3; 2-x=10, у=10; 3-x=3, у=7; 4 - x=5 , у=5 ) композиций практически постоянной во всём исследованном частотном диапазоне, т.е. дисперсия в спектре ε(ω) не наблюдается. Исследования проводились и на композитах ПЭ+ 136 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı TlInSe 2 с алюминиевой наночастицей. Как следует из рисунка 1а, для всех исследованных композитов tgδ(ν) зависимость имеет одинаковый характер, т.е. при малых частотах для композитов 90об.%ПЭ 5об%TlInSe 2 5об.%Al , наблюдается уменьшение 80об.% ПЭ 10об %TlInSe 10об.%Al максимума при частоте 200Гц, минимум при 500Гц, далее увеличение до частоты 100КГц и незначительное уменьшение до 1МГц. Для композитов ; 90 об .% ПЭ 7 об % TlInSe 3об.%Al при 90об.% ПЭ 3об %TlInSe 7об.%Al низких частотах (25-100Гц) наблюдается слабое, а дальше сильное увеличение и максимум при 200 Гц, глубокий минимум при частоте 500Гц. Следует отметить, что изменение tgδ с ростом частоты происходит аналогично с другими композитами. 2 2 2 1. Годжаев Э.М., Магеррамов А.М., Османова С.С., Нуриев М.А., Аллахяров Э.А. Зарядовое состояние композиций на основе полиэтилена с полупроводниковым наполнителем TlInSe 2. Электронная обработка материалов. 2007,43(2),84–88. 2. Годжаев Э.М., Магеррамов А.М., Сафарова С.И., Нуриев М.А., Рагимов Р.С. Диэлектрические свойства полимерных композитов с полупроводниковым наполнителем TlInSe2. Электронная обработка материалов. 2008, 44(6), 66–71. Полиморфные превращения и коэффициенты теплового расширения в кристалле AgCuS Алыев Ю.И., Асадов Ю.Г., Ганизаде Г.Ф. Институт Физики НАН Азербайджана, Предлагаемая работа посвящена исследованию полиморфных превращений в AgCuS. Бинарные соединения Ag2S и Cu2S плавятся конгруэнтно при 1111 К и 1403 К [12] и оба при повышении температуры претерпевают 137 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı нескольких структурных превращений. Показано, что в области высоких температур оба соединения Ag2S и Cu2S имеют ГЦК структуру, поэтому они образуют непрерывный ряд твердых растворов с минимумом при температуре 913 К и составе 43-45 моль% Ag2S. Для получения гомогених образцов использован метод прямого синтеза. Монокристаллы исследуемых составов выращены по методу Бриджмена. Структура AgCuS дефектная с недостатком атомов Ag и, возможно, атомы Cu частично занимают положение атомов Ag. В соединении AgCuS соотношение Ag:Сu близко к 1:1. Высокотемпературные исследования полученных кристаллов проводились на дифрактометре ДРОН-3М с высокотемпературной приставкой УРВТ-200, обеспечивающей вакуум 10-2Па. Из температурной зависимости параметров кристаллической решетки обнаруженных при полиморфных превращениях модификаций рассчитаны коэффициенты теплового расширения. Выявлена, что одной из причин температурной нестабильности модификаций AgCuS является анизотропия теплового расширения по основным кристаллографическим направлениям. 1. 2. Крестовников А.Н., Менделебур А.Ю., Глазов В.М. Фазовое равновесие в системе Cu2S-Ag2S // Неорган. материалы. 1968. Т.4. №7. С.1280–1281. Pierre P, Clande Y. Relations activite composition daus les solutions solides Ag2S-Cu2S // Rev. Chem. Miner. 1971. V.8. №1. P.87–97. 138 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı Cu1.95 Ni0, 05 S kristallarında quruluş faza çevrilmələri 1Nəsirov V.İ., 1Rzayeva A.G., 2Hüseynov Q.H. 1Azərbaycan Dövlət Pedaqoji Universiteti 2AMEA-nın akad. H.M.Abdullayev adına Fizika İnstitutu Cu-S sistemində olduqca mürəkkəb qarşılıqlı kimyəvi təsir prosesləri nəticəsində müxtəlif birləşmələrdə çoxsaylı fazalar və mürəkkəb kristal quruluşları reallaşır. Kristal quruluşlarının mürəkkəbliyi ilk növbədə bu fazalarda baş verən polimorf çevrilmələrin mövcudluğu, mis atomlarının asanlıqla öz valent hallarını dəyişə bilmələri və yüksək miqrasiya qabiliyyətinə malik olmaları ilə bağlıdır. Cu-S sistem birləşmələrində Cu atomları iki müxtəlif valent halında (Cu2+, Cu1+) paylana bildiyindən bir neçə qeyri-stexiometrik birləşmə də alınır ki, bunlar da unikal xassələrə malikdir. Tərkib-quruluş-xassə əlaqələrinin müəyyənləşdirilməsi verilmiş xassələrə malik quruluşların əldə olunması üçün vacib şərtlərdən biri olub, bu da, fazaların yaranma şəraitini, quruluş faza çevrilmələrinin mexanizmini, izomorf kation və anion əvəz olunmalarının quruluş çevrilmələrinin xarakterinə və temperaturuna təsirini tədqiq etməyi tələb edir. Buna görə də təqdim olunan işdə Cu2 S kristallarında Cu atomlarının Ni atomları ilə qismən əvəz olunmasının həmin birləşmədə quruluş faza çevrilmələrinin xarakterinə təsiri tədqiq olunmuşdur. Hər şeydən əvəl qeyd edək ki, 1 və 2-yə görə Cu2 S otaq temperaturunda rombik qəfəsdə kristallaşır. 3-ə görə isə bu qəfəs T=738K temperaturda heksoqonal qəfəsə çevrilir. Cu1.95 Ni0, 05 S kristallarını almaq üçün ilkin elementlər kimi B-3 markalı mis OCЧ markalı kükürd və XЧ markalı nikel götürülərək 4-də təklif olunan metodika üzrə sintez olunmuş və Bricmen üsulu ilə monokristalları alınmışdır. Tədqiqatlar Bruker Firmanın D8 ADVANCE rentgendif139 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı raktometrində 40kV, 40mA rejimində Cu K şüalanmasıda ( 1,5406 A) TTK 450K tipli temperatur kamerasında aparılmışdır. Nümunələr ovuntu şəklinə salınaraq o 2 80 bucaq, T=300-750K temperatur intervalında tədqiqatlar aparılmışdır. T=300K temperaturda alınan difraktoqramın ТОПАС proqramı ilə indekslənməsi göstərmişdir ki, Cu1.95 Ni0, 05 S birləşməsi ortorombik qəfəsdə kristallaşmışdır. EVA proqramı ilə həmin kristal qəfəsinin parametrləri üçün a 13.50 A, b 27.32 A, c 11.85 A alınmışdır. Kristalı verilmiş temperaturda 30 dəqiqə saxlamaqla hər 5 dəqiqədən bir çəkilişlər aparılmış və T 750 K -də kristalda quruluş çevrilmələri baş vermişdir. T 750 K temperaturda alınan difraktoqram para metrləri a 3,961A, c b,792 A, fəza qrupu P2 3 / mmc olan heksoqonal qəfəsdə indekslənmişdir. Kristaldan çəkilən difraqtoqramlar şəkil 1-də verilmişdir. T=750K T=350K Şəkil 1. Cu1,95 Ni0, 05 S - kristalının difraktoqramı. Kristal soyudularkən T=500K temperatura kimi heksa140 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı qonal fazadan alınan difraksiya əksolunmalarının sayı dəyişməmiş, T=450K temperaturda eyni zamanda iki faza-heksaqonal və ortorombik fazalar mövcud olmuşdur. T=400K temperaturda iki fazalı kristal bir fazalı kristala çevrilmiş və ortorombik quruluşa malik olmuşdur. Beleliklə, bele nəticəyə gəlmək olar ki, Cu1.95 Ni0, 05 S kristallarında 300-750K temperatur intervalında quruluş faza çevrilmələri enantiotrop olub ortorombikheksaqonal sxemi üzrə baş verir. Yüksək temperatur fazasına keçid 750K, əks keçid isə 400K temperaturda müşahidə olunur. Cu2 S -də Cu atomlarının N i atomları ilə qismən əvəz olunması qəfəs parametrlərinin və çevrilmə temperaturunun dəyişməsinə səbəb olur. 1.N.Alsen- Ged.Forening. İ.Stokholm, Forhand, v.52, p. 111-120, 1931. 2.M.J.Buerger, N.W. Buerger, Amer. Miner, v.29, N 1-2, p-55-65, 1944. 3.S.Djurle. Acta Chem. Skand, v.12, N 7, p.1415-1427, 1958 4.Л.В.Рустамов, Ю.Г.Асадов, Г.Б.Гасымов. Докл. АН Азерб. №7, стр22, 1989. Процесс старения пп кристаллов AIIIBIIICVI2 1Алиев В.А., 2Гусейнов Г.И., 1Исмаилова П.Г. физики НАН Азербайджана 2Азербайжанский Архитектурный и Строительный Университет 1Институт Проблема воспроизводимости рабочих характеристик полупроводниковых (ПП) приборов упирается к гомогенности фазового состава активного элемента и учета физико-химических характеристик, играющих роль в кристаллизации. Незначительные отклонения от стехиометрии приводят к образованию собственных дефектов и вызывают весьма существенные изменения их физических свойств [1]. 141 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı Примеси, создающие глубокие состояния в ПП, как правило, обладают высокой миграционной способностью и ответственны за наблюдаемую деградацию приборов [2]. Физико-химические критерии образования соединений III III VI A B C 2 считаются установленными. Однако, в результате политипизма, структура этих кристаллов сильно зависит от деталей технологического процесса, и непредсказуемы. Поэтому, воспроизводимость рабочих характеристик кристаллов AIIIBIIICVI2 также большая проблема. До наших исследований, сведения относительно старения ПП приборов изготовленных на основе активных элементов AIIIBIIICVI2 в литературе практически отсутствовали, что связано новизной материалов. Соединения AIIIBIIICVI2 склонны к переохлаждению [3]. Поэтому, наиболее доступным методом выращивания крупных слитков считается метод Бриджмена, где высокий Т-градиент в зоне выращивания противопоставляется явлению переохлаждения, величина которой составляет 60-65 К. Однако, увеличение Т-градиента создает высокие термические напряжения, также отрицательно отражающиеся на качестве кристаллов и воспроизводимости их рабочих характеристик. Каждый цикл нагрев-охлаждение при измерениях приводит к перераспределению внутреннего напряжения и разбросу рабочих характеристик. Нами проводилось изучение воспроизводимости рабочих характеристик фоторезисторов на основе TlInS2, типичного представителя класса AIIIBIIICVI2. Из каждой технологической партии были изготовлены 10 фоторезисторов с одинаковыми размерами активного элемента. В качестве рабочей характеристики для контроля воспроизводимости во времени выбрали коэффициент интегральной фоточувствительность при освещении белым светом лампы накаливания 400 лк при комнатной температуре. Измерения проводились с перерывами 10 дней в 142 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı течение 3 месяцев. Наблюдалось уменьшение интегральной чувствительности и увеличение удельного темного сопротивления фоторезисторов. Для отдельных образцов разброс характеристик во времени достигал 60%. Таким образом, по предварительным результатам можно констатировать существование проблемы воспроизводимости рабочих характеристик ПП приборов изготовленных на основе активных элементов кристаллов AIIIBIIICVI2. [1]. Crystal Engineering: From Molecules and Crystals to Materials. (ed. By D.Braga et al.), Kluwer Academic Publishers, Boston, 1999, pp.421-441. [2]. Милнс А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. М.: Мир, 1977. [3]. Алиев В.А. Автореферат докторской диссертации. Баку, БГУ, 1997. Сравнение теоретических расчетов с экспериментальными результатами магнитной проницаемости полимерных магнитных композиций 1Керимли С.Дж., 2Рамазанов М.А., 1Садыхов Р.З. Физики НАН Азербайджана 2Бакинский Государственный Университет 1Институт В композиционных магнитных материалах магнитные характеристики сложным образом зависят от объемной доли, размера и формы частиц магнитных компонентов, их пространственного расположения в объеме диэлектрика. В наполненных ферромагнитных композициях важный вклад в магнитную проницаемость вносит также степень магнитной текстуры материала, благодаря наличию у них сильной магнитной анизотропии. 143 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı Известно, что магнитная проницаемость материала зависит от проницаемости ферритового наполнителя и от степени наполнения. Зависимости магнитной проницаемости композиции к от содержания наполнителя изучена многими авторами, но нет строго обоснованной формулы, отражающей зависимость магнитной проницаемости композиции от магнитной проницаемости ферритового наполнителя ф и коэффициента объемного наполнения p с учетом формы частиц, их дисперсности, частоты внешнего магнитного поля. С целью выяснения межфазных взаимодействий между компонентами композиций и влияния магнитной проницаемости () наполнителя на магнитные свойства нами проведено сопоставление теоретических и экспериментальных значений магнитной проницаемости композиций ПВДФ + NiZnO2, ПЭВП+ NiZnO2, ПЭВП + + NiMnFe2O6, ПВДФ + NiMnFe2O6, ПВДФ + BaO(Fe2O3)6, ПЭВП + BaO(Fe2O3)6. Используя формулы Лихтенекера, Оллендорфа и Кондорского–Оделевского, теоретически рассчитаны магнитные проницаемости композиций от объемного содержания наполнителя и сопоставлены с экспериментальными значениями. Проведенные расчеты показали, что теоретические значения магнитной проницаемости, рассчитанных по формуле Кондорского– Оделевского и экспериментальные значения магнитной проницаемости композиции не согласуются при концентрациях выше 30% наполнителя, а при низких концентрациях экспериментальные и теоретические значения магнитных проницаемостей хорошо согласуются. Также показано, что теоретические значения магнитной проницаемости рассчитанных по формуле Лихтенекера и экспериментальные значения магнитной проницаемости композиций согласуются при низких концентрациях, а при относительно высоких концентрациях не согласуются. Теоретические расчеты и эксперимен144 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı тальные результаты показали, что магнитные проницаемости рассчитанных по формуле Оллендорфа хорошо согласуются с экспериментальными результатами, т.е. закономерность изменения магнитных проницаемостей от объемного содержания хорошо согласуются, однако значения μ не совпадают с экспериментальными значениями. Таким образом, можно сделать вывод о том, что некоторое расхождение теоретических и экспериментальных значений магнитной проницаемости композиции, связано с тем, что в этих формулах не учтено межфазное взаимодействие между компонентами композиций и взаимодействия соседних частиц. K0,985Rb0,015NO3 kristallarında polimorf çevrilmələrin rentgenoqrafik tədqiqi Nəsirov V.İ., Bayramov R.B., Həziyeva A.F. AMEA N.M.Abdullayev adına Fizika İnstitutu [email protected] Qələvi metalların nitrat birləşmələrində polimorf çevrilmələrin tədqiqi həm elmi və həm də böyük praktik əhəmiyyətə malikdir. Belə ki, bu proses polimorfizmə malik qarışıq tərkibli monokristalların alınma texnologiyası ilə sıx əlaqəlidir. Otaq temperaturundan ərimə temperaturuna kimi kalium nitratda bir 1-3, rubidium nitratda isə üç polimorf çevrilmə baş verir 4-7. KNO3-də temperaturun təsiri ilə baş verən rombik (II) romboedrik (I) quruluş çevrilməsi baş verdiyi halda, soyuma zamanı T<397K temperaturda daha bir modifikasiya (III) müşahidə edilə bilir. Həmin III modifikasiyanın qəfəs parametrləri I modifikasiyanın qəfəs parametrlərindən fərqlənir. Sonrakı soyuma nəticəsində romboedrik (III) rombik (II) quruluş çevrilməsi baş verir. Beləliklə kalium nitratda quruluş 145 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı çevrilmələri aşağıdakı sxem üzrə baş verir: RbNO3-də isə polimorf çevrilmə aşağıdakı sxem üzrə gedir: Təqdim olunan iş KNO3 kristallarında K+ ionlarının Rb+ ionları ilə qismən əvəz olunması nəticəsində alınan K0,985Rb0,015NO3 kristallarında polimorf çevrilmənin tədqiqinə rombik rombik romboedrik a=4,41Å a=7,41Å a=4,35Å a=4,41Å 0 0 b=9,17Å T>400К =44 35 T<630К =76 51 T<383К b=9,17Å fəza qr. fəza qr. c=6,42Å c=6,42Å fəza qr. R3 m R3 m fəza qr. Pnma Pnma kubik triqonal romboedrik kubik a=7,32Å a=4,30Å a=5,48Å a=10,48Å c=7,45Å T>437К fəza qr. T>492К c=10,71Å T>564К fəza qr. Fm3m fəza qr. Fm3m fəza qr. P31(P32) R3 m həsr olunmuşdur. Nümunələr ilk dəfə alınaraq öyrənilmişdir. K0,985Rb0,015NO3 kristalları otaq tenperaturunda “ЧДА” markalı KNO3 və “ХЧ” markalı RbNO3-ün suda məhlulundan izotermik kristallaşma üsulu ilə alınmışdır. Nümunələrin mükəmməlliyinə və təmizliyinə nail olmaq üçün ilkin maddələr çoxsaylı kristallaşmaya məruz edilmişdir. Rentgenoqrafik tədqiqatlar Bruker firmasının D8 ADVANCE rentgendifraktometrində aparılmışdır. Qurğu TTK 450K tipli 77<T<722K temperatur intervalında işləyən qızdırıcı kamera ilə təmin olunmuşdur. T=400K təmperaturda 1002800 bucaq intervalında aparılan çəkilişlər zamanı 19 dəqiq difraksiya əks olunmaları müşahidə edilmiş və həmin əks olunmalar parametrləri a=5,432Å, b=9,19Å, c=6,54Å, fəza qrupu Pmcn olan rombik qəfəsdə indekslənmişdir. Nümunənin hər 5K-dən bir çəkilişləri aparılmış, çəkiliş aparılmamışdan kristal həmin temperaturda 30 dəqiqə saxlanılmışdır. T>450K temperaturda tədqiq olunan kristalda quruluş çevrilməsi baş vermişdir. Kristaldan çəkilən difraktoqram şəkil 1-də verilmişdir. Həmin 146 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı temperaturda rombik qəfəs parametrləri a=5,425Å, c=9,836Å, fəza qrupu R3 m olan romboedrik qəfəsə çevrilmişdir. Sonrakı müşahidələr göstərmişdik ki, ərimə temperaturuna kimi tədqiq olunan kristallarda polimirf çevrilmə baş vermir. Beləliklə, K0,985Rb0,015NO3 kristallarında quruluş faza çevrilmələri aşağıdakı sxemi üzrə gedir: rombik romboedrik a=5,42Å a=5,432Å c=9,836 Å b=9,19Å T>450К c=6,54Å fəza qr. R3 m fəza qr. Pmcn Əks çevrilmələr zamanı tədqiq olunan kristallarda romboedrik (I) və rombik (II) modifikasiyalar arasındakı aralıq IIImodifikasiya müşahidə olunmamışdır. 450K 400K Şəkil 1. K0,985Rb0,015NO3 kristalının difraktoqramı. 1.D.A.Edward., Z.Krist., 80, 1943, p.154. 2.P.E.Tahvonen., Ann. Acad. Sci. Fennical, ser. A, N. 44, 1947, p.20. 3.P.W.Bridgman., Pros. Am. Acad. Arts. Sci. v. 52, 1916, p.57-88. 4.R.N.Brown, A.C.McLaren., Asta Cryst.,v.15, N.10, 1962, p.974-976. 5.M.Shamsuzzona, B.W.Lucas. Canad. J. Chem., v. 66, 1988, p. 819-823. 6.R.N.Brown, A.C.McLaren. Proc.Roy. Soc. Ser. A, v.266, 1962, p.329343. 7. L.Pauling, J.Sherman. J. Chem. Phys., 42, 4, 1966, p.1318-1325. 147 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı Создание солнечных элементов на основе а-SiС/а-Si Гаджиев Х.Ф. Азербайджанский Университет Архитектуры и Строительства В данной работе рассматриваются физические параметры пленок a Si1 xCx : H , a Si : H и создание солнечных элементов па их основе. При получении пленок скорость осаждения материала на подложку была 0.3 = A /с. а расстояние между мишенью и подложкой L 25см и температура подложки Ts=200()С. Пленки гидрогенизированном аморфном кремния углерода (а-Si1-xСх:Н) и кремния (а-Si:Н) полученным методом плазменного разложения газовой смеси (SiH 4 CH4 ) и SiН4 . Содержание водорода. Н, в пленках определялась с помощью уравнения: (1) . NH A J ( ) d , A - коэффициент пропорциональности, где J равный 1,4-1020см-2. Для определения концентрации водорода (NH) в пленке основным выбирались спектры поглощения С-Н связи в области 2800-3000 см-1, которые коэффициент поглощения 3 102 cм 1 . При этом NH имело значение 2,110 22 см-3 Коэффициент оптического поглощения в области края фундаментального поглощения достигал 105см-1. Температурная зависимость темповой проводимости (Т) от 1/Т показывает, что в интервале 400К<Т< 80К, кривая имеет две области: высокотемпературную область, выше 150°К, которая описывается формулой : 0 exp( E / kT ) (2) . где E -энергия активации проводимости, 0 -предэкспо148 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı непциальный множитель, равный 10-3(Ом-см)-1. При температуре ниже 1500К проводимость характеризуется прыжковым механизмом и описывается следующей формулой: 1 (3) прыжка 1 exp T0 / T 4 T 18,1 3 3 2 со значением е -заряд vФ e и T0 kN ( E1 ) 4k электрона, vф -характеристическая фононная частота при температуре Дебая ( vФ 2,7 1013 c 1 для SiC). k-постоянная Больцмана. -функция локализации. N(E1)-плотность состояния на уровне Ферми. Т0 и 1 , определяются из 2 1 зависимости lg( T 1/ 2 ) от Т 1/4 |2|. При этом было найдено, что радиус локализации =10 A , N ( E1 ) 1017см-3-эВ-1. Элементы со структурами стекла /ОИО/р-а-SiС/i-n-а-Si были получены следующим образом. Слой а-SiС:H р-типа, легированный бором [В2Н6/(SiН4+СН4)=0,1%] и толщиной 30 A . осаждается на прозрачную проводящую пленку из оксидов индия - олова (ОИО), предварительно папыдспную на стеклянную подложку. Затем осаждался нелегированный i слой а-Si:Н толщиной 7000А с последующим нанесением на него слоя а-Si:Н n-типа, легированного фосфором (РН3/SiН4 =0,5%) толщиной 500А. Последним наносились контакты сплавов Тi/Ag. Фотовольтаическая характеристика солнечного элемента на основе а-Si:Hс площадью 0,5 см2 освещались солнечным светом AМ-1 (100мВт/см2) элемент имеет следующие показатели: напряжение холостого хода (V ) 0.92В. плотность тока короткого замыкания (1К3) 14.9 мА/см2, коэффициент заполнения (к3) 0.69. к.b.д. ( ) составляет 9,45%. 149 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı GdSnSe2 birləşməsində termo-e.h.q.-nin dəyişməsinə maqnit sahəsinin təsiri Murquzov M.İ., Hüseynov C.İ., Məmmədova R.F., Mövsümlü N.T. Azərbaycan Dövlət Pedaqoji Universiteti SnSe binar birləşməsində nadir torpaq metalları (NTM) (Qadolliniumum Gd) iştirakı kinetik əmsalların (𝑅, 𝜎, 𝛼) yükdaşıyıcıların konsentrasiyasından və temperatur asılılıqlarında əsaslı dəyişiklərin yaranmasına gətirir. NTM-də 4f səviyyəsinin elektronlarla tam dolmaması və daxili 4𝑓 − 5𝑑 − 6𝑠 keçid elektronlarının mütəhərrikliyi hesabına onların iştirakı ilə yarımkeçiricilərin fiziki xassələrində bir sıra yeni xassələrin yaranmasına səbəb olur. Təqdim olunan işdə GdSnSe2 birləşməsində eninə və uzununa Nernest-Ettinqsqauzen (N-E) effektlərinin temperatur və maqnit sahəsinin intesibliyindən sılılıqları tədqiq olunmuşdur. 𝜕Т Eninə ∆𝛼 = 𝛼(Н) − 𝛼(0) və uzununna ℇу = −𝑄НЭ ∙ Н ∙ 𝜕х N-E effektləri maqnit sahəsinin intesibliyindən asılı olaraq nəzərə çarpacaq dərəcədə dəyişməsi müşahidə olunur. 100 K, 320 K temperaturlarda və müxtəlif intensivliklərdə alınan nəticələr cədvəl 1-də verilmişdir. Aşağı temperaturlarda (80-260 K) hər iki effek əmsalları mənfi qiymətlər alır. T=265 K temperaturda inversiya nöqtəsindən keçməklə yuxarı temperaturlarda müsbət qiymlər alır. ℇу və ∆𝛼⁄𝛼0 -nın müxtəlif maqnit sahə intensivliyi və temperaturlarda təyini ∆𝛼 -nın elektron və deşik keçiriciliyi oblastlarında əks işarəli olduğunu göstərir. Bundan əlavə bir növ yükdaşıyıcılı nümunədə temperatur intervalından asılı olaraq ∆𝛼 əks işarəli qiymətlər alır və dəyişməsi monoton olmur. 150 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı GdSnSe2 Uzununa termoehq ∆𝛼 Eninə NE effekti -ℇу 3 -41 -0,31 100 K H (kErs) 6 11 -46 -0,35 -51 - 0,35 3 +25 +0,28 320 K H (kErs) 6 11 +26 +0,26 +35 +0,21 Bu müxtəlif temperatur oblastlarında fərqli səpilmə mexanizmlərinin üstünlük təşkil etməsi ilə əlaqədardır. T=80-120 K intervalında əsasən ion aşqarlarından səpilmə baş verir, T=120-260 K temperaturunda akustik fononlardan səpilmə üstünlük təşkil edir, N-E e.h.q.