Апплет А пример.

Апплет А
1. Существуют ли полупроводники со смешанной ионно-ковалентной связью? Привести
пример.
2. Каков физический смысл знаменателя в выражении, связывающем примитивные
вектора обратной и прямой кристаллических решеток?
3. Написать выражение для примитивного вектора трансляции обратной решетки через
примитивные вектора прямой
4. Нарисовать плоскость 110 
221 или любую иную
5. Что такое сингония?
6. Имеется ли ось третьего порядка в кристалле, который вы изображали в вашем задании
апплета?
7. Как определить несоответствие параметров кристаллических решеток двух
полупроводников?
8. Написать выражение для эффективной массы
9. Как можно интерпретировать отрицательную эффективную массу?
Апплет Б
1.
Какую функциональную зависимость имеет E(k) в области экстремума (k→0)?
2.
Изобразить дисперсионные кривые E(k) по схеме расширенных зон.
3.
Почему возможно представление E(k) в схеме приведенных зон?
4.
В каких полупроводниках mn* самая малая и самая большая (рис. 1)?
5.
Какие из полупроводников – непрямозонные, а какие – прямозонные (рис. 1)?
6.
Какой полупроводник называется непрямозонным (изобразить схематически)?
7.
Какой из энергетических интервалов является шириной запрещенной зоны (рис.2)?
8.
Какова степень вырождения минимумов зоны проводимости для Si и Ge?
9.
Какой вид имеет изоэнергетическая поверхность зоны проводимости у Ge (Si,
GaAs)?
10. В каких направлениях в обратном (k)-пространстве расположены минимумы зоны
проводимости у Si?
Рис. 1
Рис. 2
Апплет В
1.
Каков физический смысл параметра EF?
2.
Каковы условия сильно вырожденного полупроводника и какова концентрация
основных носителей заряда в нем?
3.
Может ли собственный полупроводник быть сильно вырожденным? Пояснить
ответ.
4.
Написать основное уравнение полупроводника (закон действующих масс).
5.
В примесном невырожденном кремнии при комнатной температуре имеется 1014
см-3 электронов. Рассчитать концентрацию дырок.
6.
Где расположен уровень Ферми в случае невырожденного полупроводника n-типа
(p-типа) проводимости?
7.
Какова температурная зависимость положения уровня Ферми в собственном
полупроводнике при условии mn*>mp*?
8.
Какова зависимость положения уровня Ферми от температуры в легированном
невырожденном полупроводнике?
9.
Где находится уровень Ферми в вырожденном полупроводнике p-типа (n-типа)
проводимости?
10. Где расположен уровень Ферми:
- в собственном полупроводнике
- в примесном полупроводнике n-типа проводимости
- в примесном полупроводнике p-типа проводимости
11. Где находится уровень Ферми в кремнии, легированном атомами бора (iii группа)
(варианты – фосфора, мышьяка, сурьмы – V группа) до концентрации 1018 см-3?
11.
Нарисовать зависимость концентрации носителей заряда от температуры для
невырожденного примесного полупроводника. Указать характерные области