-si müsbət işarəli və 𝛼(Н) < 𝛼(0) olur. Temperaturun 260 K-dən yuxarı artımında uzununa N-E effektinin dəyişməsində 𝛼(Н) > 𝛼(0) üstünlük təşkil edir və yükdaşıyıcılar əsasən optik fononlardan və de3 fektlərdən sərilir, nəticədə eninə N-E effekti ℇу ~Н0,3 , Т− ⁄2 qanunları ilə dəyişir. Eninə və uzununa N-E effektlərinin belə qeyri adi temperatur asılılıqlarını yalnız valent zonasının mürəkkəb quruluşu ilə əlaqələndirmək çətindir. Zonalararası səpilmə işarəsini dəyişmədən yalnız | ℇу | -nin qiymətini dəyişə bilər. Ona görə də ℇу belə davranışını GdSnSe2 birləşməsində Gd komponentindən rezonans səpilmənin meydana gəlməsi ilə əlaqələndirmək olar. Ce-la aşqarlanmış Dy2SnSe4 birləşməsində məxsusi defektlərin istilik müqavimətinin dəyişməsindəki rolu Murquzov M.İ., Məmmədova G.E.,Həsənova M.Ə. Azərbaycan Dövlət Pedaqoji Universiteti Təqdim olunan iş Serium (Ce) element atomları ilə aşqarlanmış Dy2SnSe4 <Ce>x (x= 0.005; 0.010) tərkibli nümunələrin 151 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı istilikkeçiriciliyinin təcrübədən alınmış qiymətlərinin və istilik müqavimətinin təbiətinin araşdırılmasına həsr olunub. Təcrübələr T=(300 650) K temperatur intervalında aparılmışdır. Dy2SnSe4 birləşməsi və onun Ce-la aşqarlanmış tərkiblər presləmə üsulu ilə alınmışdır. Nümunələrin istilikkeçiriciliyi mütləq stasionar rejimdə, kompensasiya üsulu ilə təyin edilmişdir. Ölçmələr zamanı buraxılan xətalar 4.6 % dən çox olmamışdır. Tərkiblər haqqında geniş informasiya əldə etmək üçün onların ortaq temperaturunda digər kinetik parametrləri də təyin olunmuşdur. Tərkiblərdə serium element atomlarının miqdarı artdıqca onların elektrik keçiriciliyi yaxşılaşır. Termoe.h q-nin ( ) qiyməti təxminən 2 dəfə artır, yükdaşıyıcıların konsentrasiyası uyğun olaraq: x= 0.005-də 1.2 1017 və 1.4 1017 sm-3, yəni 9.1 və 27% artmışdır. Ümumi istilikkeçirmə əmsalının qiyməti isə təqribən 5% artmışdır. Tədqiqat işıəri orta temperatur (300 650)k intervalında aparıldığı üçün ümumi istilikkeçirmə əmsalının qiymətini elektron və qəfəs istilikkeçirmə əmsallarının cəmi kimi qəbul edərək elektron istilikkeçiriciliyi hesablanmışdır. Hel= 4düstur Müəyyən olunmuşdur ki, ortaq temperaturunda elektron istilikkeçiriciliyinin qiyməti tərkiblərdə nisbətən artır və x=0.010 olan nümunədə elektron istilikkeçiriciliyinin qiyməti bir tərtib artmışdır (cədvəl). Cədvəldən göründüyü kimi, tərkiblərdə serium element atomlarının miqdarının artması həm elektron istilikkeçiriciliyini və həm də qəfəs istilikkeçiriciciliyini yaxşılaşdırır. Ədəbiyyat materiallarından məlum olduğu kimi maddəyə qarşı aşqar kimi ağır metal atomları daxil etdikdə adətən əlavə səpilmə mərkəzləri yaratdığından tərkiblərin istilikkeçiriciliyi azalmalı idi. Lakin bizim təcrübədə ilkin hesablamalar göstərir ki, aşqar kimi daxil etdiyimiz Ce atomlarının miqdarının artması həm elektron və həm də qəfəs istilikkeçiriciliyini yaxşılaşdırır (artırır). Buradan belə bir nəticə çıxarmaq olar ki, aşqar element atomları Dy2SnSe4 birləşməsində əlavə səpilmə 152 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı mərkəzləri yaratmasına baxmayaraq vakant mərkəzlərini tutması hesabına istilikkeçiriciliyin yaxşılaşması əlavə səpilmə mərkəzlərindən səpilmə hesabına olan istilik itkisindən daha çoxdur. Bu səbəbdən Dy2SnSe4 kristalından onun Ce elementi ilə aşqarlanmış tərkiblərə keçdikdə nümunələrin istilikkeçiriciliyi yaxşılaşır. Dy2SnSe4 system ərintilərindən alınmış tərkiblərdə yaranan defektlərin istilik müqavimətinin dəyişməsindəki rolunu dəqiqləşdirmək məqsədi ilə Hq və Hel-istilik keciriciklərinin ilkin 1 analizi aparılmış və istilik müqavimətinin temperatur Hq asılılığı analiz edilmişdir. Müəyyən edilmişdir ki, T= (300 460)k temperatur intervalında (T)-nin qiyməti T-dən çox zəif asılıdır və qismən monoton, zəif dəyişir. T 460k- də isə istilik müqavimətinin qeyri-xətti azalması müşahidə olunur. Temperaturun artması ilə bu qeyri-xətti azalma qismən intensivləşir. T> 460k temperaturunda Hq~T-0.x qanunu ilə dəyişir. Bu isə onunla izah olunur ki, istilik daşınmasında akustik fononlardan səpilmə üstünlük təşkil edir. İlkin analiz göstərir ki, Ce-element atomları ilə aşqarlanmış Dy2SnSe4<Ce>x nümunələrdə serium atomları vakan mərkəzlərini tutmaqla tərkiblərin defektlərdən qismən təmizlənməsi rolunu oynayır. Məhz bu səbəbdən tərkiblərdə Ce element atomlarının miqdarının artması ilə onları istilikkeçiriciliyi qismən yaxşılaşır. Dy2SnSe4 birləşməsinin kristallik quruluşu və elektrofiziki xassələri Hüseynov C.İ., Abdullayeva Ş.Y., Cəfərov T.A. Azərbaycan Dövlət Pedaqoji Universiteti Kompleks fiziki-kimyəvi analiz: diferensial termik, rent153 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı gen faza, mikroqurluş analizləri, həmminin mikrobərkliyin və sıxlığın ölçülməsi ilə SnSe-Dy2Se3 sistemində qarşılıqlı təsirin xarakteri öyrənilmiş və hal diaqramı qurulmuşdur. SnSe-nin tərkibinə Dy2Se3 daxil edilməsi ilə kiçik oblastda bərk məhlul alındığı və fiziki-kimyəvi xassələrin müəyyən qədər dəyişdiyi müəyyənləşdirilmişdir. Kvazi binar evtetik tipdə olan bu sistemdə 855 oC temperaturda inkonqruent əriyən DySnSe2 birləşməsinin alındığı müəyyənləşdirilmişdir. Bu birləşmə SnSe əsasında alınan α-bərk məhlullarla DySe-nin 10 mol % kimi 710oC-də əriyən evtektika alınır. Sistem ərintilərinin xüsusi elektrikkeçiriciliyinin və termo e.h.q.-nin temperatur asılılıqları tədqiq olunmuşdur. Rentgen quruluş analizi (RQA) D-2 PHSER modelli rentgen qurğusunda, Ni-filtiri istifadə etməklə, СuКα-şüalanmalarında aparılmışdır. Başlanğıc birləşmədə, bərk məhlullarda və yeni alınmış fazada müstəvilərarası məsafələr, difraksiya xətlərinin intensivlikləri təcrübi olaraq hesablanmışdır. Yeni fazanın difraksiya maksimumları və müstəvilərarası məsafələri başlanğıc birləşmədən əsaslı şəkildə fərqləndiyi aşkar edilmişdir. RQA-nin nəticələri SnSe və Dy2Se3 qarşılıqlı təsirlərində komponentlərin 1:1 nisbətində yeni üçqat Dy2SnSe4 birləşməsinin əmələ gəldiyini təsdiq edir. Ovuntuların rentgenoqrammalarını təhlili göstərir ki, Dy2SnSe4 birləşməsi elementar qəfəs parametrləri а= 12,88; с= 14,38 Å, с/а=1,1164; Z=11, V=2066 Å3, sıxlığı ρpik.=6,55 q/sm3, ρrеnt.=6,71 q/sm3 olmaqla heksoqanal sinqonyada kristallaşır. Otaq temperaturunda SnSe əsasında Dy2Se3–nin 3 mol % miqdarına kimi bərk məhlullar alındığı müəyyənləşdirilib. Tərkibdə disproziumun artımı ilə qəfəs parametrləri, elementar özəyin həcmi artır, elementar özəyə düşən molekulların sayı dəyişməz qalır. RQA-nin nəticələri SnSe və Dy2Se3 qarşılıqlı təsirlərində komponentlərin 1:1 nisbətində yeni üçqat Dy2SnSe4 birləşməsinin əmələ gəldiyini təsdiq edir. Kompleks fiziki kimyəvi analizlər nəticələri əsasında SnSe154 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı Dy2Se3 sisteminin hal diaqramı qurulmuşdur. DySnSe2 üçlü birləşməsinin elektrikkeçiriciliyinin temperatur asılılığını müxtəlif yükköçürmə mexanizmlərinə uyğun üç hissəyə ayırmaq olar. Tədqiqatdan alınan qiymətlər əsasında aşqar keçiricilik oblastında yükdaşıyiciların aktivləşmə enerjisi (Ea0,23 eV ), məxsusi keçiricilik oblastında qadağan olunmuş zonanın termik eni (Eg0,52 eV) təyin olunmuşdur. Termo-e.h.q.-si ( ) və Holl əmsalının Rx tədqiq olunan maddənin p-tip elektrikkeçiriciliyinə malik olduğunu göstərir. DySnSe2 üçlü birləşməsinin termo e.h.q.-nin temperatur asılılığı müxtəlifdir. 300450 K temperatur intervalında mkV temperaturun artımı ilə termo e.h.q.-si 110 qiymətindən K mkV 150 qiymətinə qədər artır. Aşqarların tükənmə K oblastında termo e.h.q.-si azalaraq 500 K temperaturda minimumdan keçir və 550K temperatura qədər artır. Məxsusi keçiricilik oblastında isə temperatur artması ilə termo e.h.q.-nin azalması müşahidə olunur. Aşqar keçiriciliyi oblastında Holl yürüklüyü temperaturdan asılı olaraq uT2,4 qanunu ilə, məxsusi keçiricilik oblastında isə uT1,5 qanunu ilə dəyişir. Xüsusi elektrikkeçiriciliyi və termo-e.h.q.-nin temperatur asılılıqları mürəkkəb zona quruluşlı aşqar yarımkeçiricilər üçün xarakterikdir. Sn1-x Gdx Se Sistem ərintilərinin istilik keçiriciliyi Quliyeva L.Ə., İsmayılov İ.Ş. Azərbaycan Dövlət Pedaqoji Universiteti T=(300-700) k temperatur intervalında Sn1-x Gdx Se sistem ərintilərindən x=0,000; 0,005 və 0,05 tərkibli p-tip nümunələ155 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı rinin istilikkeçirciliyinin temperatur asılılıqları öyrənilmişdir. Nümunələr istiqamətlənmiş ərinmə zonası üsulu ilə alınmış və nümunələrdə konsentransiyanın bircins paylanmasını təmin etmək üçün T=620 k temperaturunda t=240 saat müddətində dəmləmə aparılmışdır. Nümunələrdə Gd elementinin konsentrasiyası artdıqca ümumi istilikkeçirmə əmsalının χü verilmiş temperaturda azalması və həmdə χü (T) asılılığının zəif azalması müşahidə olunur. χ (T) asılılığının bu formada dəyişməsi həm elektron və həm də qəfəs istilikkeçiriciliyinin azalması hesabına ola bilər. Bu ehtimalın düzgünlüyünü müəyyən etmək məqsədi ilə alınmış nümunələrin T=300-700 k temperatur intervalında χü (T) asılılıqları ölçülərək analiz edilmişdir. Ölçmələr mütləq stasionar rejimdə, kompensasiya üsulu ilə aparılmışdır və ölçmələr zamanı buraxılan xətalar 4,6% dən çox olmamışdır. Tərkiblər haqqında daha geniş məlumat əldə etmək üçün otaq temperaturunda digər kinetik parametrləri təyin edilmişdir. Tərkiblərdən gadalinium elementinin miqdarı artdıqca yükdaşıyıcıların konsentrasiyası azalır. Digər tərəfdən mütənasib olaraq Holl yürüklüyü də azalır. Bu səbəbdən tərkiblərdə elektrik keçiriciliyinin qiyməti mütənasib olaraq: x=0,005 nümunəsində 14 dəfə ; x=0,050 tərkibli nümunədə isə 23 dəfə azalmışdır. Parametrlərin analizindən müəyyən olunur ki, Sn1-x Gdx Se sisteminin tərkibləri kompensasiya olunmuş yarımkeçiricidirlər. Holl əmsalının Rx və termoelektrik hərəkət qüvvəsinin £ nın işarələrindən məlum olur ki, x=0,050 tərkibli nümunə n-tip keçiriciliyə malikdir. Bu parametrlər alınmış nümunələrin kompensasiya olunmuş yarımkeçirici materiallar olduğunu göstərir. Ölçmələr orta temperatur intervalında (T=300-700) k aparıldığı üçün ümumi istilikkeçirmə əmsalının qiyməti əsasən qəfəs (χq) və elektron (χel) istilikkeçiriciliyindən ibarət olduğunu qəbul edərək (χü=χq+χel) Videman-Frans qanunundan isti156 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı fadə edərək (χel = L δT ; δ – elektirik keçiriciliyi; L – Lorens ədədidir. L=2,45 x 10-8 Vt Om x K-2 ) χ el – nun qiyməti hesablanmışdır. Müəyyən olunmuşdur ki, χel-nun qiyməti ümumi istilikkeçirmə əmsalının uyğun olaraq 0,06 və 0,045 %-ni təşkil edir və temperaturun artması ilə zəif artım müşahidə olunur. T=(300-700)K temperatur intervalında qəfəs istilikkeçiriciliyinin (χ q) temperatur asılılığı tədqiq edilmişdir. Müəyyən olunmuşdur ki, (T=300-450 )K temperaturunda χ q ~ T-0,3, T>550 k –də isə χ q ~ T-0,5 qanuni ilə azalır. Beləliklə, təcrübədən aşağıdakı kimi nəticələr alınmışdır. 1. Sn1-x Gdx Se sistem ərintiləri kompensasiya olunmuş yarımkeçiricidirlər. 2. p-Sn Se birləşməsindən onun gadalinium (Gd) element atomları ilə aşkarlanmış tərkiblərinə keçdikdə ümumi istilikkeçirmə əmsalı azalır. Buna səbəb tərkiblərdə əlavə səpilmə mərkəzlərinin yaranması ilə izah olunur Ndx Sn1-x Te (x=0,01, 0,005, 0,003) kristallarının elektrofiziki xassələri Sərdarov Ş.T., Nəbiyev A.Ə., Nəsibli A.C., Qurbanov A.M., Aydınova T.M. Azərbaycan Dövlət Pedaqoji Universiteti SnTe birləşməsi adətən stekiometriyadan kənarçıxma ilə əmələ gələr. otaq temperaturunda yükdaşıyıcıların konsentrasiyası 1020 sm3 qiymətində termoelektrik hərəkət qüvvəsinin əmsalı 5mkV/k, 1021 sm-3 qiymətində 32 mkv/k olur. Termo e.h.q. əmsalının tempraturdan və yükdaşıyıcıların konsentrasiyasından asılılığı ümumi qanunauyğunluğa tabe olmur. Maraqlı obyekt olan Sn Te birləşməsi Sn elementini lantanoidlərin tipik nümayəndələrin biri Nd elementi ilə əvəz edilməsi alınan yeni materialında maraqlı nəticələr alınır. Tədqiqat işinin kristalları birbaşa sintez üsulu ilə alınmışdır. Qalay Sn-B3 markalı. Nd – 99,9℅ təmizlikdə, 157 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı tellur isə AZ markalı götürülürmüşdür. Sintez kvars ampulada 0,1333 Pa təzyiqində 900-1200oc temperature intervalında aparılmışdır. Proses aşağıdakı rejimdə aparılır. 2 saat ərzində temperature 900oc-yə qədər artırılmış, bundan sonra temperature 30 dəq/saat sürətlə 11000C –yə qədər artırılmış, reaksiyanın tam başa çatması üçün bu temperaturda 5 saat saxlanmış və otaq temperaturuna qədər soyudulmuşdur. Ndx Sn1-x Te (x=0,01, 0,003, 0,005) sistemində aşkar edilmiş bərk məhlullar əlavə olaraq 7250C-də 200-240 saat ərzində tablamada qaldıqdan sonra onların xassələri öyrənilmişdir. Müəyyən temperatura gətirilməsi, soyudulması və təmizlənməsi xüsusi qurğudan RİF1-dən istifadə olunmuşdur. Alınmış tərkiblər xüsusi həndəsi formaya –paralelopiped şəklinə salınmış və parametrləri ölçmək üçün xüsusi kreostatda yerləşdirilmişdir. Nümunə üzərində fiziki parametrləri ölçmək üçün kontakta Jn Qa effekttikasından istifadə edilmişdir. Temperaturları ölçmək üçün Xromel – Kopel deferensial termocütlərdən istifadə edilmişdir. Ölçmələr mütləq stasionar rejimdə kompensasiya üsulu ilə aparılmışdır. Ölçmələr zamanı buraxılan xətalar 4,5℅ tərtibində olmuşdur. Müəyyən edilmişdir ki, Ndx Sn1-x Te (x=0,01, 0,005, 0,003) bərk məhlullarda mikrobərkliyin qiyməti (440-445) Mq intervalında sıxlığın qiyməti (6,45-6,46) q/sm3 intervalında dəyişir. Deməli həlolma zamanı Sn atomlarının Nd ionları ilə əvəzolunması nəticəsində sıxlığın və mikrobərkliyin artması müşahidə olunur. Qeyd olunanlara onu əlavə etmək olar ki, SnTe birləşməsinin kinetic parametrlərinin temperature asılılığında meydana çıxan mürəkkəbliyin izah edilməsinə cəhd, bu birləşmənin tonu quruluşunun əsasən edilərsədə tam dəqiq izahat verilə bilməmişdir. SnTe və onun əsasında bərk məhlullarda aşqar və selektiv defektlər həmçinində rezonans səviyyələrini əmələ gətirir. Səpilmədə onların payı selektiv xarakter daşıdığından bu özünün kinetik parametrlərin dəyişməsində biruzə verir. Xüsusi elektrik keçiriciliyinin, Holl, Termo-elektrik hərə158 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı kət qüvvəsinin tempratur asılılıqlarının analizi göstərir ki, tədqiq olunan kristalların hamısı üçün aşqar keçirilicilik oblastında temperature artdıqca 𝛼 -nın azalması, məxsusi keçiriciliyin başlanması, yəni valent zonasından keçirici zonaya məxsusi elektronların ötürülməsi səbəbindən artması baş verir. PbTe-YbTe əsasında alınmış termoelektrik materiallarda termo e.h.q.si və istilikkeçirmə Həsənov O.M., Dünyamalıyeva İ.F. Azərbaycan Dövlət Pedaqoji Universiteti İşdə məqsəd PbTe-YbTE əsasında alınmış perspektivli termoelektrik materialların tədqiqidir. Termo e.h.q.si və istilikkeçirmə stasionar metodla ölçülmüşdür [1]. Ölçmələr 85-685K temperatur intervalında aparılmışdır. Pb1-xTe-YbxTe (x=0; 0.02; 0.04; 0.06) sistem ərintilərinin termo e.h.q.sinin və istilikkeçirmənin temperatur asılılığı şəkil 1 və 2-də verilmişdir. Şəkil 1-dən göründüyü kimi otaq tempetaturuna kimi termo e.h.q.-si temperaturdan asılı olaraq zəif dəyişir, sonra temperaturun artması ilə kəskin artım müşahidə olunur. Otaq temperaturundan sonra PbTe və Pb1-xTe-YbxTe sistem ərintilərinin temperatur asılılıqlarında daha kəskin artım müşahidə olunur, qeyd edək ki, termo e.h.q.-sinin qiyməti ana maddədə ərintilərə nəzərən həmişə böyük olur. Bu isə effektiv kütlənin temperaturdan asılılığının Pb1-xTe-YbxTe sistem ərintilərinində ana maddəyə nəzərən daha güclü olduğunu göstərir. Şəkil 2-dən göründüyü kimi Pb1-xTe-YbxTe sistem ərintilərinin kristal qəfəsinin istilikkeçirməsi PbTe ana maddəsinin qəfəs istilikkeçirməsinə paraleldir. Müəyyən olunmuşdur ki, PbTe ana maddəsinində Yb iştirakıqəfəsin istilik müqavimətini artırır; Yb miqdarının artması ilə Pb1-xTe-YbxTe sistem 159 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı 250 α, мкВ/К 250 200 200 150 1 2 3 4 100 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 1 1/T,К-1 -1 Şəkil1. Termo e.h.q.-sinin temperatur asılılığı K 1–PbTe,2 – Pb0,98Yb0,02Te, 3 – Pb0,96Yb0,04Te,4- Pb0,98Yb0,02Te. , 10-3 , Втсм-1К-1 1 2 15 3 250 4 10 200 5 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 7 1/T, K-1 Şəkil 2. İstilikkeçirmənin temperatur asılılığı 1–PbTe,2 – Pb0,98Yb0,02Te,3 – Pb0,96Yb0,04Te, 4- Pb0,98Yb0,02Te. ərintilərinin istilik müqaviməti artır. Tədqiq olunan Pb1-xTe-YbxTe sistem ərintiləri aşağı temperaturlarda (azot temperaturundan otaq temperaturuna kimi) işləyən termoelektrik generatorların hazırlanmasında perspektivli materiallardır. 160 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı 1. Равич Ю.И., Ефимов Б.А., Смирнов И.А. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца. М. 1968. 383ст. 2. Павлов Л.П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов. М. 1987. 239 ст. Sn1 x Gd x S x 0,01;0.02 monokristallarında istilik xassələri Əhmədova K.Z., Adgözəlova X.A. Azərbaycan Dövlət Pedaqoji Universiteti Yarımkeçirici materialların istilik xassələrinin öyrənilməsi həmin materialların defektli təbiətinin araşdırılmasında mühüm əhəmiyyət kəsb edir. Bu baxımdan Sn1 x Gd x S x 0,01;0.02 monokristallarında istilik xassələri tədqiq olunmuşdur. Tədqiqat işi nadir torpaq elementlərindən olan Gd ilə aktivləşdirilmiş SnS monokristallarının yetişdirilməsinə, fizikikimyəvi analizinə və bu kristallarda istilik xassələrin tədqiqinə həsr olunmuşdur. İşdə istilikkeçiriciliyin və istilik müqavimətinin temperatur asılılığı geniş temperatur intervalında (100-700 K) ölçülmüşdür. Sn1 x Gd x S x 0,01;0.02 monokristallarında istilikkeçirmə əmsalının temperatur asılılığı tədqiq edilmişdir (şəkil 1). Eksperiment göstərir ki, tədqiq olunan nümunələrdə temperaturun artması ilə istilikkeçiricilik azalır, ancaq Gd faizlə artımı istilikkeçiriciliyin artmasına səbəb olur. Bu artım iki faktorla izah oluna bilər: Gd-lə aşqarlama SnS-də deşiklərin konsentrasiyasını azaldır, fononların rəqsi hərəkəti zəifləyir və nəticədə istilikkeçiriciliyi artır. Şəkildən göründüyü kimi tədqiq olunan temperatur intervalında istilikkeçirmə əmsalı Sn1 x Gd x S x 0,01;0.02 monokristallarında ana maddəyə nəzərən böyükdür. 161 -1 -3 -1 , 10-3(Втсм ) -1К-1) , 10К (Втсм Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı 9 8 7 6 9 5 8 4 7 3 6 5 2 4 3 a) a) 2 10 8 8 7 9 8 102 2 2 3 5 4 3 3 10 6 6 7 8 lgT (K) 1 6 9 10 2 3 4 asılılığı 5 6 Şəkil 71a.8 İstilikkeçirmə əmsalının temperatur 2 - -1 (Вт-1см К) см-К) (Вт 2 1 7 8 lgT (K) 1-SnS;2- Sn0.99Gd0.01S ; 3- Sn0.98Gd0.02 S б) 1 120 б) 100 120 80 100 60 80 40 60 120 200 280 20 40 20 120 200 280 2 3 2 3 360 360 1 440 440 520 520 600 600 680 680 760 760 840 T (K) 840 T (K) Şəkil 1b. İstilikmüqavimətinin temperatur asılılığı 1-SnS;2- Sn0.99Gd0.01S ; 3- Sn0.98Gd0.02 S Şəkil 2-də tədqiq olunan nümunələrdə istilik müqavimətinin temperatur asılılığı göstərilmişdir. Qrafikdən göründüyü kimi SnS-dən Sn1 x Gd x S x 0,01;0.02 -keçərkən istilik müqaviməti kəskin azalır və bu bütün temperatur intervalında müşahidə olunur. Bu anomaliya SnS-də vakant mərkəzlərin Gd atomları ilə tutulması ilə izah olunur ki, nəticədə keçiricilik və uyğun olaraq istiliyin fononlarla daşınma sıxlığı artır. 1.Гусейнов Дж.И., Мургузов М.И., Исмаилов Ш.С. “Теплопроводность твердых растворов ErxSn1-xSe” ( x≤0,025 ). Неорган.материалы. РАН. М. 2008. том 44. N-5. с 542 – 544. 162 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı 2.Адгезалова Х.А.,Мургузов М.И., Исмаилов Ш.С., Гасанов О.М.Теплопроводность монокристаллов Sn1-xNdxS Неорган.материалы. РАН. М. 2011, том 47. N-1. с 21 – 23. Sn0,99Pr0,01Те kristalının alınması və diferensial termik analizi Məmmədov İ.M., Ələkbərov A.S. Azərbaycan Dövlət Pedaqoji Universiteti Tədqiqat obyekti olaraq Sn0,99Pr0,01Те kristalının alınmasında birbaşa sintez üsulundan istifadə edilmişdir. Sn0,99Pr0,01Те polikristalının sintezi zamanı 000 markalı qalaydan, təmizlik dərəcəsi 99,9 % prazediumdan və А-1 markalı tellurdan istifadə olunmuşdur (Sn–000 markalı, Pr 99,9% və Te-A-1). Tədqiq etdiyimiz kristala diferensial-termik analiz metodu tədbiq olunmuşdur. 0,0133Pa–а qədər havası sorulmuş və ağzı qaynaq olunmuş kvars ampulalarda sintez edildikdən sonra ərintilər xırdalanaraq termoqrafiya üçün nəzərdə tutulan qablara (şüşə) doldurulur. Termoqramma çıxarılarkən etalon maddə kimi Al2О3 götürülmüşdür. Etalon maddə termoqrafiya üçün nəzərdə tutulan ampulalara doldurulub,havası sorulur və ağzı qaynaq edilir. Nümunələrin qızdırılma-soyudulma surətləri 9 0S/dəq olmuşdur. DTA analiz NTR–74 pirometrində aparılmışdır. Qeyd edeək ki,bu markalı tellurdan onun on qat zona təmizlənməsindən sonra alınan materialdan istifadə edilmişdir. Sn0,99Pr0,01Те kristalların alınması havası 0,1333 Pa–qədər sorulmuş kvars ampulalarda 800-1100оS temperatur intervalında aparılmışdır. Bu zaman aşağıdakı temperatur rejimi gözlənilmişdir. Sintez iki saat müddətində 900 0S-yə qədər qızdırma, daha 163 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı sonra 50 dər/saat surətlə 1000 0S-yə qədər qızdırılma, sonra bu temperaturda 5 saat saxlanma və söndürülmüş soba rejimində soyudulma həyata keçirilmişdir. Sn0,99Pr0,01Те kristalının dayanıqlı halını almaq üçün 700о S-də 250 saat tablama aparılmışdır. DTA-nın nəticələri göstərir ki, Sn0,99Pr0,01Те polikristalının qızma və soyuma termoqrammalarındakı termo effektlər birbirini təsdiq edir. O cümlıdın DTA-nın nəticələrinə əsasən Pr atomları mövcud kristaldakı kimyəvi rabitəni zəiflədir, bu səbəbdən kristalın ərimə temperaturunu 8050S-dən 780,8000Syə endirir. Влияние электрического поля на формирование твердых растворов TlGa1-xGexTe2 Алекперов Э.Ш., Гараев Э.С. Бакинский Государственный Университет В данной работе методом дифракции электронов высоких энергий исследованы нанотолщинные пленки TlGa1-xGexTe2 (0.02≤х≤0.09 мол.%), полученные в вакууме 10-4 Па, при постоянном электрическом поле Е=300 В см-1 на подложках, представляющих собой монокристаллы NaCl, KCl и KJ, находящиеся при температуре от 210 К до 460 К. Распределение состава конденсата по координатам на плоскости конденсации определяли с помощью известной в кристаллографии формулы Q 1 . q 2 3 4h (1 x) 2 Скорость осаждения конденсата соответствует 5-6нм/с. При указанной низкой температуре образуются слои в аморфном состоянии с однородной мелкозернистой 164 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı структурой с размером зерен 3.5-4 нм. На электронограмме, снятой от аморфной пленки TlGa1-xGexTe2 , видны три диффузных дифракционных максимума, которые определяем с помощью S=4πsinθ/λ. Хранение аморфных пленок в вакууме 10-2 Па, при комнатной температуре в течение 2х месяцев приводит к значительному понижению температуры (до 12К) при кристаллизации. Термообработка аморфных пленок толщиной 30нм, при температуре 373 К в течение 20 мин. с последующим охлаждением до комнатной температуры в вакууме со скоростью 5 К/мин, приводит к образованию поликристаллического TlGa1-xGexTe2 с увеличенными параметрами элементарных ячеек тетрагональной сингонии. С повышением температуры подложек до 413 К образуются монокристаллические пленки, эпитаксиально растущие на грани (100) монокристалла KCl, электронограммы от которых характеризуются частичным упорядочением системы рефлексов. Рефлексы, наблюдаемые на электронограммах от монокристаллических пленок, индицируются в тетрагональной сингонии с симметрией ПГС I41/amd. Для получения наиболее совершенных эпитаксиальных пленок следует увеличить температуру подложки до 460К и убавить скорость осаждения конденсата до минимума. При осаждении пленок TlGa1-xGexTe2 (0.02 ≤ х ≤0.09 мол.%) наблюдаем формирование сверхструктурной фазы, которая обладает удвоенными периодами по отношению к исходной фазе элементарная ячейка сверхструктурной фазы сопрягается с тремя ячейками подложки KCl. Несоответствия сопрягающихся сеток решеток подложка – пленка составляют ~1,5%. Ориентационные соотношения при эпитаксиальном росте исследуемых пленок выражаются следующим образом: TlGa1-xGexTe2(100) ∕∕ (100) KCl. Таким образом, определено, что постоянное электрическое поле положительно влияет на качество пленок, полученных 165 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı термическим методом, и понижает температуры их формирования. Барьерные структуры на основе GaSe-CuInSe2 Аскеров Д.Дж., Абдинова С.Г, Агаев А.М. Азербайджанская Государственная Нефтяная Академия Благодаря особенностям кристаллической структуры, полупроводники типа А3B6 проявляют целый ряд интересных свойств. В частности, анизотропность структуры А3B6, проявляющаяся в легкости механического удаления тонких слоев перпендикулярно оси «c», дает возможность получения «зеркальных» поверхностей, лишенных дефектов. В связи с этим, следует ожидать создания на тонких поверхностях «идеальных» барьерных структур. Вопросам исследования барьерных структур на основе селенида галлия посвящен ряд работ. В частности, к настоящему времени получены и исследованы: GaSe-SnO2, GaSe-GaAs, GaSe-InSe, GaSe-CuInSe2 гетеропереходы (ГП) а также BiGaSe, Sb-GaSe,Cd-GaSe барьеры Шоттки и ряд других барьерных структур. Наряду с этими барьерными структурами, интересные свойства могут проявлять ГП GaSe-CuInSe2, так как оба полупроводника (GaSe и CuInSe2) являются анизотропными соединениями. Как было отмечено, эта структура впервые была получена методом оптического контакта. Но, полученные таким образом, структуры особым выпрямлением и фоточувствительностью не отличались. Следует отметить, что наряду с простотой технологии создания ГП, метод оптического контакта имеет ряд существенных недостатков. Это, прежде всего, относится к необходимости приложения к контактируемым полупро166 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı водникам заметных механических нагрузок для приведения их в тесный контакт, что может изменить свойства этих полупроводников. Свойства таких контактов могут быть нестабильными и зависеть от величины нагрузки. В этой связи, для создания ГП со стабильными параметрами на основе соединения GaSe, кристаллизиующегося в гексагональной структуре, и CuInSe2 особую значимость приобретают известные методы получения ГП, лишенные недостатков. Исследованы электрических и фотоэлектрических свойств GaSe-CuInSe2, полученных в вакууме напылением полукристаллического порошка на нагретую поверхность монокристаллической подложки GaSe. Омический контакт на GaSe предварительно был нанесен вплавлением индия, а к пленке CuInSe2 для омического контакта использовался эвтектический сплав In-Ga. Показано, что механизм токопрохождения в GaSe-CuInSe2 структурах обусловлен термоэлектронной эмиссией. Область фоточувствительности охватывает (0,52,2) мкм. На основе анализа конфигурации расположения атомов на стыкующихся плоскостях показано, что на поверхности гексагонального GaSe, перпендикулярной оси «С», происходит ориентированный рост пленки CuInSe2 халькопиритной структуры с ориентацией (112). Таким образом, результаты исследований показали, что гетероструктуры можно создавать не только между полупроводниками одинаковой кристаллической структуры, но и с различными кристаллическими структурами. При этом одним из необходимых условий выращивания таких анизокристаллических гетероструктур является соответствие конфигураций расположения атомов и малое несоответствие (~3%) межатомных расстояний на контактирующих поверхностях. 167 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı Şottki diodlarının ideallıq əmsalına əlavə elektrik sahəsinin təsiri Məmmədov R.Q., Yeganeh M.A., Sultanov R.C., Bakı Dövlət Universiteti Real metal-yarımkeçirici kontaktlar (MYK) bir qayda olaraq kontakt səthi boyunca elektron emissiyası baxımından qeyri-bircins olur. Kontakt səthi bircins olsa belə, kontakt səthi ilə onu əhatə edən metal və yarımkeçiricinin sərbəst səthləri arasında yaranan potensiallar fərqi hesabına real Şottki diodları (ŞD) qeyri-bircins olur. Aşağıdakı şəkil-1-də silisium lövhəsinin üzərində yerləşən nikel nazik təbəqəsinin sərbəst səthinin Atom qüvvə mikroskopu (AQM) vasitəsilə çəkilmiş topoqrafik təsviri verilmişdir. Şəkildən aydın görünür ki, nazik metal təbəqəsi nanometrik xətti ölçülərə malik hissəciklərdən ibarət polikristal quruluşa malikdir, yəni real MYK-lar bir-birinə paralel qoşulmuş və elektrek qarşılıqlı təsirdə olan mikro- və nanokontaktlardan ibarətdir. Son illər real ŞD-lərdə baş verən elektron proseslərdə kontaktın emissiya qeyri-bircinsliyi hesabına yaranan əlavə elektrik sahəsinin (ƏES) [1] rolunun AQM ilə tədqiqinə böyük maraq göstərilir. Real MYK-larda potensial çəpərinin orta hündürlüyünü ФBA ilə lokal potensial çəpərinin hündürlüyü böyük və kiçik olanları ФB2 və ФB1 ilə işarə etməklə ƏES-nin təsiri nəzərə alınan real MYK-ların energetik diaqramı şəkil – 2-dəki kimi olur. Burada potensial çəpərin maksimum hündürlüyünün (ФBA, ФB2 və ФB1) metalın kontakt səthindən olan uyğun məsafələri arasında x2<x<x1 münasibəti ödənilir. Bu münasibət isə onu göstərir ki, real SD-nin işlək potensial çəpərinin ФBA hündürlüyünün xarici gərginlikdən asılılığı ilə müəyyən olunan ideallıq əmsalı, xarakterik x məsafəsinin x2-x1 intervalında harada yerləşməsindən asılı olur ki, bu da bilavasitə ƏEStəsirinin dərəcəsi ilə müəyyən olunur. 168 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı Şəkil1. Ni-Si MYK-da Ni nazik təbəqəsinin səthinin üç ölçülü AQM təsviri ФB2 ФВ2 ФВA ФB1 qVD Fc ФВ1 х2 Fm х1 Fs х lo Şəkil 2. Əlavə elektrik sahəli ŞD-nin energetik diaqrammı. 1. Мамедов Р.К., Контакты металл– полупроводник с электрическим полем пятен, Баку, БГУ, 2003, 231 с. 169 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı p-n keçidlərin Volt-Amper xarakteristikalarına deformasiyanın təsiri Cabbarov C.H., Məhərrəmov E.M., Səfərov V.H., Rəhimov R.Ş. Bakı Dövlət Universiteti Tədqiqatın məqsədi, p-n keçidinin dərinliyindən asılı olaraq deformasiyaya həssaslığının təyin edilməsi olmuşdur. Bu işdə ion bombardmanı üsulu ilə alınmış müxtəlif dərinlikli p-n keçidləri tədqiq olunmuşdur. Tədqiq olunan keçidlərin dərinliyi 0,1-0,3 mkm qiymətində dəyişmişdir. Bu məqsədlə nümunəyə olan təzyiqin VAX-ın əks tərəfinə təsiri öyrənilmişdir. P-n keçidində VAX-ın əks tərəfinin tədqiqatında alınmışdır ki, yalnız çox dərin olmayan keçidlərdə alınan 1 nəticə, I ~ V 2 nəzəri asılılığına uyğun gəlir [1]. Nisbətən daha dərin keçidlərdə I ~ V asılılığı müşahidə edilmişdir ki, bunu da sızma cərəyanlarının böyük olması ilə izah etmək olar. 1 Dərin olmayan təzyiq altında Nisbətən dərin xətti asılılığı keçidlərdə, hansılarda ki, I ~ V 2 asılılığı var, bu asılılıq saxlanılıb və əks cərəyan artıb. p-n keçidlərində F Fkr olanda I-nin V-dən saxlanılıb, ancaq F Fkr olduqda isə 1 xarakteristika «düzəlir», yəni I ~ V 2 asılılığı yaranır. Verilən keçidə tətbiq olunan, cərəyanın özünü aparmasında dönməyən prosesləri yaradan kritik qüvvənin qiyməti ( Fkr ) keçidin dərinliyindən asılıdır. Tədqiqatlarda müxtəlif dərinlikli p-n keçidlərinin əks istiqaməti üçün kritik qüvvənin qiymətləri təyin edilmişdir. VAXın əks istiqamətinin təzyiqə həssaslığı az olduğu üçün ölçmələr, sabit F qüvvəsinə dəyişən F1 qüvvəsini əlavə etməklə aparılmışdır. 170 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı Alınan nəticələri keyfiyyətcə məlum modellər əsasında izah etmək olar. F Fkr olanda dislokasiya və ya dislokasiya qrupları meydana gəlir ki, bu da generasiya-rekombinasiyanın artmasına gətirir və bunlar VAX-ın əks istiqamətinin «düzəlməsinə» təsirini göstərir. Bu təsir o vaxt daha çox olur ki, dislokasiyalar p-n keçidinə yaxın olurlar. Buradan aydındır ki, p-n keçidi nə qədər dərindədirsə, həmin yerdə mexaniki gərginlik daha azdır və uyğun olaraq lazımi deformasiyanı almaq üçün daha böyük qüvvə tətbiq etmək lazımdır. Yuxarıda qeyd olunan, VAX-ın əks istiqamətinə təsirin keçidin dərinliyindən asılılığına həssaslığı, p-n səthinə edilən təzyiqin qeyri-bircinsliyi ilə izah etmək olar. Bu qeyri-bircinsliyin səbəbi, həm p-n keçidinin dərinliyinin qeyri-bircinsliyindən, həm də kristalın bircinsliyinin lokal pozulmasından (məsələn, dislokasiyadan) asılıdır. Hesablamalar göstərir ki, əgər təzyiq nöqtəsinin müəyyən oblastında dislokasiya varsa, bu, I nin hiss olunacaq dərəcədə artmasına gətirə bilər. 1.C.Sah, R.C.Noyce, .W.Shockley, Proc.TRE, 45, 1228, 1958 Фотоэлектрические свойства солнечных преобразователей CuInSe2/ Cd1-хZnxS Джафарли Р.С. Бакинский Государственный Университет Поиск дешевых, простых, стабильных и высокоэффективных солнечных преобразователей ведет к развитию некоторых полупроводниковых тонкопленочных систем. Солнечные преобразователи на основе тонких пленок Cd1-хZnxS рассматриваются как одним из многообещающих систем, обладающих рядом благоприятных свойств. Солнечные преобразователи на основе Cd1-хZnxS дости171 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı гают высокой эффективности, несмотря на недостаточность сведений об их электрических и оптических свойствах. Одним из перспективных методов изготовления тонких пленок ZnxCd1-xS является метод химической пульверизации с последующим пиролизом. Этот метод обеспечивает осаждение при умеренных температурах достаточно совершенных пленок на больших площадях, обладающих более сильной адгезией, высокой механической прочностью по сравнению с пленками, полученными другими способами. В этой работе экспериментально исследуются фотоэлектрические свойства солнечных преобразователей CuInSe2/Cd1-хZnxS. Тонкие пленки Cd1-хZnxS были получены методом химической пульверизации с последующим пиролизом. При этом использовался водный раствор хлорида кадмия CdCl2, тиомочевины (NH2)2CS и хлорида цинка ZnCl2. Концентрация хлорида кадмия и тиомочевины составляла 0,5 моль/л в пропорции 1:1, а концентрация ZnCl2 изменялась в зависимости от содержания цинка в твердом растворе Cd1-хZnxS. Пленки CdS и Cd1хZnxS образовались при помощи пиролитического разложения распыленных частиц на поверхности подложки. СО2. Температура подложки (химические очищенные стеклянные подложки) составляла 4000С и измерялась при помощи хромель – алюминий термопары, фиксированной на поверхности подложки. Скорость пульверизации раствора поддерживалась 5мкм/мин., что обеспечивало скорость роста пленок 50нм/мин. Толщина пленок Cd1хZnxS измерялясь при помощи интерференционного микроскопа МИИ – 4 и составляла10 мкм. Площадь исследованных пленок была равна 0,5см2. Гетероструктуры CuInSe2/Cd1-хZnxS были получены методом термического испарения в вакууме (10-3Па) 172 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı поликристаллического порошка CuInSe2 на поверхность пленки Cd1-хZnxS. В качестве подложки были использованы химические очищенные стеклянные подложки с проводящем слоем из SnO2.. Однородные пленки CuInSe2 стехиометрического состава были получены при температуре подложки Тпод..=5000С. Рентгеноструктурным аннализом было показано, что пленки CuInSe2 обладали однофазной структурой. После изготовления, гетероструктуры были подвергнуты отжигу в вакууме в течение 10 минут при 3000С. В качестве омических контактов была использована In-Ga эвтектика. Активная область образцов составляла 10мм2. Гетероструктуры CuInSe2/Cd1-хZnxS были изготовлены для составов х, меняющихся в интервале от 0 до 0,20. На рис.1 показаны световые вольтамперные характеристики CuInSe2/Cd1-хZnxS для х = 0.10, 0.15 и 0.20 составов при освещении источником, имеющим мощность W=100мВт/cм2. Как видно из рисунка, с увеличением концентрации Zn от 10 до 20% плотность тока уменьшается от 8 до 2,3 мА/cм2, а напряжение холостого хода Uхх. увеличивается от 0,5 до 0,65В, но коэффициент заполнения остается относительно неизменным (ff=0,4). Увеличение величины х от 0 до 0,20 приводит к увеличению плотности тока, ведущего к уменьшению эффективности гетероструктур от 4 до 0,6%. Увеличение ширины запрещенной зоны в тонких пленках Cd1-хZnxS с увеличением величины х ведет к росту энергетического барьера CuInSe2/Cd1-хZnxS гетероструктур, ведущего в итоге к увеличению напряжения холостого хода до 0,65В при х=0,2. С другой стороны, увеличение удельного сопротивления Cd1-хZnxS с увеличением х ведет к уменьшению тока короткого замыкания Iкз., в результате происходит значительное уменьшение коэффициента полезного действия (КПД) этих структур. В целях повышения значений Iкз. и 173 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı КПД нами были изготовлены гетероструктуры CuInSe2/Cd1-хZnxS на низкоомных подложках Cd1-хZnxS. При этом, КПД освещенных образцов с источником мощностью W=100мВт/cм2 достигает величины порядка 7,8%. На рис.2 показаны спектры фоточувствительности гетероструктур CuInSe2/Cd1-хZnxS до (кривая 1) и после (кривая 2) отжига в вакууме при 3000С в течение 10 мин. Рис.1. Световые вольтамперные характеристики CuInSe2 - Cd1-хZnxS для х = 0.10 (1), 0.15 (2) и 0.20 (3) составов при освещении источником с мощностью W=100мВт/cм2. Рис. 2. Спектры фоточувствительности гетероструктур CuInSe2/Cd1-хZnxS перед (кривая 1) и после (кривая 2) отжига в вакууме при 3000С в течение 10 мин. Как видно из рисунка, максимум спектра фоточувствительности после отжига сдвигается в сторону длинных волн. Это может быть объяснимо, если предположить, что процесс отжига приводит к уменьшению концентрации акцептеров в р - CuInSe2, который в результате увеличивает ширину области пространственных зарядов. Поэтому, разделение фотоносителей, генерированных в CuInSe2, происходит быстро, что приводит к увеличению фотопроводимости гетероструктуры в длинновольновой области спектра. 174 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı Samariumla aşqarlanmış şüşəvari halkogenid yarımkeçirici As-Se-S və As-Se-Te sistemlərində aşağı tezlikli kombinasiyalı səpilmə spektrlərinin xüsusiyyətləri İsayeva G.A., Ələkbərov R.İ., Mehdiyeva S.İ., İsayev A.İ. AMEA H.M. Abdullayev adına Fizika İnstitutu İşdə halkogenid şüşəvari yarımkeçirici (ŞHY) As-Se-S və As-Se-Te sistemlərinin aşağı tezliklər oblastında (ω˂100 см-1) kombinasiyalı səpilmə (KS) spektrləri tədqiq olunmuşdur. Tədqiqat nəticəsində müəyyən olunmuşdur ki, aşağı tezliklər oblastında (ω˂100см-1) şüşəvari halkogenid yarımkeçirici (ŞHY) As-Se-S və As-Se-Te sistemlərinin kombinasiyalı səpilmə (KS) spektrləri iki hissədən ibarərdir; tezliyin 30-40 см-1ə qədər artması ilə intensivliyi azalan kvazielastiki səpilmə və maksimumu ~63-67 см-1-ə uyğun gələn geniş zolaqlı oblast (bozon piki). Tədqiq olunan ŞHY sistemlərin KS spektrlərinin akustik tezliklər oblastında müşahidə olunan bozon piki (BP) həmin maddələrdə translyasiya simmetriyasının olmaması nəticəsində yaranır. Təbiəti hələlik müəyyən olunmamış BP şüşəvari maddələrdə tezliyin ω˂100 см-1 qiymətlərində nano ölçülü qeyri-bircins oblastlarda lokallaşan və kristallarla müqayisədə dəfələrlə böyük sıxlığa malik rəqs hallarının mövcudluğu ilə əlaqələndirilir. Tədqiq olunan şüəvari maddələrin kristal nümunələrinin KS spektrində BP-nin müşahidə olunmaması onlarda translyasiya simmetriyasının mövcudluğu ilə əlaqələndirilmişdir. Təcrübə göstərir ki, kimyəvi tərkibin dəyişməsi və legirələnmə BP-nin intensivliyini dəyişdirir, bu da nizamsızlıq dərəcəsinin dəyişməsi ilə izah olunmuşdur. Belə ki, aşqarsız As-SeTe sisteminin KS spektrində BP-nin intensivliyi As-Se-S sistemindəki müvafiq intensivlikdən böyük olduğu halda, samariumla aşqarlanmada əks mənzərə müşahidə olunur. Yəni, Sm aşqarının təsiri ilə As-Se-Te sisteminin KS spektrində BP-nin intensivliyi azalır, As-Se-S sistemində isə artır. Bu nəticə As175 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı Se-S maddəsində struktur elementlərinin As-Se-Te ilə müqayisədə böyük ölçülü olması ilə əlaqələndirilmişdir. Kiçik ölçülü struktur elementləri nizamsız olaraq orientasiya olunur və nizamsızlıq dərəcəsini artırırlar. Həmçinin ŞHY As-Se-Te sistemində mövcud olan məxsusi yüklü defektlərin (D+ və D-) yüksək konsentrasiyası da amorf matrisada xaotik paylanaraq nizamsızlıq dərəcəsini artırır. Samarium atomlarının As-Se-S sistemində əsasən yaratdığı yeni quruluş elementləri amorf matrisada xaotik olaraq paylanmaqla orta nizam tərtibində quruluşun nizamsızlığını artırır. Lakin, As-Se-Te sistemində isə kiçik konsentrasiyalarda samarium ionları əsasən D- mərkəzləri ətrafında toplandığından onların sahəsini ekranlaşdıraraq nizamsızlıq dərəcəsinin azalmasına səbəb olur. Nisbətən böyük konsentrasiyalarda legirəedici samarium atomları bütün matrisaya paylanaraq kristallaşma dərəcəsini artırır. Beləliklə, samarium atomlarının iştirakı BP-nin intensivliyinin azalması, kifayət qədər böyük konsentrasiyalarda isə onun yox olması ilə nəticələnir. Aşağı tezliklərdə (30-40 см-1–dan aşağı) KS spektrlərində müşahidə olunan xüsusiyyətlər yəni, kvazi elastiki səpilmənin yaranması relaksasiya hərəkəti ilə əlaqələndirilmişdir. Göstərilmişdir ki, relaksasiya proseslərinin sürəti amorf matrisaya daxil olan quruluş elementlərinin öiçülərindən və eyni zamanda sərbəst həcmlərin mövcudluğundan asılıdır. Relaksasiya prosesləri amorf matrisada sərbəst həcmlərin böyüməsi və quruluş elementlərinin öiçülərinin kiçilməsi ilə sürətlənir. Samariumla legirələnmə həmin proseslərə təsir etdiyi üçün As-Se-S sistemində relaksasiya proselərinin rolunu azaldır, As-Se-Te sistemində isə artırır. 176 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı MOLEKULYAR FİZİKA BÖLMƏSİ Вода и живой организм Масимов Э.А., Атогой А.C. Бакинский Государственный Университет [email protected] Наша Земля представляет собой гигантский сосуд с водой, в котором возникли все формы живого, и все живое, по сути, тоже являются сосудами с водой. Современные технологии позволяют нам проникать далеко в космос и, пытаясь обнаружить жизнь на других планетах, мы в первую очередь ищем там воду. На сегодня ученые абсолютно уверены, что первые живые организмы возникли в первичном океане, так что вода – прародительница всего живого. Именно в воде была записана последовательность развития, где каждый вид живых организмов, от простейших бактерий до млекопитающих достигал своего совершенства. Вода заполняет живые клетки, и именно она представляет собой ту среду, в которой осуществляется транспорт питательных веществ, катализируемые ферментами метаболические реакции и перенос энергии. Поэтому все структурные элементы живой клетки и их функции обязательно должны быть приспособлены в отношении физических и химических свойств воды. Вода и продукты ее ионизации – ионы H+ и OH- - оказывают очень большое влияние на свойства и функции многих важных компонентов клетки, таких, как ферменты, белки, нуклеиновые кислоты и т.д. Часто утверждают, что жизнь на Земле обуловлена аномальными свойствами воды. Если бы вода была «нормальной» жидкостью, наша планета, быть может, до сих пор оставалась бы мертвым космическим телом.. После 177 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı многочисленных успехов в изучении физико-химических свойств воды в последние годы, вряд ли можно утверждать, что свойства этого простого и в то же время необычного вещества до конца поняты и прогнозируемы. Свойства воды в большей степени определяет структура воды, чем её химический состав. Молекула воды представляет собой диполь, т.е. на одной стороне у неё преобладает отрицательный заряд, а на другой – положительный. Одна молекула воды отрицательно заряженной областью может притянуть к себе другую молекулу за ее положительную область. Молекулы воды могут объединяться в группы. Эти молекулярные группы называются кластерами. Ученые предполагают, что именно кластеры являются своеобразными ячейками памяти, в которой вода записывает все, что видит, слышит, ощущает. Если рассматривать кластер как структуру, в которую молекулы могут включаться и которую молекулы могут покидать, кластер может существовать в течение длительного времени. Именно устойчивость кластерной структуры подтвердило гипотезу о способности воды запечатлевать и сохранять информацию. Информационная грязь отравляет воду, накапливаясь в ее памяти. Если бы этот процесс продолжался бесконечно, то вода могла бы «сойти с ума». Но ей дано свойство очищаться. Происходит это в момент фазового перехода, когда вода испаряется, а затем конденсируется и проливается дождями. Встряхивая информационную грязь, вода сохраняет базовую структуру, т.е. программу жизни. В каждом из нас есть частица воды первозданного океана. Каждое наше слово как капля воды – носитель мысли и источник информации. Дар, которую мы называем жизнью, был доверен единому во вселенной веществу, способному ее сохранять и передать людям – воде. 178 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı Температурная зависимость динамической вязкости жидкостей Эйвазов Э.А., Дашдамирова Н.Д. Азербайджанский Государственный Педагогический Университет [email protected] Согласно [1] динамическая вязкость жидкостей при ламинарном течении определяется силой молекулярного притяжения между непосредственно соседствующими слоями (FM) и задается выражением: C FM (1) ds ]-1 и при ламинарном течение являB (1), C=[ r ется постоянной величиной. Сила FM, во всех случаях, является электромагнитной и её явное аналитическое выражение определяется природой жидкости, в частности, межмолекулярное взаимодействие в жидких углеводородах может быть описано потенциалом Борна [2]: A B U(r)=- m n (2) r r Если учесть, что в возникновении вязкости доминирующим является межмолекулярное притяжение (первый член в 2) и потенциал и сила взаимосвязаны как FM =qradU(r), то после простых математических операций из (1) получим: Const1 Const1 r m1 rK (3) Здесь Const1=A·C и К = (m+1) . Как вытекает из (3), с увеличением межмолекулярного расстояния динамическая вязкость непроводящих жидкостей должна уменьшатся по степенному закону. В рамках квазикристаллической моде179 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı ли можно показатъ, что расстояния между структурными элементами (атомами или молекулами) линейно изменяется с температурной, как это имеет место в кристаллических твердых телах, т.е.r=βT [2]. С учетом сказанное, из (3) температурную зависимость динамической вязкости жидкостей можно задать следующим выражением: (T ) Const 2 D K K T T (4) B(U) Const2=Const1·β-К. Следовательно, вязкость жидкостей с межмолекулярным потенциалом типа потенциала Борна с увеличением температуры должна уменьшаться по степенному закону. Анализ литературных данных по вязкости разнородных жидкостей свидетельствуют о состоятельности установленного степенного закона (4) [3]. Отметим, что индивидуальность жидкостей кроется в температурно-независимых величинах D и К. 1. Э.А. Эйвазов, Э.А.Масимов и др. Изв. Бакинского Унив-тах №1; 98110. 2013. 2. Э.А. Эйвазов. Физика твердого тела. Б. 2012. 3. Э.А. Эйвазов. Молекулярные явления переноса Б.2013. Aromatik karbohidrogenlərdə dinamik özlülüyün təbiəti Eyvazov E.Ə., Daşdəmirova N.D. Azərbaycan Dövlət Pedaqoji Universiteti [email protected] Mayelərin özlülük mexanizmlərinin təhlili göstərir ki, bu günə kimi bütün mayelər üçün yararlı sayıla bilən universal yanaşma mövcud deyil 1 . Bunun əsas səbəbi ilk növbədə real fiziki şəraitlərdə mayelərin fərdi dinamik quruluşa malik olması 180 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı və struktur elemetlərinin fərqliliyi üzündən atomlar (molekullar) arası qarşıqlı təsirin təbiətən müxtəlifliyidir. Göstərilən faktların fiziki şəraitindən asılı olaraq dəyişməsi mayelərin tədqiqində əlavə çətinlik yaradır. Əgər fərz etsək ki, mayelərdə dinamik özlülük, qazlarda olduğuna oxşar olaraq, müxtəlif sürətli qonşu laylar arasında molekulların fərdi keçidləri nəticəsində yaranır, onda molekulyar–kinetik nəzəriyyəyə əsasən dinamik özlülük D kimi təyin olunmalıdır. (D-diffuziya əmsalı, -mayenin sıxlığıdır). Kinematik özlülük isə =D olar. Deməli, molekuların fərdi hərəkəti yolu ilə impuls daşınmasında mayenin kinematik özlülüyü öz-özünə diffuziya əmsalına bərabər olmalıdır. Lakin təcrübə göstərir ki, normal mayelər 2 üçün D - 10 5 sm və 10 3 sm -dır. Bu isə, xüsusi san san halda, özlülüyün yaranmasında, qazlarda olduğundan fərqli digər mexanizmin də olduğunu göstərir. Son illər mayelərin özlülüyünün tədqiqində müxtəlif fenomenoloji yaxınlaşmalardan istifadə olunur. Misal olaraq 2-də təklif olunan yarımfenomoloji fonon yaxınlaşmasını göstərmək olar. Bu yaxınlaşmanın əsasında ərimə prosesində qonşu hissəciklər arası qarşılıqlı təsirin ciddi dəyişməməsi, başqa sözlə, maye daxilində potensial enerjinin paylanmasının bərk fazada olduğuna oxşar olması durur. 2-də göstərilirki, assosasiya olunmuş mayelərin dinamik özlülüyü A T ifadəsi ilə göstərilir. Burada A və n temperaturdan asılı olmayan prinsipcə mayenin fərdiliyindən asılı olan sabitlərdir. Göründüyü kimi, dinamik özlülüyün temperatur asılılığı fonon modelinə görə üstlü qanunla dəyişməlidir. Bəzi aromatik karbohidrogenlər üçün müvafiq hesablanmaların nəticəsi cədvəldə verilmişdir. n 181 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı Maye Benzol Tolul Etibenzol μ 78 92 106 A 8,511∙10 2,554∙105 2,234∙105 6 N Ümumi ifadə -4,1 -3,5 -3,45 n ( -molekulyar çəkidir) Müqayisəli təhlil göstərir ki, özlülüyün cədvəldə verilən ifadələrlə hesablanmış təcrübi qiymətləri kifayət qədər dəqiqliklə uzlaşır. Hazırkı tədqiqat göstərir ki, aromatik karbohidrogenlərin dinamik özlülüyü quruluş elementlərinin diffuziyası, yəni aktivləşmə mexanizmi ilə deyil, fononlar vasitəsi ilə qonşu təbəqələr arasında impuls daşınması nəticəsində yaranır. 1. E.Ə.Eyvazov, E.Ə.Məsimov, R.Q.Quliyev, Bakı Univ.xəbərləri, N1, 98-110. 2013 2. E.Ə.Eyvazov və b. Molekulyar fizika və termodinamikaya giriş B.2010 Mayelərin səthi gərilməsinə fenomenoloji baxış Niftiyev N.N., Bağırova Z.M., Hidiyev X.A. Azərbaycan Dövlət Pedaqoji Universiteti [email protected] Səthi gərilmə hadisəsinə çoxsaylı tədqiqatların həsr olunmasına baxmayaraq hal-hazırda universal xarakterli mikroskopik nəzəriyyə mövcud deyil [1]. Bu səbəbdən çox vaxt müxtəlif fenomenoloji yanaşmalardan istifadə olunur. Belə yanaşmalardan biri termodinamik potensiallar metoduna əsaslanan və ilk dəfə [2]-də nəzərdən keçirilən fenomenoloji metoddur. Hazırkı işdə bu metoda əsaslanaraq mayelərin səthi gərilməsinin temperatur asılılığı nəzərdən keçirilir. Termodinamik metodlardan istifadə etməklə göstərmək olar ki, mayelərin səthi gərilməsinin temperatur asılılığı ümu182 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı milikdə dσ q = −T (1) ifadəsi ilə verilir [3]. Burada q – səth sahəsinin dönən izotermik prosesdə vahid qədər dəyişməsində (artmasında yaxud azalmasında) udulan (yaxud ayrılan) istilik miqdarıdır və adətən xüsusi səthyaranma istiliyi adlanır. Göründüyü kimi, q=q(T)-nin analitik ifadəsi məlum olarsa, (1)-in vasitəsi ilə σ=σ(T) asılılığı müəyyən edilə bilər. Ümumilikdə bu ifadə məlum olmadığından əvvəlcə xüsusi hala baxaq. Tutaq ki, q≠q(T)-dir. Onda (1)-dən σ=-qlnT+C (2) alarıq. (2)-də C–inteqrallama sabitidir və böhran temperaturunda (Tb) səthi gərilmə əmsalının sıfır olması şərtindən C=qlnTb kimi yazıla bilər. Son deyiləni nəzərə aldıqda (2)-dən T σ = qln( Tb ) (3) olar. Səthi gərilmə reallıqda T<Tb temperaturlarda məna kəsb x−1 etdiyindən, x>0 olduqda, lnx=2 olduğundan (3)-ü aşağıdakı x+1 kimi yazmaq olar. T −T σ=2(Tb +T) (4) dT b (4)-ə əsaslanaraq qənaətə gəlmək olar ki, mayelərin səthi gərilmə əmsalı böhran temperaturunda sıfır olmalı və temperaturun azalması ilə loqarifmik qanun üzrə artmalıdır. Təcrübi nəticələrlə müqayisə göstərir ki, geniş sinif mayelər üçün deyilən qanunauyğunluqlar ödənilir. 1. 2. 3. Роулинсон Дж, Уидом Б. Молекулярная теория капиллярности, М. 1986 Eyvazov E.A. at ol. Intern. Journal of Acad. reseach. VI, №2 B. 2010 Пригожин И. и др. Современная термодинамика, М.2010 183 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı Maye qələvi metalların səthi gərilməsi və səthyaranma istiliyi Qurbanov S.S., Bağırova Z.M., Hidiyev X.A. Azərbaycan Dövlət Pedaqoji Universiteti [email protected] Quruluşun dinamikliyi və hissəciklər arasında qarşılıqlı təsirin mürəkkəbliyi molekulyar-kinetik nəzəriyyə baxımından mayelərin fiziki xassələrini izah etməyi qeyri-mümkün edir[1]. Bu səbəbdən praktikada müxtəlif yanaşmalardan istifadə olunur. Mayelərin səthi gərilməsinin izahında belə yanaşmalardan biri ilk dəfə [2]-də təklif olunan yarımfenomenoloji yaxınlaşmadır. Termodinamik potensiallar metodundan istifadə etməklə [2]-də göstərilmişdir ki, mayenin səthi gərilməsi ümumilikdə T −T σ=2q(Tb +T ) (1) b ifadəsi ilə təyin olunur. Burada Tb –böhran temperaturu, q–isə T temperaturunda vahid maye səthini yaratmaq üçün lazım olan istilikdir. Ona adətən xüsusi səthyaranma istiliyi də deyilir 1 q=2[2qə+α(Tb+T-2Tə)] (2) burada, Tə - uyğun maddənin ərimə temperaturu, qə - Tə-də xüsusi səthyaranma istiliyi, α–səthyaranmanın termik əmsalıdır. (1) və (2) maddənin təbiətindən asılı olmadığından bu ifadələri bütün mayelərə şamil etmək olar. Hazırkı işdə deyilənlər maye qələvi metallara tətbiq edilmiş və müəyyən olunmuşdur ki, maye aqreqat halının mövcud olduğu bütün temperaturlarda maye natrium və seziumun səthi gərilmə əmsalı (σ) və səthyaranma istiliyi (q) cədvəldə verilir. Maye σ, erq/sm2 q, erq/sm2 2500−T Na 34,425+6,77∙10-2T [238,19+6,77∙10-2T]∙ Cs 21,00+2,35∙10 T [90,18+2,35∙10 T]∙ -2 -2 2500+T 2050−T 2050+T 184 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı Digər maye qələvi metallar üçün də oxşar ifadələr alınmış və göstərilmişdir ki, onlar təcrübi nəticələri kifayət qədər (≤3% dəqiqliklə) düzgün təsvir edir. 1. Кракстон К. Физика жидкого состoяния, М. 1978 2. E.Ə.Eyvazov və b. Molekulyar fizika və termodinamikaya giriş, B.2010 Heptilformiatın sıxlığının təcrübi nəticələrinə əsasən hal tənliyinin tərtibi Aslanov H.A, Quliyeva K.F. Azərbaycan Dövlət Pedaqoji Universiteti Heptilformiatın sıxlığının temperatur və təzyiqdən asılı olaraq təcrübi tədqiqi hidrostatik çəki üsulu ilə aparılmışdır [1,2] və sıxlığın təcrübi qiymətlərinə əsasən hal tənliyi tərtib edilmişdir. Heptilformiatın P, V, T asılılığının təcrübi nəticələri P𝑉 𝑛 -1/𝑉 𝑚 koordinatlarında, T=const halı üçün, qrafik şəkildə təsvir edilir. Burada n və m tam ədədlərdir, V-mayenin xüsusi həcmidir. n-in və m-in elə qiyməti seçilir ki, P𝑉 𝑛 -1/𝑉 𝑚 asılılığı izotermlər boyunca düz xəttə çevrilsin. İzotermlərin düzxətliliyinin təmin edildiyini müəyyən edərək izotermlər üçün analitik ifadə müəyyən edilmişdir: (1) P=A/𝑉 2 +B/𝑙 (1)-də A və B kəmiyyətləri aşağıdakı qaydada temperaturdan asılıdır: A(T)=∑3𝑖=0 𝑎𝑖 𝑇 𝑖 ; B(T)=∑3=0 𝑏𝑖 𝑇 𝑖 (2) (1) tənliyi heptilformiatın sıxlığını 0,15% dəqiqliklə hesablamağa imkan verir.Heptilformiat üçün (2)-dəki 𝑎0 = −3,68033 ∙ 103 , 𝑎1 = −9,35772, 𝑎2 = 5,81724 ∙ 10−2 , 𝑎3 = 5,58336 ∙ 10−5 𝑏0 = −1,29289 ∙ 104 , 𝑏1 = 1,32362 ∙ 102 , 𝑏2 = −2,99368 ∙ 10−1 , 𝑏3 = 2,39524 ∙ 10−4 − dir. (1) tənliy i p=(0,1-50)MPa təzyiq və T=(300-600)K temperatur intervalında sıxlığı hesablamağa imkan verir. 185 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı 1. Гусейнов К.Д., Асланов Г.А. Экспериментальное исследование P,V,T зависимости и динамической вязкости гептилформиата. Журнал физической химии, 1976 т.50, №2, с. 2998-2999. 2.Гусейнов К.Д., Асланов Г.А. Экспериментальная установка для исследования плотности жидкостей и их паров в состоянии насыщения, Изв. Вузов СССР, Нефть и газ, №3,1985 с.40-43. Изучение взаимодействия ионов железа с грибными меланинами Багиров Р.М., Багирова О.Ш., Турабова Г.А. Бакинский Государственный Университет Ранее нами было изучено взаимодействие ионов железа с синтетическим L-ДОФА-меланином, меланосомом, выделенным из ретинального пигмента глаза быка, меланином выделенным из кожуры бананов. Пигменты меланинового ряда играют важную роль и в растительном мире, где их функции связаны главным образом с защитой клеток от различных повреждающих факторов внешней среды и в первую очередь солнечной радиации. Как и в случае с меланинов животного происхождения, защитное действие пигментов растительного происхождения связано как с пассивным экранированием от солнечной радиации, так и с активным подавлением фотоиндуцированного перекисного окисления липидов. Показано, что в случае меланинов животного происхождения подавление ими перекисного окисления липидов связано в первую очередь со связыванием ионов Fe2+, являющихся катализаторами перекисного окисления липидов. Можно полагать, что этот механизм является существенным и в случае пигментов растительного происхождения. В настоящей работе приводятся и обсуждаются результаты экспериментальных исследований взаимодей186 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı Образцы ствия ионов железа с меланинами из различных штаммов гриба Pyricularia oryzae методом гамма-резонансной спектроскопии (ГРС). Были использованы штаммы (Н1), Н-5-3 (Н) и розовый мутант последнего (R) дефектного по пигментации. ГР-спектр исходного раствора и супернатанта после осаждения комплекса представляет собой четко выделенный дублет с параметрами, характерными для аквакомплексов Fe2+. ГР-спектры осадков (комплексов) идентичны по формам. Это сложный ГР-спектр состоящий, по крайней мере, из четырех парциальных спектров: двух дублетов и двух секстетов с уширенными линиями. Значение параметров ГР-спектров изученных образцов представлены в таблице. А В С D Fe2+ Fe3+(1) Fe3+(2) Bэф мм\с мм\с мм\с мм\с Тл мм\с мм\с 1,37 1,31 1,31 1,29 3,36 3,24 3,18 3,20 0,46 0,48 0,46 0,40 0,42 0,40 0,13 0,12 0,12 50,2 50,0 50,5 мм\с 0,75 0,77 0,74 0,33 0,36 0,38 Fe3+(3) Bэф мм\с 0,18 0,19 0,21 Тл 55,1 54,7 55,1 Величины параметров ГР-спектров изученных образцов характерны для высокоспиновых компелксов ионов Fe2+ и Fe3+ с октаэдрическим лигандным окружением. Следовательно, по отношению к ионам железа меланины выступают как лиганды слабого поля. Все изученные меланины способны образовывать комплексы с ионами железа как в его двух, так и в трехвалентном состоянии. Причем, при взаимодействии с ионами Fe2+ меланины частично окисляют их до Fe3+ с последующим комплексованием Fe2+ и Fe3+. Таким образом, меланины грибов способны, как и меланины животного происхождения, связывать прооксидантные ионы двухвалентного железа, частично окисляя 187 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı их до трехвалентного с последующим комплексообразованием. Известно, что ионы Fe2+ играют важную роль в катализе реакции перекисного окисления липидов, причем вещества, связывающие Fe2+ в прочные комплексы, оказывают антиоксидантный эффект. Надмолекулярная структура в системе агар-вода Прудько В.В., Мусаева С.М., Ахмедова С.М., Насирова Б.Д. Бакинский Государственный Университет Агар является одним из классических природных полимеров, образующих студни в структурно-сложном растворителе – воде. Он широко применяется в пищевой, кондитерской, фармацевтической и других отраслях промышленности. Поэтому весьма важно знание свойств водных растворов агара и возможности варьирования этих свойств. Для исследований был использован метод дисперсии оптической плотности, позволяющий изучать формирование надмолекулярного порядка в растворах полимеров. При этом измерения можно проводить на СФ-46. В работе изучена надмолекулярная структура в системе агар-вода и её изменение с изменением концентрации, температуры и при добавлении КСl. Рассмотрено изменение надмолекулярного порядка в процессе застудневания и плавления как полностью, так и частично сформированного студня и расплавленных структур. Определены размеры и число надмолекулярных частиц (НМЧ). Получение кинетических зависимостей оптической плотности позволило уточнить температуры начала застудневания и плавления. При понижении температуры скорость структурообразования увеличивается. Установлено, 188 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı что размеры частиц при температурах выше температуры застудневания и ниже температуры плавления остаются постоянными, то-есть практически структура системы не меняется. Характер зависимости размеров частиц от температуры в области ниже температуры начала застудневания и выше температуры начала плавления указывает на существование как процессов агрегации и структурирования в системе, так и обратных процессов. Приращение оптической плотности при понижении температуры связано, в основном, с увеличением размеров надмолекулярных частиц, а плавление – с их уменьшением. Добавление КCl приводит к уменьшению размеров НМЧ, но одновременно и к увеличению их числа. Изменение структуры подтверждается и изменением вязкости при понижении температуры. Температуры застудневания и плавления, полученные обоими методами, практически совпадают. Плошадь петли гистерезиса, образуемой кривыми зависимостями оптической плотности от температуры при её понижении и при повышении, т.е. кривыми охлаждения и нагревания, для системы агар-водаКCl увеличивается, что свидетельствует о повышении прочности структуры. Müxtəlif əlavələrin aqar gelinin geləmələgəlmə prosesinə təsiri Məmmədov M.Ş., Məsimova A.B. Bakı Dövlət Universiteti [email protected] Bir çox polimer məhlulları polimerin müəyyən konsentrasiyasından yuxarıda və temperaturun müəyyən qiymətindən aşağıda gel halına keçir,yəni axıcılığını itirir. Gelin faza halı 189 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı elmi baxımdan maraq kəsb etsədə gelə göstərilən maraq daha çox onun tətbiqləri ilə bağlıdır. Gelin tətbiqi zamanı onun özlüelastik xassələrini, temperatur intervalını və s. tənzimləmək lazımdır. Bu işdə aqar polimerinin konsentrasiyasının və müxtəlif əlavələrin (CaCl2, KCl, NaCl, KOH, NaOH, K2SO4, Na2SO4, MgSO4) aqar gelinin geləmələgəlmə temperaturuna təsiri öyrənilmişdir. Gel nöqtə optik üsulla təyin olunmuşdur, yəni geldən keçən işığın intensivliyinin temperatur asılılığından çıxarılmışdır. Polimer məhlulu zol fazadan gel fazaya keçərkən bulanır və məhluldan keçən işığın intensivliyi işığın səpilməsi hesabına azalır. Duzlar gel nöqtəni bir qədər qaldırsada əsaslar gel nöqtəni əhəmiyyətli dərəcədə aşağı sürüşdürür. Məsələn: 1%-li aqar gelinə 0,5% miqdarda KOH əlavə etdikdə gel nöqtə 38°Cdən 15°C-ə sürüşür. Eksperimentdə müşahidə olunan qanunauyğunluqlar göstərilən əlavələrin gelin əmələ gəldiyi mühitin-suyun strukturunda yaratdığı dəyişkənliklərlə izah olunu. Аb initio расчет структуры и ИК спектров олигомеров PEG4+Сl и PEC5+Сl Гаджиев З.И., Демухамедова С.Д., Алиева И.Н., Годжаев Н.М. Институт физических проблем, Бакинский Государственный Университет В настоящее время большой практический интерес представляет получение на основе управляемого упорядоченного размещения различных атомов в полимерах новых материалов с заранее известными свойствами. Зная способность полиэфиров к пространственной самоорганиза190 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı ции вокруг заряженных групп, нами с помощью компьютерного моделирования проводится теоретическое квантовохимическое исследование структуры и колебательных спектров полиэфирных комплексов полиэтиленгликоля различной длины цепи с атомами щелочных металлов Na, К и Cl. Рис. 1. Модели олигомеров PEG4 и PEG5 (а, с) и их комплексов с атомом Cl (в, д) Данная работа посвящена теоретическому квантовохимическому исследованию полимера полиэтиленгликоля с атомом хлора. Длина цепи полиэтиленгликоля выбиралась состоящей из четырех и пяти повторяющихся звеньев. Полученные комплексы в зависимости от длины полимерной цепи обозначены как PEG4+Cl и PEG5+Cl. Первоначально нами методом компьютерного моделирования, используя программу ChemOffice, были созданы развернутые модели олигомеров полиэтиленгликоля, состоящие из 4 и 5 звеньев. Затем к этим структурам на небольшом расстоянии добавлялся атом хлора и проводилась оптимизация методом молекулярной динамики. При этом цепочки полиэтиленгликоля закручивались определенным образом вокруг атома хлора на определенном расстоянии от него. Полученные в результате расчета наиболее стабильные структуры были взяты в качестве исходных моделей для дальнейшей оптимизации методом ХартриФока по программе Gaussian-09 с использованием базиса 6-31G (p,d). 191 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı В результате расчета получены геометрические, энергетические и электронные параметры для исследуемых олигомеров и их комплексов с атомом хлора. Затем по этой же программе Gaussian-09 в этом же базисе 6-31G (p,d) были рассчитаны колебательные спектры, получены частоты и интенсивности колебательных полос, построены теоретические спектры этих олигомеров и их комплексов с атомом хлора. Рис. 2. Теоретические ИК-спектры моделей PEG4 и PEG5 и их комплексов с атом хлора Theoretical study of peptide T Akverdieva G.A. Institute for Physical Problems, Baku State University In this work the results of a theoretical study of the spatial structure of peptide T (Ala1-Ser2-Thr3-Thr4-Thr5-Asn6-Tyr7Thr8), which may be effective at patients with AIDS [1], are represented. The conformational profiles of peptide T were carried using the theoretical conformational analysis as described in [2], the electronic structure of the optimal conformations of this molecule was investigated by AM1 quantum-chemical method using the demo version of Hyper Chem proqram [3]. 192 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı The results showed that the spatial structure of peptide T is characterized by two types of conformation, i.e. cyclic conformation, which is favourable for intensive electrostatic interaction between the charged terminal groups and spiral conformation, which provides optimal nonvalent interaction of atoms of the polypeptide skeleton. In the first type conformation beta-turn was revealed on the section Thr4-Tyr7 of the C-terminal pentapeptide physiologically active fragment of peptide T molecule. The energetically preferable formation of -turn - the element of secondary structure at the C-terminal part of the peptide T, perhaps, is necessary for binding to specific receptors. It was revealed that each of the investigated conformations is characterized by the specific distribution of electron density, which reflects on the values of the molecular orbital energies, effective atomic charges of the functional residues, binding energies. The distinctions are in the charges of the atoms entering into active fragment Thr4-Thr8 of peptide T, and also in the charges of the atoms of the terminal segments of this molecule. In cyclic conformation, Thr4 unlike other residues with OH-group, is not localized on a surface of a molecule, it is turned in inside molecule and, it as though deforms a cycle-circle and comes nearer by side tail to approached in space N - and C-terminals parts of the peptide molecule. It leads to the redistribution of electron density and, so to changes of charge on the atoms entering in OH-groups of side chains of Thr4, Thr8 and in the C-terminal part of the molecule, and also of charge on hydrogen atoms as the backbone, and side chains of the segments of the molecule which have approached in space. The conformational distinctions of two characteristic conformations of peptide T affects the molecular property such as a dipole moment. Cyclic conformation is characterized by a much smaller dipole moment due to the uniformity of distribution of electron density that can be explained if take into account that the ter193 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı minal charged groups in cyclic conformation are closer than in spiral conformation. In this connection it is possible to assume about probabilities of the realization of spiral conformation in the polar environment. [1] C.B. Pert, J.M. Hill, M.R. Ruff, R.M. Berman, W.G. Robey, L.O. Arthur, F.W. Ruscetti, W.L. Farrar. Proc.Natl. Acad. Sci, USA, Vol.83, p.9254-9258, 1986. [2] N. Godjayev., S. Akyuz, G. Akverdieva. J.Mol.Struct., v. 403, p.95110, 1997. [3] N.L.Allinger,Y.H.Yuh, QCPE395, Indiana Univ., Indiana,1982. Polietilenqlikol-limon turşusunun Na duzu-su ikifazali sisteminin fiziki-kimyəvi xassələri Məsimov E.Ə., Ocaqverdiyeva S.Y., Həsənova X.T., Əyyubova G.Ş., Şirinova H.A., Əhmədov N.F.,Bağırov T.O. Bakı Dövlət Universiteti [email protected] Fazaəmələgətirən suda həll olan iki polimerin və ya hər hansı suda həll olan polimerlə suyu strukturlaşdıran qeyri-üzvi duzun sulu məhlullarında alınmış ikifazalı sistemlərin fizikikimyəvi xassələri tədqiq edilərək yeni sistemlərin axtarışı davam etdirildikdə məlum olmuşdur ki, polietilenqlikolla bəzi üzvi duzların, o cümlədən limon turşusunun Na duzunun sulu məhlulu ikifazalı sistem verir. Ədəbiyyatda polimer-polimer-su və polimer-duz-su ikifazalı sisitmlərində fazalara ayrılma mexanizmi haqqında mübahisəli fikirlərə rast gəlinir. Son zamanlar isə Məsimov, Zaslavski və digərləri sulu polimer ikifazalı sistemlərinin yaranmasında suyun həlledici rola malik olması hipotezini irəli sürmüşlər. İşdə İspaniyanın “Panreac” firmasının istehsal etdiyi 194 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı polietilenqlikol (PEQ)-HO(C2H4O)nH, «kimyəvi təmiz» üzvi turşuların duzları istifadə olunmuşdur. Bütün təcrübələr kvars qablarda iki dəfə distillə olunmuş su ilə aparılmışdır. PEQC6O7H5Na3-su ikifazalı sisteminin əsas xarakteristikalarından biri faza diaqramında birfazalı (homogen) oblastı ikifazalı (heterogen) oblastıdan ayıran nöqtələrin həndəsi yeri olan binodal əyrisini qurulmuş və birləşdirici xəttin meyl bucağı tapılmışdır. Məlum olmuşdur ki, C6O7H5Na3 duzu ilə PEQ-in sulu qarışığında komponentlərin müəyyən konsentrasiyasında ikifazalı sistem əmələ gəlir. Tədqiq olunmuş ikifazalı sulu polimer sistemlərində olduğu kimi PEQ-C6O7H5Na3-H2O sisteminin eyni zamanda mövcud olan fazaları özlərində hər iki komponenti saxlasa da onların fazalardakı konsentrasiyaları müxtəlif olur. Bu zaman əsas rolu su ilə fazaəmələgətirən komponentlər arasındakı qarşılıqlı təsir oynayır. İkifazalı sulu polimer sitsemləri tədqiq olunarkən bu sistemlərin fiziki-kimyəvi xassələrinə polimerin molekulyar kütləsinin təsirinin öyrənilməsi yuxarıda qeyd olunmuş hipotezin təsdiqinə özünün böyük payını vermişdir. Bu səbəbdən işdə polimerin molekulyar kütləsinin PEQ-C6O7H5Na3-H2O sisteminin hal diaqramlarına təsiri tədqiq olunmuşdur. Alınmışdır ki, PEQ-in molekulyar kütləsi artdıqca fazalara ayrılma prosesi komponentlərin daha kiçik konsentrasiyalarında baş verir. Bu effekt digər sistemlərin tədqiqi zamanı da müşahidə olunmuşdur. Alınan nəticəni belə izah etmək olar ki, polimerin molekulyar kütləsi artdıqca onun hidrat təbəqəsindəki su molekullarının sayı artır və sistemdə sərbəst su molekullarının sayı azalır, həllolma çətinləşir, müxtəlif strukturlu suyun fazalara ayrılması baş verir. Qeyd edək ki, limon turşusunun Na duzunun sulu məhlulu ilə dekstran və fikollun sulu qarışığında ikifazalı sistemin alınıb alınmaması da araşdırılmış və bu qarışıqlarda komponentlərin müxtəlif konsentrasiyalarında ikifazalı sistem alınmamışdır. Bizim fikrimizcə, polimer-duz-su sistem195 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı lərində ikifazalı sistemin alınıb-alınmaması polimer molekulunun suda yaratdığı hidrat təbəqənin fəza ölçüləri ilə duzun suda həll olması nəticəsində alınan ionların ətrafındakı hidrat təbəqənin ölçüləri arasındakı uyğunsuzluqla bağlıdır. Bu uyğunsuzluq PEQ olan halda daha çox olduğundan müxtəlif strukturlu suların bir-birində qeyri məhdud həll olması nəticəsində fyazalara ayrılma baş vermir. Polietilenqlikolun sulu məhlullarinda makromolekullarin xarakterik xassələrinin refraktometrik tədqiqi Məsimov E.Ə, Rəsulova F.A. Bakı Dövlət Universiteti [email protected] Polimerlərin sulu məhlullardakı konformasiyası bu mühitdə gedən reaksiyaların surətinə, komponentlərin molekullararası qarşılıqlı təsirinə və s. güclü təsir göstərdiyindən makromolekulların konformasiyasının, makromolekulların orta kvadratik ölçüsünün və s. parametrlərin təyini çox vacibdir. Polimerlərin bir nümayəndəsi olan polietilenqlikol (PEQ) bir çox xarakterik xassələrinə görə təbabətdə, kimya, neft, qida və kosmetika sənayesində və digər sahələrdə geniş tətbiq olunur. Əksər hallarda polietilenqlikolun birbaşa özündən yox, onun sulu məhlulundan istifadə olunduğundan işdə müxtəlif molekulyar kütləli polietilenqlikolların (600, 1000, 1500, 3000, 6000, 20000) sulu məhlulları refraktometrik metodla tədqiq edilmiş və baxılan məhlullara Lorens-Lorens tənliyini tətbiq etməklə makromolekulların konformasion polyarlaşma əmsalları, makromolekulların ölçülərinin stabilləşmə şərtləri, makromolekulların orta kvadratik ölçüsü, Kun seqmentinin uzunluğu, makromolekulda Kun seqmentlərinin sayı müəyyən edilmişdir. Hidratlaşmamış makromolekulun məhluldakı konformasiyası 196 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı saxlanılmaqla hesablanmış polyarlaşma əmsalının konsentrasion asılılığı əsasında polietilenqlikol makromolekulunun orta kvadratik ölçüsü təyin edilmişdir. Makromolekulların ölçülərinin stabilləşməsinin başlanğıc konsentrasiyası halında ( cst 0.2%, st 4.24 10 28 m 3 ) PEQ 1500 makromolekullarının orta kvadratik ölçüsü R 2 st 4.66 A0 olur. Kun seqmentinin uzunluğu bst 0.15 A0 , makromolekulda Kun seqmentlərinin sayı N st 1030 alınır. PEQ 1500 makromolekulunun orta kvadratik ölçüsü monomerin uzunluğu ilə təxminən eyni tərtibdədir və Kun seqmentinin uzunluğu isə çox qısadır: R 2 bst 1.32 . Bu, makromolekulun çox elastiki olduğunu göstərir. Makromolekulların ölçülərinin konsentrasion asılılığının təbiəti makromolekul zəncirinin uzunluğundan hissolunacaq dərəcədə asılıdır: belə ki, müəyyən olunmuşdur ki, ifrat duru sulu məhlullarda izolə olunmuş yumaqlar şəklində olan makromolekulların orta kvadratik ölçüsü məhlulda polimerin konsentrasiyası artdıqca azalır, (yəni yumaqlar bükülür) və müəyyən konsentrasiyadan başlayaraq dəyişməz qalır. Həmçinin, tapılmışdır ki, makromolekulların ölçülərinin stabilləşməsinin başlanğıc konsentrasiyası polimerin molekulyar kütləsi artdıqca daha kiçik konsetrasiyalara doğru sürüşür. Bu nəticəni uzun zəncirli makromolekulların eyni konsentrasiyalı kiçik uzunluqlu makromolekullara nəzərən daha böyük həcmi tutaraq qarşılıqlı təsirə daha kiçik konsentrasiyadan başlaması ilə izah etmək olar. İdeal Gaus "yumağı" halında R 2 Nb 2 düsturu doğrudur. Yəni makromolekulların orta kvadratik ölçüsü Kun seqmentlərinin sayından kökaltı asılı olur: R 2 ~ N 0.5 . Müxtəlif polietilenqlikolların sulu məhlulları ilə aparılan ölçmələr əsasında göstərilmişdir ki, bu asılılıq polietilenqlikolların sulu 197 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı məhlulları üçün qüvvətin üstü 0.2899 0.3 olan 10 0.3 y 3 *10 x qüvvət funksiyası şəklində ifadə oluna bilər. Bu onu göstərir ki, "yumaqlar" arasında güclü qarşılıqlı təsir mövcuddur. Qeyd edək ki, əgər həcmi qarşılıqlı təsir bir-birinə yaxınlaşan makromolekul bəndlərinin itələnməsi ilə müşayət olunursa, yəni qonşu "yumaqların" bəndləri bir-birinin içərisinə müdaxilə edə bilmirsə, bu halda "yumaqların" şişməsi baş verir və 0.6 alınır. Aldığımız nəticə onu deməyə əsas verir ki, "yumaqlar" bir-birinin həcminə müdaxilə edir. MgSO4 duzunun suyun strukturuna təsiri Məsimov E.Ə., Həsənov H.Ş., Paşayev B.G., Baxşıyeva N.M. Bakı Dövlət Universiteti Hidrogen rabitəsi hesabına suda dinamik molekulyarüstü strukturlar yaranır. Bu strukturların dəyişmə müddəti 10-11-1010 saniyə tərtibində olan klasterlərdən təşkil olunmuşdur. Suyun klaster modelində klasterlərarası oblastda sərbəst su molekulları mövcuddur. Canlı sistemlərin yaranma proseslərində suyun klaster strukturunun mühim rolu var. Odur ki, xarici faktorların, o cümlərən suda həllolan maddələrin suyun strukturuna təsirinin öyrənilməsi fiziki-kimyanın qarşısında duran ən mühüm məsələlərdən biridir. Suda həll olan istənilən maddə suyun strukturuna təsir edir. İşdə MgSO4 duzunun suyun strukturuna təsirinə baxılmışdır. Bu duz rəngsiz, prizmatik kristal olub suda çox yaxşı həll olur (soyuq suda 1:1, qaynar suda 3:1 nisbətində). Bu duz orqanizmə müxtəlif təsirlər edir. Onu daxilə qəbul etdikdə pis sovrulur. İşlətmə maddəsi kimi təsir edir. Bu duzun orqanizmə təsirinin əsas əlamətlərindən biri onun əsəb-əzələ ötürmələrində sıxıntı yaratma qabiliyyətidir. MgSO4 duzunun orqaniz198 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı mə bu və ya digər təsirləri yəqin ki, ilk növbədə suyun molekulları ilə məhlulda yaranan Mg2+ və SO42 ionları arasındakı qarşılıqlı təsiri ilə əlaqədardır. Bu ionlar suda hidratasiyaya məruz qalırlar. Aydındır ki, bu halda suyun strukturu dəyişilməlidir. MgSO4 duzunun suyun strukturuna təsirini müəyyənləşdirmək məqsədi ilə bu duzun sulu məhlulunun elektrikkeçiriciliyi, özlülüyü, sıxlığı, sındırma əmsalı, işıqburaxma spektri tədqiq olunmuşdur. Bu işdə yalnız özlü axın xassələri araşdırılmışdır. 283,15-313,5 K temperatur və 5-25% konsentrasiya intervalında MgSO4 duzunun suda məhlulu dinamik özlülüyü cədvəldə verilmişdir. Konsentrasiya 0 5 10 15 20 25 Məhlulların özlülüyü , mPasan 283,15 288,15 293,15 298,15 303,15 308,15 313,15 1,3073 1,7364 2,713 3,078 4,776 9,031 1,1383 1,520 2,301 2,749 4,306 7,808 1,002 1,341 1,991 2,498 3,842 6,789 0,8902 1,183 1,728 2,258 3,359 5,891 0,7973 1,066 1,544 2,092 2,894 5,215 0,7191 0,944 1,310 1,188 2,496 4,507 0,6527 0,852 1,241 1,668 2,232 3,860 Məhlulun hazırlanmasında bidistillə olunmuş sudan və MgSO47H2O duzundan istifadə olunmuşdur. Bu duz Rusiyanın «Tula fermasevt fabrikinin» məhsulu olub apteklərdə satılır. Məhlulun özlülüyü viskozimetr, sıxlığı isə piknometr vasitəsilə ölçülmüşdür. Verilmiş temperaturda məhlulun özlülüyü () aşağıdakı düsturla hesablanmışdır. 0 0 0 Bu düsturda 0, 0, 0 və , , verilmiş temperatura uyğun olaraq suyun və məhlulun özlülüyü, axma müddəti və sıxlığıdır. Cədvəldəki məlumatlar əsasında özlü axının aktivləşmə Gibba enerjisi, entalpiyası və entropiyası hesablanmışdır. 199 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı Müəyyən olunmuşdur ki, MgSO4 duzunun suda məhlulu üçün özlü axının aktivləşmə entropiyası məhlulun konsentrasiyasının artması ilə azalır. Bu isə onu göstərir ki, MgSO4 duzu suyun strukturuna dağıdıcı təsir göstərir. Polivinilpirrolidon-uzvi turşuların na duzu-su ikifazalı sistemləri və onların hal diaqramları Məsimov E.Ə., Hacıyeva A.E., Həsənov A.Ə., Əhmədov N.F., Bağırov T.O. Bakı Dövlət Universiteti [email protected] Polimer-su ikifazalı sistemlərinin tədqiqinin aktuallığı belə sistemlərdə gedən proseslərin canlı orqanizmdə gedən proseslərin modeli kimi qəbul oluna bilməsi ilə əlaqədardır. Doğrudan da, sistemin bir-birindən hidrofobluqlarına görə fərqlənən eyni zamanda mövcud olan fazaları arasında bioloji maddələrin paylanmasının araşdırılması orqanizmdə daşınması qanla həyata keçirilən maddələr mübadiləsi mexanizmini başa düşməyə kömək edə bilər. Fazaların çox hissəsini su təşkil etdiyindən belə mühitdə biomakromolekulların konformasiyasını və strukturunu formalaşdıran qarşılıqlı təsirlərin kəmiyyətcə öyrənilməsi çox əhəmiyyətlidir. Yeni ikifazalı sistemlərin axtarışı nəticəsində məlum olmuşdur ki, polivinilpirrolidonla (PVPD) bəzi üzvi duzlarınçaxır, limon və kəhrəba turşularının Na duzunun sulu məhlulu ikifazalı sistem verir. Ədəbiyyatda PVPD ilə suyu strukturlaşdıran qeyri-üzvi duzların sulu məhlullarında alınmış ikifazalı sistemlərin fizikikimyəvi xassələri tədqiq edilərək göstərilmişdir ki, suya daxil edilən faza əmələ gətirən komponentlərin hər biri suyun strukturuna və/və ya termodinamik halına təsir edərək iki müxtəlif 200 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı struktura (termodinamik hala) malik olan su əmələ gətirir və həmin müxtəlif strukturlu sular konsentrasiyanın müəyyən qiymətindən böyük qiymətlərində ayrı-ayrı fazalara yığılaraq termodinamik tarazlıq halında olan ikifazalı sistem əmələ gətirirlər. İşdə Almaniyanın “Applichem” firmasının istehsal etdiyi polivinilpirrolidon, «kimyəvi təmiz» üzvi turşuların duzları istifadə olunmuşdur. Bütün təcrübələr kvars qablarda iki dəfə distillə olunmuş su ilə aparılmışdır. İkifazalı sistemlərin əsas xarakteristikalarından olan binodal əyrisini qurulmuş və birləşdirici xəttin meyl bucağı tapılmışdır. Qeyd edək ki, uzvi turşuların Na duzunun sulu məhlulu ilə dekstran və fikollun sulu qarışığında ikifazalı sistemin alınıb alınmaması da araşdırılmış və bu qarışıqlarda komponentlərin müxtəlif konsentrasiyalarında ikifazalı sistem alınmamışdır. İkifazalı sistem tədqiq olunmuş polimerlərdən PVPD və polietilenqlikolla uzvi turşuların Na duzunun sulu qarışığında alınır. Bizim fikrimizcə, polimer-duz-su sistemlərində ikifazalı sistemin alınıb-alınmaması polimer molekulunun suda yaratdığı hidrat təbəqənin fəza ölçüləri ilə duzun suda həll olması nəticəsində alınan ionların ətrafındakı hidrat təbəqənin ölçüləri arasındakı uyğunsuzluqla bağlıdır. Bu uyğunsuzluq PVPD və PEQ olan halda daha çox olduğundan müxtəlif strukturlu suların bir-birində qeyri məhdud həll olması nəticəsində fyazalara ayrılma baş vermir. Suyun ikili struktura malik olmasını nəzərə aldıqda termodinamik tarazlıq halında fazaəmələgətirən komponentlərin müəyyən konsentrasiyadan böyük qiymətlərində heterogen sistem alınmasını asanlıqla izah etmək olur. Suyun termodinamik halını molekulların fəza orientasiyasının müxtəlifliyi və molekullar arasındakı hidrogen rabitələrinin intensivliyi müəyyən edir. Belə ki, molekullar arasındakı hər bir hidrogen rabitəsinə düşən enerjinin və molekulların fəza orientasiyasının dəyişməsi suyun halının və/və ya strukturunun dəyişməsini göstərir. Bu 201 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı mülahizələr müxtəlif maddələrin-həm yüksəkmolekullu, həm də kiçikmolekullu birləşmələrin-təsiri ilə suyun strukturunun dəyişməsini izah etməyə imkan verir. LiOH, NaOH və KOH-ın sulu məhlullarının özlü axınının aktivləşmə parametrləri Məsimov E.Ə., Paşayev B.G., Həsənov H.Ş., Musayeva S.İ. Bakı Dövlət Universiteti Məlumdur ki, su müəyyən struktura malikdir və bu struktur xarici amillərdən (temperatur, təzyiq, həllolan maddələr və s.) asılıdır. Müxtəlif maddələr suda həll olduqda suyun əvvəlki strukturundan fərqlənən yeni struktur yaranır ki, bu struktur öz fiziki-kimyəvi xassələrinə görə sudan fərqlənir. Su canlı aləmin əsasını təşkil etdiyindən sulu məhlullarda struktur dəyişmələrinin tədqiqi olduqca zəruridir. İşdə LiOH, NaOH və KOH-ın suda məhlullarının 10-60 0C temperatur və 0.01-0.07 molyar hissə konsentrasiyası intervalında dinamik özlülüyü və sıxlığı ölçülmüş, baxılan sistemlərin özlü axın xassələrinin təhlili əsasında struktur xüsusiyyətləri araşdırılmışdır. Bu məqsədlə məhlulun özlü axınının aktivləşmə Gibbs enerjisinin ( G ), özlü axınının aktivləşmə entalpiyasının ( H ) və özlü axınının aktivləşmə entropiyasının ( S ) konsentrasiyadan asılılıqları təhlil olunmuşdur. Şəkildə LiOH, NaOH və KOH-ın suda məhlullarının özlü axınının aktivləşmə Gibbs enerjisinin, entalpiyasının və entropiyasının 20 0C temperaturda konsentrasiyadan asılılıqları göstərilmişdir. Qeyd edək ki, G , H və S parametrləri baxılan konsentrasiyalarda temperaturdan asılı olaraq azalırlar və verilmiş temperaturda konsentrasiyadan asılılıqları eyni qanunauyğunluqla (20 0C temperatura analoji) dəyişirlər. 202 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı 12 G , kC mol a) 1 20 2 19 H , kC mol b) 1 11 2 18 3 17 10 16 x 9 0 0,01 0,02 0,03 0,04 0,05 S , 28 C K mol x 15 0,06 0,07 0 0,01 0,02 0,03 0,04 0,05 0,06 3 0,07 c) 1 2 23 18 3 x 13 0 0,01 0,02 0,03 0,04 0,05 0,06 0,07 Şəkil: LiOH (1), NaOH (2) və KOH-ın (3) suda məhlullarının 200C temperaturda özlü axının aktivləşmə Gibbs enerjisinin (a)), entalpiyasının (b)) və entropiyasının (c)) konsentrasiyadan asılılığı. Şəkildən göründüyü kimi, konsentrasiyasının artmasi ilə hər üç məhlul üçün G artır, S isə azalır, lakin H LiOH və NaOH məhlulu üçün artır, KOH məhlulu üçün isə azalır. Qeyd edək ki, G aktiv aqreqatların potensial çəpəri keçməsinə sərf olunan enerjidir, H məhlulda yaranan dəyişmələri enerji baxımından, S isə struktur baxımından xarakterizə edir. Güman edirik ki, H -ın konsentrasiyadan asılılığında müşahidə olunan qanunauyğunluqlar Li və Na ionlarının müsbət hidratlaşmaya, K ionunun isə mənfi hidratlaşmaya malik olması ilə, S -in konsentrasiyanın artması ilə azalması isə məhlulun strukturunun dağılması ilə əlaqədardır. 203 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı Конформационные возможности гексапептидных фрагментов молекулы бактенецина Алиев Р.Э. Бакинский Государственный Университет Бактенецин – антимикробный пептид с одной дисульфидной связью, выделенный из лейкоцитов крови крупного рогатого скота. Молекула бактеницина состоит из 12 аминокислотных остатков (додекапептид) с первичной структурой: H – Arg1 – Leu2 – Cys3 – Arg4 – Ile5 – Val6 – Val7 – Ile8 – Arg9 – Val10 – Cys11 – Arg12 – COOH [1]. В настоящей работе, используя фрагментарный подход, предложенный Поповым Е.М. [2] для расчета оптимальных пространственных структур олигопептидов и белков, на классической основе при помощи полуэмпирического метода атом-атомных потенциалов изучены конформационные возможности четырех гексапептидных фрагментов: Arg1 – Val6; Cys3 – Ile8; Ile5 – Val10; Val7 – Arg12, принадлежащих молекуле бактенецина. При расчете вышеуказанных фрагментов бактенецина выбрана стандартная геометрия аминокислот: аргинина, лейцина, цистина, изолейцина и валина [3]. Конформационная энергия молекулы представлялась нами как сумма невалентных, электростатических взаимодействий атомов, а также торсионных вкладов и энергии водородных связей. Невалентные взаимодействия рассчитывали по потенциалу Леннарда–Джонса с параметрами, предложенными Мотани и др. Все расчеты выполнены применительно к условиям полярной среды, поэтому величина “диэлектрической проницаемости” принята равной 10. Торсионные потенциалы, описывающие вращение вокруг 204 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı связей основных и боковых цепей, взяты из работы Мотании и др. [3]. Водородные связи, оцениваемые по потенциалу типа Морзе, предполагались ослабленными, и энергия связи в воде на равновесном расстоянии принимались равной 1.5 ккал/моль. Отсчет двугранных углов произведен согласно номенклатуре IUPAC–IUB [4]. Расчет оптимальных форм гексапептидных фрагментов выполнен путем минимизации конформационной энергии при вариации двугранных углов вращения. В качестве нулевых приближений выбранны сочетания оптимальных R и B форм состояний аминокислотных остатков. Для всех четырех фрагментов рассчитаны по 128 конформаций, принадлежащих 32 шейпам. Выявлены низкоэнергетические конформации. Все они стабилизируются за счет невалентных взаимодействий. 1. Кокряков В.Н. Биология антибиотиков животного происхождения, СПб, Наука, 1999, 162 с 2. Попов Е.М. Структурная организация белков, М.,Наука, 1989, 352с. 3. Mamany F.A., Mc Guire R.F., Burgess A.W., Scheraga H.A., J. Chem. Phys. , 1975, v.79, № 22, p. 2361 – 2381 4. IUPAC – IUB. Commission on Biochemical Nomenclature. Biochem. Biophys. Acta, 1971, v. 229, p. 1-17 Atom nüvə enerjisindən istifadənin ekoloji əhəmiyyəti Məsimov N.M., Musayeva G.Ə Azərbaycan Dövlət Pedaqoji Universitet [email protected] Qloballaşan dünyada müəllim hazırlığında ekoloji biliklərdən istifadə etməklə tələbələrdə ekoloji təfəkkür formalaşdırmaq olar. Ekoloji biliklərə yiyələnmiş gələcək fizika müəllimləri ekoloji təfəkkürə malik nəsil tərbiyə edir. Son dövrdə ətraf mühitin normadan artıq dərəcədə çirklənməsinin səbəbi müasir istehsalın sürətidir. Xalq tə¬sərrüfatının, ener205 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı getika, metallurgiya, maşınqayırma, neft sənayesi hidrosferi, litosferi və atmosferi bütövlüklə təbiəti korlamışdır. Ağır uran nüvəsinin neytronlarla bölünmə reaksiyası XX əsr atom energetikasında çox böyük rol oynadı. Ağır nüvələrin bölünmə nəzəriyyəsi nüvənin damla modelinə əsaslanır. Bu modelə əsasən nuklonlar toplusu elektriklənmiş maye damlasını xatırladır. Nuklonlar arasında mövcud olan güclü təsir qüvvələri nüvəni, o cümlədən uran nüvəsini öz-özünə parçalanmadan qoruyur və onu kürə formasında saxlayır. Uran nüvəsi sərbəst neytronu zəbt etdikdə, o əvvəlcə radioaktiv uran 236 nüvəsinə çevrilir, sonra iə əlavə enerji aldığından həyacanlanır və “deformasiya” edərək uzunsov şəkil alır. Uzunsov nüvənin ucları arasındakı dəfetmə qüvvələrin daralmış hissədəki cazibə qüvvələrindən böyük olana qədər nüvə uzanır. O daha qüvvətli dartınaraq ikiyə bölünür. Kulon dəfetmə qüvvələrinin təsiri altında bu qəlpələr böyük sürətlə bir-birindən uzaqlaşır. Nüvənin bölünmə prosesi iki-üç ikinci nəsil neytronların buraxılması və böyük miqdarda enerji ayrılması ilə nəticələnir. Bu neytronların qarşısına digər nüvələr çıxdıqda proses yenidən davam edir. Hazırda müəyyən edilmişdir ki, eyni bir şəraitdə nüvənin bölünməsindən müxtəlif elementlər alına bilər. Buna baxmayaraq, hazırda kimyəvi və istilik enerjisini birbaşa elektrik enerjisinə çevirmək metodu, ucuz və mənimsənilmiş çoxpilləli köhnə metod ilə hələlik rəqabət apara bilmir. Istilik enerjisini elektrik enerjisinə çevirmək üçün buxar qazanından istifadə olunur. İlk buxar qazanlarının faydalı iş əmsalı böyük olmamışdır (30%). Qazanların effektivliyini artırmaq, yeni su borulu qazanlar yaratmaqla mümkün oldu. Su borulu qazanlar çox məhsuldardır. Ona görə də istilik – elektrik stansiyalarında ən çox bu növ qazanlardan istifadə edilir. Müsair elmi-texniki tərəqi dövründə ictimai-iqtisadi və mədəni quruculuq işlərinin miqyasının genişlənməsi şəraitində təbii sərvətin qorunmasına və onlardan düzgün istifadə edilməsinə daha məsuliyyətlə yanaşılmalıdır. Su sərfiyyatının çox böyük olmasına baxmayaraq, 206 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı bu məqsəd üçün çay və ya dəniz suyundan istifadə edilir. Gücü 1000 MVt-lıq stansiyalarda hər saniyədə xeyli miqdarda su sərf olunur. Əgər stansiya yaxınlığında güclü su mənbəyi yoxdursa, sahəsi bir neçə kvadrat kilometrə bərabər olan soyuducu gölməçələrdən istifadə edilir. Işlənilmiş isti buxar ilə qızdırılmış su yüksək hündürlükdən düşür, bu zaman buxar damcılara ayrılır və soyuyur. Əraf mühitin radiasiyadan çirklənməsi soyutma sisiteminin dövri bir proses kimi işlədilməsindən də asılıdır. Mövzunun tədrisi sagirdlərdə ekoloji informasiya almaq bacarıgı aşılayır, sagidlər internetdə olan, Yaponiyada bas veren zəlzələ zamani ətraf muhitin radiyasiya ilə cirklənməsi, bu cirklənmənin canlilara təsiri, onun azaldılmasi, radiasiyadan qorunma tədbirləri haqqında məlumatlar alir. Butun bunlar informasiya komunikuasiya texnolradiasiyadan qorunma tədbirləri haqqında məlumatlar alır. 207 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı NANOTEXNOLOGİYALAR BÖLMƏSİ Расчет одноэлектронных волновых функций и уровней энергии молекулы 1,2-7,8 дибензантрацена Вагабова М.Р., Мираламова Ф.В. Бакинский Государственный Университет [email protected] Известно, что применение теории групп в значительной степени упрощает задачи многоатомных молекул. В данной работе для получения сммметризованных молекулярных орбиталей молекулы 1,2-7,8–дибензантрацена использован метод теории групп [1,3]. Расчеты проведены в π–электронном приближении на основе метода Хюккеля, являющегося упрощенным вариантом метода молекулярных орбиталей. Молекула 1,2-7,8 дибензантрацена относится к точечной группе симметрии C2v, , элементы симметрии: I,C2,σv,σ'v. [2]. В качестве исходных базисных функций использованы π - орбитали атомов углерода. Нами были рассмотрены правила преобразования базисных функций χq при операциях симметрии точечной группы C2v и составлены соответствующие матрицы приводимого представления Г(g) рассматриваемой молекулы. В результате расчетов были определены, для молекулы 1,2-7,8- дибензантрацена матричные элементы приводящей матрицы С. Симметризованные молекулярные орбитали построены согласно методу молекулярных орбиталей MO ЛКAO [4] в виде: U i cqi q q Коэффициенты cqi молекулярных орбиталей совпадают с элементами соответствующих столбцов матрицы С.. 208 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı Задача определения энергетических уровней, соответствующих найденным молекулярным орбиталям, т.е. собственных значений оператора Гамильтона, сводится к приведению матрицы оператора к диагональному виду. Этот процесс осуществляется с помощью преобразования подобия C-1HC, где матрица C является одной и той же для всех матриц исходного приводимого представления. После приведения матрицы Н к диагональному виду собственные значения оператора Гамильтона - уровни энергии εi получены в следующем виде: ε1 = ε2 = ε3 = ε4 = ε5 = ε6 = ε7 = ε8 = ε 9= ε I 0 = ε 1 I = =ε I2 = ε I3 = ε 14 = ε I 5 = ε I6 = ε I7 = ε I8 = ε I9 = ε 20 = = ε2I = ε 22 = α . Значение α обычно принимается равным потенциалу ионизации (с обратным знаком) атома углерода в 2p валентном состоянии. 1. Болотин А.Б., Степанов Н.Ф. Теория групп и ее применения в квантовой механике молекул. М.1973,227с. 2. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Квантовая механика. Физматлит, М., 2004, 752c. 3. Вагабова М.Р., Мурсалов T.M. Вестник Бакинского Университета, сер.физ.-мат. наук, 2003, №2, с.116-121. 4. Минкин В.И., Симкин Б.Я., Миняев Р.М. Теория строения молекул. Изд. Феникс, Р-на-Д., 1997, 407с. Фрактальная поверхность чешуи рыб Годжаев Э.М., Алиева Ш.В. АбасовА.А. Азербайджанский Технический Университет Чешуя рыб является структурно сложной многокомпонентной системой, состоящей в основном из минеральных веществ и коллагена (коллаген–природный полимер) [1]. Изучение на атомно-силовом микроскопе (АСМ) и одновременно на оптическом микроскопе морфологии чешуек 209 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı рыб внесло бы определенную ясность в распределении сенсорных каналов и боковых линий, на поверхности рыбы–кутум Целью работы явилось выявление морфологических особенностей природы поверхностных структур чешуек рыб. Биополиме́ры — класс полимеров, встречающихся в природе в естественном виде, входящие в состав живых организмов: Важный класс полимерных белков составляют фибриллярные белки, самый известный из которых является коллаген. Необходимо четко разграничивать понятия «коллагеновые волокна» и «коллаген». Первое понятие по существу является морфологическим и не может быть сведено к биохимическим представлениям о коллагене как о белке. Фактически исследованию подвергались природные полимеры с добавками минеральных веществ, объекты каковыми являются чешуи рыб. В результате исследований были получены фотографии поверхности чешуй рыб; были проведены их анализы на основе фрактальных концепций в твердотельных системах. Морфология поверхности чешуй и ее фрагменты даны на рис.1- 2. Рис.1.Фотография центральной части поверхности боковой линии чешуи кутума Рис .2 Фрагмент снимка АСМ – изображения в 3D- масштабе поверхности чешуи кутума. На рис. 1 даны снимки фрагментов сенсорных каналов, 210 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı годичных колец на поверхности чешуи из под первого плавника. АСМ-изображение фрагмента поверхности чешуи свидетельствует о ее наноразмерности. Динамику роста поверхности в зонах можно рассматривать как частный случай модели агрегации, пригодную для описания роста поверхности для биологических систем. Показано что фрактальная разреженная поверхность чешуи рыбы, является биополимерной структурой и выполняет функции сенсорных систем. От этого канала в радиальном направлении расползаются полосы. Снизу в коже рыбы они связаны с нервными окончаниями передающими определенные сигналы мозговому центру. Главными фрагментами сенсорной системы являются специальные каналы на чешуе рыб. 1. Якубова О.С., Котенок А.Л. // Журнал; Вестник Астраханского государственного технического университета, Технология производства продуктов бытовой химии чешуя как источник получения их тиожелатина 2004, в.2. Оценка нейтронных сечений железа Абдуллаев Х.Ш., Мамедов М.Ш., Ибрагимов Н.А. Бакинский Государственный Университет Железо является важнейшим конструкционным материалом для реакторов и защиты, поэтому его нейтронные сечения (особенно сечение захвата) требуется знать с хорошей точностью. Имеющиеся в ЦЯД оценка железа их библиотека КЕДАК и 26-групповая система констат БНАБ включают данные измерений, выполненных до 1985 года и не учитывают ряда новых работ, появившихся в последние годы. В связи с этим в Центре по ядерным данным была выполнена работа по оценке всех нейтронных сечений для естественной смеси изотопов железа. При оценке 211 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı использованы все доступные экспериментальные данные. В ряде областей энергии нейтронов, где экспериментальных данных мало или они противоречивы, в качестве рекомендованных кривых зависимостей взяты результаты теоретических расчетов по ядерным моделям. Для сравнения с используемой в настоящее время в расчетах реакторов 26 групповой системой констант БНАБ получены среднегрупповые сечения. В области разрешенных резонансов (до энергии нейтронов 200 кэВ) в качестве рекомендованного сечения принят расчет в рамках многоуровнего R-матричного формализма. Элемент матрицы столкновений взят в следую 1 iR U nn e 2in щем виде: 1 iR n 1 R R0 ( E ) ; 2 ( ) E E i / 2 R0 A B ( E E1 2 ) Здесь: , n - радиационные и нейтронные ширины резонансов составного ядра; E - резонансные энергии; E1 2 -середина рассматриваемого интервала энергии нейтронов; А и В - параметры, введенные для учета вклада в сечение от резонансов, расположенных справа и слева от рассматриваемого энергетического интервала и не включенных в сумму по (). В расчетах резонансных сечений для естественного железа учтен вклад изотопов 54, 56, 57 с весом, пропорциональным их изотопному содержанию. Используемые в расчетах параметры S-резонансов выбраны на основе выполненных ранее работ, в которых проводился многоуровневый анализ данных по пропусканию. При выборе параметров Р–резонансов учитывались результаты R212 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı матричного анализа данных по радиационному захвату. Коэффициенты А и В и параметры отрицательного резонанса Fe56 были найдены при подгонке расчетной кривой к экспериментальному сечению. В области энергий (3-14)МэВ данные экспериментальных работ, усредненные с интервалом Е, достаточным для оглаживания резонансной структуры, а также результаты оценки согласуются с точностью не хуже 2% в интервале 3-5 МеВ, 1,5% в интервале энергий (0,5-1,3) МеВ идут ниже данных ранее выполненных работ. При анализе радиационного захвате, имея в виду, что p и dнейтроны дают существенный вклад в сечение радиационного захвата в резонансной области, расчет по резонансным параметрам взят по качестве рекомендованного сечения только в интервале 0,025эВ-30 кэВ, где пропуск ррезонансов маловероятен, а вкладом d-волны можно пренебречь. Elastik modulun periodik dəyişməsi halında relaksasiya Abbasova G.C., Hənifəyeva N.Ə. Bakı Dövlət Universiteti Polimerlərin özlüelastik xassələrini ifadə etmək üçün müxtəlif modellərdən istifadə edilir. Bu modellərdə polimerlərin eyni zamanda həm özlüaxıcılıq və həmdə elastiklik xassələrinə malik olması nəzərə alınır. Seçilmiş model Karqin və Slonimski tərəfindən təklif edilmişdir. Bu modeldə qəbul edilir ki, polimer zəncırı seqmentlərin bir-birilə ardıcıl düzülməsindən ibarətdir və ona görə də çevikliyə malikdir. Modeldə seqmentlərin yüksəkelastikliyi isə bir-birilı parallel bağlanmış yay ( E1 ) və dempferlə (1 ) göstərilir. Karqin-Slonimski modeli başqa modellərdən fərqli olaraq polimer makromolekulunun 213 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı quruluş xüsusiyyətlərinə əsaslanmışdır. Seqmentlərin sərtlik əmsalları onların elastik deformasiyasına (valent bucaqlarının və kimyəvi rabitələrin uzunluğunun deformasiyasına) və yüksəkelastik deformasiyasına (konformasiya dəyişikliyi hesabına yaranan deformasiyaya) uyğundur. Bu kəmiyyətlər krisstallara uyğun olaraq makromolekulun molekulyar xarakteristikalarına görə hesablana bilər. Seqmentlər digər seqmentlərin əhatəsində olduğundan onların hərəkətinə seqmentlər mühitindəki hərəkət kimi baxmaq lazımdır. Bu mühitdə hərəkət edən seqmentə həm elastik ( E2 ) və həm də sürtünmə ( 2 ) qüvvəsi təsir edir. Yuxarıda deyilənlərdən aydın olur ki, tarazılıqdan çıxarılmış vahid uzunluqlu seqmentə daxili elastik ( E1 ) və sürtünmə d d (1 ) , xarici elastik ( E2 ) və sürtünmə ( 2 ) qüvvələri dt dt təsir edir. Seqment deformasiya olunduqda onun parametrləri dəyişir. Deformasiya sabit qalarsa gərginliyin relaksasiya tənliyi aşağıdakı şəkilə düşər: E E E 1 1 2 [ 10 cos 2 E2 ( )] 10 2 cos 0 1 0 1 2 1 2 0 Burada trigonometrik funksiyanı sıraya ayırıb ilk iki həddlə kifayətlənsək və aşağıdakı əvəzləmələri edək: E 1 1 2 2 cos 2 1 4 2 2 , a E 2 ( ) , b 10 , , 1 2 0 0 0 1 E E k 2 10 2 Onda tənliyi aşağıdakı kimi yazmaq olar: 1 2 k 2 2 3 b 2 2 2 k [( a b) ] Bu tənliyi Van-der2 2 Pol üsulu ilə həll edək. Baçlanğıc şərtlər olaraq t=0-da 0 214 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı və 0 min qəbul edək. Təcrübələr göstərir ki, gərginliyin relaksasiyası başlandıqda böyük sürətlə baş verir, yəni relaksasiya müddəti ən kiçik olur. Burada min həmin müddəti ifadə edir. Minimum relaksasiya müddətinin seqmentlərin bir konformasiyadan digər konformasiyaya keçid müddətinə bərabər qəbul etsək və nəzərə alsaq ki, E2 və 2 uyğun olaraq E1 və 1 dən ən azı bir tərtib böyükdür, onda relaksasiya müddətləri ara2E2 sında 2 1 münasibətini almiş olarıq. Yuxarıdakı şərt E1 daxılındə 2 olur. Alınan ifadə bir daha relaksa- 2E E 2[ 2 (1 2 )] E1 E1 siya prosesinin kooperativ xarakter daşıdığını təsdiq edir. T7 peptidinin dəmir oksidi (Fe3O4) ilə kompleksinin elektron quruluşu Abbasova G.C., Əliyeva İ.N., Ramazanov M.Ə., Ömərova Ə.İ. Bakı Dövlət Universiteti Nanobiotexnologiyanın tətbiq sahələrindən biri nanozərrəciklərin köməyi ilə dərman preparatlarının daşınması və diaqnostikası ilə bağlıdır. Dərman maddəsi molekulları ilə yüklənmiş nanozərrəciklər kimyəvi birləşmələri zədələnmiş toxuma və hüceyrələrə sağlam orqanlara zərər vermədən çatdırır. Dünyada minlərlə dərman preparatları tapılmasına baxmayaraq, hələ də yeni birləşmələr aşkar edilir. Müasir dövrdə xərçəng hüceyrələrinin terapiyasında istifadə edilən birləşmələrin 215 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı sintez edilməsi zərurəti yaranır. T7 peptidi məhz belə birləşmələrdəndir His-Ala-İle-Tyr-Pro-Arg-His amin turşu ardıcıllığı transferrin reseptorlarının aktivasiya proseslərində və dərman preparatlarının hüceyrə daxilinə daşınmasında unikal qabiliyyətə malikdir. Ağ siçanlar üzərində aparılan tədqiqatlar göstərmişdir ki, T7 peptidi poliamidoamin (PAMAM) və polietilenqlikol (PEQ) və doksopubisinom (DOX) kompleksi şişlərə qarşı yülsək aktivliyə malikdir. Dekstranla örtülmüş üçvalentli dəmir oksidi və di-qlükoza ilə birləşdirilmiş His-Ala-İle-TyrPro-Arg-His amin turşu ardıcıllığı komplekslərinin nəzəri modelləri qurulmuş və müxtəlif konformasiya hallarını xarakterizə edən parametrlər tapılmışdır Təqdim olunmuş işdə T7 (HAİYPRH) peptidinin diqlükoza və üçvalentli dəmir oksidi ilə komplekslərinin fəza və elektron quruluşlarının hesablanma nəticələri şərh edilmişdir. Daha dayanıqlı quruluşları tapmaq üçün molekulyar mexanika MM+ üsulu ilə birləşmələrin və komplekslərin ümumi enerjiləri minimizasiya edilir. Komplekslərin elektron quruluşlarının tədqiqi, xüsusi ilə keçid metalların atomları daxil olan birləşmələr üçün parametrləşdirilmiş PM3 yarımempirik kvant kimyası üsulunun köməyi ilə aparılmışdır. Hesablamalar zamanı Hypercube kooporasiyası saytından əldə edilmiş HyperChem proqramının 8.03 versiyasından da istifadə edilmişdir (www.hyper.com). His-Ala-İle-Tyr-Pro-Arg-His molekulunun nəzəri konformasiya analizi metodu ilə 0-7 kkal/mol intervalına düşən 14 konformasiya tapılmışdır. Tədqiqat işində istifadə olunan parametrlər, atom-atom potensialları ilə təsvir olunan müxtəlif növ qarşılıqlı təsirlər-elektrostatik, qeyri-valent qarşılıqlı təsirlər və torsion potensial bütün əlverişli konformasiya üçün hesablanmışdır. Ikinci mərhələdə 14 konformasiyanın hər birinin dəmir oksidi komplekslərinin fəza və elektron quruluşları müəyyən edilmişdir. Hesablamaların nəticələri göstərmişdir ki, 14 konformasiyadan yalnız 6 konformasiyanın dəmir oksidi komp216 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı leksləri ilə birləşmələri daha əlverişli olmuşdur . Aparılan tədqiqatlara görə T7 peptidinin dəmir oksidi kompleksləri ilə birləşmələrinin fəza və elektron quruluşundakı dəyişmə qanunauyğunluqları tədqiq olunan birləşmələrin dayanıqlı və reaksiyaya girmə qabiliyyəti haqqında proqnoz vermək üçün zəruridir. Обобщенное уравнение упругости паров ряда моноалкилбензолов Абдуллаев Ф.Г. Азербайджанская Государственная Нефтяная Академия В течение многих лет нами проводились подробные экспериментальные исследования упругости насыщенных паров первых семи углеводородов ряда моноалкилпроизводных бензола в широком диапазоне изменения температур и давлений. Температура в опытах измерялась с максимальной погрешностью 0,01К. максимальная относительная погрешность измерения давления не превышает 0,01%. Анализ полученных опытных данных показывал, что логарифм упругости паров углеводородов ряда моноалкилбензолов в пределах температур =0,47-1,00, при =const, в зависимости от числа связей (электронных орбиталей в молекуле) меняется по линейному закону, то есть lg Psi ( ) A( ) B( ) m (1) Число связей в молекуле вычисляется формулой m [n (2n 6)], (2) T где n - число атомов углерода в молекуле. Tкр . 217 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı приведенная температура, Т кр . - критическая температура, А и В – коэффициенты, зависящие только от температуры. В координате lg Ps ( ) m были построены Ps f (Ts ) данные для всех углеводородов ряда моноалкилпроизводных бензола от n 6 до n 20. Установленный линейный закон lg Psi ( ) m при одинаковых позволяет провести экспертный анализ разнородных опытных и расчетных данных, научно обоснованно планировать проведение новых экспериментальных исследований, а также провести экстраполяцию данных на низкие и высокие температуры. Для каждой изотермы (=const) с использованием всех опытных данных, решая уравнение (1) методом наименьших квадратов, определены значения коэффициентов A( ) и B ( ) . Установлено, что температурные зависимости этих коэффициентов описываются идентичными уравнениями вида a (3) A( ) a0 1k B( ) b0 b1 (4) k где a0 , a1 , b0 , b1 и k - постоянные коэффициенты. С цель. Наилучшего описания A( ) и B ( ) зависимостей вся область температур разбивается на два интервала 0,47 0,70 и 0,70 1, . С решением уравнений (2) и (3) методом наименьших квадратов с использованием всех опытных значений A и B определены следующие величины для их коэффициентов: при 0,47 0,70 k 1,44 при 0,70 1,00 k 1,00 a0 3,008877 a0 4,088645 a1 2,282526 218 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı a1 1,307292 b0 0,0160042 b0 0,0277524 b1 0,00409709 b1 0,0280404 Сопоставление значений упругости паров моноалкилбензолов, вычисленных по обобщенному уравнению (1) с использованием зависимостей (2) и (3) с опытными данными, показало, что во всей исследованной области максимальные расхождения не превышают погрешностей опыта, то есть на (0,01 0,10)% . Nanohissəciklərin ölçülərinin təyini üsulları Ramazanov M.Ə., Paşayev F.H., Həsənov A.Q., Ali Tavfik Mahmood Baki Dövlət Universiteti [email protected] Nanohissəciklərin bir çox xassələri onların ölçülərindən, nanohissəcikdəki atomların sayından asılıdır. İşdə müxtəlif quruluşlu nanohissəciklərin ölçülərini bilməklə ondakı atomlarının sayının tapılması məsələsinə baxılmışdır. Elmi ədəbiyyatda eyni atomlardan təşkil olunmuş nanohissəcikdəki atomların sayı nanohissəciyin ölçüləri ilə aşağıdakı kimi təyin olunur [1, 2]: D 3 N A n (1) 6M n - nanohissəcikdəki atomların sayı, - materialın sıxlığı, N A -Avoqadro ədədi, M - molyar kütlə, D nanohissəciyi daxilində saxlayan sferanın diametridir. (1) D 0,8 nm düsturu ilə Au16 qızıl nanohissəciyin ölçüsü alınır. Elmi ədəbiyyatda nanohissəcikdəki atomların sayını və ölçülərini təyin etmək üçün başqa düsturlar da mövcuddur. Lakin bu düsturlara daha mürəkkəb kəmiyyətlər daxil olar. 219 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı Onların hesablanması çətinləşir. Təqdim olunan işdə müxtəlif atomlardan təşkil olunmuş nanohissəciyin ölçüsü məlum olduqda ondakı atomların sayının tapılması məsələsinə baxılır. Bu zaman nanohissəcik kürə formasında təsəvvür olunur. (CdS) n nanohissəciyinin ölçüsünün təyininə baxaq. Kürə kimi təsəvvür olunan bir CdS birləşməsinin ölçüsü rh rcd rs kimi təyin olunar(Şəkil 1.). Burada rcd və rs Cd və S atomlarının kovalent radiuslarıdır. R radiuslu (Şəkil 2.) nanohissəciyinin ( R - verilir) atomlarının sayı aşağıdakı kimi tapıla bilər: R3 r 3 (2) n rh3 Burada r R 2rh , R- nanohissəciyi öz daxilində saxlayan sferanın (şəkil 2) radiusu, r h - CdS birləşməsini öz daxilində saxlayan sferanın (şəkil 1) radiusudur. R 0,52 nm olduqda (CdS) n nanohissəciyi üçün n 9 alınır. Bütün atomların sayı isə 18 olar. ( Au2 S ) n nanohissəciyinə baxaq. Au2 S birləşməsi şəkil 3-də təsvir olunmuşdur. a2 b2 . 2 R=0,5nm olduqda ( Au2 S ) n nanohissəciyi üşün n 3 alınır. Bütün atomların sayı isə 9 olar. AD a 4rAu , CD b 2(rAu rS ) , rh Şəkil 1 Şəkil 2 Şəkil 3 Yuxarıdakı hesablamaların nəticəsi olaraq Au16 , (CdS ) 9 220 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı və ( Au2 S ) 3 nanohissəciklərinin aşağıdakı nəzəri vizual modellərini (şəkil 4-6) qurmaq olar. Bu modellər əsasında həmin nanohissəcikləri kvantmexaniki tədqiq etmək olar: Şəkil 4. Au16 nanohissəciyinin nəzəri vizual modelləri Şəkil 5. (CdS)9 nanohissəciyinin nəzəri vizual modelləri Şəkil 6. (Au2S)3 nanohissəciyinin nəzəri vizual modelləri 1. Liu, X., Atwater, M., Wang, J., & Huo, Q. Extinction coefficient of gold nanoparticles with different sizes and different capping ligands. Colloids and Surfaces B: Biointerfaces. 2007 Jul 1;58(1):3-7. 2. A.Q.Həsənov. Nanosistemlərin riyazi modelləşdirilməsi və kompüter hesablanması. Bakı, 2013, “Ləman nəşriyyat poliqrafiya” 234s. Фурье-ИК спектры поглощения композитов 221 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı полиэтилен высокой плотности с полупроводниковым наполнителем InP Алиев М.И.,*Гаджиева Н.Н., Рашидова Ш.Ш., Рзаева С.М. Институт Физики НАН Азербайджана *Институт Радиационных Проблем НАНА Композитные материалы, полученные на основе полимеров и полупроводников, представляют особый практический интерес, так как введение полупроводников в полимерную матрицу приводит к модификации структуры и свойства полимеров. В этом аспекте получение композитов полиэтилен высокой плотности (ПЭВП) с полупроводниковым наполнителем InP позволяют расширить область их применения. Выбор нами в качестве наполнителя полупроводникового соединения InP связан с тем, что в литературе фактически отсутствуют данные по изучению оптических и спектральных свойства композитов ПЭВП+InP. Поэтому, в настоящей работе представлены результаты Фурье-ИК спектроскопических исследований исходных и композитных пленок ПЭВП с наполнителем InP. ИК-спектроскопия позволяет проследить изменения, обусловленные внедрением микрочастиц в состав полимерной матрицы и выявить закономерности связанные с этими изменениями. Исследованы тонкие композитные пленки толщиной 50-100 мкм полученные горячим прессованием гомогенной смеси ПЭВП+InP. Содержание вводимого количества микрочастиц InP варьировалось от 1 до 10 масс.%. Фурье ИК-спектры поглощения исходных и композитных пленок измеряли на Фурье спектрометре 640 FT-IR в области частот 4000-400 см-1(Varian) при комнатной температуре. Структурные изменения в ИК-спектрах пленок ПЭ, связанные с внедрением микрочастиц наполни222 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı телей, прослеживались в областях частот деформационных (1480-1460 см-1) и маятниковых (750-700 см-1) колебаний СН2 – групп ПЭ. Рассчитывалась степень кристалличности образцов с учетом оптических плотностей полос поглощения 730 и 720 см-1 (полоса 730 см-1 характеризует кристаллическую область ПЭ, а полоса 720 см-1 – кристаллическую область с аморфными прослойками). Получена зависимость значений относительной степени кристалличности образца ПЭ+InP от массового содержания микрочастиц InP в пленках ПЭ. На основе этой зависимости установлено, что область максимальной относительной степени кристалличности наблюдается при содержании InP в пленках ПЭ при2-3мас.%. Аналогичные изменения наблюдались также в области деформационных колебаний СН2 – групп ПЭ. Так как изменение концентрации фосфида индия сопровождалась перераспределением интенсивностей симметричных (=1462 см-1) и асимметричных (=1472 см-1) колебаний, что указывает на изменение структуры ПЭВП. Наблюдаемые эффекты объяснены в рамках трехфазовой модели надмолекулярной структуры аморфно-кристаллического полимера, состоящей преимущественно из выпрямленных цепей. Фурье–ИК спектроскопические измерения композитов подтвердили наблюдаемую в оптических спектрах особенность изучаемых объектов. Выявлено, что с ростом концентрации наполнителей значение поглощения композитных пленок увеличивается. 223 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı Nanohissəciklərin bitki hüceyrələrinin səthində toplanması nəticəsində baş verən fizioloji dəyişikliklər Əhmədov I.S, Şahbazova F.A. Bakı Dövlət Universiteti [email protected] Bitki hüceyrələrində nanohissəciklərin hüceyrəyə daxil olmasına mane olan ilkin baryer hüceyrə divarıdır. Hüceyrə divarı qalınlığı 0,2 mkm olan sellüloza təbəqəsindən təşkil olunmuşdur. Hüceyrə divarında bitkilərin növündən asılı olaraq diametri 0,8 nm-10 nm olan məsamələr var. Nanohissəciklərin bu məsamələrdən sərbəst olaraq keçməsi, təkcə onların ölçülərindən deyil həm də səth membranında elektrik yüklərinin olmasından asılıdır. Odur ki, nanohissəciklərin bitki hüceyrələrinə daxil olması həm onların ölçüləri və həm də səth yükləri ilə tənzimlənir. Verilmiş tədqiqat işində CuO, TiO3, Fe2O3 və ZnO nanohissəciklərinin su bitkisi Trianea bogotensisin kök hüceyrələri ilə qarşılıqlı təsir mexanizmi tədqiq edilmişdir. Bunun üçün Trianea bitkisinin kökləri götürülmüş nanohissəciklərin suspenzion məhlulunda saxlanmış və onların köklərin səthində toplanması, kök hüceyrələrində baş verən fizioloji dəyişikliklər müşahidə edilmişdir. Nanohissəciklərin təsiri onların konsentrasiyasından və ekspozisiya müddətindən asılı olaraq öyrənilmişdir. İşıq mikroskopu ilə aparılan müşahidələrdən aydın olmuşdur ki, nanohissəciklər kök hüceyrələrinin səthinə toplanaraq aqlomerat strukturlar əmələ gətirirlər. Bu zaman ekspozisiya müddətindən asılı olaraq hüceyrələrdə protoplazmanın hərəkəti dayanır, turgor itir, uzunmüddətli ekspozisiya zamanı köklər gövdədən aralanır və funksiyasını itirir. Nanohissəciklərin yuyulmasından sonra hüceyrələrdə protoplazmanın hərəkəti bərpa olunmur. Bu nanohissəciklərin hüceyrəyə daxil olması ehtimalını göstərir. 224 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı Bitki homogenatlarında və göbələklərdə sintez olunan gümüş nanohissəciklərinin bitki hüceyrələrinin səth membranı ilə qarşılıqlı təsir mexanizminin tədqiqi Əhmədov I.S, Ramazanlı V.N. Bakı Dövlət Universiteti [email protected] Son vaxtlar bioloji sistemlərdə nanohissəciklərin sintezi sahəsində aparılan tədqiqatlardan aydın olmuşdur ki, gümüş nanohissəcikləri su bitkisi elodeadan, tərəvəz bitkilərindəndən dirrik ispanağından, nanədən, gicitikandan alınan homogenatelarda və göbələklərdə sintez oluna bilir. Bu zaman alınan gümüş nanaohissəcikləri fiziki parametrlərinə və xüsusiyyətlərinə görə kimyəvi yolla sintez olunan nanohissəciklərdən xeyli fərqlənir. Verilmiş tədqiqat işində gümüş nanohissəciklərinin ispanaq, nanə, gicitikan bitkilərinin homogenatlarında və göbələklərdə sintezi metodikası inkişaf etdirilmiş və alınan nanohissəciklərin fiziki xüsusiyyətləri (ölşüləri, formaları və s.) elektron skan mikroskopunda, UV-vis spektrometrində öyrənilmişdir. Ölçmələr göstərmişdir ki, bitki homogenatlarında və göbələklərdə alınan gümüş nanaohissəciklərinin ölçüləri 10 nm–40 nm intervalında, formaları isə əksər hallarda sferik olur. Bioloji yolla alınan nanohissəciklərin üzvü molekullar dan ibarət örtüyə malik olması ehtimal olunur. Odur ki, bu nanohissəciklərin bitki hüceyrələrinin plazmatik membranla qarşılıqlı təsir mexanizminin öyrənilməsi xüsusi aktuallıq kəsb edir. Təcrübələrdə bitki homogenatlarında və göbələkdə sintez edilmiş gümüş nanohissəciklərinin ali su bitkisi Trianea bogotensisin kök hüceyrələrində plazmatik membranın elektrik parametrlərinə (membran potensialı və membran müqavimətinə) öyrənilmişdir. 225 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı Компьютерное моделирование нейрпептидов семейства аллатостатинов Велиева Л.И., Алиев Э.З. Бакинский Государственный Университет Одной из актуальных проблем современной биофизики является целенаправленный синтез нейропептидов, используемых для регуляции численности насекомых. К числу таких соединений относятся нейропептиды, синтезируемые нейросекреторными клетками мозга различных видов насекомых, в частности, Calliphora Vomitoria, Drosophil melanogaster, Shistostocerca gregaria. Нейропептиды ингибируют синтез и выделение ювенильных гормонов в процессе онтогенеза насекомых, участвуют в нейропередаче и регуляции функций нервной системы. Целью настоящего исследования явилось изучение пространственной структуры, конформационных свойств и электронно-динамических характеристик нейропептидов – Leu галлатостатина-4, дростатина-3, шистотатина-6 и аллатоститинов 1-4. В работе проведен сопоставительный анализ результатов, полученных теоретическими методами – полуэмпирическими методами молекулярной механики и квантовой химии. Динамические свойства нейропептидов изучались методом молекулярной динамики. Все расчеты были проведены с помощью вычислительных компьютерных программ, Согласно результатам исследования нейропептиды-Leu галлатостатин-4, дростатин-3, шистотатин-6 обладают компактной пространственной структурой и содержат -спиральный сегмент, включающий остатки Arg2-Pro3-Tyr4-Ser5-Phe6-Gly7-Leu8 (рис. 1). Низкоэнергетические конформационные состояния молекул нейропептидов стабилизированы водородными связями, в образовании которых участвуют атомы основ226 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı ной цепи остатков Arg2 и Ser5, а также функционально активные участки их боковых цепей. Рис.1 Структура молекулы дростатина-3 (а) и аллатостатина 1 (б) по данным теоретических расчетов. Полученные результаты были подтверждены также исследованием молекулярно-динамических свойств нейропептидов. Молекулярная динамика нейропептидов, проведенная в условиях вакуума и в водной среде в течение 30 пикосекунд, выявила устойчивость структур к действию молекул воды. Установлено, что нейропептиды сохраняют виток -спирали несмотря на образование большого числа межмолекулярных водородных связей с молекулами воды. Такие связи не вносят существенного вклада в энергию, однако они участвуют в дополнительной стабилизации пространственных структур нейропептидов. Maye kristallarda elektrooptik effektlər Ramazanov M.Ə., İmaməliyev A.R., Hümbətov Ş.Ə. Bakı Dövlət Universiteti Özlərində mayelərin və kristalların müəyyən xassələrini birləşdirən maye kristallar bir tərəfdən mayelər kimi axıcıdırlar, eyni zamanda kristallarda olduğu kimi optik oxa malikdirlər. Məhz idarə oluna bilən optik oxa malik olmaları xüsu227 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı siyyəti maye kristallarda elektrooptik effektlərin - optik mənzərənin elektrik sahəsinin təsiri ilə dəyişməsi müşahidə olunur. Bunun səbəbi elektrik sahəsinin maye kristal mühitlə qarşılıqlı təsiridir (dielektrik nüfuzluğunun anizotropiyası və ya spontan polyarizasiyası vasitəsi ilə). Maye kristalların displey texnikasında geniş istifadəsi onlarda baş verən elektrooptik effektlər– optik oxun elektrik sahəsinin köməyi ilə idarə olunmasına əsaslanır. Maye kristalda elektrik, maqnit, mexaniki, istilik və s. təsirlərin köməyi ilə direktor sahəsinin dəyişməsi Frederiks effektinə əsaslanır və ölçmələr zamanı müəyyən olunmuşdur ki Frediriks keçidiastana parametrləri temperaturdan və maye kristal kompazitin tərkibinə əlavə edilmiş boyaq maddələrinin konsentrasiyasından asılı olaraq əhəmiyyətli dərəcədə azaldıla bilir. Nematik maye kristallarda direktor sahəsinin təhrif olunması (deformasiyası) artıq elektrik təbiətli enerjinin yaranmasına səbəb olur ki, bu da maye kristalın elektrik sahəsinin təsiri ilə idarə etməyə imkan verir. Nematik maye kristallarda elektrooptik effektlər sahə və cərəyan təbiətli olur. Sahə effektləri elektrik sahəsinin dielektrik nüfuzluğunun anizotropiyası ilə qarşılıqlı təsirinə əsaslanır. Bu qarşılıqlı təsirə uyğun gələn enerji sıxlığı 1 Wкв 0 E 2 2 ifadəsi ilə təyin olunur. Cərəyan effektləri xarici elektrik sahəsinin maye kristalın elektrik keçiriciliyinin anizotropiyası ilə qarşılıqlı təsiri nəticəsində yaranır. Bu qarşılıqlı təsirin enerji sıxlığı || 1 E 0 E2 2 düsturu ilə təyin olunur. || və - direktor və ona perpendikulyar istiqamətdə elektrik keçiriciliyidir. Cərəyan effektinə misal olaraq işığın güclü səpilməsi ilə müşayət olunan dinamik səpilmə effektini göstərmək olar. Maye kristala 228 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı aşağı tezlikli və böyük amplitudlu gərginlik verdikdə maye kristal daxilində turbulent hərəkət yaranır ki, bu da işığın səpilməsinə səbəb olur. Turbulentlik oblastının ölçüsü işığın dalğa uzunluğu tərtibində olduqda işığın səpilməsi daha da güclənir. 1. 2. Blinov L.M., Chigrinov V.G. “Electrooptic effects in liquid crystal materials”. 1994, Springer Verlag, 488p Handbook of Liquid Crystals, Ed. By Demus D., Goodby J. et all., Wiley-VCH, 1998, 3 volume set, 2591p. Статическая диэлектрическая проницаемость циклопентанола в низкочастотном диапазоне Усейнова С.М. Бакинский Государственный Университет Для измерения диэлектрической проницаемости ε0 жидкостей вне дисперсии электромагнитных волн был использован резонансный метод, принцип которого заключался в измерении емкости пустого измерительного конденсатора и емкости того же конденсатора, но заполненного испытуемой жидкостью. Если C0 - емкость пустого конденсатора, то емкость конденсатора, заполненного жидкостью, будет равна ε0 C0 , где ε0 -статическая диэлектрическая проницаемость. Если f 0 -собственная частота колебательного контура, когда в контур включен пустой измерительной конденсатор, обладающий емкостью C0 , а f -собственная частота колебательного контура, когда в контур включен измерительный конденсатор, заполненный исследуемой жидкостью, то диэлектрическая проницаемость жидкости мо229 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı жет быть определена с помощью соотношения: f f ε0 = ( 0 ) 2 + B[( 0 ) 2 - 1] ; f f где постоянный по величине следующего (1) коэффициент B= C C0 определялся по результатам тарировки ( B = 11,71 • 110,95 • 10-3 • (t0 - t ) , .где t0 = 200 C и t температура измерительного конденсатора). C -емкость постоянного эталонного конденсатора., В таблице 1 даны экспериментальные и литературные данные измерения коэффициента преломления nD20 , плотности d 420 , и температур кипения tk0C при нормальном атмосферном давлении циклопентанола. Таблица 1 Вещество, мол. вес C5 H 9OH 86,135 Экспер.данные Литерат. данные /1/ d 420 nD20 tk0C d 420 nD20 tk0C 0,9476 1,3941 140,0 0,9488 1,3997 139 В таблице 2 дана температурная зависимость статической диэлектрической проницаемости циклопентанола. Как показывают таблицы 1 и 2, между литературными данными и экспериментальными значениями этих параметров ( ε0 ) хорошее совпадение, что указывает на надежность данного метода исследования, а также на верность предполагаемых моделей структуры и строения молекулы циклопентанола. 230 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı Таблица 2 t 0C ε0 ε0 /1/ -20 -10 0 10 20 30 40 25,45 22,92 20,92 18,87 17,38 16,21 14,90 25,50 - - - - - - Осипов О.А., Минкин В.И. «Справочник по диэлектрикам», M., 1990 2. White A.H., Bishop W.S., J.Amer.Chem., Soc., 62, 8, 1970 1. Равновесные диэлектрические свойства циклопентанола Усейнова С.М. Бакинский Государственный Университет В данной работе изучались зависимости статической диэлектрической проницаемости ε0 чистого циклопентанола (C5 H 9OH ) от температуры t=-400С+400С. Данные низкочастотных измерений ε0 были применены для расчета эффективного дипольного момента μж молекул исследуемых соединений в жидкой фазе; вычисления выполнены с использованием уравнения ОнзагераКирквуда-Фрелиха, выводимого из статической теории диэлектрической поляризации /1,2,3,4/ и связывающее макроскопический параметр ε0 с дипольным моментом полярной молекулы: ( - )(2 0 ∞) 9 kT ; (1) ж g 02 0 0 ( ∞ 2) 4 N где k - постоянная Больцмана, T - абсолютная температура, ε0 - статическая диэлектрическая постоянная вещест231 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı ва, ε∞ - диэлектрическая постоянная вещества в оптическом диапазоне, N – постоянная Авогадро, здесь _______ (2) g = (1 + z cos γ ) структурный фактор, являющийся постоянной величиной для молекулы, Z - среднее координационное число моле_______ кулы полярной жидкости, cos γ - среднее значение косинуса угла между направлениями диполей двух соседних молекул. Согласно, /1,3,4/, определяемый из (1) эффективный дипольный момент μж , связан с дипольным моментом изолированной молекулы μ0 того же вещества соотношением (3) μж = μ0 g где g - имеет тот же смысл, что и в (1), но является также мерой короткодействующих взаимодействий в среде. Совместное использование уравнений (1), (2), (3) дает возможность установить на основании опытных значений тип взаимного расположения дипольных молекул и, следовательно, судить о молекулярном строении вещества. При g = 1 - эффективный дипольный момент совпадает с моментом μ0 изолированной молекулы, что указывает на отсутствие в исследуемой жидкости ориентационного влияния короткодействующих сил. При g > 1 из уравнения _______ (2) следует cos γ > 0 , что эквивалентно параллельному выстраиванию диполей, то есть преобладанию открытых _______ цепочечных структур. При g < 1 , cos γ < 0 , что эквивалентно антипараллельному выстраиванию диполей или преобладанию закрытых цепочечных структур. В таблице 1 приведены результаты расчета μж и g циклического углеводорода, полярной жидкости в изучен232 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı ном интервале температур. Величина ε∞, входящая в расчетное уравнение (1) определялась из соотношения ε∞- 1 n2 - 1 = 1,05 2D ε∞ + 2 nD + 1 (4) где: nD - коэффициент преломления, измеренный в оптическом диапазоне волн; а коэффициент 1,05 учитывает вклад в ε∞, обусловленный атомной поляризацией. В качестве μ0 в уравнении (1) использовались литературные значения дипольных моментов μГ молекул исследуемой жидкости, измеренных в газовой фазе /6/. Значения эффективного дипольного момента μж и корреляционного параметра g полученные по вышеуказанному способу приведены в таблице 1. Таблица 1 Вещество tC ε0 ε∞ μж , д μГ д g Циклопентанол -40 -20 0 20 40 30,08 25,45 20,32 17,38 14,90 2,09 2,06 2,03 2,01 1,99 3,23 3,05 2,97 2,87 1,72 /6/ 3,89 3,53 3,13 2,98 2,78 (C5 H 9OH ) 0 Как показывают полученные данные величина параметра корреляции g у циклопентанола оказываются значительно больше единицы и имеют тенденцию увеличиваться по величине с понижением температуры. Это свидетельствует о большой корреляции молекул циклопентанола, обусловленной наличием водородных связей, приводящих к образованию цепочечных ассоциатов дипольных молекул с параллельным расположением в них диполей; при этом размер ассоциатов возрастает с понижением температуры. 1. Фрелих Г. «Теория диэлектриков», М., 1960 2. Шахпаронов М.И. «Методы исследования теплового движения 233 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı молекул и строение жидкостей», М., 1963 3. Onzager L., Am.Chem.Soc., 58, 1486, 1938 4. Kirkwood J.G., Goldberg R.J., J.Phys.Chem. 18, 54, 1960 5. Осипов О.А., Минкин В.И. «Справочник по диэлектрикам», М., 1995 6. Le Fevre R.J.W., Williams A.J.; J.Chem.Soc., 108, 1960 Polipropilen və dəmir nanohissəcikləri əsasındakı nanokompozitlərin maqnit-qüvvə mikroskopiyası (MQM) ilə tədqiqi Ramazanov M.Ə., Hacıyeva F.V., Rəhmətova C.R. Bakı Dövlət Universiteti İşdə polipropilen və dəmir nanohissəcikləri əsasında alınmış maqnit nanokompozisiya materiallarının maqnit-qüvvə mikroskopiyası (MQM) ilə tədqiqi aparılmışdır. MQM səthin maqnit xassələrinin təsiri nəticəsində zondun maqnit əyilmələrinin (meyl etməsinin) ölçülməsi hesabına lokal nanoölçülü maqnit qarşılıqlı təsirlərin aşkarlanmasına əsaslanır. PP+Fe əsasındakı nanokompozisiyasının səthinin relyefinin topoqrafiyası, maqnit təsviri və kələ-kötürlüyü İntegra-Prima (NTMDT) markalı skanedici zond mikroskopu vasitəsilə tədqiq edilmişdir. Skanetmə hava şəraitində rezonans tezliyi 40-97 Hs-ə və ucunun əyrilik radiusu nm bərabər olan ferromaqnit materialdan xüsusi plazmakimyəvi üsulla hazırlanmış maqnit zondlarla aparılmışdır. Skanetmə sürəti və skanetmə xəttləri uyğun olaraq 1,969 Hs və 256-dir. Maqnit-qüvvə rejimində skanetmə ikikeçidli metodika ilə 1818 mkm skanetmə oblastında aparılmışdır. 1-ci keçiddə yarımkontakt rejimində zond nümunə səthini müəyyən xətt üzrə skan edərək səthin topoqrafiyası haqda məlumat verir (a). 2-ci keçiddə zond nümünədən z məsafəsi qədər uzaqlaşdırılır (40-100 nm) və eyni xətt üzrə hərəkət etdirilərək skanetmə aparılır (b). Artıq bu məsafədə Van-der-vaals cəzb etmə qüvvələr itir və zonda yal234 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı nız maqnit qüvvələri təsir edir. Bu zaman kantileverin düzxətli istiqamətdən meyl etməsi məhz maqnit qarşılıqlı təsirlə əlaqədardır. Şəkil 1-də tərkibinə nm dəmir nanohissəcikləri daxil edilmiş polipropilen və dəmir nanohissəcikləri əsasındakı nanokompozisayanın maqnit zondla çəkilmiş topoqrafiyası və maqnit faza görüntüsü verilmişdir. a b Şəkil 1. PP+Fe nanokompozisiyasının maqnit zondla çəkilmiş AQM (a) topoqrafiyası və MQM (b) faza görüntüsü. Şəkildən göründüyü kimi MQM faza şəklində maqnit siqnallarının paylanması aydın şəkildə görünür. AFM ve MQM tədqiqatları nəticəsində müəyyən edilmişdir ki, maqnit nanoölçülü hissəciklər əlavə edilmiş kompozit strukturlarda dispers nanohissəciklər öz ətrafinda maqnit sahəsi yaradaraq onun maqnit morfologiyasını dəyişdirir ki, bu da nəzəri hesablamalarla uzlaşır. Karbon nanoboruların elektron quruluşunun xirialliğından asılılığının tədqiqi 235 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı 1Nəbiyev 1Bakı N.S., 2Mirzəağayev R.Ş. Dövlət Universiteti, 2Qafqaz Universiteti [email protected] Karbon nanoboruların elektrik keçiriciliyi həndəsi quruluşlarından asılı olaraq dəyişir. Nanoboruların xiriallığı, həndəsi quruluşu, elektrik xassələri arasında əlaqəni müqayisəli analiz etmək üçün eyni diametrli, fərqli xiriallığa malik nanoboruların kvant-kimyəvi hesablanma nəticələrindən istifadə etmək olar. Təqdim olunan məruzədə genişləndirilmiş Hükkel metodunun köməyi ilə əldə edilmış elekron quruluşunu müəyyənləşdirən parametrlərlə, klassik modellərə əsasən hesablanmış, nanorunun xüsusi keçiriciliyini xarakterizə edən parametrlərin müqayisəli analizindən əldə edilən nəticələr təqdim edilir. Tədqiqat obyekti kimi birdivarlı nanoborular seçilmişdir. Müxtəlif xiriallığa aid bərabər diametrli nanoboruların elektrik keçiriciliyi klassik modelə görə hesablanmış, müxtəlif xiriallığa malik eyni diametrli nanoboruların sistemləşdirilməsi aparılmışdır. Nanoboruların elektron və fəza quruluşunun əlaqəsini müəyyənləşdirmək üçün müxtəlif xriallığa malik nanoboruların energetik və elektron quruluşunu müəyyənləşdir kvant-mexaniki parametrlər hesablanmışdır. Hesablama nəticələrinə görə elektronların enerji səviyyələrində yerləşməsini, ən ümumi şəkildə, səciyyələndirən hal sıxlıqları müəyyən edilmiş, nanoboruların xiriallığı ilə onların ionlaşma potensialı, elektrona hərisliyi və enerji səviyyələri – zona quruluşu arasında əlaqə analiz olunmuşdur. Diametrləri eyni (0.70 nm) olan (12,6), (13,5), (15,2), (16,0), və (0.90nm) olan (13,10), (12,11), (14,9), (17,5), (19,2), (20,0) nanoborular tədqiq olunmuşdur. Kvant hallarının enerjiyə görə paylanması 0.5 ev addımla cədvəlləşdirilmiş, onların əsasında paylanma qrafiqləri qurulmuşdur. Hər bir borunun elektrik keçiriciliyi zona quruluşu və Fermi səviyyəsinin vəziyyətinə görə müəyyən edilə bilər. Digər tərəf236 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı dən, hər bir metal və yarımkeçirici naqil kimi nanoboruların məxsusi keçiriciliyi və qadağan olunmuş zonasının eni müxtəlif qiymətlərə malikdir. Hər bir nanoborunun bu parametrləri zond mikroskopları ilə ölçülə bilinir. Ümumi nəzəriyyəyə görə zond və keçirici nümunə arasında tunel elektrik cərəyanının şiddəti Fermi səviyyələri ətrafında hal sıxlığı ilə düz mütənasibdir. Nanoboruların Fermi səviyyələri ətrafında hal sıxlıqlarını müqayisə edərək keçiriciliklərini qiymətləndirmək olar. Kvant mexaniki hesablamalar bütün nanoboruların sonuncu tutulmuş orbitalı ilə birinci vakant enerji səviyyəsi arasında enerji intervalının E=0.001 eV tərtibində olduğunu göstərmişdir. Bu tədqiq etdiyimiz nanoboruıların metal keçiriciliyə malik olduğunu bir daha təsdiq edir. Müəyyən olunmuşdur ki, hal sıxlığının nanoborularınn diametrlərindən asılılığı müəyən qanunauyğunluğa tabe deyildir. Eyni diametrli, müxtəlif xıriallığ aid nanoboruların Fermi səviyyəsi ətrafnda hal sıxlığı, uyğun olaraq, keçiriciliyi fərqli ola bilər. Eneji səviyyələrinin paylanmasına əsasən nanoboruların hal sıxlıqları və hal sıxlıqlarının Fermi səviyyəsinə nəzərən paylanma mənzərəsini əks etdirən qrafiklərin analzinə əsasən müəyyən olunmuşdur ki, Fermi səviyyəsi ətrafında ən böyük hal sıxlığına malik nanoborunun xriallığı (17, 5), ən kiçik hal sıxlığına malik nanoborunun xriallığı (12, 6)-dır. Bu borulardan birincisi 0.90 nm diametrə, ikincisi 0.70 nm diametrə malikdir. 237 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı Ag2S nanohissəciklərinin polimer matrisdə sintezi və lüminessensiya xassələri Ramazanov M.Ə., Əliyeva S.Q. Bakı Dövlət Universiteti [email protected], [email protected] Metalların nanoölçülü sulfidli birləşmələri fərqli elektrofiziki, fotoelektrik, optik xassələrinə görə maraq kəsb edir. Yüksək fotostabilliyə, lüminessensiyanin yüksək kvant çıxışına, böyük qadağan olunmuş zona eninə malik olan belə birləşmələrin optik xassələri hissəciyin ölçüsündən və morfologiyasından asılı olaraq dəyişir. Bu isə bilavasitə onların sintez üsulundan asılıdır. Nanohissəciklərin maye mühitdə səthi aktiv maddələrin (SAM) iştirakı ilə sintez üsulları perspektiv metodlardandır. Belə ki, nanohissəciklərin səthinə adsorbsiya olunan səthi aktiv maddələrin molekulları onların sonrakı böyüməsinin qarşısını alır. Dispers nanohissəciklərdən ibarət polimer nanokompozit material alarkən əsas tələblərdən biri nanohissəciklərin aqreqasiya olunmaması olduğuna görə nanohissəciklərin SAM ilə təkmilləşmiş sintez metodikasının işlənib hazırlanması aktual məsələlərdəndir. Bu tədqiqatın məqsədi – SAM ilə stabilləşdirilmiş kiçik ölçülü Ag2S əsaslı polimer nanokompozit material almaq və onların lüminnessent xassələrinin tədqiqidir. Polimer matris olaraq izotaktik polipropilen (PP) tozu götürülmüşdür. PP+Ag2S nanokompozitin sintezi aşağıdakı mərhələlərlə aparılmışdır. İlk əvvəl SAM-ın iştirakı ilə AgNO3 və Na2S duzlarının 0,005 M və 0,0025 М konsentrasiyalı məhlullarından ölçüləri 10-50 nm olan Ag2S nanohissəcikləri sintez edilmişdir. Növbəti mərhələdə sintez olunmuş nanohissəciklər polimer matrisə daxil edilərək nazik təbəqələr alınmışdır. Skanedici elektron mikroskopunda Ag2S nanohissəciklərinin formalaşdığı təsdiq olunmuşdur. 238 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı . Şək1. Ag2S nanohissəciklərinin SEM təsviri Nanokompozitin lüminessensiya xassələri otaq temperaturunda Cary Eclipse spektroflüorimetrində tədqiq olunmuşdur. Nümunə ex=381 nm dalğa uzunluğunda həyəcanlandırılmış, lüminessensiya spektrində isə maksimum em=528 nm dalğa uzunluğunda müşahidə olunmuşdur ki, bu da Ag2S nanohissəciklərinə uyğun gəlir. Şək2. a) həyəcanlanma, b) şüalanma spektrləri 239 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı Самоорганизация паттерновв термоэлектрических системах 1Рамазанов М.А., 2Алескеров Ф.К., 2Кахраманов К.Ш., 2Набиева С.А., 2Мамедов М.М. 1 – БГУ Баку, Азербайджан 2 – НПО «Селен» НАНА, Баку, Азербайджан [email protected] Макроскопические паттерны возникают в результате слож-ного нелинейного взаимодействия микроскопических элементов. Примерами самоорганизации паттернов на поверхности жидкостей могут быть: «ячейки Бенара», «рябь Фарадея» и реакция Белоусова–Жаботинского [1-2]. Рассмотрение “пчелиных сот” и других твердотельных нанообразований как паттернов в кристаллах явилось целью данной работы. В данной работе был проведен анализ твердотельных консервативных диссипативных паттернов, наноструктурированных кристаллов AV2BV13 и выявлены подобные объекты-паттерны методом атомно-силовой микроскопии (АСМ) .На рис.1 показана шести-гранная форма «пчелиных сот»; полученное нами АСМ-изображение Sb2Te3 видетельстует о близости форм этих объектов. На рис.2 представлено АСМ-изображение в 2-Д масштабе поверхности (0001) Sb2Te3: наверху слева, а также справа выделены наноформы, анологичные ячейкам Бенара; их размеры колеблются в пределах 10-12нм. В середине во ставке сверху выделены шестигранные (~50нм) сетки; они имеют структуру близкие к графиту. За кажущимся хаотическими образованиями обнаружен закономерный рост фрактальной формы самоорганизованных паттернов. Кроме приведенных структур можно рассмотреть примеры паттернов в композитах и в много240 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı фазных эвтектических системах. Рассмотренные диссипативные структуры типа ячеек Бенара, «пчелиных сот» и наноструктурированные объекты в AV2B3VI сформированны при твердофазном взаимодействии самопроизвольно при консервативной самоорганзации и представляют собой особый класс стационарных автопаттернов. Рис. 1. Паттерны из «пчелиных сот» в межслоевом пространстве Sb2Te3 . Рис. 2. АСМ-изображение в 2D-масштабе нанообъектов подобных «пчелиным сотам» в Sb2Te3 в вставке сверху слева даны фрагменты изображений ячеек Бенара; в середине наверху выделены 2Dизображения шестигранников; справа наверху выделены скопления наноформирований ячейкек Бенара 241 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı Список литературы 1. Трубецков Д.И., Мчедлова Е.С., Красичков Л.В. // Введение в теорию самоорганизации открытых систем. М.: Физматлит, 2002, с.121. 2. Храмов А.Е.//.Ж. Известия Вузов “ПНД”. Т.20, №1, 2012, с.49-66. 242 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı MÜNDƏRİCAT Аскеров Б.М., Фигарова С.Р. Явления переноса в 3 низкоразмерных электронных системах Пашаев А.М., Тагиев Б.Г., Ибрагимов Р.А., 4 Сафарзаде А.А. Механизм образования межслоевой сколотой поверхности слоистых кристаллов типа АIIIВVI NƏZƏRİ FİZİKA VƏ ASTROFİZİKA BÖLMƏSİ Baloğlanov Ə.Ş., Məhərrəmov Y.M., Xəlilov Ə.M., Həsənova Ə.R. HD161796 və HD224014 ifratnəhəng ulduzlarının spektrlərində H xəttinin tədqiqi Səmədov Z.A., Şabanova Z.F., Hümbətova X.Z. Model üsulu ilə Günəşdə mikroturbulent hərəkət sürətinin təyini Səmədov Z.A., Qədirova. Ü.R., İsgəndərova R.E. HD 203574 (G5III) ulduzunun effektiv temperaturun və ağırlıq qüvvəsinin təcilinin təyini Абдулвагабова С.К., Ахмедов Р.А., Эфендиева И.К. Редже-эйкональный метод для упругого адронядерного рассеяния Абдулвагабова С.К., Бархалова Н.Ш., Байрамова Т.О. Определение угла отклонения заряженной частицы во время прохождения через неоднородную ядерную среду Tahirov M.M., Güləhmədova S.N. Ulduzların effektiv temperaturunun və ağırlıq qüvvəsi təcilinin təyini Кули-Заде Д.М., Шабанова З.Ф., Кадырова У.Р. Определение спектрофотометрических характеристик линий разных химических элементов в инфракрасной спектре Солнца Ismayilova Ş.K., Mikayılov X.M. HD 199478 ifrat 243 7 9 10 12 13 14 15 17 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı nəhəng ulduzunun spektrində NaI dubletinin tədqiqi Hüseynov Ş.Ş. Santimetrlik sakit və aktiv Günəş radiofluktuasiyalarına fraktal tədqiqat üsulunun tətbiqinin bəzi xüsusiyyətləri Quluzadə C.M. Günəş spektrində spektral xətlərin profillərinin incə quruluşu haqqında Rəcəbov M.R., Verdiyeva T.İ. Mənbəsi elektronların trayektoriyasından kənarda olan hal üçün Aaronov – Bom effekti Abdullayev S.Q., Məmmədova Ü.E. 𝜇 − 𝑁 ⟹ 𝜈𝜇 𝛬𝜊 x prosesində 𝛬𝜊 - hiperonun polyarizasiyası Баширова У.З., Абди Г.А. Наблюдательные загадки GW Ориона Алиев С.Г. Вращение звезд Рустамов Д.Н., Абдулкеримова А.Ф. Переменность межзвездных линий NaI 5890 и NaI 5896 в спектре звезды типа WR, HD 192163 Allahverdiyev Ə.O., Novruzova H.İ. Magnetar modelləri Асваров А.И., Мамедханова Г.Б. Остатки сверхновых в областях активного звездообразования Bədəlov V.H. Dirak-Maksvel tənliklərinin şərti invariantlığı Агамалиева Л.А., Байрамова Т.О., Ахмедова С.М. Простой метод вычисления функции распространения в аксиальной калибровке Abdullayev S.Q. Yarıinklüziv e (e ) e ( e ) h X proseslərində asimmetriyalar Джалилов Н.С. МГД-волны и неустойчивости температурно-анизотропной плазмы солнечной короны как источник ее нагрева Ягубов М.А., Кулиев Г.Ф., Юсубов Ш.Ш. Необходимые условия оптимальности для систем с 244 19 21 24 26 27 29 31 32 34 36 37 39 41 42 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı импульсными воздействиями при нелокальных краевых условиях Гасанов К.К., Гасанова Л.К., Танырвердиев Т.С. Применение динамического программирования к решению задачи оптимального управления для линейного параболического уравнения Алышева К.И., Алили А.Г. Группировка центральных звезд планетарных туманностей по средней светимости и среднему радиусу FİZİKİ ELEKTRONİKA BÖLMƏSİ Абдинов А.Ш., Амирова С.И., Бабаева Р.Ф., Рагимова Н.А., Рзаев Р.М. Солнечные преобразователи на основе селенидов галлия и индия Мурадов А. Х., Гусейнов Т.Х., Аллахвердиев Ш.А. Импеданс спектроскопия слаботочного неонового разряда в капиллярной трубке Abdinov Ə.Ş., Məmmədov H.M., Səfərov V.H., Məmmədov V.U., Nəzərova S.Ü. p-GaAs/n-Cd1-xZnxS1ySey heterokeçidlərinin volt-farad xassələrinin tədqiqi Əliyev İ.M., Əliyeva V.İ. GaSe<Sn> layli kristallarda fotokeçiriciliyinin öyrənilməsi Насруллаев Н.М., Гасанов Р. Ф., Ахмедова А.Р. Адсорбция молекул бензола на поверхности иридия Мехтиев Н.М., Салимова П.З. Анизотропия оптических переходов в монокристаллах II-III2-VI4 Пашаев И.Г., Мехтиев Р.Ф.Влияние различных 44 45 47 49 53 55 57 59 61 обработок на свойства контакта кремний Садраддинов С.А. Частотно-емкостные характе- 63 ристики МДМ–структуры на основе фталоцианина меди Давудов Б.Б. К физическим процессам нанесения 65 тонких пленок импульсным плазменным методом Əsgərov Ş.Q., Paşayev İ.G. Silisum əsasında hazırlan- 67 245 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı mış Şottki diodlarının elektofiziki xassələrinə muxtəlif metallik təbəqələrin mikrostrukturunun təsiri Агалиева С.Т., Ахмедзаде Н.Д., Ширинов М.М. Влияние температуры получения на фотолюминесценцию ZnSe Алиева Н.А. Спектры комплексного импеданса в кристаллах TlInSe2 Мехрабова М.А., Нуриев И.Р., Оруджев Г.С., Назаров А.М., Садыгов Р.М., Гусейнов Н.И. Исследование электронной структуры тонких пленок Cd1-xMnxTe Оруджов А.К., Алиев И.М., Насруллауев Н.М., Исмаилова Р.Н, Дашдамиров А.О., Рагимов Р.Ш. Получение толстослойного графитовой пленки на поверхности рения Əliyev L.P., Musayeva S.Z. Amplitud-tezlik xarakteristikasının (ATX) və osilloqramın analizinə görə mp3 formatda yazılmış audiosiqnallarda təkrar kodlaşdırılma əlamətlərinin təyini Həsənova L.H., Məhəmmədov Ə.Z., Cahangirova S.Ə. Cu3 In5 S9 Şüalanmanın monokristalında yapışma prosesinə təsiri Немов С.А., Джафаров М.Б., Благих Н.М., Шелимова Л.Е. Строение валентной зоны PbSb2Te4 по данным явлений переноса Quliyev N.İ., Zeynalov Z.M., Rzayeva L.Ə. Bitkilərin kök sisteminin temperaturunun yarpaq sisteminin bəzi termodinamik parametrlərinə təsiri Məmmədov N. C., Məmmədova E. İ., Musayev S.X. CdInGaS4 əsasında hazırlanmış elektrofotoqrafik təbəqələrdə fotoelektret halı Касумов И.И., Зейналов З.М., Рустамов В.Д., Мовсумова И.М. Стационарная фотопроводимость монокристаллов p-TlIn0,99Ag0,01Se2. 246 69 70 71 75 78 82 84 86 89 90 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı Əliyev S.İ., İsmayılov E.X., Məmmədov E.M. Nadir torpaq elementi itterbium (Yb) ilə aşqarlanmış Ga2(Se0,95Te0,05) kristallarının qalıq fotokeçiriciliyi BƏRK CİSİMLƏR FİZİKASI BÖLMƏSİ Mamedov B.A. Analytical evaluation of Askerov functions arising from anisotropy of the thermoelectric power in superlattices Əsgərzadə İ.N. Fe əsaslı yeni sinif ifratkeçiriciəlrin fiziki xassələri Askerov I.M., Eser E. Accurate evaluation of the specific heat capacity of solids and its application to MgO and ZnO crystals Haşimzadə F.M., Hüseynova D.Ə., Cahangirli Z.A., Mehdiyev B.H. GeSe kristalında səth fononlarının təməl prinsiplərdən hesablanması Агаева Р.Г. Новый метод расчета термомагнитного тока Paşayev А.M., Aqayeva S.X., Əliyeva M.X., Yoğurtçu Y.K. Спектры фотолюминесценции слоистых кристаллов TlGaxIn1-xSe2 Рагимов С.С., Бабаева А.Э. Термоэлектрические свойства Ag19Sb29Te52 +0.3 ат.3% CdCl2 Рагимов С.С. Исследование термоЭДС в сверхпроводящем Bi2Sr2CaCu2O8+x Ismayılov T.H., Şərifov R.R. Invers zonalı yarımkeçirci əsaslı silindrik kvant məftilində ikifotonlu udulma Гасымова Р.К. Излучения проводящих сред в магнитном поле Аскеров Б.М., Фигарова С.Р., Гусейнов Г.И. Поперечное магнитосопротивление в сверхрешетках при рассеянии на ионах примеси Əsgərov B.M., Mahmudov M.M. Güclü maqnit sahəsində ölçüyə görə kvantlanmış təbəqədə RiqiLedyuk effekti 247 92 94 94 95 96 98 101 102 103 104 106 107 108 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı Mustafayev N.B. Bismut nanoborularının elektron spektri Babayev M.M.Yarımkeçirici kvant çuxurunda qızmış elektronların termoelektrik hərəkət qüvvəsi Гусейнов Г.И. Эффект Нернста-Эттингсгаузена в квазидвумерных электронных системах Pənahov M.M., Məmmədova V.C. Cd1-xZnxO nazik təbəqələrinin alınması və bəzi fiziki xassələrinin tədqiqi Гадирова И.Р. Внутризонное поглощение света в параболической квантовой яме в магнитном поле Pənahov T.M. Yüksək maqnit nüfuzluqlu ərintilərin alınması Həsənov X.A., Hüseynov C.İ., Dadaşova V.V. Parabolik potensiallı kvant məftilində diffuziya termoelektrik hərəkət qüvvəsi Зарбалиев М.М., Агаева У.М., Гахраманов Н.Ф. О влиянии структурных дефектов на теплопроводность монокристаллов в твердых растворах TlIn 1 x Ndx Te 2 Ağamalıyev Ə.Q., Abaszadə S.A. Elastiklik nəzəriyyəsi tənliyinin invariantlıq qrup operatorları üçün Killinqin invariant kvadratik formasının hesablanması Kərimova E.M., Mustafayeva S.N., Cabbarov A.İ., Həsənov N.Z., Kərimov R.N. TlGdS2 kristalının elektrik və istilik xassələri YARIMKEÇİRİCİLƏR FİZİKASI BÖLMƏSİ Кязым-заде А.Г., Салманов В.М., Салманова А.А. Кристаллы GaSe и InSe в оптоэлектронике Годжаев Э.М., Абдурахманова У.С., Алиева П.Ф. Расчет зонной структуры и оптических функций тройных соединений InGaSe2 , InGaTe2 Ахмедова Х.Р., Годжаев Э.М. Диэлектрические свойства композиций с полупроводниковой и нанодобавкой 248 109 111 113 114 116 117 119 123 127 128 130 135 137 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı Алыев Ю.И., Асадов Ю.Г., Ганизаде Г.Ф. Полиморфные превращения и коэффициенты теплового расширения в кристалле AgCuS Nəsirov V.İ., Rzayeva A.G., Hüseynov Q.H. Cu1.95 Ni0, 05 S kristallarında quruluş faza çevrilmələri Алиев В.А., Гусейнов Г.И., Исмаилова П.Г. Процесс старения ПП кристаллов AIIIBIIICVI2 Керимли С.Дж., Рамазанов М.А., Садыхов Р.З. Сравнение теоретических расчетов с экспериментальными результатами магнитной проницаемости полимерных магнитных композиций Nəsirov V.İ., Bayramov R.B., Həziyeva A.F. K0,985Rb0,015NO3 kristallarında polimorf çevrilmələrin rentgenoqrafik tədqiqi Гаджиев Х.Ф.Создание солнечных элементов на основе а-SiС/а-Si Murquzov M.İ., Hüseynov C.İ., Məmmədova R.F., Mövsümlü N.T. GdSnSe2 birləşməsində termo-e.h.q.-nin dəyişməsinə maqnit sahəsinin təsiri Murquzov M.I., Məmmədova G.E.,Həsənova M.Ə. Ce-la aşqarlanmış Dy2SnSe4 birləşməsində məxsusi defektlərin istilik müqavimətinin dəyişməsindəki rolu Hüseynov C.İ., Abdullayeva Ş.Y., Cəfərov T.A. Dy2SnSe4 birləşməsinin kristallik quruluşu və elektrofiziki xassələri Quliyeva L.Ə., İsmayılov İ.Ş. Sn1-x Gdx Se Sistem ərintilərinin istilik keçiriciliyi Sərdarov Ş.T., Nəbiyev A.Ə., Nəsibli A.C., Qurbanov A.M., Aydınova T.M. Ndx Sn1-x Te (x=0,01, 0,005, 0,003) kristallarının elektrofiziki xassələri Həsənov O.M., Dünyamalıyeva İ.F. PbTe-YbTe əsasında alınmış termoelektrik materiallarda termo e.h.q.si və istilikkeçirmə 249 138 140 142 144 146 149 151 153 155 157 158 160 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı Əhmədova K.Z., Adgözəlova X.A. Sn1 x Gd x S x 0,01;0.02 monokristallarında istilik xassələri Məmmədov.İ.M., Ələkbərov A.S. Sn0,99Pr0,01Те kristalının alınması və diferensial termik analizi Алекперов Э.Ш., Гараев Э.С. Влияние электрического поля на формирование твердых растворов TlGa1-xGexTe2 Аскеров Д.Дж., Абдинова С.Г, Агаев А.М. Барьерные структуры на основе GaSe-CuInSe2 Məmmədov R.Q., Yeganeh M.A., Sultanov R.C., Məhərrəmova S.F. Şottki diodlarının ideallıq əmsalına əlavə elektrik sahəsinin təsiri Cabbarov C.H., Məhərrəmov E.M., Səfərov V.H., Rəhimov R.Ş. p-n keçidlərin Volt-Amper xarakteristikalarına deformasiyanın təsiri Джафарли Р.С. Фотоэлектрические свойства солнечных преобразователей CuInSe2/ Cd1-хZnxS İsayeva G.A., Ələkbərov R.İ., Mehdiyeva S.İ., İsayev A.İ. Samariumla aşqarlanmış şüşəvari halkogenid yarımkeçirici As-Se-S və As-Se-Te sistemlərində aşağı tezlikli kombinasiyalı səpilmə spektrlərinin xüsusiyyətləri MOLEKULYAR FİZİKA BÖLMƏSİ Масимов Э.А., Атогой А.C. Вода и живой организм Эйвазов Э.А., Дашдамирова Н.Д. Температурная зависимость динамической вязкости жидкостей Eyvazov E.Ə., Daşdəmirova N.D. Aromatik karbohidrogenlərdədinamik özlülüyün təbiəti Niftiyev N.N., Bağırova Z.M., Hidiyev X.A. Mayelərin səthi gərilməsinə fenomenoloji baxış Qurbanov S.S., Bağırova Z.M., Hidiyev X.A. Maye qələvi metalların səthi gərilməsi və səthyaranma istiliyi Aslanov H.A, Quliyeva K.F. Heptilformiatın sıxlığının təcrübi nəticələrinə əsasən hal tənliyinin tərtibi 250 163 165 166 168 170 172 173 177 179 181 182 184 187 188 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı Багиров Р.М., Багирова О.Ш., Турабова Г.А. Изучение взаимодействия ионов железа с грибными меланинами Прудько В.В., Мусаева С.М., Ахмедова С.М., Насирова Б.Д. Надмолекулярная структура в системе агар-вода Məmmədov M.Ş.,Məsimova A.B. Müxtəlif əlavələrin aqar gelinin geləmələgəlmə prosesinə təsiri Гаджиев З.И., Демухамедова С.Д., Алиева И.Н., Годжаев Н.М. Аb initio расчет структуры и ИК спектров олигомеров PEG4+Сl и PEC5+Сl Akverdieva G.A. Theoretical study of peptide T Məsimov E.Ə., Ocaqverdiyeva S.Y., Həsənova X.T., Əyyubova G.Ş., Şirinova H.A., Əhmədov N.F., Bağırov T.O. Polietilenqlikol-limon turşusunun na duzusu ikifazali sisteminin fiziki-kimyəvi xassələri Məsimov E.Ə, Rəsulova F.A. Polietilenqlikolun sulu məhlullarinda makromolekullarin xarakterik xassələrinin refraktometrik tədqiqi Məsimov E.Ə., Həsənov H.Ş., Paşayev B.G., Baxşıyeva N.M. MgSO4 duzunun suyun strukturuna təsiri Məsimov E.Ə., Hacıyeva A.E., Həsənov A.Ə., Əhmədov N.F., Bağırov T.O. Polivinilpirrolidon-uzvi turşuların na duzu-su ikifazalı sistemləri və onların hal diaqramları Məsimov E.Ə., Paşayev B.G., Həsənov H.Ş., Musayeva S.İ. LiOH, NaOH və KOH-ın sulu məhlullarinin özlü axininin aktivləşmə parametrləri Алиев Р.Э. Конформационные возможности гексапептидных фрагментов молекулы бактенецина Məsimov N.M., Musayeva G.Ə. Atom nüvə enerjisindən istifadənin ekoloji əhəmiyyəti NANOTEXNOLOGİYALAR BÖLMƏSİ 251 189 191 192 193 195 197 199 201 203 205 207 208 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı Вагабова М.Р., Мираламова Ф.В. Расчет одноэлектронных волновых функций и уровней энергии молекулы 1,2-7,8 дибензантрацена Годжаев Э.М., Алиева Ш.В. АбасовА.А. Фрактальная поверхность чешуи рыб Абдуллаев Х.Ш., Мамедов М.Ш., Ибрагимов Н.А. Оценка нейтронных сечений железа Abbasova G.C., Hənifəyeva N.Ə. Elastik modulun periodik dəyişməsi halında relaksasiya Abbasova G.C., Əliyeva İ.N., Ramazanov M.Ə., Ömərova Ə.İ. T7 peptidinin dəmir oksidi (Fe3O4) ilə kompleksinin elektron quruluşu Абдуллаев Ф.Г. Обобщенное уравнение упругости паров ряда моноалкилбензолов Ramazanov M.Ə., Paşayev F.H., Həsənov A.Q., Ali Tavfik Mahmood Nanohissəciklərin ölçülərinin təyini üsulları Алиев М.И., Гаджиева Н.Н., Рашидова Ш.Ш., Рзаева С.М. Фурье-ИК спектры поглощения композитов полиэтилен высокой плотности с полупровод никовым наполнителем InP Əhmədov I.S, Şahbazova F.A. Nanohissəciklərin bitki hüceyrələrinin səthində toplanması nəticəsində baş verən fizioloji dəyişikliklər Əhmədov I.S, Ramazanlı V.N. Bitki homogenatlarında və göbələklərdə sintez olunan gümüş nanohissəciklərinin bitki hüceyrələrinin səth membranı ilə qarşılıqlı təsir mexanizminin tədqiqi Велиева Л.И., Алиев Э.З. Компьютерное моделирование нейрпептидов семейства аллатостатинов Ramazanov M.Ə., İmaməliyev A.R., Hümbətov Ş.Ə. Maye kristallarda elektrooptik effektlər Усейнова С.М. Статическая диэлектрическая 252 211 212 214 216 218 220 222 225 228 229 230 231 233 Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı проницаемость циклопентанола в низкочастотном диапазоне Усейнова С.М. Равновесные диэлектрические свойства циклопентанола Ramazanov M.Ə., Hacıyeva F.V., Rəhmətova C.R. Polipropilen və dəmir nanohissəcikləri əsasındakı nanokompozitlərin maqnit-qüvvə mikroskopiyası (MQM) ilə tədqiqi Nəbiyev N.S., Mirzəağayev R.Ş. Karbon nanoboruların elektron quruluşunun xirialliğından asılılığının tədqiqi Ramazanov M.Ə., Əliyeva S.Q. Ag2S nanohissəciklərinin polimer matrisdə sintezi və lüminessensiya xassələri Рамазанов М.А., Алескеров Ф.К., Кахраманов К.Ш., Набиева С.А., Мамедов М.М. Самоорганизация паттернов в термоэлектрических системах 253 235 238 240 242